模拟集成电路复习题1

1. 选择题(每题2分,共30分)

1. 下列关于双极型模拟集成电路隔离区划分原则中不正确的说法

是( )

A．NPN管V C相同时, 可以放在同一隔离区

B. NPN管V C和PNP管的V E相同时, 可以放在同一隔离区

C. MOS电容需要单独一个隔离区

D. 硼扩散电阻原则上可以放在同一隔离区

2. 在版图设计中, 设计规则检查称为（）

A. EXTRACT

B. ERC

C. DRC

D. LVS

3. 差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( )

A．差分管的对称性

B. 电流源的交流阻抗

C. 输入电压幅度

D. 电阻R C1和R C2的对称性

4. 在PMOS中, 衬底上加上正电压偏置, 会使阈值电压( )

A. 增大 B 不变 C 减小 D 可大可小

5. 随着微电子工艺水平提高, 特征尺寸不断减小, 这时电路的工作电

压会（）

A不断提高 B. 不变 C. 可大可小 D. 不断降低

6. 下列（）技术指标不能描述集成电路工艺水平？

A．集成度 B.特征尺寸 C. 芯片面积 D. 输入阻抗

7. CMOS推挽放大器NMOS管和PMOS管分别工作于( ).

A . NMOS管工作于截止区和线性区; PMOS管工作于截止区和线性区

B. NMOS管工作于饱和区和线性区; PMOS管工作于饱和区和线性区

C. NMOS管工作于饱和区; PMOS管工作于饱和区

D. NMOS管工作于饱和区和线性区; PMOS管工作于截止区和线性区

8. CMOS放大器的电压增益( ) E/E, E/D放大器.(所用器件相同情

况下)

A. 高于

B.等于

C. 小于

D. 可能高也可能低

9. 对于电流镜的要求, 那种说法正确( )

A. 输出阻抗高 B输出阻抗低 C交流输出阻抗高 D直流输出阻抗高

10. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( )

A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN

11. 正偏二级管具有( )温度特性.

A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负

12. 差分放大器差模电压增益与( )有关

A. 双端输入还是单端输出;

B. 双端输出还是单端输出

C. 双端输入还是单端输入

D. 与输入输出形式无关

13. 在模拟和数字混合电路中, 关于电源和地线的说法正确的是( )

A．模拟和数字部分可共用地线, 不能共用电源线

B．模拟和数字部分不能共用地线, 不能共用电源线

C．模拟和数字部分不能共用地线, 能共用电源线

D．模拟和数字部分能共用地线, 也能共用电源线

14. 下图示出的剖面图

A. A是纵向npn, B是纵向pnp

B. A是横向npn, B是纵向pnp

C. A是纵向npn, B是横向pnp

D. A是横向npn, B是横向pnp

15. 在下列防止CMOS IC中闩锁效应的办法中，（）不可采用。

A．让NMOS和PMOS在许可的范围尽可能远离；

B． 降低寄生NPN、PNP的β；

C．增加R S、R W；

D．采用深槽隔离。

2. SBD（Schttky-Barrier-Diode) 与pn结二极管相比较，有何特

点？(10分)

3. 何谓pn结隔离？为保证隔离效果，应满足什么条件？(15分)

四. MOS模拟集成电路和双极型模拟集成电路相比各有什么特点(10分)

4. 差分放大器如图所示, , , 求双端输出的差模电压增益和单端输

出的共模电压增益.(10分)

六 (15分) 计算Wilson 电流源的输出电阻; 并计算出当V o变化为5V时, Io 变化为百分之几?

七．(15分)一个全NPN管的Darlington输出级如图。所有器件均为V BE（on）＝0.7V, V CE(sat)=0.2V, βF=100, T3的集电极电流为2mA。1．如果R L＝8Ω，试计算V o正的和负的最大值

2．试计算V o＝0V时电路的功耗