模拟电子技术基础简明教程杨素行(第三版)
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 (第一、二章的课后习题答案)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
1模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行_PPT课件_第一章1
又称正向偏置，简称正偏。
P
空间电荷区
空间电荷区变窄，有利 于扩散运动，电路中有 较大的正向电流。
N
I 内电场方向
外电场方向
V
R
图3 正向偏置PN结
在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的 正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。
（2） PN 结外加反向电压(反偏) 反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内 电场的作用；
模拟电子技术基础
一、电子技术的发展
• 1947年 • 1958年 • 1969年 • 1975年
贝尔实验室制成第一只晶体管 集成电路 大规模集成电路 超大规模集成电路
第一片集成电路只有4个晶体管，而1997年一片集成电路 中有40亿个晶体管。有科学家预测，集成度还将按10倍/6年 的速度增长，到2015或2020年达到饱和。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度相等。
4. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度 的升高，基本按指数规律增加。
三、杂质半导体
杂质半导体有两种 1、 N 型半导体
N 型半导体 P 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素， 如磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子 型半导体)。
学习电子技术方面的课程需时刻关注电子技术的发展！
电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展 上。从电子管→半导体管→集成电路
1904年 电子管问世
1947年 晶体管诞生
1958年集成电 路研制成功
电子管、晶体管、集成电路比较
值得纪念的几位科学家！
第一只晶体管的发明者
（by John Bardeen , William Schockley and Walter Brattain in Bell Lab）
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行-PPT课件-第1章
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
一、 N 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导
体) 。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n >> p 。电 子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子 (简称少子)。
当正向电压超过死区电压后， 随着电压的升高，正向电流迅速 增大。
0 0.4 0.8 U / V
正向特性
2. 反向特性 二极管加反向电压，反 向电流很小； 当电压超过零点几伏后， 反向电流不随电压增加而增 大，即饱和；
I / mA
–50 –25 0U / V
击穿 – 0.02
电压 U(BR) – 0.04
自由电子和空穴使本 征半导体具有导电能力， 但很微弱。
空穴可看成带正电的 载流子。
+4
+4
+4
+4
+4
图 1.1.3
本征半导体中的 自由电子和空穴
1. 半导体中两种载流子
带负电的自由电子 带正电的空穴
2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 称为 电子 - 空穴对。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。 4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到 平衡，载流子的浓度就一定了。 5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 高，基本按指数规律增加。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 答案全面解析
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程杨素行(第三版)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80A μ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8C BO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
模拟电子技术基础简明教程第三版杨素行
ib(不失真)
Q
ICQ
NPN 管 uo波形
O
tO
UCEQ
O
t
uo = uce
IB = 0
uCE/V
uCE/V
(二)用图解法估算最大输出幅度
输出波形没有 明显失真时能够输 出最大电压。即输 出特性的 A、B 所 限定的范围。
iC / mA
交流负载线
A
Q
U om
CD 2
DE 2
O
C
D
B
iB = 0
2.3 单管共发射极放大电路
2.3.1 单管共发射极放大电路的组成
VT：NPN 型三极管，为放大元件；
VCC：为输出信号提供能量； RC：当 iC 通过 Rc，将 电流的变化转化为集电极
电压的变化，传送到电路
的输出端；
VBB 、Rb：为发射结提 供正向偏置电压，提供静
态基极电流(静态基流)。
图 2.3.1 单管共射放大电路 的原理电路
iB / µA
—— 截止失真
ib
IBQ
O
结论：iB 波形失真
iB / µA
Q tO
O
Байду номын сангаас
t
ui
uBE/V uBE/V
iC 、 uCE (uo )波形失真
iC / mA iC
NPN 管截止失真时 的输出 uo 波形。
ICQ
O
tO
O
t
Q UCEQ
uo = uce
uCE/V uCE/V
2.
iC
Q 点过高，引起 iC、uCE的波形失真—饱和失真
iB
iB / µA
60
模拟电子技术基础简明教程第三版杨素行主题讲座
N PP NN P
IG β1 β2IG
β1IG
图
图
结论：
晶闸管由阻断变为导通旳条件是在阳极和阴极之间 加正向电压时，再在控制极加一种正旳触发脉冲；
晶闸管由导通变为阻断旳条件是减小阳极电流 IA 。 晶闸管导通后，管压降很小，约为 1 V 左右。
三、伏安特征和主要参数
1. 伏安特征 正向阻断特征：当 IG= 0 ，而 阳极电压不超出一定值时，管子
U (BR)CEO ≥ U Imax 1.1 2U 2
三、集电极最大允许耗散功率 PCM
PC UCE IC (UI UO )IC
PCM ≥ (U Imax UOmin ) ICmax (1.1 1.2U 2 UOmin ) IEmax
稳压电路旳输入直流电压为：
UI UOmax (3 ~ 8)V
图
放大电路：A； 调整管：VT；
UI 或 IL UO UF UId UBE IC
UO
UCE↑
10.6.2 输出电压旳调整范围
因为 U+ = U ，UF = UZ， 所以
UZ
UF
R2 R3 R1 R2 R3
UO
则：
UO
R1 R2 R3 R2 R3
UZ
图 10.6.1
串联型直流稳压电路
2. 当电网电压最低和负载电流最大时，IZ 旳值最小， 此时 IZ 不应低于其允许旳最小值，即
U Imin U Z R
I Lmax
I Zmin
或： R UImin U Z I Zmin ILmax
10.6 串联型直流稳压电路
10.6.1 电路构成和工作原理
采样电路：R1、 R2、 R3 ； 基准电压：由 VDZ 提供； 稳压过程：
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版_(第二章的课后习题答案)
习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。
答：(a)无放大作用（发射结反偏）；(b)不能正常放大（发射结无直流偏置）；(c)无放大作用（集电结无直流偏置）；(d)无放大作用（发射结无直流偏置）；(e)有放大作用（是射极跟随器）；(f)无放大作用（输出交流接地）；(g)无放大作用（输入交流接地）；(h)不能正常放大（栅极无直流偏置）；(i)无放大作用（电源极性接反）；R bR e i U +o UR i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=L R '=习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
①增大R b ；②增大V CC ；③增大β。
答：①增大R b ，则I BQ 减少，I CQ 减少，U CE Q 增大。
②增大V CC ，则I BQ 增大，I CQ 增大，U CE Q 不确定。
③增大β，则I BQ 基本不变，I CQ 增大，U CE Q 减少。
定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变u Ai U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3放大电路如图P2-7(a)所示，试按照给定参数，P2-7(b)中：①画出直流负载线；R b 211k Ωi U oU (b)P2-7(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oUC图P2-6(b)，输入电阻u A iU o U +_(u R A β=-(u R A β=-?ou iU A U ==o ii i oU R U R R =+i U o U +_(u R A β=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR iU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k (//c u R A r β=习题2-19 P107解：(a)共基电路(b)共射电路(c)共集电路(d)共射电路(e)共射－共基电路R 1i U oU -g m =1.5mS(1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩC R E 1sU习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案
+
习题1-3 某二极管的伏安特性如图(a)所示�
①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压�如图 (b)�此时二极管的电流 I 和电压U各为多少�
②如将图(b)中的1.5V电压改为3V�则二极管的电流和电
压各为多少�
I/mA
解�根据图解法求解 3
②
I � U �U Z � 30mA R
� IZ � I � I RL � 30 � 6 � 24mA
③
I RL
� UZ RL
� 3mA
� IZ � I � I RL � 20 � 3 � 17mA
习题1-8 设有两个相同型号的稳压管�稳压值均为6V� 当工作在正向时管压降均为0.7V�如果将他们用不同的方 法串联后接入电路�可能得到几种不同的稳压值�试画出
2kΩ 20kΩ
10V
(c)
IB � 0.465mA IC � 23.25mA U CE � �36.5V
以上算出的IC 与UCE值是荒谬 的�实质上此时三极管巳工作 在饱和区�故IB=0.465 mA� IC≈ VCC/ RC=5mA� UC E=UC ES ≈0.3V�见图P1-14(g)中C点。
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线�并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值�以及 当 uDS =15V� uGS =4V时的跨导 gm。
uDS=15V
由图可得�开启电压 UGS(th )=2V� IDO =2.5mA�
(b)交流通路
习题1-4 已知在下图中�uI = 10sinωt (V)�RL=1kΩ�试 对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波 形�并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向
模拟电子基础简明教程第三版杨素行
题1－13 （a）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
（b）发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。
（c）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
（d）发射结和集电结均正偏，故BJT工作在饱和区。
（e）发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。
（f）发射结正偏，集电结电压为0，故BJT处于临界饱和状态。
（g）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
（h）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
题2－1 判断图中放大电路有无放大作用，说明理由。
a)因为E结反偏，C结正偏，所以无放大作用。
应将+VCC改成-VCCb)电源未给发射结正偏——无放大作用。
应将Rb连在电源和基极之间c)输入交流信号会因交流通路中VCC的接地而被短路，无法作用在三极管的发射结——无放大作用。
应在电源和基极之间接一个电阻d)由于电容的隔直作用，发射结没有得到正偏——无放大作用。
应将电容C移走e)有放大作用f)无放大作用，原因：电容C2在交流时短路输出电压无法引出，而始终为零。
改正方法：将电容C2放在集电极和电压引出端之间。
g)无放大作用，原因：电容Cb在交流时短路而使输入交流信号被短路，无法作用在三极管的发射结。
改正方法：将电容Cb去掉。
h)无放大作用i)无放大作用题2－5题2－6VRIIVUmAImARRUVICEQ82.3)(7.2,027.0)1(cBQCQCCCQbcBEQCCBQ=+-===++-=β题2－13 1）I BQ=20uA, I CQ=2mA, U CEQ=-4V2) r be=1.5K, 3) A U=-100, 4)截止失真，应减小Rb 题2－15(2) 画出微变等效电路题2－16 1）I BQ =10uA, I CQ =1mA, U CEQ =6.4V2) r be =2.9K Ω,RL=∞时，R e /‘=5.6K ，A U =0.99, RL=1.2K 时，R e /‘=0.99K ，A U =0.979,3) RL=∞时，R i ‘=282K Ω， RL=1.2K 时，R i ‘=87K Ω 4) R o ‘=29Ω 题2－17R C ‘= R e 时，U O1 ‘≈ -U O2, 两者波形反相 题2－25e be e be L1)(1)(1R βr R βR βr R βU U C io ++-=++-='e be 2)(1)(1R βr R βU U e i o +++=题2－26第四章功率放大电路习题答案题4－6 分析OTL电路原理，已知V CC =10V，R3=1.2K，R L=16 Ω，电容足够大。
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100B i A
μ=80A
μ60A
μ40A μ20A μ0A
μ0.9933.22
安全工作区
假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=
F
D 、E
A
B
C
图P1-14(g)
DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V
由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，
4 1.2 2.84.
5 3.5
D m GS i g mS
u ∆-===∆-
习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P型沟道或N型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U
GS(off)
和饱和漏极电流I
DSS
；如为增强型，标出其
开启电压U
GS(th)。
(a)绝缘栅型N沟道增强型；(b)结型P沟道耗尽型；
(c)绝缘栅型N沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P沟道增强型。
习题1-18已知一个N型沟道增强型MOS场效应管的开启电
压U
GS(th)
= +3V，I DO=4mA，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P型沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏
极电流I
DSS
= -2.5mA，夹断电压U GS(off)=4V，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图
习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。
答：(a)无放大作用（发射结反偏）；
(b)不能正常放大（发射结无直流偏置）；
(c)无放大作用（集电结无直流偏置）；
(d)无放大作用（发射结无直流偏置）；
(e)有放大作用（是射极跟随器）；
(f)无放大作用（输出交流接地）；
(g)无放大作用（输入交流接地）；
(h)不能正常放大（栅极无直流偏置）；
(i)无放大作用（电源极性接反）；
R b
R e i U +o
U R i U +
o U R 1i U '+
2
i i N U U N '=
L
R '=
定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数
A
将增
u
A
↑。
u
A
，↓。
u
A
↓。
u
④增大β，则I BQ
A
基本不变
u
i U +o
U +
(b)
解：①可先用近似估算法求I BQ
100.7
0.0220510
CC BEQ
b V U mA A
R μ--=
=
≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1
静态工作点Q 点处，0.5,
U V I ≈≈
Q 1
Q 2
Q 1
Q 2
=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 连即可得到此时的直流负载线，此时集电极电阻为
()()10224CC CEQ CQ V U I k =-=-=Ω
由图可见，Q 3点处I BQ =40μA ，则
因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3
R b 2
11k Ω
i U o
U (b)
P2-7
()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)
mA
的一条水平线， 2.6
7.2
点，且斜率为，其中1
L
R -
'R b 2
11k Ω
i U o
U
C
图P2-6(b)
，输入电阻u A i
U o U +_(u R A β=-
(u R A β=-
?o
u i
U A U =
=o i
i i o
U R U R R =+
i U o U +
_(u R A β=-i
U o U +R e 2k Ω(u A r β=-+
R b 1
-
i U s
U o
U +-i U
R b
-
s
U +-
R o
U i
U (1(1u A r +=
+(1(1u A r +=
+R -
1o U i
U 2
o U r be
R c
R b
i
U 1o U 2o U -+-
1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=
+12o o U U ≈-
o
U R b 2=10R =3k (//c u R A r β=习题2-19 P107
解：(a)共基电路
(b)共射电路(c)共集电路(d)共射电路(e)共射－共基电路
R 1
i U o
U -
g m =1.5mS
(1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+
R S
gs
U o m gs s
U g U R =(1)i gs o m s gs
U U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+
12
u be A r =-22k =Ω
C R E 1
s
U
习题2-27P110
答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)
：直流稳压电源、正弦波信号发生
②测电压放大倍数A
u
器、示波器、交流毫伏表。
：同②
③测最大输出电压幅度U
om
：同②
④测输入电阻R
i
：同②
⑤测输出电阻R
o
习题2-28P111
本题为实验题，略。