静电场中的导体与电介质
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§2 静电场中的导体和电介质
§2-1 静电场中的导体
1. 导体的静电平衡条件
当电荷静止不动时,电场散布不随转变,
该体系就达到了静电平衡。在导体中存在自
由电荷,它们在电场的作用下可以移动,从而
改变电荷的散布……导体内自由电荷无宏观
运动的状态。
导体的静电平衡的必要条件是其体内图2-1导体的静电平衡
场强处处为零。
从静电平衡的条件动身可以取得以下几点推论:
推论1)导体是等位体,导体表面是等位面:
2)导体表面周围的场强处处与它
的表面垂直:因为电力线处处与等
位面正交,所以导体外的场强必与它的
表面垂直。
(注意:本章所用的方式与第一章不同,而是假定这种平衡以达
图2-2导体对等位面的控制作用到,以平衡条件动身结合静电场的普遍规律分析问题。)
2.电荷散布
1) 体内无电荷,电荷只散布在导体的表面上:
当带电导体处于静电平衡时,导体内部不存在净电荷(即电荷的体密度)电荷仅散布在导体的表面。
可以用高斯定理来证明:
设导体内有净电荷,则可在导体内部作一闭
合的曲面,将包围起来,
依静电条件知S面上处处, 即
由高斯定理
必有q=0
2) 面电荷密度与场强的关系:
当导体静电平衡时,导体表面周围空间的 与该处导体表面的面电荷密度 有如下关系:
论证: 在电荷面密度为 的点取面元
设 点为导体表面之外周围空间的点,面元
。 充分小,可以为 上的面电荷密度 是
均匀的,以
为横截面作扁圆柱形高斯面(S ),上底面过P 点,把电荷q= 包围起来. 通太高斯面的电通量是:
3) 表面曲率的影响、尖端放电
导体电荷如何散布,定量分析研究较复杂,这不仅与这个导体的形状有关
,还和它周围有何种带电体有关。对孤立导体,电荷的散布有以下定性的规律:
图2-3导体表面场强与电荷面
密度
曲率较大的地方(凸出而尖锐处),电荷密度
e 较大;
曲率较小的地方(较平坦处)电荷密度
e 较小;
曲率为负的地方(凹进去向)电荷密度
e 更小。
1) 端放电的利和弊
3 导体壳(腔内无带电体情况)
大体性质:
当导体壳内无带电体时,在静电平衡当导体壳内无 带电体时,在静电平衡下:
导体壳内表面上处处无电荷,电荷仅散布在外 表面;空腔内无带电场,空腔内电位处处相等。 证明:(略)
4 导体壳(腔内有电体情况)
大体性质:当导体壳内有电体时,在静电平衡状态下:导体壳内表面所带的电荷与空腔内带电荷的代数和为零。
图2-4尖端放电事例之一避雷针
的原理
证明:(略)
5 静电屏蔽
§2-2 电容及电容器
Capacitor and Capacitance
1 孤立导体的电容
孤立导体——即导体周围无其它带电体
当孤立导体所带电量为Q时,电位为U时,理论和实验说明,随着Q的增加,U将按比例增加
C=Q/U----孤立导体的电容
C与导体的尺寸形状有关,与Q无关的常数。
物理意义:孤立导体每升高单位电压所需要的电量。
常常利用单位:(国际单位制)库仑/伏特=法拉
1f=1C/1V
1f =10-6 f
1pf =10-12 f
图2-5电容器
例:半径为R孤立导体球的电容
U=Q/40R C=Q/U=40R
2电容器和它的电容
当孤立导体周围有其它带电体时,它自身的电位不仅与它自身所带的电量q A有关,且与周围有其它带电体的位置及形状有关。因为感应电荷将影响空间的电位及每一个导体的电位电位,要消除其它带电体的影响,需用静电屏蔽的方式。
C AB=
------ 电容器的电容
图2-6完全屏蔽电容器
例题:平行板电容器
解:设 >>d 2
说明:
C 正比于
极板面积s 反比于极板距离d 。
例题:同心球形电容器
解: 设两个同心球形电容器A,B 的半径别离为R A ,
R B (R A , 当 例题:同心拄型电容器 如图所示: 两个同心拄形电容器A , B 的半径别离为 R A 和R B (R A 解: 由高斯定理 小结 图2-7集成电路 图2-8平行板电容器 图2-9同心球形 电容器 图2-10同心柱形电容 器 1)设电容器两极板别离带电量,计算两极板间场强; 2)求出两极板间的电位差; 3)利用电容C=Q/U的概念求出。 3 电容的串并联 电容的性能规格中有两个指标:电容量,耐压能力。当使历时必需考虑二者。 1)电容器的并联(如图) 特点: 联接方式如图,所有电容器C1 C2 ----C n上的电压U相同;但每一个电容器上的 电量不同,别离 图2-11电容器的并联 为:q1=C1U ,q2=C2U ------ q n=C n U 总电量为q=q1+q2+------+q n=(C1+C2+-----+C n)U C=q/U=(C1+C2+-----+C n)/U