霍尔电压
霍尔电压实验报告思考(3篇)
第1篇一、实验背景霍尔效应是一种重要的物理现象，最早由美国物理学家霍尔于1879年发现。
当电流垂直于磁场通过导体或半导体时，会在其垂直方向上产生电压，这个电压称为霍尔电压。
这一现象不仅揭示了电荷的运动规律，而且在现代电子技术中有着广泛的应用，如磁场探测、速度测量等。
二、实验目的1. 理解霍尔效应的产生原理和实验装置。
2. 通过实验验证霍尔效应的存在，并测量霍尔电压。
3. 探究霍尔电压与电流、磁场之间的关系。
4. 学习使用霍尔电压测量磁感应强度。
三、实验原理霍尔效应的原理是：当电流垂直于磁场通过导体或半导体时，由于洛伦兹力的作用，载流子（电子或空穴）会向一侧偏转，导致两侧产生电势差，即霍尔电压。
霍尔电压的大小与电流、磁感应强度和载流子的电荷量有关。
四、实验装置与步骤1. 实验装置：霍尔效应实验仪、电源、电流表、电压表、磁场发生器等。
2. 实验步骤：1. 将霍尔元件放置在磁场发生器产生的磁场中。
2. 通过电源给霍尔元件通以电流，并调节电流大小。
3. 使用电压表测量霍尔电压。
4. 改变磁场方向，重复上述步骤，观察霍尔电压的变化。
5. 记录实验数据，分析霍尔电压与电流、磁场之间的关系。
五、实验结果与分析1. 实验结果：通过实验，我们得到了霍尔电压与电流、磁场之间的关系曲线。
2. 分析：1. 霍尔电压与电流成正比，与磁感应强度成正比。
2. 霍尔电压与载流子电荷量成反比。
3. 当磁场方向改变时，霍尔电压的符号也会改变。
六、实验误差与讨论1. 实验误差：实验过程中可能存在的误差包括测量误差、系统误差等。
2. 讨论：1. 测量误差：由于实验仪器的精度限制，测量结果可能存在一定的误差。
2. 系统误差：实验装置的安装、磁场分布等因素可能对实验结果产生影响。
七、实验结论1. 验证了霍尔效应的存在，并测量了霍尔电压。
2. 霍尔电压与电流、磁感应强度之间存在线性关系。
3. 霍尔电压的符号与磁场方向有关。
八、实验拓展1. 研究霍尔电压与温度之间的关系。
霍尔传感器电压
霍尔传感器电压
霍尔传感器电压是指在霍尔传感器中产生的电压信号。
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的传感器，它可以测量磁场的强度和方向。
当磁场作用于霍尔传感器时，会在传感器中产生一个电场，从而产生电压信号。
这个电压信号与磁场的强度和方向有关，因此可以用来测量磁场的参数。
霍尔传感器电压的大小和方向取决于磁场的强度和方向。
当磁场的方向与传感器的方向垂直时，电压信号最大。
当磁场的方向与传感器的方向平行时，电压信号为零。
因此，可以通过改变传感器的方向来测量磁场的方向。
霍尔传感器电压的大小也与磁场的强度有关。
当磁场的强度增加时，电压信号也会增加。
因此，可以通过测量电压信号的大小来测量磁场的强度。
霍尔传感器电压在许多应用中都有广泛的应用。
例如，在电动汽车中，可以使用霍尔传感器来测量电机的转速和转向。
在工业自动化中，可以使用霍尔传感器来测量机器人的位置和方向。
在医疗设备中，可以使用霍尔传感器来测量人体的磁场分布。
霍尔传感器电压是一种重要的电信号，它可以用来测量磁场的强度和方向。
在许多应用中，霍尔传感器电压都有广泛的应用，为我们的生活和工作带来了便利。
霍尔偏置电压
霍尔偏置电压霍尔偏置电压介绍：霍尔偏置电压是霍尔效应测量中的一个重要参数。
Hall bias voltage is an important parameter in Hall effect measurements.在霍尔效应中，当电流通过导体并垂直于磁场方向时，会在导体两侧产生电势差，这个电势差就是霍尔电压。
In the Hall effect, when a current passes through a conductor perpendicular to the direction of a magnetic field, a potential difference is generated on both sides of the conductor. This potential difference is known as the Hall voltage.而霍尔偏置电压则是指为了获得更准确的霍尔电压测量值，在测量过程中人为施加的一个辅助电压。
The Hall bias voltage refers to an auxiliary voltage that is artificially applied during the measurement process to obtain more accurate Hall voltage measurements.通过调整霍尔偏置电压的大小，可以有效地消除测量中的系统误差，提高测量精度。
By adjusting the magnitude of the Hall bias voltage, it is possible to effectively eliminate systematic errors in the measurement and improve measurement accuracy.在霍尔效应传感器、霍尔元件等应用中，霍尔偏置电压的选择和控制都至关重要。
42霍尔参数
42霍尔参数霍尔效应是指通过电流和磁场作用下，导体中出现的电荷的侧向漂移现象。
在霍尔效应的基础上，可以得到一些衡量材料特性的参数，这些参数被称为霍尔参数。
本文将介绍42霍尔参数的含义、计算方法和应用领域。
一、42霍尔参数的含义42霍尔参数是指在霍尔效应中，通过不同方向磁场和电流引起的霍尔电压、霍尔电流、霍尔系数和霍尔电阻的关系。
它们可以描述材料的导电类型、载流子浓度和迁移率等重要特性。
二、计算42霍尔参数的方法1. 霍尔电压（VH）的计算：霍尔电压是指垂直于电流方向和磁场方向的电压差。
它可以通过以下公式计算：VH = RH * IB * B，其中，RH为霍尔系数，IB为电流大小，B为磁场强度。
2. 霍尔电流（IH）的计算：霍尔电流是指垂直于电流方向和磁场方向的电流大小。
它可以通过以下公式计算：IH = VH / RH。
3. 霍尔系数（RH）的计算：霍尔系数是指单位电流和单位磁场下的霍尔电压。
它可以通过以下公式计算：RH = VH / (IB * B)。
4. 霍尔电阻（R Hall）的计算：霍尔电阻是指在霍尔效应下，材料中出现的电阻变化。
它可以通过以下公式计算：RHall = VH / IB。
三、42霍尔参数的应用领域42霍尔参数在材料科学和电子工程领域具有广泛的应用。
以下是一些常见的应用领域：1. 导电材料特性分析：通过测量42霍尔参数，可以分析材料的导电类型（正、负、无），以及导电性能如载流子浓度和迁移率等指标。
这对于材料的选择和工程设计具有重要意义。
2. 磁场传感器：霍尔传感器是一种常见的磁场传感器。
通过测量霍尔电压或霍尔电流，可以获取磁场的信息。
这种传感器广泛应用于位置检测、电流检测、地磁导航等领域。
3. 雷达和无线通信：在雷达系统和无线通信中，42霍尔参数可以用于检测和控制信号的强度和方向。
这对于实现无线通信的稳定性和可靠性至关重要。
4. 半导体器件设计：在半导体器件的设计和制造过程中，了解材料的霍尔参数可以帮助优化器件性能和工艺流程。
霍尔电压是怎么形成的
霍尔电压是怎么形成的机械振动在介质中的传播称为机械波。
机械波与电磁波既有相似之处又有不同之处，机械波由机械振动产生，电磁波由电磁振荡产生;机械波的传播需要特定的介质，在不同介质中的传播速度也不同，在真空中根本不能传播，而电磁波(例如光波)可以在真空中传播。
下面由店铺为你详细介绍机械波的相关知识。
机械波形成的原因：机械波与机械振动的关系机械振动产生机械波，机械波的传递一定要有介质,有机械振动但不一定有机械波产生。
形成条件波源波源也称振源，指能够维持振动的传播，不间断的输入能量，并能发出波的物体或物体所在的初始位置。
波源即是机械波形成的必要条件，也是电磁波形成的必要条件。
波源可以认为是第一个开始振动的质点，波源开始振动后，介质中的其他质点就以波源的频率做受迫振动，波源的频率等于波的频率。
介质广义的介质可以是包含一种物质的另一种物质。
在机械波中，介质特指机械波借以传播的物质。
仅有波源而没有介质时，机械波不会产生，例如，真空中的闹钟无法发出声音。
机械波在介质中的传播速率是由介质本身的固有性质决定的。
在不同介质中，波速是不同的。
传播方式质点运动机械波在传播过程中，每一个质点都只做上下(左右)的简谐振动，即，质点本身并不随着机械波的传播而前进，也就是说，机械波的一质点运动是沿一水平直线进行的。
例如：人的声带不会随着声波的传播而离开口腔。
简谐振动做等幅震动,理想状态下可看作做能量守恒的运动.阻尼振动为能量逐渐损失的运动。
为了说明机械波在传播时质点运动的特点，现已绳波(右下图)为例进行介绍，其他形式的机械波同理。
绳波是一种简单的横波，在日常生活中，我们拿起一根绳子的一端进行一次抖动，就可以看见一个波形在绳子上传播，如果连续不断地进行周期性上下抖动，就形成了绳波[2] 。
把绳分成许多小部分，每一小部分都看成一个质点，相邻两个质点间，有弹力的相互作用。
第一个质点在外力作用下振动后，就会带动第二个质点振动，只是质点二的振动比前者落后。
霍尔元件测电压实验报告
---实验报告一、实验名称：霍尔效应原理及其应用二、实验目的：1. 了解霍尔效应的产生原理；2. 测量霍尔元件的霍尔电压与工作电流、直螺线管的励磁电流之间的关系；3. 学习使用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法；4. 测量长直螺旋管轴向磁感应强度及分布；5. 学习使用对称交换测量法消除负效应产生的系统误差。
三、仪器用具：- YX-04型霍尔效应实验仪（仪器资产编号）- 直流电源- 磁场发生器- 测量电流表- 测量电压表- 标准电阻四、实验原理：霍尔效应是指当电流通过导体或半导体时，若在垂直于电流方向上施加磁场，则会在导体或半导体的垂直方向上产生电压。
这种现象可以用洛仑兹力来解释，即带电粒子在磁场中受到力的作用，导致电荷在垂直方向上分离，从而形成电压。
根据霍尔效应的原理，霍尔电压 \( V_H \) 与电流 \( I \)、磁感应强度 \( B \) 以及霍尔元件的长度 \( L \) 和宽度 \( W \) 之间存在如下关系：\[ V_H = R_H \cdot I \cdot B \]其中 \( R_H \) 是霍尔系数。
五、实验步骤：1. 将霍尔元件安装在实验仪上，连接好电路；2. 调节直流电源，使霍尔元件工作在合适的电流范围内；3. 改变直螺线管的励磁电流，记录相应的霍尔电压；4. 根据不同励磁电流下的霍尔电压，绘制霍尔电压与励磁电流的关系曲线；5. 使用对称交换测量法（异号法）进行测量，消除系统误差。
六、实验数据与分析：- 记录不同励磁电流下的霍尔电压值；- 绘制霍尔电压与励磁电流的关系曲线；- 分析曲线，得出霍尔电压与励磁电流之间的关系。
七、实验结果：根据实验数据，绘制出霍尔电压与励磁电流的关系曲线，并分析得出结论。
八、讨论与结论：通过实验，我们验证了霍尔效应的存在，并确定了霍尔电压与励磁电流之间的关系。
实验结果表明，霍尔电压与励磁电流成正比关系。
九、注意事项：1. 实验过程中要注意安全，防止触电；2. 在调整电流时，要缓慢进行，以免损坏霍尔元件；3. 在记录数据时，要准确无误。
大物实验报告——霍尔电压
实验5.2 霍尔电压实验目的1、学习霍尔效应原理和霍尔效应实验中的副效应及其消除办法。
2、了解半导体的导电特性，学习确定半导体试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率的实验方法。
实验仪器QS-H 型霍尔效应实验组合仪、半导体(硅) 样品、导线等。
实验原理1、霍尔效应将一个通电导体置于磁场中，如图所示，磁场B (沿z 方向) 垂直于电流IS (沿x 反方向) 的方向，则在导体中垂直于B 与IS的方向上出现一个电势差U，这个现象称为霍尔效应。
其中流过该导体的电流IS称为霍尔电流，由于霍尔效应所产生的电势差UH称为霍尔电压或霍尔电势差。
将一个N 型半导体薄片放置在垂直于它的磁场中,磁场B 的方向沿Z 轴方向，在X 的反方向通以电流Is,此时N 型半导体内的多数载流子(多子)——电子以一定的速度v沿X方向运动，垂直的磁场会对运动的电子产生一个洛仑兹力的作用，即FB=q (v*B)电荷出现横向偏转并在样品边界处积累，产生一个横向的电场E。
当载流子所受的电场力FE与洛仑兹力FB相等时，样品两侧电荷积累将达到动态平衡，此时FB=Fg，即qE=q(v*B)如果该N 型半导体薄片的载流子浓度为n,样品薄片宽度为b，厚度为d，则有I= nqvbd则UH=EHb=1/(nq)*IB/d=RHIB/dRH=1/(nq)称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数,对于厚度一定的霍尔器件，常采用霍尔灵敏度KH表示霍尔器件的灵敏度。
KH=1/(nqd)2、半导体材料的参数测量半导体材料有N 型(电子型) 和P型(空穴型) 两种，若测得A点电势高于A’点电势，则样品为N 型半导体; 反之，为P 型半导体。
利用霍尔效应还可以确定待测半导体样品的载流子浓度和迁移率。
(1)载流子浓度n:如果待测半导体材料只有一种载流子导电且所有载流子具有相同的漂移速度，则载流子浓度n 为N=1/(|RH|q)(2)载流子迁移率μ: 电导率δ可在图5.2-1所示零磁场下的A、C 电极间进行测量，即δ=1/ρ=ISL/(UACS)=ISL/(UACbd)ρ为样品的电阻率; L 为A、C 电极间的距离; S=b*d 为样品的横截面积; Is 为通过样品的电流; UAC为在零磁场下A、C间的电压。
霍尔电压及应用实验报告
霍尔电压及应用实验报告实验报告：霍尔电压及应用一、实验目的1. 理解霍尔效应的原理及应用；2. 学习并掌握霍尔电压的测量方法；3. 探究霍尔传感器在磁场检测方面的应用。
二、实验设备与材料1. 实验设备：霍尔传感器、电磁铁、恒流电源、数字万用表、示波器；2. 实验材料：磁铁、导线、电池等。
三、实验原理1. 霍尔效应原理：当导体中有电流流过时，如果在垂直于电流方向上施加一个磁场，就会在导体的两侧产生一个电势差，这种现象称为霍尔效应。
2. 霍尔电压的测量方法：将霍尔传感器连接到外加电压源上，传感器的输出电压与外加磁场强度成正比，可以利用数字万用表或示波器进行测量。
3. 霍尔传感器在磁场检测方面的应用：霍尔传感器可以测量磁场的方向和强度，广泛应用于磁场检测、位置检测、速度检测等领域。
四、实验步骤及结果1. 实验步骤：（1）将霍尔传感器的电源端连接至恒流电源的正极，接地端连接至电源的负极；（2）在霍尔传感器的两侧放置一个电磁铁，生成一个磁场；（3）将数字万用表的电压档位调至适当位置，将测量引线分别连接到霍尔传感器的输出端和地，读数记录下来；（4）根据不同的磁场强度、位置等条件，测量多组数据。
2. 实验结果：实验数据如表1所示。
表1 霍尔电压与磁场强度关系数据磁场强度（T）霍尔电压（mV）0.1 2.50.2 5.00.3 7.50.4 10.00.5 12.5五、实验分析与讨论1. 霍尔电压与磁场强度之间呈线性关系，即霍尔电压与磁场强度成正比；2. 霍尔传感器的输出电压与电流方向、磁场方向、导体材料等因素有关，需要在实验中精确测量和对比分析。
六、实验总结通过本次实验，我们深入了解了霍尔效应的原理及应用，并学习了霍尔电压的测量方法。
实验结果表明，霍尔电压与外加磁场强度成正比，可以用于磁场检测、位置检测、速度检测等领域。
实验过程中，我们还需要注意测量精度和实验数据的准确性，以得出可靠的实验结果。
七、参考文献[1] 李岩, 丁凡, 刘磊. 霍尔原理及其应用[J]. 科技创新与应用, 2019, 28(08): 53-54.[2] 黄海东, 刘琴军, 付扬,等. 霍尔电压测量方法的影响因素分析及实验研究[J]. 华中师范大学学报（自然科学版）, 2017,51(01):109-114.。
霍尔电动势公式及各参数含义
霍尔电动势公式及各参数含义
霍尔电动势公式是描述霍尔元件输出电压的公式,它取决于霍尔元件的横切速率(即霍尔元件在垂直方向上移动的距离)。
在正向霍尔电压公式中,霍尔器件沿着垂直方向移动一定距离时输出的电压,在反向霍尔电压公式中,霍尔器件沿着垂直方向移动相反的距离时输出的电压。
具体来说,霍尔电流公式描述了霍尔元件在垂直方向上移动的距离与输出电压之间的关系。
当横切速率为v时,霍尔电流为I,根据欧姆定律,可以得到:
I = V/R
其中,V是霍尔电压,R是霍尔元件的电阻。
霍尔电压公式是霍尔电流公式的逆推导式,即霍尔器件的输出电压等于反向霍尔电压除以横切速率。
参数含义如下:
1. V:霍尔电压,是输出电压的最大值,通常表示为正值,与正向
霍尔电流无关。
2. R:霍尔元件的电阻,与正向和反向霍尔电流有关。
当横切速率为正值时,R较小;当横切速率为负值时,R较大。
3. I:正向霍尔电流,是霍尔元件在垂直方向上移动的正向电荷量。
4. t:时间,是霍尔元件在垂直方向上移动的距离除以横切速率。
霍尔电压传感器
一二三霍尔电压传感器霍尔电压传感器概述 霍尔电压传感器是一种利用霍尔效应，将原边电压转化成副边可测量信号的一种传感器。
原边电压通过外置或内置电阻，将电流限制在10mA,此电流经过多匝绕组之后，经过聚磁材料将原边电流产生的磁场被气隙中的霍尔元件检测到，并感应出相应电动势，该电动势经过电路调整后反馈给补偿线圈进而补偿，该补偿线圈产生的磁通与原边电流（被测电压通过限流电阻产生）产生的磁通大小相等，方向相反，从而在磁芯中保持磁通为零。
实际上霍尔电压传感器利用的是和磁平衡闭环霍尔电流传感器一样的技术，即零磁通霍尔电流传感器。
霍尔电压传感器原理 霍尔电压传感器实际上是一种特殊的原边多匝的霍尔闭环电流传感器。
因为是基于霍尔闭环零磁通原理，所以可以测量直流电压，交流电压和混合波形的电压。
霍尔电压传感器原理图 基于磁平衡霍尔原理，需要原边匹配一个内置或外置电阻，该电阻随着测量的电压量程增大，需要的阻值和功率也相应增大，甚至需要加散热片。
因为原边采用多匝绕组，故存在比较大的电感，一般响应速度不高，频率范围有限。
霍尔电压传感器的分类霍尔电压传感器从安装方式上可以分为：基于PCB板安装基于螺钉固定安装导轨型安装霍尔电压传感器的应用IGBT等开关功率器件共同构成了电力电子的核心。
在UPS,电源，风电，铁路，太阳能等各行各业均有广泛应用。
因为原边采用多匝绕组，故存在比较大的电感，一般响应速度不高，频率范围有限。
霍尔电压传感器应用四 需要电压测量的场合很多，因为霍尔电压传感器的特点是既能测量交流又能测量直流，所以应用的场合比较多，在大功率原件得到应用的今天，霍尔原理的电压传感器与霍尔电流传感器一起同IGBT等开关功率器件共同构成了电力电子的核心，在UPS，风电，铁路，光伏，整流，电镀等各行各业都有着广泛的应用。
霍尔电压传感器测量 霍尔电压传感器生产厂家很多，目前市场占有率最高的应该是LEM公司。
LEM的霍尔电压传感器最高电压是6400V。
霍尔电压与磁场的关系
霍尔电压与磁场的关系
霍尔电压与磁场强度之间的关系是由霍尔效应产生的。
霍尔效应是一种电荷运动的物理现象，当一定数量的载流子流经具有磁场的半导体材料时，会产生一种称为霍尔电势的电势差。
这个电势差是由于电子受到洛伦茨力的作用，而在材料的一侧产生的电场。
霍尔电势的大小与磁场强度成正比，与电流量和材料电阻率有关。
通过对材料的几何形状和物理特性的分析，可以计算出霍尔电势和磁场强度之间的关系。
这个关系通常用霍尔系数来表示，可以通过实验测量得到。
霍尔系数是一个数量级较小的常数，通常为10^-12 m^3/C。
它表示的是单位电流在垂直于磁场方向上流动所产生的电场强度与磁场强度之比。
由此可见，霍尔电势的大小与载流子的数量和磁场强度有关。
在强磁场下，载流子会靠近材料的一侧，产生的霍尔电势也会变大。
在实际应用中，霍尔效应被广泛地用于磁场传感器和电流测量器中。
霍尔元件电压公式
霍尔元件电压公式霍尔元件公式U=IB/nqd霍尔元件结构是由霍尔片、4根引线和壳体组成。
霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片（一般为4mm×2mm×0.1mm），在它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色导线。
其焊接处称为控制电流极（或称激励电流），要求焊接处接触电阻很小，并呈纯电阻，即欧姆接触（无PN结特性）。
在薄片的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线。
其焊接处称为霍尔电极，要求欧姆接触，且电极宽度与基片长度之比小于0.1，否则影响输出。
霍尔元件的壳体上用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。
霍尔元件电阻计算公式？电阻计算的公式：（1）R=ρL/S (其中，ρ表示电阻的电阻率，是由其本身性质决定，L表示电阻的长度，S表示电阻的横截面积)（2）定义式：R=U/I（3）串联电路中的总电阻：R=R1 R2 R3 ……Rn（4）并联电路中的总电阻：1/R=1/R1 1/R2 ……1/Rn（5）通过电功率求电阻：R=U²/P；R=P/I²说明：物理学中，电阻表示导体对电流的阻碍作用的大小。
导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。
不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。
霍尔元件测磁场的公式？霍尔元件测磁场的公式？霍尔元件的一面（A面）垂直磁场放置，测出A面与其对面的长度L（即霍尔元件的厚度），并对霍尔元件通电流I（B面，电流方向是垂直磁场的），测出霍尔元件的长a和宽b。
此时用灵敏电压表连接A面与A面的对面，可测出电压U。
用公式Eq=Bqv可求，其中E=U/L，q约去，B是要求的量，v用公式ev=I/(ab)其中的e是确定的为1.6*10^19。
霍尔元件测磁场的公式？可以通过公式B=Uh/KIh得出。
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转所产生的。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累，从而形成附加的横向电场。
霍尔输出电压的公差
霍尔输出电压的公差
霍尔传感器的输出电压公差是指在特定工作条件下，传感器输
出电压的允许偏差范围。
通常情况下，霍尔传感器的输出电压公差
取决于多个因素，包括制造工艺、环境条件、以及传感器本身的设计。
一般来说，霍尔传感器的输出电压公差可以通过以下几个方面
来解释：
1. 制造工艺，制造工艺对霍尔传感器输出电压公差有着直接影响。
生产过程中的工艺控制和精度决定了传感器的输出电压稳定性
和一致性。
良好的制造工艺可以减小输出电压的公差。
2. 环境条件，环境条件包括温度、湿度、振动等因素，这些因
素都会对霍尔传感器的输出电压产生影响。
因此，在不同的环境条
件下，传感器的输出电压公差也会有所不同。
3. 传感器设计，传感器的设计包括内部电路结构、材料选择等
因素。
不同的设计会导致传感器输出电压公差的差异。
总的来说，霍尔传感器的输出电压公差是一个综合因素的结果，制造工艺、环境条件和传感器设计都会对其产生影响。
在实际应用
中，需要根据具体的要求和条件来选择合适的霍尔传感器，以确保其输出电压的稳定性和准确性。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
IS=5.00mA
X (cm)
IM=1000mA
U1 (mV) U2 (mV) U3 (mV) U4 (mV) +Is,+IM -Is,+IM -Is,-IM +Is,-IM
1 U H (U1 U 2 U 3 U 4 ) 4
数据处理
目的：
KH K H U
KH UH L I s 0 NI M
2
1 1 2 2 ( )2 uc (U1 ) ( )2 uc (U 2 ) ... 4 4
2
1 A 2 A 0.01 ( ) mV 4 3 2 3 2 3
2 2
EK H [
ln K H ln K H ln K H 2 2 2 uc ( I s ) uc (U H ) uc ( I M ) U H I M I s
UH UH L KH BI s I s 0 NI M
实验仪器与步骤
实验仪器
3 4 8 2 P M S N
1
5
6
7
1.螺线管,2.霍耳片,3.上下调节螺钉
4.霍耳片位置调节螺钉,5.工作电流换向开关
6.霍耳电压换向开关, 7.励磁电流换向开关, 8.标尺
实验仪器与步骤
实验步骤
1. 接线（霍尔元件工作电流切忌与励磁电流接反）。 2. 将励磁电流和工作电流调节旋钮逆时针旋转到底（调到最 小）。 3. 打开电源，调节励磁电流为实验室规定值（1000mA）。 缓慢调节工作电流电源使霍耳元件正常工作在 5.00 mA 额定电流值（注意电源必须预先置于零输出状态） 。 4. 将霍尔元件上下调节螺钉，调至中心。 5. 测量。从左向右或从右向左，对每一个 X 点测量 U1 、 U2 、 U3和U4，操作如下：a) 将开关5、7掷同一方向，规定此 为正，记I+、B+，记录U1；b) 将开关5（工作电流）反掷， 记I-、B+，记录U2；c) 类似可得U3和U4。 6. 关闭电源，整理仪器。
uc (U H ) 2 u (I ) u (I ) ] [ c s ]2 [ c M ]2 UH Is IM
uc ( K H ) K H EKH
U 3uc (KH )
KH K H U
霍尔效应的定量关系
当电流达到稳恒状态,
B
fm =fe
UH f m evB, f e e b
I ev bd
。
UH E
fm
+
。
V(I) b
fe
y
d
B=U H /（K H I）
x
z
• I和UH可用仪表准确测出；
KH =U H /（IB）
1 KH = ---灵敏度 e d
实验原理——霍尔电压的测量
用长直螺线管中点的磁感应强度计算霍耳元件的灵敏度(KH)。
实验原理
霍尔效应
在磁场中，载流导体或半导体上出现横向电势差的现象。 B
。
E UH
fm
+
y
V(I)
。
fe
x z
1879年美国物理学家霍尔发现 霍尔电压：霍尔效应中产生的电势差。 上图中导体上下两端面出现电势差UH 。
实验原理——磁感应强度的测量
四式相加：
UH 1 (U1 U 2 U 3 U 4 ) U t 4 1 (U1 U 2 U 3 U 4 ) 4
忽略Ut(<5%)： U H
实验原理——灵敏度的测量 霍耳元件灵敏度测定
无限长直螺旋管匀强磁场
N B 0 nI M 0 I M L
7 其中： 真空磁导率 0 4 10 H / m
实验仪器与步骤
注意事项
1. 霍尔元件及二维移动标尺易于折断、变形，应避免 受挤压，碰撞等。 2. 为不使螺线管过热而受到损害或影响测量精度，除 在读取有关数据以外，其余时间必须断开励磁电流 开关。 3. 霍尔元件工作电流切忌与励磁电流接反，且不能超 过其额定电流。
数据记录
附表 UH ~X (B~X)
课前要求
1、请在签到表上签到！
2、按照签到表上的序号入座！ 3、未讲仪器使用之前请勿动仪器！ 4、请勿在实验室内大声喧哗！
5、请勿在实验室内乱扔垃圾！
大学物理实验
五
霍尔效应 与磁场测定
物理实验中心
课堂目录
1 2
实验目的与内容
实验原理 实验仪器与步骤 数据处理
3
4
实验内容
用霍耳元件测量长直螺线管中心轴线上的磁感应强度分布。 （画 UH ~X (B~X）图 ）
uc ( I s ) u B ( I s )
uc ( I M ) u B ( I M
2
A 0.01 mA 3 3 A 1 ) mA 3 3
2 2
U H 2 U H 2 U H 2 U H 2 uc (U H ) uc (U 3 ) uc (U1 ) uc (U 2 ) uc (U 4 ) U1 U 2 U 4 U 3
最主要的是求: uc ( KH )
不确定度计算
解：
测量量有：UH
，Is，IM
ln KH ln U H ln L ln I s ln u0 ln N ln I M
ln K H 1 ln K H 1 ln K H 1 , , U H UH I S IS I M IM
附加效应及其消除（附加电压）
1. 2. 3. 4. 不等电势差U0：随工作电流，不随磁场方向改变； 附加温差电势差Ut：随工作电流，也随磁场方向改变； 能斯特效应UP：不随工作电流，随磁场方向改变。 里吉-勒迪克效应 US：不随工作电流，随磁场方向。 y y
P P
E
S
+ v1
fm fe
S
y P
+ v2
B
M
+v1
fm fe
S
+ v2
实验原理——霍尔电压的测量 副效应及其消除（附加电压）
I , B : U1 UH Uo Ut U p Us ;
I , B : U2 U H Uo Ut U p Us ; I , B : U3 UH Uo Ut U p Us ; I , B : U4 U H Uo Ut U p Us ;