2习题解答

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∫ A 1
X0 = − 2 + T
T
4 T
Adt
=
0

4
Xk
=
A 2
sinc⎛⎜⎝
kπ 2
e−
jk

T ×
⎞⎟ T 4

=
A 2
sinc⎛⎜⎝
kπ 2
⎞ ⎟
e

kπ j
2


k
为偶数时
Xk
=
0 ;当
k
为奇数时
Xk
=

j
A kπ

x(t) 是奇对称奇谐函数,傅里叶级数中只含有奇次谐波。

∑ 2-3 如图 2.3 所示的周期单位冲激序列δT (t ) = δ (t − kT ) ,求其指数形式和三角形式的傅里叶级 k = −∞
T
T
∫ ∫ X1(ω ) =
2 T −
x(t)e− jωt dt
=−
j
2 0
A sin (ωt ) dt
2
T
= j A cos(ωt) 2 = jA (cos ωT − 1)
ω

2
Xk
=
1 T
X1 (ω)
ω = kω0
=
jA kω0T
⎡⎢cos ⎣
⎛ ⎜ ⎝
kω 0T 2
⎞ ⎟ ⎠
−1⎤⎥ ⎦
=
jA 2kπ
习题 2
2-1 化简以下各信号的表达式。
∫ (1) ∞ etδ (t − 3)dt −∞
∫ (2) ∞ sin(π t) δ (t)dt
−∞ t

∫ (3) ε (t +1)δ (t −1)dt −∞

习题二解答

习题二解答

第2章 逻辑门电路2.1解题指导[例2-1] 试用74LS 系列逻辑门,驱动一只V D =1.5V ,I D =6mA 的发光二极管。

解:74LS 系列与之对应的是T4000系列。

与非门74LS00的I OL为4mA ,不能驱动I D =6mA 的发光二极管。

集电极开路与非门74LS01的I OL 为6mA ,故可选用74LS01来驱动发光二极管,其电路如图所示。

限流电阻R 为Ω=--=--=k V V V R OL D CC 5.065.05.156[例2-2] 试分析图2-2所示电路的逻辑功能。

解:由模拟开关的功能知:当A =1时,开关接通。

传输门导通时,其导通电阻小于1k Ω,1k Ω与200k Ω电阻分压,输出电平近似为0V 。

而A =0时,开关断开,呈高阻态。

109Ω以上的电阻与200k Ω电阻分压,输出电平近似为V DD 。

故电路实现了非逻辑功能。

[例2-3] 试写出由TTL 门构成的逻辑图如图2-3所示的输出F 。

&≥1F≥1A B图2-3 例2-3门电路A BF图2-4 例2-4门电路解:由TTL 门输入端悬空逻辑上认为是1可写出 [例2-4] 试分别写出由TTL 门和CMOS 门构成的如图2-4所示逻辑图的表达式或逻辑值。

解:由TTL 门组成上面逻辑门由于10k Ω大于开门电阻R ON ,所以,无论 A 、B 为何值由CMOS 门组成上面逻辑门由于CMOS 无开门电阻和关门电阻之说,所以,2.2 习题解答2-1 一个电路如图2-5所示,其三极管为硅管,β=20,试求:ν1小于何值时,三极管T 截止,ν1大于何值时,三极管T 饱和。

解:设v BE =0V 时,三极管T 截止。

T 截止时,I B =0。

此时 10)10(020--=-I v v I =2VT 临界饱和时,v CE =0.7V 。

此时mA I BS 0465.010207.010=⨯-= mA v I I I BS B 0465.010)10(7.027.0=----==v I=4.2Vv I v O BB 图2-5三极管电路A BF 图2-1例2-1 OC 门驱动发光二极管FA 图2-2 例2-2 模拟开关ΩV V 020011DD F ≈+=DD DD 44DD599F 210101021010V V V V ≈+≈⨯+=AB A F =++⋅=110≡F AB F =上述计算说明v I <2V 时,T 截止;v I >4.2V 时,T 饱和。

《误差理论与数据处理》习题2及解答

《误差理论与数据处理》习题2及解答
试写出测量结果。③若手头无该仪器测量的标准差值的资料,试由②中 10 次重复测量的 测量值,写出上述①、②的测量结果。 【解】① 单次测量的极限误差以 3σ计算,δlimx=3σ=3×0.5=1.5(μm)=0.0015 (mm) 所以测量结果可表示为:26.2025±0.0015
(mm)
② 重复测量 10 次,计算其算术平均值为: x = 26.2025(mm). 取与①相同的置信度,则测量结果为:26.2025±3σ= 26.2025±0.0015 (mm). ③ 若无该仪器测量的标准差资料,则依 10 次重复测量数据计算标准差和表示测量结 果。选参考值 x0 = 26.202,计算差值 ∆x i = x i − 26.202 、 ∆ x 0 和残差ν i 等列于表中。 序 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 号
∑ν
i =1
i
n( n − 1)
= 1.253
0.0008 5× 4
= 0.000224 (mm)
σx =
σ
n
=
0.000255 5
= 0.000114 ; σ x =
'
σ'
n
=
0.000224 5
= 0.0001
⑤求单次测量的极限误差和算术平均值的极限误差 因假设测量值服从正态分布,并且置信概率 P=2Φ(t)=99%,则Φ(t)=0.495,查附录
∆ x0 = 1 10 ∑ ∆xi = 0.0005 10 i =1
νi
0 +0.0003 +0.0003 0 +0.0001 -0.0003 -0.0002 0 +0.0001 -0.0003
ν i2
0 9×10 9×10 0 1×10

模拟电路2习题及解答

模拟电路2习题及解答

Au Uo / Ui 1.2 / 0.02 60
Ai
io
/ ii
Uo / RL
Us Ui /
Rs
1.2 /1
0.03 0.02 / 0.6
72
Ap Au Ai 60 72 4320
Au dB 20 lg Au 20 lg(60) 35.6dB Ai dB 20 lg Ai 20 lg(72) 37.1dB
Au=60(35.6dB),Ai=72(37.1dB),Ap=4320(36.4dB),Ri=1.2kΩ,Ro=0.5kΩ
4
2. NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示,已知晶体管参数为β=80,
UBE(on)=0.7V,rbb'=200,忽略rce。电阻为Rs=3.3k,RB=470k,RC=
(2)Au=-75,Aus=-43,Ri=1.37kΩ,Ro =3kΩ
7
5.NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示,已知晶体管参数为β=
100,UBE(on)=0.7V,rbb'=200,忽略rce。电阻为Rs=500,RB1=33k,
RB2=10k,RC=4.7k,RE=2k,RL=5.1k,电源电压+VCC=+12V。
91
Ri RB1 / / RB2 / /rbe
1
1 1
1
2kΩ
33 10 2.68
Ro RC 4.7kΩ
Aus
Ri
Ri Rs
Au
2 0.5
2
91
73
Rs 500Ω
us
ui
RB2 10kΩ
RL 5.1kΩ
uo
+
RE 2kΩ CE
(1)IBQ=10.5μA ,ICQ=1.05mA,UCEQ=5V (2)Au=-91,Aus=-73,Ri=2kΩ,Ro=4.7kΩ 8

分界面上的衔接条件2习题解答

分界面上的衔接条件2习题解答

2.11 分界面上的衔接条件2习题解答1. 分界面两侧电位移矢量D满足的衔接条件为( ) A. 21t t f D D B. 210t t D D C. 21n n f D D D. 210n n D D解析:本题考查电位移矢量D的衔接条件,基本知识点 习题难度:易分界面两侧电位移矢量D的法向分量满足:21n n f D D2. 关于两种介质分界面,下列陈述错误的是( )A. 在介质分界面上满足21210t t nn f E E D DB. 在介质分界面上满足2121()0()n n fe E E e D DC. 若介质1是导体,介质2是电介质,则在介质分界面上满足220t n f E DD. 若介质1是导体,介质2是电介质,则在介质分界面上满足220n n e E e D解析:本题考查静电场衔接条件的各种表示方式,基本知识点 习题难度:易若介质1是导体,介质2是电介质,则在介质分界面上满足220n n fe E e D3. 两同心导体球壳半径分别为a 与b ,两导体之间介质的介电常数为 ,内、外导体球壳电位为U ,则内导体球壳面上的自由电荷面密度为( ) A. 2111r aUa a bB. 2111r aUa b aC. lnr aUb a aD. lnr aUb a a解析:本题考查衔接条件的应用 习题难度:中内外球壳之间电场强度可用高斯定理计算得到:24πrq D e r内外球壳之间的电压:2d 11d 4π4πb baaq r q U E r r a b整理得到:211n r UD D e r a b根据衔接条件可知内导体球壳面上的自由电荷面密度: 211fnr ar aUD a a b4. 图中所示为静电场情况下电介质分界面上某种矢量的场图,已知界面上没有自由面电荷,根据电介质分界面的衔接条件,可以判断( ) A. 图中对应的矢量是电场强度,且21 B. 图中对应的矢量是电场强度,且21 C. 图中对应的矢量是电位移矢量,且21 D. 图中对应的矢量是电位移矢量,且21 解析:本题考查静电场衔接条件的应用 习题难度:中由图可知:矢量的方向分量相等,所以可以判定该矢量为电位移矢量。

工程力学2(材料力学)习题解答

工程力学2(材料力学)习题解答

《工程力学2习题解答》建筑1001班陈飞力学教研室编著1-2. 试求图示结构mm 和nn 两截面上的内力,并指出AB 和BC 两杆属何种基本变形。

解:(1)求约束反力:取杆AB 为研究对象∑∑∑=⨯-⨯==-+===0233 003 000BCABCAAN M N Y Y X X 解得:kN Y kN N A BC 1 2==(2)求m-m 截面内力:将杆AB 沿截面m-m 截开, 取左半部分kNm Y M kN Y Q A m-m A m m 11 1=⨯===-AB 杆发生弯曲变形。

(3)求n-n 截面内力:取杆BC 为研究对象,截开n-n 截面kN N N BC n n 2==-BC 杆发生拉伸变形1-3. 拉伸试件A 、B 两点的距离l 称为标距,在拉力作用下,用引伸仪量出两点距离的增量为Δl =5×10-2mm 。

若l 的原长为l =10cm ,试求A 、B 两点间的平均应变。

解:平均应变为42105100105Δ--⨯=⨯==l l m ε1-4. 图示三角形薄板因受外力而变形。

角点B 垂直向上的位移为0.03mm ,但AB和BC 仍保持为直线。

试求沿OB 的平均应变,并求AB 、BC 两边在B 点夹角的变化。

解:(1) 求OB 方向的平均线应变n4105.212003.0Δ120-⨯=====l l mmOA OB m ε (2)求AB 与BC 两边的角应变4105.2'22-⨯=-=OB AO arctg πγ2-1. 试求图示各杆1-1、2-2、3-3截面的轴力, 并作轴力图。

解: (a)(1)求约束反力kNR R X 500203040 0==-++-=∑(2)求截面1-1的轴力kNN NR X 500011==+-=∑(3)求截面2-2的轴力kNN NR X 10040 022==++-=∑(4)求截面3-3的轴力(a) (b)kNN NR X 2003040 033-==+++-=∑(5)画轴力图(b)(1)求截面1-1的轴力01=N(2)求截面2-2的轴力 PN4022==(3)求截面3-3的轴力PN P P NX 304 033==-+=∑(4)画轴力图2-2. 作用图示零件上的拉力P=38kN ,试问零件内最大拉应力发生于哪个横截面上?并求其值。

连续介质力学习题二答案

连续介质力学习题二答案

连续介质力学习题二答案连续介质力学是力学中的一个重要分支,研究的是连续介质的宏观性质和行为。

在学习连续介质力学的过程中,习题是不可或缺的一部分。

下面将为大家提供一些连续介质力学习题的答案,希望能对大家的学习有所帮助。

1. 一个均匀的弹性杆,长度为L,横截面积为A,杨氏模量为E。

如果在杆的一端施加一个拉力F,另一端固定,求杆的伸长量。

解答:根据胡克定律,弹性杆的伸长量与施加的拉力成正比。

所以,伸长量可以用下面的公式表示:ΔL = (F * L) / (A * E)其中,ΔL表示伸长量,F表示施加的拉力,L表示杆的长度,A表示横截面积,E表示杨氏模量。

2. 一个圆柱形的液体容器,底面半径为R,高度为H。

如果在容器的底部施加一个压力P,求液体容器内部的压强分布。

解答:液体容器内部的压强分布可以用下面的公式表示:P(z) = P + ρ * g * z其中,P(z)表示液体容器内部距离底部高度为z处的压强,P表示底部施加的压力,ρ表示液体的密度,g表示重力加速度。

3. 一个均匀的弹性球体,半径为R,杨氏模量为E。

如果在球体的表面施加一个压力P,求球体的压缩量。

解答:根据胡克定律,弹性球体的压缩量与施加的压力成正比。

所以,压缩量可以用下面的公式表示:ΔR = (P * R^3) / (3 * E)其中,ΔR表示压缩量,P表示施加的压力,R表示球体的半径,E表示杨氏模量。

4. 一个均匀的弹性体,体积为V,体积弹性模量为K。

如果在弹性体的体积上施加一个压力P,求弹性体的体积变化量。

解答:弹性体的体积变化量可以用下面的公式表示:ΔV = -(P * V) / K其中,ΔV表示体积变化量,P表示施加的压力,V表示弹性体的体积,K表示体积弹性模量。

以上是一些连续介质力学习题的答案,希望对大家的学习有所帮助。

在学习连续介质力学的过程中,多做习题是非常重要的,通过解答习题可以加深对理论知识的理解和运用。

同时,也希望大家能够在学习中保持耐心和积极性,相信通过不断的努力,一定能够掌握连续介质力学的知识。

第2章习题解答

第2章习题解答

思考题与习题题解2-1 将下列二进制数分别转换成十六进制数和十进制数 (1)100110 (2)100101101 (3)10000111001 (4)111111011010 解:(1)D H B )38()26()100110(==(2) D H B )301()D 12()100101101(== (3) D H B )1081()439()11000011100(== (4) D H B )4058()FDA ()101111110110(==2-2 将下列十进制数转换为二进制数(1) 12 (2) 51 (3) 105 (4) 136解:(1)B D )1100()12(= (2)B D )110011()51(= (3)B D )1101001()105(= (4)B D )10001000()136(=2-3 将下列十六进制数转换成等效的二进制数和十进制数(1)(BCD) H (2)(F7) H (3)(1001) H (4)(8F) H 解:(1)D B H )3021()011011110011()BCD (==(2) D B H )247()1110111()7F (==(3) D B H )4097()0011000000000()0011(==(4) D B H )143()10001111()F 8(==2-4 写出下列十进制数的8421BCD 码(1)2003 (2)99 (3)48 (4)12 解:(1)(2003)(10)=(0010 0000 0000 0011)8421BCD (2)(99)(10)=(1001 1001)8421BCD(3)(48)(10)=(0100 1000)8421BCD (4)(12)(10)=(0001 0010)8421BCD2-5 写出习题2.5图(a )所示开关电路中F 和A 、B 、C 之间的逻辑关系的真值表、函数式和逻辑电路图。

单片机应用技术(C语言版)习题2解答

单片机应用技术(C语言版)习题2解答
(11)C51的变量存储器类型是指___databdataxdata__________。
(12)C51中的字符串总是以___\0________作为串的结束符,通常用字符数组来存放。
(13)在以下的数组定义中,关键字“code”是为了把tab数组存储在___程序存储器_______。Unsigned char code b[]={‟A‟,‟B‟,‟C‟,‟D‟,‟E‟,‟F‟};
3.问答题。
(1)C51语言有哪些特点?作为单片机设计语言,它与汇编语言相比有什么不同?优势是什么?
答:C51语言主要特点如下:
1.C语言数据类型丰富,运算符方便
2.语言简洁、紧凑,使用方便、灵活
3.面向结构化程序设计的语言
4.C语言能进行位操作
5.生成目标代码质量高,程序执行效率高
C语言能直接对计算机硬件进行操作,既有高级语言的特点,又有汇编语言的特点,。利用C语言编程,具有极强的可移植性和可读性,同时,它不需程序员了解机器的指令系统,只需简单的熟悉单片机的硬件,
习题2
1.单项选择题。
(1)下面叙述不正确的是。(C)
A.一一个函数main()
C.在C程序中,注释说明只能位于一条语句的后面
D.C程序的基本组成单位是函数
(2)C程序总是从开始执行的。(B)
A.主函数B.主程序C.子程序D.主过程
(3)最基本的C语言语句是。(B)
(5)C中的while和do while的不同点是什么?
答:while循环语句是在执行循环体之前先判断循环条件,如果条件不成立,则该循环不会被执行。而do while是先执行循环体后判断循环条件。
(6)简述循环结构程序的构成。
答:在给定条件成立时,反复执行某程序段,直到条件不成立为止。给定的条件称为循环条件,反复执行的程序段称为循环体。

原子物理习题解答2

原子物理习题解答2

如何?
(,,)
解: ; ;
(1)
由得
将代入(1)式得: ,
,,,所以有 ,则:
, 7.17 若用α粒子轰击固定的锂靶,试求α粒子至少具有多大的动能才能使核反应发生;若以 衰变发生的α粒子来轰击,能否引起核反应? (:7.016005u; :10.0129385u; :4.002603u; :232.038074u; :228.031091u) 解:;
(的质量 179.947489u, 为 179.946560u, K 电子结合能 67.4keV). 解: (1) 衰变过程属 K 俘获,方程为:
(2) 衰变能为:
7.12 激发能为 100kev 的同质异能素(碲)放出内转换电子而退激回基态,若 K 电子和 L 电子的 结合能分别为 31.8kev,4.93kev ,试计算所放出的 K 电子和 L 电子的动能. 解:, 7.13 137Ba 作用同质异能跃迁时放出的光子的能量为 616.6Kev,试计算核的反冲能量. 解: 核 137Ba 的反冲能为
应为:或者 (注:也可从判断得出该弱作用过程不能发生。)
(3),轻子数 L 守恒;重子数 B:1+0=1+0,电荷数 Q:1-1=0+0;奇异数 S:0+0=0+0;同位 旋 I:1/2+1=1/2+1;同位旋分量 I3:1/2-1=-1/2+0 等都守恒,故该强相互作用过程能实现。 (4) 电轻子数 Le:1+0≠0+0;轻子数 Lμ:0+0≠0+(-1)都不守恒。故该弱作用过程不 能发生。应为: 或 。 9.3 实验中已观察到下列过程:,该过程同位旋、奇异数是否守恒?如不守恒,它们的改变量 (选择定则)是多少?这是一种什么类型的相互作用过程? 解:,奇异数 S:-2≠-1+0,ΔS=1;同位旋 I:1/2≠0+1,同位旋分量 I3:-1/2≠0-1,故这 是一种弱相互作用过程。 9.4 已观察到下面的反应:,试问光子的同位旋应是多少? 解:,电磁作用过程同位旋分量 I3 应守恒,即 1/2-1=-1/2+I3γ,I3γ=0。所以光子的同位 旋应有:Iγ=0。 9.5 实验中没有发现如下过程:,其中是光子,试分析原因。 解:,奇异数 S:-1≠0+0;同位旋分量 I3:0≠-1/2+0 等都不守恒,而电磁作用中两者都应 守恒。应为: 或 (是弱作用衰变过程)。

部分电容2习题解答

部分电容2习题解答

2.19 部分电容2习题解答1. 关于部分电容,下列陈述错误的是( ) A. 所有部分电容都为正值B. 部分电容只与系统内导体的几何形状、尺寸、相互位置、电介质的分布有关,与导体所带电荷量无关C. 互有部分电容具有互易性质,即ij ji C CD. 部分电容就是两导体间的等效电容 解析:本题考查部分电容的概念,基本知识点 习题难度:易等效电容,是指在多导体静电独立系统中,把两导体作为电容器的两个极板,设在这两个电极间加上已知电压U ,极板上所带电荷分别为Q ,则把比值/Q U ,叫做这两导体间的等效电容。

因此与部分电容并不相同,D 错误。

2. 如图所示二芯对称的屏蔽电缆,测得导体1、2之间的等效电容为0.036F ,导体1、2相连时和外壳间的等效电容为0.064F ,则导体1与外壳间的部分电容10C 和导体1、2之间的部分电容12C 分别为( ) A. 100.032μF C ,120.02μF C B. 100.02μF C ,120.032μF C C. 100.064μF C ,120.036μF C D. 100.036μF C ,120.064μF C解析:本题考查部分电容的计算 习题难度:中电容网络如右图所示,因二芯对称,故有1020C C导体1、2之间的等效电容为0.036F ,则10120.0362CC导体1、2相连时和外壳间的等效电容为0.064F ,则1020.064C 联立求解得到:100.032μF C ,120.02μF C3. 如图所示三芯对称的屏蔽电缆,若将三个导体相联,测得导体与铅皮间的电容为0.051F ,若将电缆中的两导体与铅皮相联,它们与另一导体间的电容为0.037F ,则导体1与外壳间的部分电容10C 和导体1、2之间的部分电容12C 分别为( ) A. 100.01μF C ,120.017μF C B. 100.017μF C ,120.01μF C C. 100.04μF C ,120.017μF C D. 100.017μF C ,120.04μF C解析:本题考查部分电容的计算 习题难度:难电容网络如右图所示,因三芯对称,故有102030C C C ,122331C C C三个导体相联,此时10C 、20C 、30C 并联:1030.051C两导体与铅皮相联,此时假设1、2导体与铅皮相联,则10C 、12C 、20C 被短掉,联立解得:1020300.017C C C ,1223310.01C C C铅皮。

工程力学课后题答案2

工程力学课后题答案2

工程力学课后题答案2习题解答第二章汇交力系第二章汇交力系习题 2.1 在刚体的A点作用有四个平面汇交力。

其中F,2kN,F=3kN,F=lkN, F=2.5kN,1234方向如题2.1图所示。

用解析法求该力系的合成结果。

题2.1图0000FXFFFFKN,,,,,,cos30cos45cos60cos451.29解 ,Rx14230000FYFFFFKN,,,,,,sin30cos45sin60cos452.54 ,Ry142322 FFFKN,,,2.85RRxRyFRy0 (,)tan63.07,,,FXarcRFRx2.2 题2.2图所示固定环受三条绳的作用,已知F,1kN,F=2kN,F=l.5kN。

求该力系的123合成结果。

F1F2F3解:2.2图示可简化为如右图所示0FXFFKN,,,,cos602.75 ,Rx230FYFFKN,,,,,sin600.3 ,Ry1322 FFFKN,,,2.77RRxRyFRy0 (,)tan6.2,,,,FXarcRFRx7习题解答第二章汇交力系 2.3 力系如题2.3图所示。

已知:F,100N,F=50N,F=50N,求力系的合力。

123F1F2F3 解:2.3图示可简化为如右图所示800 ,,,,,BACarctan5360FXFFKN,,,,cos80, ,Rx32FYFFKN,,,,sin140, ,Ry1222 FFFKN,,,161.25RRxRyFRy0 (,)tan60.25,,,FXarcRFRx ,2.4 球重为W,100N,悬挂于绳上,并与光滑墙相接触,如题2.4 图所示。

已知,,,30试求绳所受的拉力及墙所受的压力。

F拉F推OW题2.4图解:2.4图示可简化为如右图所示XFF,,,sin0, ,拉推YF,,,cosW0, ,拉?,,FF115.47N57.74N,拉推墙所受的压力F=57.74N ?2.5 均质杆AB重为W、长为 l ,两端置于相互垂直的两光滑斜面上,如题2.5图所示。

C++课后习题答案2_习题和解答(第3版)

C++课后习题答案2_习题和解答(第3版)

习题 2及其解答2.1选择题1.已知 int i=0, x=1, y=0 ; 在下列选项使i 的值变成1的语句是( c )。

(a) if( x&&y ) i++ ; (b) if( x==y ) i++ ; (c) if( x||y ) i++ ; (d) if( !x ) i++ ;2.设有函数关系为y=⎪⎩⎪⎨⎧>=<-010001x x x ,下面选项中能正确表示上述关系为( c )。

(a) y = 1 ; (b) y = -1 ;if( x >= 0 ) if( x != 0 )if( x == 0 ) y = 0 ; if( x > 0 ) y = 1 ; else y = -1; else y = 0; (c) if( x <= 0 ) (d) y = -1 ; if( x < 0 ) y = -1 ; if( x <= 0 )else y = 0 ; if( x < 0 ) y = -1 ; else y = 1 ; else y = 1 ; 3.假设i=2,执行下列语句后i 的值为( b )。

switch( i ) { case 1 : i ++ ; case 2 : i -- ; case 3 : ++ i ; break ; case 4 : -- i ; default : i ++ ; } (a) 1(b) 2(c) 3(d) 44.已知int i=0,x=0; 下面while 语句执行时循环次数为( d )。

while( !x && i< 3 ) { x++ ; i++ ; } (a) 4(b) 3(c) 2(d) 15.已知int i=3;下面do_while 语句执行时循环次数为( b )。

do{ i--; cout<<i<<endl;}while ( i!= 1 ); (a) 1(b) 2(c) 3(d) 无限6.下面for 语句执行时循环次数为( b )。

习题二解答

习题二解答
v ⎧ u>0 ⎪ arctan u , ⎪ v ⎪ arg f (z ) = ⎨arctan + π , u < 0, v > 0 u ⎪ ⎪arctan v − π , u < 0, v < 0 ⎪ u ⎩
⎧ C1 ⎪ = ⎨C1 + π ⎪C − π ⎩ 1 u >1 u < 0, v > 0 u < 0, v < 0
∂u ∂u ∂u = cosθ + sin θ ∂r ∂x ∂y ∂v ∂v ∂v ∂u ∂u ∂u = (− r sin θ ) + r cosθ = r sin θ + r cosθ = r ∂θ ∂x ∂y ∂y ∂x ∂r

∂u 1 ∂v = 。又 ∂r r ∂θ ∂u ∂u = (− r sin θ ) + ∂u r cosθ ∂θ ∂x ∂y ∂v ∂v ∂v ∂u ∂u = cosθ + sin θ = − cosθ + sin θ ∂r ∂x ∂y ∂y ∂x ⎞ 1 ⎛ ∂u 1 ∂u ∂u =− ⎜ r cosθ − r sin θ ⎟ =− ⎜ ⎟ r ⎝ ∂y r ∂θ ∂x ⎠
在 z 平面上处处连续,且在整个复平面 u,v 才满足 C-R 条件,故 f ( z ) = sin xchy + i cos xshy 在 z 平面处处可导,在 z 平面处处不解析。 3.指出下列函数 f ( z ) 的解析性区域,并求出其导数。 1) ( z − 1) ;
5
(2) z + 2iz ;
3

(1)若 f (z ) 恒取实值,则 v = 0 ,又根据 f (z ) 在区域 D 内解析,知 C-R 条件成立,于是

镜像法2习题解答

镜像法2习题解答

q1
1 1
2 2
q1
1
2. 如图(a)所示,两种介质的分界面为无限大平面,介电常数分别为 1 和 2 ,点电荷 q1 与介质分界面距离为 h 。用镜像法分析介质 2 中的电位2 ,如图(b)所示,则 、 、 q1 分别为( )
q1
1 2
q1
A.
1

2

q1
1 1
2 2
q1
B.
2

2
q1
q1
1
1
2
q2
q1
图(a)
A.
图(b)
2

2

q1
1 1
2 2
q1 、
q2
21 1 2
q2
B.
1

1 、
q1
1 1
2 2
q1 、
q2
21 1 2
q2
C.
1

1 、
q1
1 1
2 2
q1 、
q2
2 2 1 2
q2
D.
2

2

q1
1 1
2 2
q1 、
q2
2 2 1 2
q2
1
q2
图(c)
解析:本题考查无限大电介质分界平面的镜像法 习题难度:难 前四道题都是在为第五题做铺垫。 当点电荷 q1 单独作用时,情况与第一题相同,所以:
1

q1
1 1
2 2
q1
当点电荷 q2 单独作用时,情况与第三题相同,所以:
1 、
q2
21 1 2
q2
5
的 1 和 2 互换,即可得到:

Java-2实用教程习题解答

Java-2实用教程习题解答

Java-2实⽤教程习题解答习题解答习题1(第1章)⼀、问答题1.Java语⾔的主要贡献者是谁?2.开发Java应⽤程序需要经过哪些主要步骤?3.Java源⽂件是由什么组成的?⼀个源⽂件中必须要有public类吗?4.如果JDK的安装⽬录为D:\jdk,应当怎样设置path和classpath的值?5.Java源⽂件的扩展名是什么?Java字节码的扩展名是什么?6.如果Java应⽤程序主类的名字是Bird,编译之后,应当怎样运⾏该程序?7.有哪两种编程风格,在格式上各有怎样的特点?1.James Gosling2.需3个步骤:1)⽤⽂本编辑器编写源⽂件。

2)使⽤javac编译源⽂件,得到字节码⽂件。

3)使⽤解释器运⾏程序。

3.源⽂件由若⼲个类所构成。

对于应⽤程序,必须有⼀个类含有public static void main(String args[])的⽅法,含有该⽅法的类称为应⽤程序的主类。

不⼀定,但⾄多有⼀个public类。

4.set classpath=D:\jdk\jre\lib\;.;5. java和class6. java Bird7.独⾏风格(⼤括号独占⾏)和⾏尾风格(左⼤扩号在上⼀⾏⾏尾,右⼤括号独占⾏)⼆、选择题1.B。

2.D。

1.下列哪个是JDK提供的编译器?A)B)C)D)2.下列哪个是Java应⽤程序主类中正确的main⽅法?A) public void main (String args[ ])B) static void main (String args[ ])C) public static void Main (String args[])D) public static void main (String args[ ])三、阅读程序阅读下列Java源⽂件,并回答问题。

public class Person {void speakHello() {"您好,很⾼兴认识您");" nice to meet you");}}class Xiti {public static void main(String args[]) {Person zhang = new Person();();}}(a)上述源⽂件的名字是什么?(b)编译上述源⽂件将⽣成⼏个字节码⽂件?这些字节码⽂件的名字都是什么?(c)在命令⾏执⾏java Person得到怎样的错误提⽰?执⾏java xiti得到怎样的错误提⽰?执⾏java 得到怎样的错误提⽰?执⾏java Xiti得到怎样的输出结果?1.(a)。

控制理论基础第2章习题解答

控制理论基础第2章习题解答

控制理论基础第2章习题解答2-1 试求下列函数的Z 变换: 解:(1)()E z L =();n e t a =01()[()]1k k k z E z L e t a z z z aa∞-=====--∑ (2) ();at e t e -=12211()[()][]1...1atakT k aT aT aTaT k z E z L e t L ee z e z e z z e e z ∞----------=====+++==--∑。

2-2 试求下列函数的终值: 解:(1)112();(1)Tz E z z --=- 11111()(1)()1lim lim lim t z z Tz f t z E z z---→∞→→=-==∞- (2)2()(0.8)(0.1)z E z z z =--。

211(1)()(1)()0(0.8)(0.1)lim lim lim t z z z z f t z E z z z →∞→→-=-==--。

2-3 已知()(())E z L e t =,试证明下列关系成立: 证明:(1)[()][];n z L a e t E a= 0()()nn E z e nT z∞-==∑00()()()()[()]n n n n n n z z E e nT e nT a z L a e t a a ∞∞--=====∑∑(2)()[()];dE z L te t TzT dz=-为采样周期。

10001100[()]()()()()()()()()()nn n n n n n n n n L te t nT e nT zTz ne nT z dE z d e nT z dz dz e nT n zne nT z ∞∞---==∞-=∞∞----======-=-∑∑∑∑∑故()[()]dE z L te t Tz dz=-。

2-4 试求下图闭环离散系统的脉冲传递函数()z Φ或输出z 变换()C z。

高等数学第二章习题详细解答答案

高等数学第二章习题详细解答答案

1 ⎧ 2 1 ⎪ x sin , x ≠ 0 (2)∵ y = ⎨ ,而 lim y = lim x 2 sin = 0 = y x = 0 ,所以函数在 x = 0 处连续 x x →0 x →0 x ⎪ x=0 ⎩ 0,
1 x = 0 ,所以函数在 x = 0 点处可导. 而 lim x →0 x−0 x 2 sin
−2 sin cos (x + Δx) − cos x 3.解: ( cos x)′ = lim = lim Δx → 0 Δx →0 Δx Δx sin 2 x + Δx 2 = − sin x = - lim sin ⋅ lim Δx → 0 Δx → 0 Δx 2 2
4. 解:(1)不能,(1)与 f ( x ) 在 x0 的取值无关,当然也就与 f ( x ) 在 x0 是否连续无关, 故是 f ′( x0 ) 存在的必要条件而非充分条件. (2)可以,与导数的定义等价. (3)可以, 与导数的定义等价. 5. 解:(1) 5 x
9 −1 = 4 ,而 y′ = (x 2 )′ = 2 x ,令 2 x = 4 , 3 −1
得: x = 2 ,所以该抛物线上过点 (2, 4) 的切线平行于此割线. 10.解:(1)连续,但因为
f (0+ h )− f (0 ) = h
因而 lim
h→0
3
h −0 1 = 2/ 3 h h
f (0 + h) − f (0) 1 = lim 2 / 3 = +∞ ,即导数为无穷大。 → h 0 h h
∴ f +′(0) ≠ f −′(0) = −1 ,所以 f ′(0) 不存在.
13. 解 : 当 x > 0 时 , f ( x) = x 是 初 等 函 数 , 所 以 f ′( x) = 3 x ; 同 理 , 当 x < 0 时
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四种一氯代产物
只有两种二氯衍 生物
10、
解 答: 两个一溴代物
注意这两个化合 物均可!
三个一溴代物
四个一溴代物
五个一溴代物
12、(1)写出历程
解 答:
14、
解答:
解 答:
最稳定构象
最不稳定构象
8、下面各对化合物哪一对等同的?不等同的异构体属 于何种异构体? 解答: (1)、(3)——构象异构;
(2)、(6)——等同;
(4)、(5)——构造异构;
构造异构体(如同分的醇、醚等)
结构异构体
立体异构体
构型异构体(顺、反,R、S)
构象异构体
9、解答:
三种一氯代产物 一种一氯代产物
(7)2,2,4 — 三甲基戊烷
2、写出下列化合物的构造式
解答:
3、用不同符号标出下列化合物ห้องสมุดไป่ตู้伯、仲、叔、季碳 原子.
解答:
4、下列化合物的系统命名对吗?如有错,指出错在哪 里?试正确命名之。
解答:

5、沸点降低次序: (3)>(2)>(5)>(1)>(4)
7、用纽曼投影式写出1,2-二溴乙烷最稳定及最不稳 定的构象,并写出名称.
有机化学 Organic Chemistry
教材:徐寿昌 主编 高等教育出版社
第二章


(习题解答)
制作:王永刚 王启宝 张 军
教 授 副教授 讲 师
中国矿业大学(北京)化学与环境工程学院
1、用系统命名法命名下列化合物
解答:
(1)2,3,3,4 — 四甲基戊烷 (3)3,3 — 二甲基戊烷 (5)2,5 — 二甲基庚烷
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