模拟电子复习提纲
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1.模拟电子技术:有关模拟电路的分析、设计、应用研究和工程实践,称为模拟电子技术。
2、电子技术:分析、设计电子电路;应用电子电路实现-—能量的控制、转换,—信号的采样、传输、变换、存储,—信号的分析、处理,
等功能的应用研究和工程实践,总称为电子技术。
3.电子电路:由电子元件、电子器件相互连接而成,具有一定功能的电路。
4.模拟电子电路:处理模拟信号的电子电路。
模拟信号:在时间和幅值上都是连续的电信号。数字信号:在时间和幅值上都是离散的电信号。电信号:载有特定物理信息的电压或电流,简称信号。
5.增益=输入/输出(s信号源,i输入、o输出)
6.(Rs信号源内阻,Ri放大电路输入电阻)
7.放大电路:对电子信号进行放大的电路。( 最基本的模拟信号处理功能 )
放大电路是构成其他模拟电路(滤波、振荡、稳压)的基本单元电路.
8.放大电路的模型:放大电路是双端口网络:一个信号——输入口;一个信号——输出口。放大电路有4种类型:电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。
9.在模拟电子系统里,一般而言,传感器的作用是把非电的物理量转换为电信号,传输给后面电子系统进行处理。.放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。
10.运算放大器:具有极高开环增益(105以上)的、多级直接耦合放大电路。
11.集成电路:将所有元器件及其之间的连接,同时制造在一小块单晶硅芯片上,并具有一定功能的电子电路。
11.运算放大器:输入电阻r i ≥ 106Ω(很大); 输出电阻r o ≤ 100Ω(很小)
开环电压增益Av o ≥ 105(很高)
12.理想化条件下,集成运放工作在线性区的两个最重要的基本特征是:
虚短, Vp ≈ Vn ;虚断,ip ≈0, in ≈0
如何使运放工作在线性区?加入深度负反馈!前提:运放:理想;输入:小信号。反馈 : 将输出信号引回到输入端,对放大电路的净输入产生影响。负反馈 :净输入被削弱!
同向:反向:
13.本征半导体:完全纯净的,结构完整的半导体。
本征激发(热激发):当半导体温度 > 0 K或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚,成为自由电子。
14温度一定时,本征半导体的自由电子和空穴浓度一定,温度升高时,该浓度升高,温度降低时,该浓度降低。自由电子的定向运动形成电子电流,空穴的定向运动形成空穴电流。
15.半导体的掺杂特性:本征半导体中掺入杂质后,自由电子和空穴浓度都变化。本征半导体中掺入五价杂质元素(如磷)后,自由电子浓度升高空穴浓度降低称为N 型半导体
本征半导体中掺入三价杂质元素(如硼)后,自由电子浓度降低空穴浓度升高称为P 型半导体。
16.多子的浓度取决于掺杂浓度;少子的浓度取决于温度。
17.N 型半导体自由电子是多数载流子,主要由杂质原子提供;空穴是少数载流子,由热激发形成。P 型半导体空穴是多数载流子,主要由杂质原子提供;自由电子是少数载流子,由热激发形成。
18.漂移运动:在电场作用引起的载流子的运动。扩散运动:由载流子浓度差引起的载流子的运动
19.对于P型半导体和N型半导体结合面,离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层、阻挡层。
20.外加电压使 PN 结 P 区的电位高于 N 区的电位,称为加正向电压,简称正偏;反之称为加反向电压,简称反偏。
21.PN结加正向电压:低电阻、大的正向扩散电流。PN结加反向电压:高电阻、很小的反向漂移电流(反向饱和电流)。 PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。PN结具有单向导电性。
22.当V BR<V<0时,反向电流很小,基本不随反向电压变化,称为反向饱和电流I S 。当V≥VBR时,反向电流急剧增加,这种现象称为反向击穿,VBR称为反向击穿电压。
23.二极管的主要参数 1、最大整流电流I F :二极管长期连续工作时,允许通过二极管的最大整流电流的平均值。2)、反向击穿电压V BR :二极管反向击穿时的电压。最大反向工作电压V RM :实际工作时,V RM一般取1/2 V BR。3)、反向电流I R :室温下,在规定的反向电压(一般是V RM)下的反向电流值。硅二极管的I R一般在纳安 (nA)级;锗二极管在微安(μA)级。4)、反向恢复时间T RR:反映二极管正向导通到反向截止所需的时间。
24.二极管电路的简化模型分析方法:二极管 V/ I 特性的建模(理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型)、模型分析法应用举例(整流电路、静态工作情况分析、
限幅电路、开关电路)。
25.三极管结构特点:发射区的掺杂浓度大,集电区掺杂浓度低。基区很薄。三极管具有电流放大作用的内部条件!