《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第一章
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS 大的特点。
( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础课后习题答案童诗白
模拟电子技术基础课后习题答案童诗白模拟电子技术基础课后习题答案童诗白第一章半导体基础知识一、(1)√(2)×(4)×(5)√二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈1.3VUO2=0UO3≈-1.3VUO4≈2VUO5≈2.3V四、UO1=6VUO2=5VUO6≈-2V五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
VBB−UBE=26μARbIC=β IB=2.6mAUCE=VCC−ICRC=2VUO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以VCC−UCES=2.86mA=28.6μAβRb=BB≈45.4kΩ七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。
1.1(1)AC(2)A(3)C(4)A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3ui和uo的波形如图所示。
1.4ui和uo的波形如图所示。
1.5uo的波形如图所示。
1.6ID=(V-UD)/R=2.6mA,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。
1.7(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=0.24~1.2kΩ。
1.9(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故⋅UI≈3.33V当UI=15V时,由于上述同样的原因,UO=5V。
当UI=35V时,UO=UZ=5V。
(2)IDZ=(UI−UZ)R=29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案
第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改错:改正图T8.1所示各电路中的错误,使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法(共射、共基、共集)。
(a) (b)图T8.1解:(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同名端。
二、试将图T8.2所示电路合理连线,组成RC桥式正弦波振荡电路。
图T8.2解:④、⑤与⑨相连,③与⑧ 相连,①与⑥ 相连,②与⑦相连。
如解图T8.2所示。
解图T8.2三、已知图T8.3(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示,填写各电路的名称。
电路1为正弦波振荡电路,电路2为同相输入过零比较器,电路3为反相输入积分运算电路,电路4 为同相输入滞回比较器。
(a)(b)图T8.3四、试分别求出图T8.4所示各电路的电压传输特性。
(a) (b)图T8.4解:图(a)所示电路为同相输入的过零比较器;图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器,两个阈值电压为±U T =±U Z 。
两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示。
解图T8.4五、电路如图T8.5所示。
图T8.5(1)分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路;(2)求出u O1与u O 的关系曲线u O1=f (u O );(3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1);(4)定性画出u O1与u O 的波形;(5)说明若要提高振荡频率,则可以改变哪些电路参数,如何改变?解:(1)A 1:滞回比较器;A 2:积分运算电路。
(2)根据12111112121()02P O O O O N R R u u u u u u R R R R =⋅+⋅=+==++ 可得:8T U V ±=±u O1与u O 的关系曲线如解图T8.5 (a)所示。
(3) u O 与u O1的运算关系式(4) u O1与u O 的波形如解图T8.5(b)所示。
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案精华版
模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U各为多少伏。
O2(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。
五、电路如图T1.5所示,V CC=15V,?=100,U BE=0.7V。
试问:(1)R b=50k?时,U o=?(2)若T临界饱和,则R b=?解:(1)26BB BE B bV U I A R μ-==, 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第二章.
第2章基本放大电路自测题一.在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×)2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
(√)3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
(×)5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√)6.由于放大的对象是变化量,所以当输入直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)7.只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)二.试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)(d) (e) (f)(g) (h) (i)图T2.2解:图(a)不能。
V BB 将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。
输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。
晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。
输入信号被电容C 2短路。
图(f)不能。
输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。
因为G -S 间电压将大于零。
图(i)不能。
因为T 截止。
三.在图T2.3 所示电路中,已知12CC V V =, 晶体管β=100,'100b R k =Ω。
填空:要求先填文字表达式后填得数。
(1)当0i U V =时,测得0.7BEQ U V =,若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω;而若测得6CEQ U V =,则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。
(2)若测得输入电压有效值5i U mV =时,输出电压有效值'0.6o U V =,则电压放大倍数u A =( /o i U U - )≈( -120 )。
模电-童诗白(第四版)课后题全解
模拟电子技术(第四版)童诗白课后习题答案第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。
2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。
习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。
1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。
模电-童诗白(第四版)课后题全解
模拟电子技术(第四版)童诗白课后习题答案第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。
2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。
习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。
1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。
《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案
模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小1.2电路如图P1.2 所示,已知u i = 10sinωt (V),试画出u i 与u o 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。
1.3电路如图P1.3 所示,已知u i =5sinωt(V),二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i 与u o 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ,电容C 对交流信号可视为短路;u i 为正弦波,有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流I D = (V −U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈U T / I D =10Ω图 P1.4故动态电流的有效值: I d = U i / r D ≈1mA1.5 现有两只稳压管,稳压值分别是 6V 和 8V ,正向导通电压为 0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得 4 种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
(2)并联相接可得 2 种:0.7V ;6V 。
《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社
1第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。
uu ouu o图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。
(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。
(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。
(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。
画出o u 波形如图所示。
2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为 5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ,3V,6V ,9V和14V几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。
解:各电路图如图所示。
(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V 。
uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?3图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。
1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。
1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。
模拟电子技术基础课后习题答案 童诗白
第一章半导体基础知识自测题一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE=20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =−====−=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。
2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈−====−=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB cCESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。
习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3u i 和u o 的波形如图所示。
1.4u i 和u o 的波形如图所示。
ttt1.5u o 的波形如图所示。
1.6I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。
1.7(1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。
《模拟电子技术基础》(第四版)习题答案华成英主编
UO
=
RL R + RL
⋅UI
≈
3.33V
当 UI= 15V 时 , 稳 压 管 中 的 电 流 大 于 最
图 P1.9
小 稳 定 电 流 IZmin, 所 以
UO= UZ= 6V
同 理 , 当 UI= 35V 时 , UO= UZ= 6V。
( 2) I DZ = (U I − U Z ) R = 29 mA> IZM= 2 5 mA,稳 压 管 将 因 功 耗 过 大 而 损
坏。
1.10 在 图 P1.10 所示电路 中,发光 二极管导 通电压 UD = 1.5V, 正 向 电 流 在 5~ 15mA 时 才 能 正 常 工 作 。 试 问 :
(1)开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光? (2)R 的取值范围是多少? 解 :( 1) S 闭 合 。 (2)R 的范围为
图 P1.11
解 : 波 形 如 解 图 P1.11 所 示
解 图 P1.11
1.12 在 温 度 20℃ 时 某 晶 体 管 的 ICBO= 2μ A, 试 问 温 度 是 60℃ 时 ICBO ≈?
解 : 6 0 ℃ 时 I C B O ≈ IC5BO(T=20°C)= 3 2 μ A 。
第一章题解-9
六 、 电 路 如 图 T1.6 所 示 , VCC= 15V, β = 100, UBE= 0.7V。 试 问 : ( 1) Rb= 50kΩ 时 , uO= ? (2)若 T 临界饱和,则 Rb≈? 解 :( 1 ) Rb = 5 0k Ω 时 , 基 极 电 流 、 集 电极电流和管压降分别为
Rmin = (V − U D ) I Dmax ≈ 233Ω Rmax = (V − U D ) I Dmin = 700Ω。
模拟电子技术基础第四版(童诗白_华成英)课后答案
模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案精华版
模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。
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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BE B bV U I A R μ-==, 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图T1.5(2)∵ 2.86CC BE CS cV U I mA R -==, /28.6BS CS I I A βμ== ∵45.5BB BE b BSV U R k I -==Ω 六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示,它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。
管号U GS(th)/V U S /V U G /V U D /V 工作状态 T 14 -5 1 3 恒流区 T 2-4 3 3 10 截止区 T 3-4 6 0 5 可变电阻区各极电位可判断出它们各自的工作状态,如表Tl.6最后一栏所示。
习题1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3解:波形如解图Pl.3所示。
1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1d i D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问:(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。
1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =,最小稳定电流min 5Z I mA =,最大稳定电流max 25Z I mA =。
(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值;(2)若35I U V =时负载开路,则会出现什么现象? 为什么?解:(1)只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时,输出电压才为6V 。
∵V U I 10=时,VU R R R U I LL O 3.3=+=; 图Pl.6V U I 15=时,5L O I LR U U V R R ==+; V U I 35=时,11.7L O I Z LR U U V U R R =≈>+,∴V U U Z O 6==。
0.1 (2)当负载开路时,mA I mA R U U I Z Z I Z 2529max =>=-=,故稳压管将被烧毁。
1.7 在图Pl.7 所示电路中,发光二极管导通电压U D =1.5V ,正向电流在5~15mA 时才能正常工作。
试问:(1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光?(2)R 的取值范围是多少?解:(1)S 闭合。
(2) R 的范围为:min max ()/233D D R V U I =-≈Ω图P1.71.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。
分别求另一电极的电流,标出其方向,并在圆圈中画出管子,且分别求出它们的电流放大系数β。
(a) (b) (a) (b) 图Pl.8 解图Pl.8max min ()/700D D R V U I =-≈Ω解:答案如解图Pl.8所示。
放大倍数分别为1/10100a mA A βμ==和5/10050b mA A βμ==1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。
在圆圈中画出管子,并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9解:如解图1.9。
解图1.91.10电路如图P1.10所示,晶体管导通时0.7BE U V =,β=50。
试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。
解: (1)当0BB V =时,T 截止,12O u V =。
(2)当1BB V V =时,因为60BB BEQBQ b V U I A R μ-==3CQ BQ I I mA β==9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10所以T 处于放大状态。
(3)当3BB V V =时,因为460BB BEQBQ b V U I A R μ-==,2311.3CC CES CQ BQ CS cV U I I mA I mA R β-====, 所以T 处于饱和状态。
1.11电路如图Pl.11所示,晶体管的β=50 ,0.2BE U V =,饱和管压降0.1CES U V =;稳压管的稳定电压5Z U V =, 正向导通电压0.5D U V =。
试问:当0I u V =时O u =?;当5I u V =-时O u =?解:当0I u V =时,晶体管截止,稳压管击穿,5O Z u U V =-=-。
当5I u V =-时,晶体管饱和,0.1O u V =-。
因为: 图P1.11 480I BE B bu U I A R μ-==,24C B I I mA β==,0EC CC C c U V I R =-< 1.12分别判断图Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
(a) (b) (c)(d) (e)图P1.12解:(a)可能;(b)可能;(c)不能;(d)不能,T 的发射结会因电流过大而损坏。
(e)可能。
1.13已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极∵ 、∵ 、∵ 的电位分别为4V、8V、12V,管子工作在恒流区。
试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS 管、增强型、耗尽型),并说明∵ 、∵ 、∵ 与G 、S 、D 的对应关系。
解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极∵ 、∵ 、∵ 与G 、S 、D 的对应关系如解图Pl.13所示。
解图Pl.131.14已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。
图Pl.14 (a) (b)解图Pl.14解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及GS u 值,建立()D GS i f u =坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图Pl.14 (b)所示。
1.15电路如图P1.15所示,T 的输出特性如图Pl.14所示,分析当I u =4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解:根据图P1.14 所示T 的输出特性可知,其开启电压为5V ,根据图Pl.15所示电路可知GS I u u =。
当I u =4V 时,GS u 小于开启电压,故T 截止。
当I u =8V 时,设T 工作在恒流区,根据输出特性可知0.6D i mA ≈,管压降10DS DD D d u V i R V ≈-≈,因此,2GD GS DS u u u V =-≈-,小于开启电压,说明假设成立,即T 工作在恒流区。