冲击响应实验报告
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冲激响应研究性实验 实验报告
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摘要:根据实验室现有的实验模块用多种方法研究冲击响应。要求测量冲击响
应的电流和电压波形,并尽可能地逼近理论波形。必须对实验波形进行理论解释,以证明确实产生了冲击响应。
关键词:冲激响应;研究性实验;自主性实验;实验设计
一、 实验理论及准备
获得冲激响应有以下2个方案:
1. 单脉冲近似,强迫跃变
RC 电路的冲激响应可分为3个阶段:u C (0−) = 0;t = 0时由i C (0) = ∞给电容电压赋初值u C (0+);在t ≥ 0+,由u C (0+)放电作零输入响应。是否出现t = 0时的无穷大电流为关键的判断依据。
δ(t )函数是单脉冲函数p Δ(t )的极限,即)(lim )(0
t p t ∆→∆=δ,单脉冲函数的
宽度为Δ,高度为1/Δ。电路受冲激电源I S δ(t )作用产生冲激响应。因实验中无法得到I S δ(t ),不妨用I S p Δ(t )来近似。可用按钮控制脉冲宽度Δ,实验中最小Δ可达20ms 。对于图1所示电路,利用电源给电容快速充电以模拟冲激响应信号,其中I S = 10mA 、R 0 = R = 2K Ω,C = 1000μF 。
实验模拟冲激响应的困难是充电电流不足,故可采用两个方法提高充电电流:一是提高电源
激励;二是提高充电速度。
实验表明前者不能提供无穷大电流,不能从根本上解决问题,故有限高度的单脉冲激励无法产生冲激响应;而后者可以通过减小R 0使零状态响应的时间常数减小,充电速度加快,特别地当
R 0很小时,可以在极短时间内使u C 完成充电,其
波形几乎垂直。
通过上述分析,实验中取R 0 = 0,则接通电路的瞬间电路将发生强迫跃变,电容支路出现无穷大电流,在其中接入一个小电阻r 以测量电流来判断。
2. 冲激源的微分信号近似
图1 强迫跃变和冲激响应电路
C
由于t
t t d )(d )(εδ=
,ε(t )为阶跃函数,故在t = 0处导数不存在,也即导数
为无穷大。可用RC 微分电路对阶跃信号进行求导得到冲激信号,再用冲激信号作为冲激激励接入RC 电路得到冲激响应。
据此原理将需要把冲激源的微分信号接入测量电路,同时又要避免两级电路之间的影响。于是考虑使用受控源模块,利用其输入电阻高的特性以降低影响。
如图2,由前级R 0输出微分波形u R0(t )作为冲激电压源,应取τ0很小,使u R0(t )波形的拖尾尽量短。实验过程在后级电路中产生冲激响应后需要让电容C 放电,因此后级电路必须采用RC 串联电路,则当μu R0(t ) = 0时恰好构成RC 放电回路(若采用VCCS 受控源则需要RC 并联电路)。
对于前级RC 微分电路,可以证明在
t
≥
0+时有
)()(0
S 0R t e
U t u t ετ-=,
是激励U S ε(t )的阶跃响应(与零状态响应相同),并不是激励的导数U S δ(t )。由于u C0(t ) + u R0(t ) = U S ε(t ),可以
从t = 0−开始分几个时段对u R0(t )
进行分析。从0−~0+,因为根据换路定则,有u C0(0+) = u C0(0−) = 0,故u R0(0+) = U S ,u R0(t )发生了跃变,类似于U S δ(t );从0+~τ0,由于τ0很小,u R0(t )几乎垂直下降,波形与U S δ(t )近似;从τ0~3τ0,u R0(t )作负e 指数衰减,与U S δ(t )完全不同,但幅度很小;在t >3τ0后因u R0(t ) ≈ 0,才在形式上有
)(d )(d d )(d )(S 0S 0
0C 0
R0t U t
t U t
t u t u δτεττ=≈=。故就整体而言,u R0(t )的行为略与
U S δ(t )近似,或可用来代替冲激电源以在后级RC 电路中产生冲激响应。 对后级RC 电路在)()(0
S 0R t e U t u t εμμτ-=激励下的响应进行研究。根据复杂激
励下一阶非齐次微分方程的求法,不难得到
)0(0
S
C )()()(0
+≥----=t t t t e
e
U
t u ετττμττ
可见在激励从u R0(0−) = 0跃变到u R0(0+) = μU S 时,u C 并不跃变,仍有u C (0−) = u C (0+) = 0,这与冲激响应有本质区别。而且u C (t )还有极值,极值位置
0m ln
ττττττ-=
t 。
由此可见,用幅度不大的微分信号作为冲激激励,虽然没有大电流,本
图2 采用RC 微分电路和受控源的冲激响应电路
C
质上各响应都不属于冲激响应,仅曲线形状与冲激响应相似;但理论和实验均证实,提高微分信号幅度和适当减小τ0,各响应均朝着真正的冲激响应过渡,这正是其重要性所在,因此用本方案得到的响应来近似冲激响应是合适的。
二、 实验过程及分析
1. 单脉冲近似
如图连接电路,
分别取R 0 = 1k Ω,300Ω,100Ω,10Ω,测量
R 0 = 1K Ω
R 0 = 300Ω
R 0 = 100Ω R 0 = 10Ω
C
参数:U s = 5V R = 2k Ω C = 1000Μf
简单分析可以知道,电容实际上发生了零状态响应的一部分,而非冲激响应。由于充电时间不足截取得前部充电波形,因其斜率较大而看起来接近于冲激响应。而当R 0逐渐变小使电路的时间常数τ0 变短,趋近真正的冲激响应。
当R 0 = 0时,测得图像如下,可以认为电路中已发生了冲激响应。
U S = 5V R 0 = 0Ω
在电容支路接入一个30Ω的小电阻并测量其电压来表示电流,分别在5V 和3V 激励下得到以下图形:
U S = 5V R 0 = 0Ω U S = 3V R 0 = 0Ω
由图可以看出,支路电流相对的非常大,图形也很贴近冲激响应理论形状。
2. 冲激源微分信号近似
如图连接电路,应注意受控源输入端、输出端与示波器三者的地端连接在一起,避
免局部短路。
U S = 4V R 0 = R = 2K Ω C 0 = 10ΜF C = 1000μ
F
C
● Ch1
电压
● Ch2 电流