半导体工艺英语名词解释

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半导体行业英文术语

半导体行业英文术语English:Some common terms in the semiconductor industry include:1. Integrated Circuit (IC): A small electronic device made out of a semiconductor material that can perform an extensive range of functions.2. Semiconductor manufacturing: The process of creating integrated circuits and semiconductor devices, including design, fabrication, and packaging.3. Wafer: A thin slice of semiconductor material used as the substrate for the fabrication of integrated circuits.4. Photolithography: A process used to transfer circuit patterns onto the wafer surface using light and photoresist materials.5. Die: A single piece of an integrated circuit, typically cut from a wafer after fabrication and packaging.6. Yield: The percentage of functional and operational semiconductor devices produced during the manufacturing process.7. Moore's Law: The observation that the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years, leading to exponential growth in processing power.8. Quantum tunneling: A phenomenon in which electrons penetrate through a potential barrier they classically shouldn't be able to cross, crucial for the operation of semiconductor devices.中文翻译:半导体行业的一些常见术语包括：1. 集成电路（IC）：由半导体材料制成的小型电子器件，可执行广泛的功能。

半导体工艺英语名词解释

半导体工艺英语名词解释CMPCMP 是哪三个英文单词的缩写？答: Chemical Mechanical Polishing (化学机械研磨)CMP是哪家公司发明的？答: CMP是IBM在八十年代发明的。

简述CMP的工作原理？答: 化学机械研磨是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上, 再加一定的压力, 用化学研磨液(slurry)来研磨的。

为什幺要实现芯片的平坦化？答: 当今电子元器件的集成度越来越高, 例如奔腾IV就集成了四千多万个晶体管, 要使这些晶体管可以正常工作, 就需要对每一个晶体管加一定的电压或电流, 这就需要引线来将如此多的晶体管连接起来, 但是将这幺多的晶体管连接起来, 平面布线是不也许的, 只可以立体布线或者多层布线。

在制造这些连线的过程中, 层与层之间会变得不平以至不能多层迭加。

用CMP来实现平坦化, 使多层布线成为了也许。

CMP在什幺线宽下使用？答: CMP在0.25微米以下的制程要用到。

什幺是研磨速率（removal rate）?答: 研磨速率是指单位时间内研磨膜厚度的变化。

研磨液(slurry)的组成是什幺？答: 研磨液是由研磨颗粒(abrasive particles), 以及能对被研磨膜起化学反映的化学溶液组成。

为什幺研磨垫(Pad)上有一些沟槽(groove)？答: 研磨垫上的沟槽是用来使研磨液在研磨垫上达成均匀分布, 使得研磨后芯片上的膜厚达成均匀。

为什幺要对研磨垫进行功能恢复(conditioning)?答: 研磨垫在研磨一段时间后, 就有一些研磨颗粒和研磨下来的膜的残留物留在研磨垫上和沟道内,这些都会影响研磨液在研磨垫的分布,从而影响研磨的均匀性。

什幺是blanket wafer ？什幺是pattern wafer ？答: blanket wafer 是指无图形的芯片。

pattern wafer 是指有图形的芯片。

Blanket wafer 与pattern wafer的removal rate会同样吗？答: 一般来说, blanket wafer 与pattern wafer的removal rate是不同样的。

半导体专业术语英语教材

1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。

半导体行业专业英语名词解释

氢化磷
132 PHOTO‎RESIS‎T
光阻
133 PILOT‎WAFER‎
试作芯片
134 PINHO‎LE
针孔
135 PIRAN‎HA CLEAN‎
过氧硫酸清‎ 洗
136 PIX
聚醯胺膜
137 PLASM‎A ETCHI‎NG
电将蚀刻
138 PM（PREVE‎NTIVE‎MAINT‎ENANC‎E）定期保养
热电子效应‎
94 I-LINE STEPP‎ER
I-LINE 步‎进对准曝光‎ 机
95 IMPUR‎ITY
杂质
96 INTEG‎RATED‎CIRCU‎IT（IC）
集成电路
97 ION IMPLA‎NTER
离子植入机‎
98 ION IMPLA‎NTATI‎ON
离子植入
99 ISOTR‎OPIC ETCHI‎NG
174 STEPP‎ER
步进式对准‎ 机
175 SURFA‎CE STSTE‎S
表面状态
176 SWR（SPECI‎AL WORK REQUE‎ST）
177 TARGE‎T
靶
178 TDDB
介电质层崩‎贵的时间依‎ 存性
（TIME DEPEN ‎DENT DIELE ‎CTRIC ‎
BREAK‎DOWN）
139 POCL3‎
三氯氧化磷‎
140 POLY SILIC‎ON
复晶硅
141 POX
聚醯胺膜含‎ 光罩功能
142 PREHE‎AT
预热
143 PRESS‎URE
压力
144 REACT‎IVE ION ETCHI‎NG（R.I.E.）活性离子蚀‎ 刻

半导体furnace工艺_解释说明以及概述

半导体furnace工艺解释说明以及概述1. 引言1.1 概述半导体furnace工艺是一种广泛应用于半导体制造业的关键技术。

它通过控制温度和气氛，将半导体材料在特定的环境中进行热处理，从而实现改善晶体结构、控制掺杂浓度、形成薄膜等目的。

该工艺在半导体芯片制造和太阳能电池等领域有着重要的作用。

1.2 文章结构本文将对半导体furnace工艺进行详细解释和说明。

首先，在"2. 半导体furnace 工艺解释说明"部分，我们将介绍该工艺的概念，包括其基本原理和相关概念。

然后，在"3. 半导体furnace工艺概述"部分，我们将回顾该工艺的发展历程，并探讨其在不同应用领域中的应用情况及相关挑战。

最后，在"4. 结论"部分，我们将总结文章要点，并展望半导体furnace工艺在未来的发展前景。

1.3 目的本文旨在为读者提供对半导体furnace工艺深入了解的机会。

通过阐述该工艺的基本原理、工艺步骤以及其在实际应用中的优势和挑战，读者可以更好地理解半导体furnace工艺在半导体制造领域的重要性，并对未来该技术的发展进行展望。

2. 半导体furnace工艺解释说明：2.1 概念介绍:半导体furnace工艺是一种用于制造半导体器件的加工技术。

它利用特殊设计的furnace（炉子）来控制温度、气氛和时间等因素，以实现对半导体材料的加热、扩散或反应等处理过程。

该工艺被广泛应用于半导体行业中，尤其在晶圆制备、扩散、退火和薄膜沉积等方面具有重要作用。

2.2 工艺原理:半导体furnace工艺的基本原理是将待处理物料放入装有加热元件（如电阻丝或辐射管）的furnace中，并通过调节电流或功率来加热加工区域。

通过控制加热区域的温度分布和经过的时间长度，可以实现对材料结构、组分和性能等方面的调控。

此外，通过引入不同的气氛（如纯净氮气、氢气或氧化物等），还可以进行表面清洁、改性或化学反应等操作。

半导体工艺(自己总结)

只是想多了解下工艺,因为自己不是学这个的,要补课啊 ....是不是可以这么理解:1.PAD oxide ：SiO2在LOCOS 和STI 形成时都被用来当作nitride 的衬垫层，如果没有这个SiO2衬垫层作为缓冲之用，LPCVD nitride 的高张力会导致wafer 产生裂缝甚至破裂，同时也作为NITRIDE ETCH 时的STOP LAYER2.SAC oxide ：Sacrificial Oxide 在gate oxidation 之前移除wafer 表面的损伤和缺陷，有助于产生一个零缺陷的wafer 表面以生成高品质的gate oxide;经过HDP 后Pad Oxide 结构已经被破坏了，可能无法阻挡后面Implant 的离子。

所以生长一层Sac Oxide ，作为在后面Implant 时对Device 的保护。

3.BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG 乃介于Poly 之上、Metal 之下，可做为上下两层绝缘之用，加硼、磷主要目的在使回流后的Step 较平缓，以防止Metal line 溅镀上去后，造成断线4.ONO （OXIDE NITRIDE OXIDE ）氧化层-氮化层-氧化层半导体组件，常以ONO 三层结构做为介电质（类似电容器），以储存电荷，使得资料得以在此存取。

在此氧化层 - 氮化层 – 氧化层三层结构，其中氧化层与基晶的结合较氮化层好，而氮化层居中，则可阻挡缺陷（如pinhole ）的延展，故此三层结构可互补所缺.5.space Oxide RIE Etch:猜想应当是氧化物隔离的反应离子刻蚀（RIE-Reactive Ion Etch ）反应离子刻蚀是以物理溅射为主并兼有化学反应的过程。

通过物理溅射实现纵向刻蚀，同时应用化学反应来达到所要求的选择比，从而很好地控制了保真度。

刻蚀气体（主要是F 基和CL 基的气体）在高频电场（频率通常为13.56MHz ）作用下产生辉光放电，使气体分子或原子发生电离，形成“等离子体”（Plasma ）。

半导体tf工艺

半导体tf工艺
半导体tf工艺是指在半导体制造过程中使用的一个工艺技术，用于制造稳定和高效的半导体器件。

TF是「Thermal Field」
的缩写，意为热场，是指利用热力学和热流动学原理进行半导体加热和冷却的过程。

半导体TF工艺主要用于以下方面：
1. 清洗和去除表面杂质：在半导体制造过程中，需要对半导体材料进行清洗和去除表面杂质，以确保器件的纯净性和性能稳定性。

2. 沉积和形成薄膜：TF工艺可以用于沉积各种材料的薄膜，
如氮化硅（SiN）、氮化铟锡（InSnN）等，并形成所需的结
构和形状。

3. 热处理和退火：通过控制半导体材料的温度和热处理时间，可以改变材料的结晶度、晶格缺陷和电学性能，提高半导体器件的品质和性能。

4. 制造和形成结构：TF工艺可以用于制造和形成各种半导体
器件结构，如晶体管、二极管、电阻器等，并确保其精度和一致性。

5. 封装和封装材料：在半导体器件制造完成后，需要使用TF
工艺进行封装和封装材料的选择和加工，以保护器件和提高其可靠性。

半导体TF工艺的发展和应用对于半导体产业的进步和发展具
有重要意义，可以提高半导体器件的性能和可靠性，推动科技的进步和创新。

半导体行业专业英语名词解释

角度研磨
12
ANGSTRON
埃
13
）APCVD（ATMOSPRESSURE
常压化学气相沉积
14
AS75
砷
15
ASHING，STRIPPING
电浆光阻去除
16
ASSEMBLY
晶粒封装
17
BACK GRINDING
晶背研磨
18
BAKE, SOFT BAKE, HARD BAKE
烘烤，软烤，预烤
19
BF2
49
DI WATER
去离子水
50
DOPING
参入杂质
51
DRAM , SRAM
动态,静态随机存取内存
52
DRIVE IN
驱入
53
E-BEAM LITHOGRAPHY
电子束微影技术
54
EFR（EARLY FAILURERATE）
早期故障率
55
ELECTROMIGRATION
电子迁移
56
ELECTRON/HOLE
电子/电洞
57
ELLIPSOMETER
椭圆测厚仪
58
EM（ELECTRO MIGRATION TEST）
电子迁移可靠度测试
59
END POINT DETECTOR
终点侦测器
60
ENERGY
能量
61
EPI WAFER
磊晶芯片
62
EPROM (ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM）
电子可程序只读存储器
临时性制程变更通知
180
TEOS（TETRAETHYLOR THOSILICATE）
四乙基氧化硅

半导体bumping工艺

半导体bumping工艺
半导体bumping工艺是一种用于制造电子元件的技术，它可以将金属层和半导体层连接在一起，以提供电子元件的电路连接。

bumping工艺的基本步骤包括：
1.首先，将金属层和半导体层分别放置在一个特殊的模具中，并将它们紧密地压在一起。

2.然后，将一种特殊的金属粉末放入模具中，并用压力将其压入金属层和半导体层之间的缝隙中。

3.接下来，将模具放入热压机中，并将其加热到一定的温度，使金属粉末变成金属接头。

4.最后，将模具从热压机中取出，并将金属接头从模具中取出，以完成bumping工艺。

bumping工艺的优点是，它可以提供高质量的电子元件连接，并且可以在短时间内完成大量的
电子元件连接。

此外，bumping工艺还可以提供更高的电子元件可靠性，以及更低的电子元件
成本。

bumping工艺的缺点是，它需要高温和高压条件，因此可能会对电子元件造成损坏。

此外，bumping工艺还需要较高的技术水平，以确保电子元件的可靠性。

半导体行业的英单词和术语

半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。

3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。

4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。

5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。

6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。

7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。

8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。

9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。

10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。

11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。

12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。

13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。

14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。

15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。

16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。

17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。

半导体工艺词汇

Scrubb 【化学】(使)(气体)净化；(从气体中)分离出，提出。

Regulator 校准者；【机械工程】调整器，校准器，调节器；【无线电】稳定器；【化学】调节剂；【代】调节基因；(钟表的)整时器；标准钟Purge 变清净。

Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittance 导纳Allowed band 允带Alloy-junction device合金结器件Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Arsenic (AS) 砷Auger 俄歇Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发BBackground carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base-width modulation基区宽度调制Basis vector 基矢Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn - in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区CCan 外壳Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Carry-in bit 进位输入Carry-out bit 进位输出Cascade 级联Case 管壳Cathode 阴极Center 中心Ceramic 陶瓷（的）Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge neutrality condition 电中性条件Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmical etching 化学腐蚀法Chemically-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip-flop 时钟触发器Close-packed structure 密堆积结构Close-loop gain 闭环增益Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor(CMOS) 互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementary error function 余误差函数Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试/制造Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band (edge) 导带(底)Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 组态Conlomb 库仑Conpled Configuration Devices 结构组态Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触Contamination 治污Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Continuity condition 连续性条件Contra doping 反掺杂Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合Covalent 共阶的Crossover 跨交Critical 临界的Crossunder 穿交Crucible坩埚Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Current density 电流密度Curvature 曲率Cut off 截止Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curvature 弯曲Custom integrated circuit 定制集成电路Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）DDangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Debye length 德拜长度De.broglie 德布洛意Decderate 减速Decibel (dB) 分贝Decode 译码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOSDepletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Die 芯片（复数dice）Diode 二极管Dielectric 介电的Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffused junction 扩散结Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Discharge 放电Discrete component 分立元件Dissipation 耗散Distribution 分布Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS.Drift 漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP）双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗EEarly effect 厄利效应Early failure 早期失效Effective mass 有效质量Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器Electrode 电极Electrominggratim 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electronic -grade 电子能Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光Electron gas 电子气Electron-grade water 电子级纯水Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt (eV) 电子伏Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆Ellipsoid 椭球Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOSEntefic (低)共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Expitaxy 外延Equivalent curcuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Erasable Programmable ROM (EPROM)可擦取（编程）存储器Error function complement 余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体FFace - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快界面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布Femi potential 费米势Fick equation 菲克方程（扩散）Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Filled band 满带Film 薄膜Flash memory 闪烁存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flicker noise 闪烁（变）噪声Flip-flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting正向阻断/导通Frequency deviation noise频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数GGain 增益Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾Gamy ray r 射线Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gauss（ian）高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium(Ge) 锗Graded 缓变的Graded (gradual) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Grown junction 生长结Guard ring 保护环Gummel-Poom model 葛谋-潘模型Gunn - effect 狄氏效应HHardened device 辐射加固器件Heat of formation 形成热Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Heavy saturation 重掺杂Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS. Hormalized 归一化Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrior 热载流子Hybrid integration 混合集成IImage - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂志散射Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）In-contact mask 接触式掩模Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入Input offset voltage 输入失调电压Insulator 绝缘体Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅FET Integrated injection logic集成注入逻辑Integration 集成、积分Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性JJunction FET(JFET) 结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side-wall 结侧壁Latch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常数/晶格缺陷/晶格畸变Leakage current （泄）漏电流Level shifting 电平移动Life time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode(LED) 发光二极管Load line or Variable 负载线Locating and Wiring 布局布线Longitudinal 纵向的Logic swing 逻辑摆幅Lorentz 洛沦兹Lumped model 集总模型MMajority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass - action law质量守恒定律Master-slave D flip-flop主从D触发器Matching 匹配Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Meandered emitter junction梳状发射极结Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间Megeto - resistance 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FETMetallization 金属化Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Millen indices 密勒指数Minority carrier 少数载流子Misfit 失配Mismatching 失配Mobile ions 可动离子Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal分子晶体Monolithic IC 单片ICMOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos. Transistor(MOST ) MOS. 晶体管Multiplication 倍增Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module(MCM) 多芯片模块Multiplication coefficient倍增因子NNaked chip 未封装的芯片（裸片）Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Nesting 套刻Negative-temperature-coefficient 负温度系数Noise margin 噪声容限Nonequilibrium 非平衡Nonrolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开Numerical analysis 数值分析OOccupied band 满带Officienay 功率Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier (OPAMP)运算放大器Optical photon =photon 光子Optical quenching光猝灭Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator光耦合隔离器Organic semiconductor有机半导体Orientation 晶向、定向Outline 外形Out-of-contact mask非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Passination 钝化Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路Period 周期Periodic table 周期表Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photoenic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plezoelectric effect 压电效应Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor聚合物半导体Poly-silicon 多晶硅Potential (电)势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Principal axes 主轴Print-circuit board(PCB) 印制电路板Probability 几率Probe 探针Process 工艺Propagation delay 传输延时Pseudopotential method 膺势发Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制Punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级QQuality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi – Fermi－level准费米能级Quartz 石英RRadiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative - recombination辐照复合Radioactive 放射性Reach through 穿通Reactive sputtering source 反应溅射源Read diode 里德二极管Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifying contact 整流接触Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Registration 对准Regulate 控制调整Relaxation lifetime 驰豫时间Reliability 可靠性Resonance 谐振Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器）Relaxation 驰豫Resonant frequency共射频率Response time 响应时间Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置SSampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石（Al2O3）Satellite valley 卫星谷Saturated current range电流饱和区Saturation region 饱和区Saturation 饱和的Scaled down 按比例缩小Scattering 散射Schockley diode 肖克莱二极管Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Schrodingen 薛定厄Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor-controlled rectifier 可控硅Sensitivity 灵敏度Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shield 屏蔽Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须Simple cubic 简立方Single crystal 单晶Sink 沉Skin effect 趋肤效应Snap time 急变时间Sneak path 潜行通路Sulethreshold 亚阈的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Specific heat(PT) 热Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spreading resistance扩展电阻Sputter 溅射Stacking fault 层错Static characteristic 静态特性Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Storage time 存储时间Stress 应力Straggle 偏差Sublimation 升华Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superlattice 超晶格Supply 电源Surface 表面Surge capacity 浪涌能力Subscript 下标Switching time 开关时间Switch 开关Tailing 扩展Terminal 终端Tensor 张量Tensorial 张量的Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thermoelectricpovoer 温差电动势率Thick-film technique 厚膜技术Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging(stress) 晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transport 输运Transverse 横向的Trap 陷阱Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Triangle generator 三角波发生器Triboelectricity 摩擦电Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Truth table 真值表Tolerahce 容差Tunnel(ing) 隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn over 转折Turn - off time 关断时间UUltraviolet 紫外的Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原（元）胞Unity-gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch单向开关VVacancy 空位Vacuum 真空Valence(value) band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Varistor 变阻器Vibration 振动Voltage 电压WWafer 晶片Wave equation 波动方程Wave guide 波导Wave number 波数Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件Yield 成品率Zener breakdown 齐纳击穿Zone melting 区熔法。

半导体名词解释

1. 何谓PIE? PIE的主要‎工作是什幺?答：Proces‎s Integr‎ation Engine‎er(工艺整合工程‎师), 主要工作是整‎合各部门的资‎源, 对工艺持续进‎行改善, 确保产品的良‎率（yield）稳定良好。

2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅‎片即12吋.3. 目前中芯国际‎现有的三个工‎厂采用多少m‎m的硅片(wafer)工艺？未来北京的F‎ab4(四厂)采用多少mm‎的wafer‎工艺？答：当前1~3厂为200‎mm(8英寸)的wafer‎, 工艺水平已达‎0.13um 工艺‎。

未来北京厂工‎艺wafer‎将使用300‎mm(12英寸)。

4. 我们为何需要‎300mm?答：wafer size 变大，单一wafe‎r 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低‎200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增‎加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(techno‎logy)代表的是什幺‎意义？答：是指工厂的工‎艺能力可以达‎到0.13 um的栅极线‎宽。

当栅极的线宽‎做的越小时，整个器件就可‎以变的越小，工作速度也越‎快。

6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的techn‎ology改‎变又代表的是‎什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小‎代表半导体工‎艺水平的高低‎）做的越小时，工艺的难度便‎相对提高。

从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个‎阶段工艺能力‎的提升。

7. 一般的硅片(wafer)基材(substr‎ate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negati‎ve元素(5价电荷元素‎，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer‎是指掺杂 positi‎ve 元素(3价电荷元素‎, 例如：B、In)的硅片。

半导体名词解释

1. 何谓PIE? PIE 的主要工作是什幺?答：Process Integration Enginee工r( 艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。

2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8 吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm 硅片即12 吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm 的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm 的wafer 工艺？答：当前1~3 厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um 工艺。

未来北京厂工艺wafer 将使用300mm(12英寸)。

4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加 2.25倍,芯片数目约增加 2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology代)表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um 的栅极线宽。

当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。

6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。

从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um-> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。

7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate可)区分为N,P 两种类型（type）,何谓N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5 价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3 价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。

半导体专业术语英语..

半导体专业术语英语半导体是当今最重要的技术领域之一。

随着半导体技术的不断发展，半导体专业术语英语越来越重要。

在本文中，我们将介绍一些常见的半导体专业术语英语，帮助读者更好地理解和掌握半导体技术。

基本概念1.Semiconductor：半导体2.Doping：掺杂3.Carrier：载流子4.Hole：空穴5.Electron：电子6.Bandgap：能隙7.Mobility：迁移率8.Resistivity：电阻率9.Conductivity：电导率10.PN Junction：PN结11.Schottky Junction：肖特基结半导体晶体结构1.Crystal：晶体ttice：晶格3.Unit Cell：单元胞4.Wafer：晶片5.Silicon Wafer：硅晶片6.Epitaxy：外延7.Deposition：沉积8.Etch：蚀刻9.Annealing：退火典型器件1.Transistor：晶体管2.Diode：二极管3.Capacitor：电容器4.Resistor：电阻器5.Inductor：电感器6.MOSFET：MOS场效应晶体管7.BJT：双极性晶体管8.LED：发光二极管9.IGBT：绝缘栅双极晶体管10.SCR：可控硅制程工艺1.Lithography：光刻2.Ion Implantation：离子注入3.Chemical Vapor Deposition (CVD)：化学气相沉积4.Physical Vapor Deposition (PVD)：物理气相沉积5.Wet Etch：湿法蚀刻6.Dry Etch：干法蚀刻7.Annealing：退火8.Configurations：构型9.Metrology：计量学10.Yield：良率11.Process Integration：制程集成半导体技术对现代社会的影响越来越大，而英语是半导体专业中的重要工具之一。

学习和掌握半导体专业术语英语，有助于提高在半导体行业的各种交流和合作能力。

半导体行业术语

半导体行业术语半导体行业术语半导体是一种材料，通常是硅，用于制造电子器件。

半导体行业是电子行业中最重要的部分之一，因为几乎所有的电子设备都需要使用半导体器件。

以下是半导体行业中最常见的一些术语。

1. 基板(Substrate)：半导体芯片的基本材料，通常是硅。

基板是生产芯片的第一步，它作为芯片的支撑并提供必要的物理支持和电气性质。

2. MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)：一种基于MOS结构的场效应晶体管，具有高电压开关性能，被广泛应用于电源管理、放大器、驱动器和其他电路中。

3. CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)：一种半导体工艺，它是现代集成电路的主要制造工艺，通过使用p型和n型MOSFET来创建互补的电路，最终达到高带宽、低功耗和高整合度等特性。

4. IC(Integrated Circuit)：全称为集成电路，指将数百万个电子元件以微米尺度组成的半导体芯片上，从而实现了各种不同的功能。

这种集成将多个独立的电路集成到一个单一的芯片中，因此可以生产大容量、高速度和低功耗的芯片。

5. 大规模集成电路(Very Large Scale Integration)：简称VLSI，是一种集成电路的制造技术，可以将几百万到几十亿的电子元件集成到一个微处理器芯片上。

这种技术不仅将电路缩小到微小的尺寸，而且也提高了整体性能和耗能效率。

6. SoC(System-on-a-Chip)：是一种完全集成的芯片，包含数字、模拟和射频(流)功能，具有高度的可编程性。

SoC可以在移动设备、智能家居、互联汽车和其他应用中实现！7. FPGA(Field Programmable Gate Array)：可编程的逻辑芯片，可以快速重置、重新配置和重新设计电路，通过内置大量的数据存储器、处理能力和专用的高速通道，可实现快速数据处理。

半导体sti工艺

半导体sti工艺半导体STI工艺半导体STI工艺（Shallow Trench Isolation）是一种用于集成电路制造的关键技术。

它主要用于隔离晶体管之间的衬底，以防止电流泄漏和相互干扰，从而提高芯片的性能和可靠性。

STI工艺的主要步骤包括衬底清洗、衬底氧化、刻蚀、填充和平坦化等。

下面将详细介绍这些步骤。

衬底清洗是为了去除衬底表面的杂质和污染物，保证后续步骤的顺利进行。

清洗过程通常包括溶剂洗涤、超声波清洗等。

接下来是衬底氧化步骤，即在衬底表面形成一层氧化硅（SiO2）薄膜。

这一步骤的目的是增加衬底的绝缘性能，以阻止电流的泄漏。

氧化薄膜的厚度可以根据需要进行调控。

然后是刻蚀步骤，通过使用化学气相刻蚀或物理刻蚀的方法，在衬底表面形成一系列的浅沟槽。

刻蚀的深度和宽度可以根据设计要求进行调整，以实现晶体管之间的隔离。

填充是STI工艺的关键一步，它通过将一种绝缘材料填入沟槽中，以增强晶体管之间的隔离效果。

填充材料通常采用多晶硅（poly-Si）或高密度氧化硅（HDP-SiO2）等。

填充后的材料需要经过退火等处理，以提高其密实性和平整度。

最后是平坦化步骤，通过化学机械抛光（CMP）等技术，将填充材料和衬底表面平坦化，以获得更加均匀的表面。

这一步骤对于后续制程的成功非常重要，它能够消除填充过程中可能产生的凹凸不平。

半导体STI工艺的优点是能够实现高度集成和高性能的芯片制造。

通过有效地隔离晶体管之间的衬底，可以降低电流泄漏和互联干扰，提高芯片的可靠性和性能。

此外，STI工艺还有助于减少功耗和提高芯片的抗干扰能力。

总结起来，半导体STI工艺是集成电路制造中不可或缺的重要工艺之一。

它通过衬底清洗、衬底氧化、刻蚀、填充和平坦化等步骤，实现了晶体管之间的隔离，提高了芯片的性能和可靠性。

在未来的集成电路发展中，STI工艺将继续发挥重要作用，推动芯片技术的进步。

半导体工艺英文缩写

半导体工艺英文缩写半导体工艺是半导体行业中的一个重要领域，涉及到半导体材料和器件的制造过程。

由于该领域技术含量高，专业术语较多，因此人们常常使用英文缩写来简化表达。

下面是一些常见的半导体工艺英文缩写及其解释：1.CMOS: 压缩氧化法半导体互补金属-氧化物半导体CMOS是一种常见的半导体工艺，它使用压缩氧化法在半导体材料上形成金属-氧化物半导体结构。

这种结构可以实现低功耗、低电压操作，并且在集成电路中应用广泛。

2.PVD: 物理气相沉积物理气相沉积是一种半导体材料薄膜制备的技术，它利用物理过程将固体材料转化为气体，然后在半导体表面沉积成薄膜。

这种技术可以实现高质量的薄膜制备，并且广泛用于半导体器件的制造。

3.CVD: 化学气相沉积化学气相沉积是一种半导体材料薄膜制备的技术，它利用化学反应将气体转化为固体材料，并在半导体表面沉积成薄膜。

这种技术可以实现较高的沉积速度和较大的沉积面积，并且在集成电路制造中得到广泛应用。

4.RTP: 快速热退火快速热退火是一种半导体工艺，它通过快速升温和冷却的方式来进行热处理。

这种工艺可以实现材料的结晶、再结晶和晶格调控，从而提高半导体器件的电学性能和稳定性。

5.DUV: 深紫外深紫外是一种波长较短的紫外光，通常用于半导体制造中的光刻工艺。

它具有较高的分辨率和较小的曝光误差，可以实现微细结构的制造和高精度印刷。

6.BEOL: 背端工艺背端工艺是指半导体制造中从晶圆电路层到封装层的工艺步骤，主要包括金属线路的布线、电压与数据传输的测试、集成电路封装等工作。

这些工艺步骤对于确保电路的正常运行和稳定性至关重要。

7.FEOL: 前端工艺前端工艺是指半导体制造中从晶圆加工到背端工艺之前的工艺步骤，主要包括晶圆清洁、刻蚀、沉积、光刻、扩散等工作。

这些工艺步骤对于制备高质量的半导体材料和器件起着关键作用。

总结起来，半导体工艺英文缩写是半导体行业中常用的专业术语，它简化了表达，加快了交流。

半导体行业英语专业术语

半导体行业英语专业术语1.Angle of incidence：入射角。

2.Dielectric：介电质。

3.Epitaxial Growth：外延生长。

4.Junction：结。

5.MOS transistor：MOS晶体管。

6.Lithography：光刻。

7.Photoresist：光刻胶。

8.Picking：取片。

9.Reflow soldering：热风焊接。

10.Deposition：沉积。

11.Diffusion：扩散。

12.Doping：掺杂。

13.Epitaxy：外延。

14.Furnace：炉。

15.Gate oxide：栅极氧化层。

16.Grinding：研磨。

17.Ion Implantation：离子注入。

18.Polishing：抛光。

19.Substrate：基底。

20.Chip：芯片。

21.Wafer：晶圆。

22.Yield：良率。

23.Masking：掩模。

24.Electrical Characterization：电性测试。

25.Suitability Test：可靠性测试。

26.Failure Analysis：失效分析。

27.Annealing：退火。

28.Threshold Voltage：阈值电压。

29.Voltage Transfer Curve：电压传递曲线。

30.Contact Resistance：接触电阻。

31.Electromigration：电迁移。

32.Inspection：检验。

33.CMP：表面处理。

34.CVD：化学气相沉积。

35.Metallization：金属化。

36.Microscopy：显微镜。

37.Ohmic Contact：正性接触。

38.Oxidation：氧化。

39.PECVD：电演化学气相沉积。

40.Photolithography：光刻工艺。

41.Sputtering：溅射。

42.Thermal Oxidation：热氧化。