晶体管放大器的设计..

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晶体管放大器设计

晶体管放大器设计

晶体管放大器设计晶体管放大器(Transistor Amplifier)是现代电子设备中最常用的放大器之一,它可以将微弱信号放大到适合于处理或驱动其他设备的程度。

设计一个有效的晶体管放大器需要综合考虑电路结构、元器件选型、电路参数调整等多个因素。

本文将介绍晶体管放大器的设计原理和步骤,以及一些常见的电路拓扑结构和优化技巧。

一、晶体管放大器的基本原理晶体管是一种半导体元器件,它可以通过控制基极(Base)电压来调节集电极(Collector)-发射极(Emitter)之间的电流。

由于晶体管具有电流放大的特点,因此可以作为放大器的关键部件。

在简单的单极接法晶体管放大器中,晶体管的基极通过串联一个输入电阻与输入信号相连,集电极通过串联一个负载电阻与输出信号相连,发射极接地。

当输入信号的正半周电压上升时,基极电压上升,导致集电极电流增大,输出信号的电压也随之增大。

类似地,当输入信号的负半周电压下降时,基极电压下降,导致集电极电流减小,输出信号的电压也随之减小。

这样就实现了对输入信号的放大。

二、晶体管放大器设计步骤设计晶体管放大器的第一步是确定放大器的需求和输入输出条件,例如:输入信号的频率、幅度、内阻,输出信号的负载阻抗、增益要求等。

接下来,选择合适的晶体管型号,并对电路拓扑结构进行选择。

第二步是进行电路元件的选型和计算。

常用的元件有电容、电感、电阻等。

在选型时需要综合考虑元件的容值、功率、温度系数等参数。

对于电容和电感元件,需要根据输入输出信号的频率和阻抗进行计算,以保证电路在所选频段内具有足够的增益和带宽。

第三步是进行电路参数的调整和优化。

在实际电路中可能存在一些不可避免的偏差和误差,例如晶体管的参数差异、电路元件的温度漂移等。

因此需要通过适当的电路调整和优化来降低这些误差对电路性能的影响。

三、常见的晶体管放大器拓扑结构1. 单极接法放大器如前所述,单极接法放大器是晶体管放大器最简单的一种,它通常用于低频信号放大。

晶体管放大器实验报告

晶体管放大器实验报告

晶体管放大器实验报告引言晶体管是一种常用的电子器件,它可以放大电信号。

本实验旨在通过实际操作,学习和理解晶体管放大器的原理和特性。

实验目的1.学习晶体管放大器的基本原理2.通过实验观察晶体管放大器的输入输出特性3.分析并掌握晶体管放大器的放大倍数和失真情况实验器材与元器件1.理想晶体管2.铜排3.三极管4.驱动电路5.测试仪器实验步骤1.搭建晶体管放大器电路–将晶体管、驱动电路、输入电路和输出电路依次连接起来,组成放大器电路–确保连接正确无误2.设置测试仪器–将信号发生器连接到输入电路,设置适当的频率和幅度–将示波器连接到输入和输出电路,用于观察输入输出信号3.调整电路参数–通过调节电路中的电阻、电容等元器件,使得电路工作在合适的工作状态–根据实验要求,选择合适的直流偏置点和交流耦合参数4.测试输入输出特性–分别输入不同的信号频率和幅度,观察输出信号的变化–记录输入输出电压的数值5.测试放大倍数–测量输入信号和输出信号的电压,并计算放大倍数–根据实验结果,分析放大器的增益和线性特性6.测试失真情况–输入不同幅度的信号,观察输出波形是否失真–通过示波器观察波形,分析失真原因和程度7.总结实验结果–根据实验数据和观察,总结晶体管放大器的特性和性能–分析实验中遇到的问题和解决方法–提出对放大器电路改进的建议实验结果与分析输入输出特性在不同频率和幅度的输入信号下,记录输入输出电压,并整理成表格如下:输入电压(V) 输出电压(V)0.5 1.21.02.51.5 3.82.0 5.1由表格可见,当输入电压增大时,输出电压也随之增大,且增大的幅度明显大于输入电压的变化幅度。

这表明晶体管放大器具有良好的放大性能。

放大倍数根据实验数据计算放大倍数,公式为:放大倍数=输出电压输入电压根据表格数据,计算可得:输入电压(V) 输出电压(V) 放大倍数0.5 1.2 2.41.02.5 2.5输入电压(V) 输出电压(V) 放大倍数1.5 3.82.532.0 5.1 2.55通过计算可知,晶体管放大器的放大倍数几乎保持不变,表明它具有较好的线性特性。

晶体管放大器设计

晶体管放大器设计

RE

CE
及+VCC所决定。


若I1 >>IBQ ,VBQ >>VBE 温度T IC IE VE、VBQ不变 VBE IB
IC
(反馈控制)
5
2、电路参数旳拟定:
工作点稳定旳必要条件: I1>>IBQ ,VBQ>>VBE
一般取
I1(5~10I)BQ (硅管 )
I1(10~20I)BQ (锗管 )
2、怎样调整放大器旳下限频率fL ? 希望降低放大器下限频率fL,根据电容计算式,也
有三种途径,即
fL
CE、 CB、 CC rbe AV
电 路 的 性 能 价 格 比
RC Ro
不论何种途径,都会影响放大器旳性能指标,只能 根据详细指标要求,综合考虑。
28
七. 电路参数修改
3、负反馈对放大器性能有何影响?
成果测量
指标满足要求
N
Y
电路设计结束
4
四、共射放大器原理与设计举例
1、工作原理
+ VCC
三极管放大器中广 泛应用旳是分压式射 极偏置电路。电路旳 Q点稳定, Q点主要
RC R B1
CC

CB


I1
V BQ IBQ
ICQ T V EQ
V CEQ
+ RL Vo
由RB1、RB2、RE、RC V i
R B2
理论计算
试验测试 在波形不失真旳条件下, 用示波器测量放大器输入电
A V
Vo Vi
R L
rbe
压与输出电压旳值。 测出Vi (有效值)或Vim(峰值)
rbe30 0{IC2Q}m 6mAV mA及效峰V值值ip))-或p(,V峰o则m-(峰峰值值)) V与opV-p(o(有峰-

《电子线路综合设计》晶体管放大器设计实验

《电子线路综合设计》晶体管放大器设计实验

《电子线路综合设计》晶体管放大器设计实验一、实验目的1、掌握普通单级放大器的结构及分析方法,了解共射放大器、共集放大器和共基放大器的特点;2、掌握各类晶体管放大电路的设计 Multisim 软件仿真。

3、引导学生制作一个普通放大器,通过亲自动手制作,以达到理解放大器的目的。

二、实验内容项目教学表任务1 电路仿真1、分析电路(1)放大管为 Q1 ,电容为 C1 (填写元器件序号),其上偏电阻为R1 ,下偏电阻为R3 ,输入耦合、输出耦合电容为 C1,C2 ,集电极电阻为R2 ,发射极电阻R4具有稳定静态工作点作用,C3为旁路电容,其作用是增大电压放大倍数。

(2)分析工作点的稳定过程。

温度升高Icq增大,Ieq增大,Ueq增大,Ubeq(Ubq-Ueq)减小,Ibq减小,Icq减小。

2、三极管参数利用网络资源或三极管手册査阅三极管的主要参数,并填入表1中。

工具书可选用《新编国内外三极管速查手册》;网络资源可选用其他网站。

表1三极管参数3、电路仿真(使用Multisim件或其他仿真软件)(1) 画Multisim 理图,并将原理图粘贴在以下位置(注:电路绘制完毕,应通电试运行,看电路连接是否正确,若有故障,则应排除故障)。

(2) 测试电路用软件中的虚拟电压表和电流表测试电路的静态工作点,填写表2。

将接入虚拟电压表和电流表之后的电路粘贴在以下位置。

表2电路静态工作点(3) 波形观测用软件中的虚拟信号源从放大器的输入端输入一个正弦波信号(幅度为5~50mV,频率为1~10kHz),用虚拟双踪示波器同时观测输入波形和输岀波形,并绘出波形图(在波形中标出幅度),比较输入波形和输出波形的相位,填写表3。

表3波形观测输入为50mv任务2 电路设计与制作一、题目要求1、电路设计单管分压式稳定共射极放大电路设计,放大电路如图所示,在Multisim 软件中找出相应元件,连接电路。

输入信号u i=5mv,f=10kHz,输出信号u o=50mv,用分压式稳定单管共射极放大路进行设计。

晶体管放大电路的设计

晶体管放大电路的设计

晶体管放大器的设计与调测一、实验目的1、学习晶体管放大器的设计方法;2、研究静态工作点对输出波形的影响及静态工作点的调整方法;3、掌握静态工作点、电压放大倍数和输入输出电阻的测试方法;4、研究大信号激励下信号源内阻对波形失真的影响;二、实验原理在晶体管放大器的三种组态中,由于共射极放大器既有电流放大,又有电压放大,所以在以信号放大为目的时,一般用共射极放大器。

分压式电流负反馈偏置是共射放大器广为采用的偏置形式,如图3-1所示,由于负反馈的引入它的静态工作点的稳定性较高。

这里就以该电路为例介绍单管放大器的设计方法。

1、确定静态工作点电流I CQI CQ 的选取,在不同的情况下是不同的:(1)小信号工作情况时,非线性失真不是主要矛盾,因此,以其他因素来考虑,若以少耗电为主,工作点应选得低些,如图3-2中的Q 1点;如果耗电不是主要矛盾而需要放大倍数大些, 那么工作点可选得高些,如图3-2中的Q 2点。

一般小信号放大器取I CQ =0.5~2mA 。

图3-1 共发射极放大电路 图3-2 不同的工作点 (2)大信号工作情况时,非线性失真是主要矛盾,因此,考虑的因素主要是尽量大的动态范围又尽可能小的失真。

此时,应设计选择一个最佳负载,工作点尽量选在交流负载线的中央,如图3-2中的Q 3点。

如果设计指标中对放大器的输入电阻R i 有要求,也可以根据对R i 的要求来确定静态工作点I CQ 。

由图3-1可见21////B B be i R R r R = (3-1)CQb b CQ b b be I r I r r 2626)1(ββ+≈++=′′ (3-2) 对于小功率低频管r bb '的典型值为300Ω,小功率高频管r bb ',的典型值为50Ω,由于一般r b 比R B1∥R B2要小得多,因此在初选I CQ 时,可以近似认为R i =r be ,则由上式可确定I CQ 。

2、确定偏置电阻R B1,R B2的值根据这个电路的工作原理,只有当I 1远远大于I BQ 时,才能保证U BQ 恒定,;这是工作点稳定的必要条件。

晶体管放大器的设计

晶体管放大器的设计

1.放大器与晶体管放大电路1.1放大器1.1.1 放大器概述放大电路广泛应用于各种电子设备中,如音响设备、视听设备,精密仪器、自动控制系统等。

放大电路的功能是将微弱的电信号(电流、电压)放大得到所所需要的信号。

一个放大器可以用一个带有输入端和输出端的方框表示。

输入端结欲放大的信号源,输出端接负载,如图2—1所示。

输入信号经过放大器放大后通过输出端接到负载上。

如果满足下面两个条件,就说电信号已经放大。

图2—1 放大器方框图(1)输出信号的功率大于输入信号的功率。

(2)力求输出到负载上的信号波形与输入源的波形一致。

1.1.2 对放大器的基本要求(1)要有足够的放大倍数。

(2)要具有一定宽度的同频带。

(3)非线性失真要小。

(4)工作要稳定1.2 晶体管放大器1.2.1 基本放大电路的组成晶体管基本放大电路如图所示。

根据放大电路的组成原则,晶体管应工作再放大区,即u BE>Uon,uCE>>uBE,所以在图所示基本人共集放大电路中,晶体管的输入回路加基极电源Vbb,它与Rb、Re共同确定合适的基极静态电流;晶体管的输出回路加集电极电源Vcc ,它提供集电极电流和输出电流。

画出图a 所示电路的直流通路如图b 所示,集电极是输入回路和输出回路的公共端。

交流信号ui 输入时,产生动态的基极电流ib ,驼载在静态电流上IBQ 上,通过晶体管得到放大了的发射极电流iE,其交流分量ie 在发射极电阻Re 上产生的交流电压即为输出电压uo 。

由于输出电压由发射极获得,故也称共集放大电路为射极输出器。

1.2.2 静态分析静态分析:就是求解静态工作点Q ,在输入信号为零时,BJT 或FET 各电极间的电流和电压就是Q 点。

可用估算法或图解法求解。

图解法确定Q 点和最大不失真输出电压(1)用图解法确定Q 点的步骤:已知晶体管的输出特性曲线族→由直流通路求得I BQ →列直流通路的输出回路电压方程得直流负载线→在输出特性曲线平面上作出直流负载线→由I BQ 所确定的输出特性曲线与直流负载线的交点即为Q 点。

晶体管电路设计

晶体管电路设计

晶体管电路设计
晶体管是一种使用半导体材料制成的电子器件,广泛应用于电子设备中。

晶体管电路设计主要包括放大电路、开关电路和逻辑电路等。

下面以放大电路为例,简要介绍晶体管电路的设计过程。

首先,放大电路旨在将输入信号经过放大器放大后输出,一般需要确定放大器的增益、频率响应和电压偏置等参数。

以共射极放大电路为例,设计步骤如下:
1. 确定放大器的电压供应范围,一般为芯片规格提供的电源电压范围,如5V。

2. 确定放大器的输入电阻和输出电阻,一般根据应用需要确定,一般情况下,输入电阻应该大于输出电源才能更好地适应各种输入信号源,输出电阻则应该小于输入信号源。

3. 选择合适的晶体管型号和工作点。

根据应用要求选择合适的晶体管型号,根据电压供应范围、放大器工作点和输入输出电阻来确定最佳的工作点。

4. 计算放大器的增益。

根据晶体管的静态特性参数以及放大电路的拓扑结构计算放大器的增益。

5. 考虑反馈和补偿。

根据放大器的稳定性要求选择恰当的补偿电路和反馈电阻。

6. 优化设计并进行仿真。

对设计的放大电路进行电路的仿真和优化,验证其性能和稳定性。

7. PCB布线。

根据原理图进行PCB布线设计,注意电路的电磁兼容性和信号完整性。

8. 调试和测试。

将设计好的放大电路进行调试和测试,以保证性能和稳定性。

通过以上设计步骤,可以设计出满足需求的晶体管放大电路。

当然,设计晶体管电路还需要考虑众多因素,如噪声、功耗、温度稳定性等,在实际设计中还需要更加细致的考虑和优化。

晶体管放大倍数检测电路的设计与实现

晶体管放大倍数检测电路的设计与实现

设计晶体管放大因子检测电路就像为我们的电子朋友制造超级英雄服
我们需要确保它能够准确测量晶体管的放大系数,这就像了解我们英
雄的超能力。

电路应该是坚固的,能够承受噪音和其他干扰,如超级
英雄与反派的战斗。

当然,它应该负担得起,而且容易建造,只使用
现有的电子设备,这样我们的英雄服就可以被大量生产,并被广泛用
于各种电子冒险。

有了这套超级英雄套装我们的晶体管就可以在任何电子应用中拯救这一天了!
为了保证检测电路正常运转你需要一些重要的东西你需要一个偏差网络让晶体管安装在右侧,正确的收集器电流和基压。

你必须有一个
方法测量电流或电压,像使用一个测距或电压计。

你可能想要一些
信号处理和显示以合理的方式显示放大系数。

当你把这些东西放在一起时,检测电路可以做一个扎实的工作,找出晶体管在不同情况下的放大系数。

在实现检测电路时,必须利用各种电子电源和设计技术。

操作放大器,晶体管,电阻器,电容器可以用于偏导网络和信号测量器的建设。


模拟或数字信号处理进行了改进,以便进一步处理和分析测量数据。

电路设计必须考虑到晶体管特性和环境因素的潜在变化,以确保一致
和准确的测量结果。

正是通过在设计和实施过程中仔细考虑这些因素,才能实现可靠有效的晶体管放大系数检测电路。

晶体管两级放大电路的设计与制作

晶体管两级放大电路的设计与制作

晶体管两级放大电路的设计与制作1. 引言晶体管是一种半导体器件,广泛应用于电子电路中。

晶体管可以实现信号放大的功能,而晶体管两级放大电路是一种常见的电路结构,用于增强输入信号的幅度。

本文将介绍晶体管两级放大电路的设计与制作过程。

2. 电路设计晶体管两级放大电路由两个级联的放大器组成,每个放大器中都包含一个晶体管。

在设计过程中,需要考虑以下几个方面:2.1 放大倍数根据实际需求确定所需的放大倍数。

放大倍数越高,输出信号的幅度将越大。

2.2 输入与输出阻抗匹配为了最大限度地传递信号能量,输入与输出阻抗应该尽可能地匹配。

这可以通过合适选择元件值和连接方式来实现。

2.3 直流偏置为了使晶体管工作在合适的工作点上,需要对其进行直流偏置。

这可以通过添加适当的偏置网络来实现。

2.4 反馈网络为了提高电路的稳定性和线性度,可以添加反馈网络。

反馈网络可以减小电路的非线性失真,并改善频率响应。

2.5 负载电阻为了使输出信号能够驱动负载,需要添加适当的负载电阻。

负载电阻的选择应该考虑负载的阻抗和所需的输出功率。

3. 电路制作3.1 元件选择根据设计要求选择合适的晶体管、电容和电阻等元件。

在选择过程中,需要考虑元件参数、性能和可获得性等因素。

3.2 PCB设计使用PCB设计软件进行电路布局和布线。

合理规划元件位置和连线路径,以确保信号传输的稳定性和可靠性。

3.3 焊接与组装根据PCB设计将元件焊接到PCB板上。

注意焊接质量和连接可靠性,确保每个连接点都牢固可靠。

3.4 测试与调试完成焊接后,对电路进行测试与调试。

使用示波器、信号发生器等仪器检测输入输出信号,并根据实际情况调整元件值或连接方式。

4. 结论晶体管两级放大电路是一种常见的电路结构,用于增强输入信号的幅度。

在设计与制作过程中,需要考虑放大倍数、输入输出阻抗匹配、直流偏置、反馈网络和负载电阻等因素。

通过合理选择元件和进行电路布局、焊接与组装,可以实现晶体管两级放大电路的设计与制作。

晶体管共发射极放大电路(相位差180°,频率响应)

晶体管共发射极放大电路(相位差180°,频率响应)

晶体管共发射极放大电路设计(一)相位差180°在设计晶体管和FET电路时,只要能够形象地掌握放大器的工作,其后就只是单纯地计算了。

那么何谓放大工作:大小与输入信号成正比的输出信号可以认为是从电源来的。

由电源来的输出信号形与输入信号相间,而且比输入信号的电平高。

所以由外部看上去,可以看成输入信号被“放大”。

这就是晶体管或FET 的放大原理。

晶体管的工作原理是:对基极与发射极之间流过的电流进行不断地监视,并控制集电极与发射极电流,使数十甚至数百倍(依晶体管的种类而异)的电流流在集电极与发射极之间。

共发射极电路原理图:相位差的理论分析过程:输出为集电极电压的变化部分:因为r3是接在电源与集电极之间,所以r3的压降是相对于电源产生的.因此,r3的压降增加(vc 增加,ic. 就增加),则相对GND 的集电极电位Vc就减少. r4的压降减少(ve,减少,则ic 就减少)因此,相对于vi,ve的相位是反相位〈相位差为180。

)从波形上看更为直观如图:晶体管共发射极放大电路设计(二)----频率响应电路的频率响应主要的因数是晶体管的特征频率(ft)决定的,因此在设计电路的过程中需要谨慎选择晶体管。

通常我们会在调试电路的过程中使用仪器来测量电路的相位,增益,截止频率。

用来判断电路设计是否完美。

在这里我们分享一种在设计前使用仿真软件来测试目标电路的方法。

在设计阶段如果我们只更换一只特征频率更高的晶体管。

测得电路的截止频率fch的频率特征的确向高频扩展了。

但是与ft相比,fch仍然是非常小的值。

仿真原理图如下:实验用原理图做AC小信号分析可得波特图:结论:从原理图的参数可得信号放大倍数为5倍。

在波特图上用对数表示为增益为:14dB。

信号输出端的电压相位相差180°。

仿真波形和数据完全符合理论分析。

晶体管放大器的设计与调测实验报告学生[1]

晶体管放大器的设计与调测实验报告学生[1]

晶体管放大器的设计与调测实验报告(学生)[1]晶体管放大器的设计与调测实验报告一、实验目的1.学习和掌握晶体管放大器的基本原理和设计方法。

2.通过实际操作,掌握放大器的调测技巧和注意事项。

3.培养分析问题、解决问题的能力,提高实验技能。

二、实验原理晶体管放大器是利用晶体管的放大效应实现对输入信号进行放大的电子器件。

通过合理设计晶体管、电阻、电容等元件的参数,可以实现信号的线性放大、阻抗变换等功能。

根据放大器的工作频率、带宽、增益等性能指标,可以将其分为低频放大器、高频放大器、宽频带放大器等不同类型。

三、实验步骤1.确定放大器的性能指标:根据实验要求,确定放大器的增益、带宽、输出功率等性能指标。

2.选择合适的晶体管:根据性能指标和实际条件,选择合适的晶体管型号和规格。

3.设计电路:根据晶体管的特点和性能指标,设计合适的电路形式和元件参数。

4.搭建电路:按照设计好的电路图,搭建晶体管放大器电路。

5.调测电路:通过调整元件参数和观察波形,实现对放大器的调测和优化。

6.数据记录与分析:记录实验数据,分析误差原因,提出改进措施。

7.撰写实验报告:整理实验数据和结果,撰写实验报告。

四、实验结果与分析1.数据记录:在实验过程中记录了以下数据:输入信号幅度Vim=1mV,输入信号频率f=1kHz,晶体管放大器增益G=20dB,输出信号幅度Voc=2V,输出信号频率f=1kHz。

2.结果分析:通过对实验数据的分析,我们发现该晶体管放大器的增益为20dB,能够实现对输入信号的放大。

同时,输出信号的幅度和频率与输入信号相同,说明放大器具有较好的线性放大特性。

但是,实验中存在一定的误差,如温度变化、元件参数误差等,导致放大器的性能受到一定影响。

为了提高放大器的性能,可以采取以下措施:选用高品质的晶体管和元件;对元件进行精确测量和筛选;优化电路设计等。

五、结论与展望通过本次实验,我们了解了晶体管放大器的基本原理和设计方法,掌握了放大器的调测技巧和注意事项。

晶体管两级放大电路的设计与制作

晶体管两级放大电路的设计与制作

晶体管两级放大电路的设计与制作1. 引言晶体管两级放大电路是一种常见的电子电路设计,在许多电子设备中都得到了广泛的应用。

本文将详细介绍晶体管两级放大电路的设计原理、电路结构以及制作过程。

2. 设计原理晶体管两级放大电路通过使用晶体管作为放大器,将输入信号放大到更高的电压或电流,以便驱动其他设备或用于信号处理。

该电路由两个放大级组成,其中第一个级别负责放大信号并提供适当的输入阻抗,而第二个级别则进一步放大信号以增加输出功率。

3. 电路结构晶体管两级放大电路通常由三个主要部分组成:输入级、驱动级和输出级。

具体结构如下:3.1 输入级输入级是整个电路的第一级,用于接收输入信号并将其放大到适当的电平。

输入级由一个信号源接入,通常采用电容耦合方式。

输入级的目标是提供足够的放大和阻抗匹配以确保信号能够顺利传递到下一级驱动级。

3.2 驱动级驱动级是整个电路的第二级,目的是进一步放大输入信号并将其驱动到输出级。

驱动级通常由晶体管级联组成。

通过适当选择晶体管的工作点,可以实现线性放大和输出功率的最大化。

3.3 输出级输出级是整个电路的最后一级,负责将放大的信号转化为输出功率。

输出级通常由功率晶体管组成,因其能够提供足够的电流和电压驱动能力。

输出级还可能包含负载电阻,以将信号有效地传递给负载。

4. 制作过程下面将介绍晶体管两级放大电路的制作过程,包括器件选择、电路布局、电路连接和焊接。

4.1 器件选择在设计晶体管两级放大电路之前,首先要选择合适的晶体管和其他电子器件。

晶体管的选择应基于其放大能力、工作频率范围和耐压等参数。

其他电子器件的选择也应与电路设计相匹配,以确保性能和兼容性。

4.2 电路布局在开始制作电路之前,需要进行电路布局设计。

电路布局应考虑信号路径的最短化、阻抗匹配和噪声抑制等因素。

同时,良好的电路布局还应避免晶体管以及其他器件之间的干扰和串扰。

4.3 电路连接完成电路布局后,开始进行电路连接。

这包括连接晶体管和其他器件之间的引脚,以及连接适当的外部元件,如电容和电阻等。

实验二晶体管放大电路的设计

实验二晶体管放大电路的设计

晶体管放大电路的设计(设计性实验)一.设计题目:单极晶体管阻容耦合放大器的设计(1)已知条件Vcc =+12V,RL=2.4KΩ,V i=10mV,R s=2KΩ(2)性能指标要求Av >40,Ri>l KΩ,R O<2KΩ,F L<100Hz,F H>100kHz二.设计步骤及要求(1)根据已知条件及性能指标要求,确定电路器件,设置静态工作点,计算电路元件参数。

(2)在实验线路板上安装电路。

调整并测量静态工作点,使其满足设计计算值的要求。

(3)测试性能指标,调整与修改元件参数值,使其满足放大器性能指标的要求。

三.实验方案与设计过程1.工作原理图2-1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。

它的偏置电路采用R b1和Rb2组成的分压电路,并在发射极中接有电阻Re,以稳定放大器的静态工作点。

当在放大器的输入端加入输入信号ui后,在放大器的输出端便可得到一个与ui 相位相反,幅值被放大了的输出信号u,从而实现了电压放大。

图2-1 单管放大器实验电路图2.设计过程首先,选择电路形式及晶体管。

采用如图2-1所示的分压式电流负反馈偏置电路,可以获得稳定的静态工作点。

因放大器的上限频率要求较高,故选用高频小功率管,其特性参数IcM =20mA,V(BR)CEO≥20V,fT≥150MHz。

通常要求β的值大于Av的值,故选β=60。

其次,设置静态工作点并计算元件参数。

由于是小信号放大器,故采用公式法设置静态工作点Q ,计算如下:要求R i >l K Ω(R i ≈r be ),根据公式26()26()(1)300()()be b eQ cQ mV mV r r I mA I mA ββ=++≈+26 2.21000300cQ I mA mA β<=-取2cQ I mA = 若取3bQ V V =,由 1.15bQ bee cQV V R k I -≈=Ω,取标称值1k Ω由120(5~10)bQ b V R k β==Ω2157CC bQ b b bQV V R R k V -≈=Ω为使静态工作点调整方便,2b R 由20k Ω固定电阻和100k Ω电位器串联而成。

晶体管单级放大器实验

晶体管单级放大器实验

2.模拟电子技术实验实验2.1 晶体管单级放大器实验目的实验思路和准备实验内容和步骤实验报告要求其它实验手段一、实验目的1.测量放大器静态工作点和放大倍数2.观察静态工作点对放大器输出波形的影响3.测量输入电阻、输出电阻4.测量放大电路的幅频特性2.模拟电子技术实验实验2.1 晶体管单级放大器实验目的实验思路和准备实验内容和步骤实验报告要求其它实验手段二、实验思路和实验前的准备这是一个验证性实验,同学们需要利用晶体管、电阻、电容等元器件,自己制作一个单管放大器,并根据实验目的的要求,通过实验,体会课本内容的正确性,加深对课本内容的理解。

要进行上述实验,首先需要自己构建一个单管放大器的基本电路,此电路需要晶体管1只,电阻若干,电容器2只。

实验电路如图2.1.1所示。

1.首先确定电路的各种参数1)测量晶体管的β由于晶体管生产中存在的分散性,每个同学手中的管子参数可能不一致,因此,利用各种方法测量或者估计晶体管的β,是实验前必须进行的。

获得晶体管β,常见的仪器有:晶体管图示议、万用表。

请同学们根据实验室条件,自行完成。

2)根据晶体管的β,合理选择电源电压和集电极电阻在这一部分,很多选择并不是唯一的。

电源电压可以选择为+12V,通过调节直流稳压电源实现。

选择R c =2kΩ。

3)估算R W和R B根据电源电压,先使静态工作点位于直流负载线中点,则:V,mA又根据,可以得到,而,可以估算出kΩ将R W+R B的估算值用R WB表示,如果β为100,则此值为377kΩ。

此时,可以按照下述方法选择电位器R W和电阻R B。

确定R W+R B的最小值,也就是R B的值,此值应该比达到饱和状态的基极电阻还小,以确保调节R W为0时,晶体管肯定进入了饱和状态。

一般选取。

比如当β=100,可以选择R B=100kΩ。

2.模拟电子技术实验实验2.1 晶体管单级放大器实验目的实验思路和准备实验内容和步骤实验报告要求其它实验手段三、实验内容和步骤1.静态工作点的调整和测量对于一个晶体管放大电路,根据设计目的不同,静态工作点的选择也有不同的原则。

电子线路晶体管放大器设计实验报告

电子线路晶体管放大器设计实验报告

电子线路设计实验报告专业班级日期2011/12/4 成绩实验组别第次实验指导导师学生姓名同组人姓名实验名称双极结型晶体管放大器设计一、已知条件+V CC= +12V,R L=2k V i=10mV,R s=50二、性能指标要求A V>30,R i>2k R o<3k f L<20Hz,f H>600kHz,电路稳定性好。

三、实验仪器设备低频信号发生器EE1641B晶体管毫安表DA-16双踪示波器COS5020或TDS210直流稳压电源(双路输出)数字万用表、实验面包板、元件及工具四、电路工作原理下图所示的电路是晶体管放大器中广泛应用的阻容耦合式共射极放大器。

它采用的是分压式电流负反馈偏置电路。

放大器的静态工作点Q主要由RB1、RB2、RE、RC及电源电压+VCC所决定。

该电路利用电阻RB1、RB2的分压固定基极电位VBQ 。

如果满足条件I1>>IBQ ,当温度升高时,ICQ ↑–>VEQ ↑(VBQ 不变)–>VBE ↓–>IBQ ↓–>ICQ ↓,结果抑制了ICQ 的变化,从而获得稳定的静态工作点。

R C 与R L 构成交流负载R'L 。

C B 、C c 用来隔直和交流耦合。

五、电路的设计与调试 1.电路设计根据晶体管的输出特性曲线,测得β=60。

要求CQ be i I mV r R 26200β+≈≈=200 +60×CQ I mV26>2000∴I CQ <1.73mA ,取I CQ =1.0mA 。

若取V BQ =3V R E =Ω=-k I CQBQ 3.27.0V mA I I CQBQ 2107.1-⨯==β取mA I I BQ 136.081==取成mA 15.0。

C B++I 1-R B2R B1I BQ V BQV EQV CEQI CQ R CR E C ER LC C+T+V CC+-+V oV i∴Ω===k I V R BQ 2015.0312BΩ=∙-=k R V V V R B BQ BQCC B 6021r BE =r B =200+60*26=1.760Ωk根据A V 的理论计算式得 =R C //R L =0.9Ωk ,又因为R L =2k Ω,所以 取1.6Ωk 。

阻容耦合单级晶体管设计

阻容耦合单级晶体管设计
计算电容为:
取标称值,CC = CB = 20������F
取标称值,CE = 150������F
9
(3) 画出电路带参数的电路图
根据上述设计,得到放大器的电路图如下:
RP 150k
20k +VCC +12V RC 1.5k CC

* RB1

CB
Rs 50 + Vs 10mV -
10F RB2 41k RE 2k
T1 S8050
10F

Vo

RL 2k
CE 150F -
10
(4)电路安装与调试
晶体管 毫伏表 直流稳压电源 + - 双踪 示波器 CH1 低频信号 发生器


+ VCC
vi
+ vo
CH2

被测放大器
首先在面包板上组装好电路,参考上图搭接好实 验测试平台。 静态调试 然后进行电路调试: 动态调试
11
(5)电路参数修改
负反馈对放大器性能的影响 电流串联负反馈放大器 RL AVF rbe RF
RP 150k
20k T1 S8050 RF 10 RE 2k

+VCC +12V RC 1.5k CC

* RB1

CB
10F

RF取几十欧姆, Rs 可明显地提高放 50 大器的输入阻抗, + 降低放大器的下 Vs 限频率,改善非 10mV - 线性失真。

, I 1 (5 ~ 10) I BQ
为使静态工作点调整方便,RB1由20kΩ固定 电阻与150kΩ电位器相串联而成。
7 7
பைடு நூலகம்
(2) 设置Q点并计算元件参数
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晶体管放大器的设计一、实验目的1. 熟悉晶体管放大器的工作原理,体会晶体管放大器的作用。

2. 掌握晶体管放大器静态工作点的测试和调整方法以及测量晶体管放大器各项动态性能指标的方法。

3. 学习和掌握设计、调试具体晶体管放大器电路的方法与技能。

二、实验原理 (一) 设计原理1.工作原理及基本关系式 (1)工作原理。

晶体管放大器中广泛应用如图1所示的电路,该电路称为阻容耦合共射极放大器,它采用分压式电流负反馈偏置电路。

放大器的静态工作点Q 主要由e c b b R R R R 、、、21及电源电压CC V +所决定。

该电路利用电阻1b R 、2b R 的分压固定基极电位bQV 。

如果满足条件bQI I >>1,当温度升高时,↓↓→↓→↑→↑→cQ bQ be eQ cQ I I V V I ,结果抑制了cQI 的变化,从而获得稳定的静态工作点。

图1 阻容耦合共射极放大器(2)基本关系式。

当bQI I >>1时,才能保证bQV 恒定,这是工作点稳定的必要条件,一般取⎪⎭⎪⎬⎫==锗管)硅管)()20~10(()10~5(11bQ bQ I I I I (1) 负反馈越强,电路的稳定性越好。

所以要求bebQ V V >>,即bQV =(5~10)beV ,一般取⎪⎭⎪⎬⎫==锗管)硅管)()3~1(()5~3(V V V V bQ bQ (2)电路的静态工作点有下列关系式确定:cQeQ cQbebQ e I V I V V R =-≈(3)对于小信号放大器,一般取mAmA I cQ 2~5.0=CCeQ V V )5.0~2.0(=βcQbQ bQ b I V I V R )10~5(12=≈(4)21b bQbQCC b R V V V R -≈(5))(e c cQ CC ceQ R R I V V +-≈ (6)2. 性能指标与测试方法晶体管放大器的主要性能指标有电压放大倍数V A 、输入电阻i R 、输出电阻0R 及通频带W B 。

对于图1所示电路,各性能指标的计算式与测试方法如下: (1)电压放大倍数beLiV r R V V A '-==•••β0(7)LR '=L c R R // ;be r 为晶体管输入电阻,即 )()(26300)()(26)1(mA I mV mA I mV r r cQ eQ b be ββ+≈++= (8) 测量电压放大倍数,实际上是测量放大器的输入电压•i V 与输出电压•0V 的值。

在波形不失真的条件下,如果测出i V (有效值)或im V (峰值)与0V (有效值)或m V 0(峰值),则imm i V V V V V A 00==(9)(2)输入电阻为be b b be i r R R r R ≈=21//// (10) 其测试电路如图2所示。

放大器的输入电阻反映了放大器本身消耗输入信号源功率的大小。

若si R R >>(信号源内阻),则从信号源获得最大功率。

用“串联电阻法”测得放大器的输入电阻i R ,即在信号源输出与放大器输入端之间串联一个已知电阻R (一般以选择R 的值接近i R 的值为宜),如图2所示。

输出波形不失真情况下,用晶体管毫伏表或示波器分别测量出s V 与i V 的值,则有图2 输入电阻的测试电路RV V V R i s ii -=(11)式中s V 为信号源的输出电压值。

(3)输出电阻为c c R R r R ≈=//00 (12) 式中0r 为晶体管的输出电阻。

放大器输出电阻的大小反映其带负载的能力,0R 越小,带负载的能力越强。

当<<0R L R 时,放大器可等效成一个恒压源。

放大器输出电阻的测量方法如图3所示,电阻L R 应与0R 接近。

在输出波形不失真的情况下,首先测量未接入L R 即放大器负载开路时的输出电压0V 的值;然后接入L R 再测量放大器负载上的电压L V 0的值,则有LL R V V R ⎪⎪⎭⎫⎝⎛-=1000 (13) (4)频率特性和通频带。

放大器的频率特性包括幅频特性()ωA 和相频特性()ωϕ。

()ωA 表示增益的幅值与频率的关系;()ωϕ表示增益的相位与频率的关系;ϕ是放大器输出信号与输入信号间的相位差。

图3 输出电阻测试电路放大器的频率特性如图4所示,影响放大器频率特性的主要因素是电路中存在的各种电容元件通频带WB =H f —L f (14)式中,H f 为放大器的上限频率,主要受晶体管的结电容及电路的分布电容的限制;L f 为放大器的下限频率,主要受耦合电容b C 、c C 及射极旁路电容e C 的影响。

fA U A .U 7070L H图4 放大器的频率特性要严格计算电容b C 、c C 及e C 同时存在时对放大器低频特性的影响,较复杂。

在实际设计中,为了简化计算,通常以每个电容单独存在时的转折频率为基本频率,再降低若干倍作为下限频率。

电容b C c C 及e C 单独存在时所对应的等效回路如图5(a )、图5(b )、图5(c )所示。

如果放大器的下限频率L f 已知,则可按式(15)~式(17)进行估算b C ≥(3~10)()be S L r R f +π21(15)≥c C (3~10)()L C L R R f +π21(16)e C ≥(1~3)⎪⎪⎭⎫⎝⎛++βπ121be S e L r R R f (17)通常取b C =c C ,可在式(15)与式(16)中选电阻最小的一式求b C 或cC 。

rbe(a )bC 等效 (b)c C 等效 (c)eC 等效图5 与电容bC 、cC 及eC 对应的等效电路放大器的幅频特性可通过测量不同频率时的电压放大倍数V A 来获得。

通常采用“逐点法”测量放大器的幅频特性曲线。

测量时,每改变一次信号源的频率(注意维持输入信号S V 的幅值不变且输出波形不失真),用晶体管毫伏表或示波器测量一个输出电压值,并计算增益,然后将测试数据i f 、)201(v v gA A 表,整理并标于坐标纸上,再将其连接成曲线,如图4所示。

如果只要求测量放大器的通频带W B ,首先测出放大器中频区(如kHzf 10=)出电压V 。

然后升高频率直到输出电压降到0.7070V 为止(维持s V 不变),此时所对应的信号源的频率就是上限频率H f 。

同理,维持s V 不变降低频率直到输出电压降到0.707 0V 为止,此时所对应的频率为下限频率L f ,放大器的通频带L H W f f B -=。

根据设计题目绘制实际电路图, 电路的安装与调试。

(二)电路的安装与调试 1. 静态工作点的测量与调整根据设计计算所得的元件参数组装电路(应尽量按照电路的形式与顺序布线)。

通电前,先用万用表检测连接导线是否接触良好,然后接通电源,测量电路的静态工作点。

测量方法是不加输入信号,将放大器输入端(耦合电容b C 左端)接地。

用万用表分别测量晶体管的基极、发射极和集电极对地的电压BQV 、EQV 及CQV 。

如果出现CCCQ V V ≈,说明晶体管工作在截止状态;如果VV CEQ 5.0<,说明晶体管已经饱和。

遇到上述两种情况,或者测量值与所设置的静态工作点偏离较大时,都需要调整静态工作点。

调整方法是改变放大器上偏置电阻1B R 的大小,即调节电位器的阻值,同时用万用表分别测量晶体管各极的电位BQV 、EQV 及CQV ,并由式(6)计算CEQV 及由式(3)计算CQI 。

如果CEQV 为正几伏,说明晶体管工作在放大状态,但并不说明放大器的静态工作点设置在合适的位置,所以还要进行动态波形观测。

给放大器送入规定的输入信号,如i V =10m V ,i f =1kHz 的正弦波。

若放大器的输出0V 的波形的顶部被压缩(见图4-6(b ),这种现象称为截止失真),说明静态工作点Q 偏低,应增大基极偏流BQI 。

如果输出波形的底部被削波(见图4-6(a ),这种现象称为饱和失真),说明静态工作点Q 偏高,应减少BQI 。

如果增大输入信号时,输出波形的顶部和底部差不多同时开始畸变,说明静态工作点设置得比较适合。

此时移去信号源,分别测量放大器的静态工作点BQV 、EQV 、CQV 及CQI 。

(a )饱和失真 (b )截止失真图6 波形失真2. 性能指标测试与电路参数修改按照图7所示的测量系统的接线方式来测量放大器的主要性能指标。

示波器用于观测放大器的输入、输出电压波形,晶体管毫伏表用于测量放大器的输入、输出电压。

当频率改变时,信号发生器的输出电压可能变化,应及时调整,以维持输入电压始终不变。

所有仪器的图7 观测放大器性能指标接线图接地端都应与放大器的地线相连接。

测量前,首先使信号发生器的频率调到放大器中频区的某个频率0f 上,(例如使0f =1kHz ,幅值调到放大器所要求的电压值,例如i V =10mV 有效值),然后按照放大器性能指标的测试方法分别测量V A 、i R 、0R 、W B 。

对于一个低频放大器,要求电路的稳定性好、非线性失真小、电压放大倍数大、输入阻抗高、输出阻抗低、低频响应L f 低,但这些要求很难同时满足。

例如,要提高电压放大倍数V A ,由式(7)可以有3种途径实现,即⎪⎩⎪⎨⎧↑↑→→↓↓→→↑↑→'→↑be i be LV r R r R R A β0增大L R '会使输出电阻0R 增加,减小be r 会使输入电阻i R 减小。

如果0R 及iR 离指标要求还有充分余地,则可以通过实验调整c R 或cQI ,但改变cR或cQI 又会影响电路的静态工作点。

可见只有提高晶体管的放大倍数β,才是提高放大器电压放大倍数的有效措施。

对于图1分压式直流负反馈偏置电路,由于基极电位bQV 固定即cQI 亦基本固定。

即CCb b b bQ V R R R V 212+=(18)所以,改变β不会影响放大器的静态工作点。

若要降低放大器的下限频率L f ,根据式(15)和式(17),也可以有3种途径实现,即⎪⎩⎪⎨⎧↑↑→→↓↑→→↓↑→↑↑→↓0c ,,R R A r C C C f V be c b e L 电路的性能价格比无论哪一种途径都会影响放大器的性能指标,故只能根据具体指标要求,综合考虑。

设计出满足要求的放大器,根据实验调整后的元件参数与设计计算值会有些差别,应根据测量结果验算并进行误差分析。

3. 测量结果与误差分析(1) 静态工作点测量。

(2) 性能指标测量。

(3) 电路参数讨论及误差分析。

*(三)负反馈对放大器性能的影响引入负反馈后,放大器的电压放大倍数将下降,其表达式为••••+=FA A A V V Vf 1 (19)式中,•F 为反馈网络的传输系数;•V A 为无负反馈时的电压放大倍数。

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