拉扎维模拟CMOS集成电路设计_习题答案(第4章节) (2)
模拟cmos集成电路设计拉扎维第4章差分放大器
Rin =
RD + rO
RD
+1
1 + ( g m + g mb )rO ( g m + g mb )rO g m + g mb
R = {[1 + (g + g )r ]R + r } || R 路漫漫其修远兮,
吾将上下而求索
out
m
mb o S
o
D
西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计
11
上一章
西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计
5
上一章
二极管接法的MOS 管做负载的共源级
线性度好，输出摆幅小，增益不能太大（否 则摆幅小、带宽小）
Av =
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
(W / L)1 1
(W / L)2 1 +
Av =
n (W / L ) 1 p (W / L ) 2
西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计
6
上一章
电流源做负载的共源级
增益大
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
Av = m ro1 || ro2
西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计
7
上一章
深线性区MOS管做负载的共源级
输出摆幅大（可以为VDD）
得到精准的Ron2比较困难；受工艺、温度变 化影响比较大，产生稳定、精确的Vb比较 难
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
=
g mR D
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
1 + g mR S
西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计
9
上一章
共漏级－源跟随器
Rin大，Rout小，输出摆幅 小，增益有百分之几非线性； PMOS管能消除体效应，提高 线性度，但输出阻抗大，带宽 降低；电压缓冲器、电压平移
中文版拉扎维cmos模拟答案第三章
第三章3.3(a)113150,20.511100.1105000||10||23D o D out o D W R k L r k I R r R k k -⎛⎫==Ω,λ=0, ⎪⎝⎭===Ω,λ⨯===Ω,311 5.181210,8.6353,m v m out g A g R -==⨯=-∙=-(b) M 1工作在线性区的边缘时，()()3312112430.7,30.7 3.7,2102101,23.71 1.34225101000.721021.137out GS TH GS DD out GS GSD D n OXGS TH D GS GSGS V V V V V V V V I R W I C V V L V V V V----=-=---+-===⨯⨯⎛⎫=μ- ⎪⎝⎭-∴=⨯⨯⨯-⨯∴= ∴此时，()24311 1.34225101001.1370.7 1.28151102D I A --=⨯⨯⨯-=⨯31313333113 5.865310,17.8100.1 1.2815110(||) 5.865310(7.810||210)9.337432 1.2815100.4369m o v m o D Dsat g r A g r R V V----==⨯==⨯Ω⨯⨯=-=-⨯⨯⨯==-⨯⨯=，(c) M 1进入线性区50mV 时，()33332150100.436950100.3869,30.3869 1.306510,210,2DS Dsat DD DS D D DS D n OXGS TH DS V V V V V I R V W I C V V V L ---=-⨯=-⨯=--===⨯⨯⎡⎤⎛⎫=μ-- ⎪⎢⎥⎝⎭⎣⎦()()234114311140.30691.306510 1.34225101000.70.3869,21.145,,1.34225101000.3869 5.194210,,11.34225101GS GS D m n OX DS GS m Don n OXGS TH DS DSon V V V I W g C V V L g I W R C V V V V L R ------⎡⎤⨯=⨯⨯--⎢⎥⎣⎦⇒=∂⎛⎫==μ ⎪∂⎝⎭∴=⨯⨯⨯=⨯∂⎛⎫==μ-- ⎪∂⎝⎭⇒=⨯⨯()()3333 1.283510,001.1450.70.38695.194210 1.283510||2104v A -=⨯Ω--=-⨯⨯⨯=-3.15(a) 设V in =0时M 1工作在饱和区。
扎维模拟CMOS集成电路设计第四章习题
I SS 1103 0.72V 4 0.383510 50 W p Cox L 3
Vout max 3 0.72 2.28V Vout , swing 2Vout max Vout min 22.28 0.673 3.214 V
Chapter 4 习题
4.11
Cox
0 ox
tox
8.851014 F / cm 3.9 7 2 3 . 835 10 F / cm 9 109 m
cm2 F 4 A nCox 350 3.835107 1 . 34225 10 V s cm2 V2 cm2 F 4 A pCox 100 3.835107 0 . 3835 10 V s cm2 V2
b. VDD 0.8V时，M 3截止，Vout 0, AV 0 VDD 0.8V时，M 3导通，M1工作在线性区，VDD ，Vout ， AV 当VDD 上升到一定值时，M1进入饱和区。
VinCM 1.2V时，满足M1工作在饱和区的最小电 源电压为 VDD min VinCM VTH 1 VGS 3 1.2 0.7 1.607 2.107V
2 I D1 VGS 1 Vod 1 VTH 1 0.7 W nCox L 1 2 0.25103 0.7 0.893 V 4 1.3422510 100
VinCM min VodSS VGS 1 0.273 0.893 1.166 V
a. VinCMmin VodSS VGS1 VinCMmax VDD VGS3 VTH1
集成电路设计习题答案-章
集成电路设计习题答案-章CH11( 按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代,它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律,晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。
MOORE定律2( 什么是无生产线集成电路设计,列出无生产线集成电路设计的特点和环境。
拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。
特点:电路设计，工艺制造，封装分立运行。
环境:IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计3( 多项目晶圆(MPW)技术的特点是什么,对发展集成电路设计有什么意义, MPW:把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。
意义:降低成本。
4( 集成电路设计需要哪四个方面的知识,系统，电路，工具，工艺方面的知识CH21( 为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用?原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉2(GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,113(怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触,怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触,接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触4(说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。
P135(列出你知道的异质半导体材料系统。
GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6(SOI材料是怎样形成的，有什么特点?SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。
特点:电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点,肖特基接触:阻挡层具有类似PN结的伏安特性。
欧姆型接触:载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。
8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。
P19,21CH31( 写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。
意义:用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。
拉扎维_模拟CMOS集成电路设计课后答案
CORRECTIONS TO SOLUTIONS MANUALIn the new edition, some chapter problems have been reordered and equations and figure refer-ences have changed. The solutions manual is based on the preview edition and therefore must be corrected to apply to the new edition. Below is a list reflecting those changes.The “NEW” column contains the problem numbers in the new edition. If that problem was origi-nally under another number in the preview edition,that number will be listed in the“PREVIEW”column on the same line.In addition,if a reference used in that problem has changed,that change will be noted under the problem number in quotes. Chapters and problems not listed are unchanged.For example:NEW PREVIEW--------------4.18 4.5“Fig. 4.38” “Fig. 4.35”“Fig. 4.39” “Fig. 4.36”The above means that problem4.18in the new edition was problem4.5in the preview edition.To find its solution, look up problem 4.5 in the solutions manual. Also, the problem 4.5 solution referred to “Fig. 4.35” and “Fig. 4.36” and should now be “Fig. 4.38” and “Fig. 4.39,” respec-tively._____________________________________________________________________________ CHAPTER 3NEW PREVIEW--------------3.1 3.83.2 3.93.3 3.113.4 3.123.5 3.133.6 3.143.7 3.15“From 3.6” “From 3.14”3.8 3.163.9 3.173.10 3.183.11 3.193.12 3.203.13 3.213.14 3.223.15 3.13.16 3.23.17 3.2’3.18 3.33.19 3.43.20 3.53.21 3.63.22 3.73.23 3.103.24 3.233.25 3.243.26 3.253.27 3.263.28 3.273.29 3.28 CHAPTER 4NEW PREVIEW--------------4.1 4.124.2 4.134.3 4.144.4 4.154.5 4.164.6 4.174.7 4.18“p. 4.6” “p. 4.17”4.8 4.194.9 4.204.10 4.214.11 4.224.12 4.234.13 4.24“p. 4.9” “p. 4.20”4.14 4.1“(4.52)” “(4.51)”“(4.53)” “(4.52)”4.15 4.24.16 4.34.17 4.44.18 4.5“Fig. 4.38” “Fig. 4.35”“Fig. 4.39” “Fig. 4.36”4.19 4.6“Fig 4.39(c)” “Fig 4.36(c)”4.20 4.74.21 4.84.22 4.94.23 4.104.24 4.114.25 4.254.26 4.26“p. 4.9” “p. 4.20”CHAPTER 5NEW PREVIEW--------------5.1 5.165.2 5.175.3 5.185.4 5.195.5 5.205.6 5.215.7 5.225.8 5.235.9 5.15.10 5.25.11 5.35.12 5.45.13 5.55.14 5.65.15 5.75.16 5.85.17 5.95.18 5.10“Similar to 5.18(a)” “Similar to 5.10(a)”5.19 5.115.20 5.125.21 5.135.22 5.145.23 5.15CHAPTER 6NEW PREVIEW--------------6.1 6.76.2 6.86.3 6.9“from eq(6.23)” “from eq(6.20)”6.4 6.106.5 6.11“eq (6.52)” “eq (6.49)”6.6 6.16.7 6.26.8 6.36.9 6.46.10 6.56.11 6.66.13 6.13“eq (6.56)” “eq (6.53)”“problem 3” “problem 9”6.16 6.16“to (6.23) & (6.80)” “to (6.20) & (6.76)”6.17 6.17“equation (6.23)” “equation (6.20)”CHAPTER 7NEW PREVIEW--------------7.27.2“eqn. (7.59)” “eqn. (7.57)”7.177.17“eqn. (7.59)” “eqn. (7.57)7.197.19“eqns 7.66 and 7.67” “eqns 7.60 and 7.61”7.217.21“eqn. 7.66” “eqn. 7.60”7.227.22“eqns 7.70 and 7.71” “eqns. 7.64 and 7.65”7.237.23“eqn. 7.71” “eqn. 7.65”7.247.24“eqn 7.79” “eqn 7.73”CHAPTER 8NEW PREVIEW--------------8.18.58.28.68.38.78.48.88.58.98.68.108.78.118.88.18.98.28.108.38.118.48.138.13“problem 8.5” “problem 8.9”CHAPTER 13NEW PREVIEW--------------3.17 3.17“Eq. (3.123)” “Eq. (3.119)”CHAPTER 14 - New Chapter, “Oscillators”CHAPTER 15 - New Chapter, “Phase-Locked Loops”CHAPTER 16 - Was Chapter 14 in Preview Ed.Change all chapter references in solutions manual from 14 to 16. CHAPTER 17 - Was Chapter 15 in Preview Ed.Change all chapter references in solutions manual from 15 to 17. CHAPTER 18 - Was Chapter 16 in Preview Ed.NEW PREVIEW--------------18.316.3“Fig. 18.12(c)” “Fig. 16.13(c)”18.816.8“Fig. 18.33(a,b,c,d)” “Fig. 16.34(a,b,c,d)”Also, change all chapter references from 16 to 18.。
拉扎维带隙基准模拟cmos集成电路设计
华大微电子：模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 17
第18页/共29页
Bandgap Ref Ch. 11 # 18
PTAT电流的产生
第19页/共29页
P TAT 电 流 的 产 生
华大微电子：模拟集成电路原理
第20页/共29页
VREF
VBE3
R2 R1
VT
ln n
Bandgap Ref Ch. 11 # 19
第4页/共29页
与电源无关的偏置
如何产生IREF？
I out
VDD R1 1 g m1
W W
L1 L2
华大微电子：模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 4
第5页/共29页
与电源无关的偏置
华大微电子：模拟集成电路原理
2Iout
nCOX W
L
N
VTH 1
2I out nCOX K W
华大微电子：模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 10
第11页/共29页
与温度无关的偏置
华大微电子：模拟集成电路原理
Vout
VBE2
VT
ln n1
R2 R3
Bandgap Ref Ch. 11 # 11
第12页/共29页
与温度无关的偏置
华大微电子：模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 12
第27页/共29页
实例分析
华大微电子：模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 27
第28页/共29页
感谢您的观看。
华大微电子：模拟集成电路原理
(完整版)二篇4章2浙大版集成电路课后答案
题2.4.18 试用负边沿JK 触发器和“与-或-非”门构成一个四位数码并行寄存和一个四位数码串行输入右移移位寄存器。
解：令C 是并行寄存数据和实现右向移位操作的控制端，其用JK 触发器构成的框图如图所示：令C=1并行存数，C=0时为右移串入后，得出各组合电路的逻辑函数，现以1J 3和1K 3函数为例,列出真值表，求出函数式，其它式子也照此类推。
输 入 输 出 C Q 2 D 3 1J 3 1K 30 0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 11 0233311Q C CD K J +==122211Q C CD K J +==011111Q C CD K J +==SRD C CD K J +==00011由四个函数式画出的电路图如图所示：题2.4.19 图题2.4.19是一个实现串行加法的电路图，被加数11011及加数10111已分别存入二个五位被加数和加数移位寄存器中。
试分析并画出在六个时钟脉冲作用下全加器输出S i 端、进位触发器Q 端以及和数移位寄存器中左边第一位寄存单元的输出波形(要求时间一一对应)。
1D 2D 3DFF3 FF2 FF1 FF0 SR D 1J C1 1K 组合 逻辑电路 1JC1 1K 组合 逻辑电路1J C1 1K 组合 逻辑电路 1J C1 1K 组合 逻辑电路 CP0D0Q 1Q 2Q 3Q C D 1 D S1J QC11K11J Q C11K11J Q C11K11J Q C11K1CPC Q 3Q 2Q 1Q 0D 3 D 2 D 0≥1 &≥1 &≥1 &≥1 &图题2.4.19解：解该题时，注意全加器是一个合逻辑电路，而移位寄存器和触发器是一个时序电路，要注意时序关系。
其波形如图：题2.4.20 (1)试分析图题2.4.20(a)、(b)所示计数器的模是多少?采用什么编码进行计数?(2)若计数脉冲频率f CP 为700Hz 时，从Q 2端、Q 0端输出时的频率各为多少?图题2.4.20解：分析计数器电路有多种方法，列表法：以CP 为顺序，依次列出触发器的初态、输入，和次态，可以得出结论。
模拟CMOS集成电路设计第四章差分放大器
用差分放大器消除时钟噪声
差动工作与单端工作相比, 一 个重要优势在于它对环境噪 声具有更强的抗干扰能力!!
单端工作时时钟大信号通过 寄生电容干扰放大的小信号 对称差动时钟大信号通过寄 生电容耦合到小信号的噪声 因极性相反而相互抵消
V01 V01- V02 V02
极性相反的两路受干扰小信号, 差动输出时干扰消除了!
基本差分对的定量分析(3)
3. 为求得最大差模输入电压，假定△Vinmax时，M1上通过的电 流恰好为ISS，M2刚好截至，即VGS2=VTN，此时有：
2ISS 2ISS VGS1 = + VTN ΔVinmax = VGS1 - VGS2 = β β
同理，M1恰好截至，M2上通过的电流恰好为ISS时，此时有：
上式表明，由差动信号驱动的差动电路不会产生偶次谐波 ，因此差分电路比单端电路表现出了更小的非线性。
3
5
β 4ISS 2 5. 因： ΔID = ΔVin -ΔVin 2 β
静态时△Vin ＝0， Gm为：
M1、M2的等效跨导Gm为：
ISS G m = βISS = 2β( ) 2
ΔID 2ISS -βΔVin Gm = = ΔVin 4ISS 2 -ΔVin β
ΔVinmax
2ISS 故允许输入的最大差模电压范围△V 为： ID =β
2ISS （这就是电路能处理信号的最大差模电压。） ΔVID = β
差动放大器4 # 14
基本差分对的定量分析(4)
4. 因△ID是△Vin的奇函数，故有：
ΔID(t)=αΔV 1 in(t)+αΔV 3 in (t)+αΔV 5 in (t)+......
差放大器4 # 7
拉扎维模拟CMOS集成电路设计第二章作业答案详解完整版
0.2 0.45( 1.9 VX 0.9 0.5 VX 1.82 V
????
当VX>1.82V时，MOS管工作在线性区 ？？？？
1.9V
M1
IX
+1.5V
ID
+ 1V -
+ VX -
1 W nCOX {2 0.5 [0.2 0.45( 1.9 VX 0.9)] 0.52 } 2 L W g m n COX (0.5) 2 L
W 1 2 I D nCox VGS VTH VDS VDS L 2
VTH VGS
VTH0 VTH1 VGS
VDS+VTH0
VDS+VTH1
VDS2+VTH
VDS3+VTH
VDS1+VTH
2.5 对于图2.42的每个电路，画出IX和晶体管跨导关于VX 的函数曲线草图，VX从0变化到VDD。在(a)中，假设Vx 从0变化到1.5V。 （VDD=3V） VDD 1/ 2 1 2 F 0.9V 0.45V (a) n 0.1V
2.7 (d) λ=γ=0 , VTH=-0.8V
• 当0<Vin<1.8V时，M1工作在截止区，则
M1 1V R1
+ Vin Vout
Vout 0
• M1工作在饱和区边缘的条件为Vout=1.8V，此时假设 Vin=Vin1，因而
IX 1V + 1.9V M1
+ VX -
(e) λ=0,
0.45V 1/ 2
VTH 0 0.7V VGS 0.9V
2 F 0.9V
VDS 0.5
拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答案中文共40页文档
53、 伟 大 的 事 业，需 要决心 ，能力 ，组织 和责任 感。 ——易 卜 生 54、 唯 书 籍 不 朽。——乔 特
拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答 案中文
1、合法而稳定的权力在使用得当时很 少遇到 抵抗。 ——塞 ·约翰 逊 2、权力会使人渐渐失去温厚善良的美 德。— —伯克
3、最大限度地行使权力总是令人反感 ；权力 不易确 定之处 始终存 在着危 险。— —塞·约翰逊 4、权力会奴化一切。——塔西佗
5、虽然权力是一头固执的熊，可是金 子可以 拉着它 的鼻子 走。— —莎士 比
模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第2章MOS器件物理基础
电流近似只 于W/L和VGS 有关， 不随 VDS变化
22
I/V特性—当VDS>VGS-VTH时
用作电流源或电流沉（current sink）
西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计
23
I/V特性—PMOS管
定义从D流 向S为正
PMOS管电流驱动能力比NMOS管差 0.8 m nwell：p=250cm2/V-s, n=550cm2/V-s
US Patent：5998777 V-I转换电路
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33
沟道长度调制效应
L
L’
L' L L
1/ L' 1 (1 L / L) L
假设： L / L与VDS是线性关系
1/ L' 1 (1 VDS), VDS L / L 短沟道MOS管时该近似
10
MOS管的符号
？ 电流方向
四端器件
省掉B端
数字电路用
AIC设计中一般 应采用该符号？
在Cadence
analogLib库
中，当B、S端短接时
需明确体端连接
只需区别 开MOS管 类型即可
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11
本讲
基本概念
简化模型－开关 结构 符号
I/V特性
阈值电压 I-V关系式 跨导
二级效应
体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性
器件模型
版图、电容、小信号模型等
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12
沟道电荷的产生
当VG大到一定 程度时，表面
势使电子从源
流向沟道区
VTH定义为表面 电子浓度等于衬 底多子浓度时的
拉扎维教材模拟集成电路课后习题答案中文版纯手写
拉扎维教材第三章答案中文版（纯手写）PART1最近重新温习拉扎维，参考英文版答案顺便教材手动整理下教材课后习题，部分习题加入了一些自己的想法和备注。
欢迎各位学弟学妹下载，不过请不要照抄答案！因为没有扫描仪器，用手机照的相片。
这一部分是第三章作业的前一半的题目，也请大家尊重本人劳动成果，可以下载，但请不要随意下载后再上传，谢谢大家！PART2另外题目可参考注明：如有错误之处欢迎指正。
在我的百度账号下留言即可：清风一鹤。
PART3答案照片在下面曲載苛陆-险推卑可肛 乙吠u / A"、"■ *3^ Oyn i 、了疔卜；！年卩® ^02 - 入*J S - 云「匚f°七笛D H = 7oooof7 = >D krr (K?i = r^；② 仙不君虜洶出用甸欽毎 一一 护工=丿2严d 普L lox =* f ^X/o-^ MV③ 由公式(-ox* 巧U M GJ 翌h ( V^si ▼ Vm J z ( I * Xw Voii J ―.I V T M J * Vwa + / (J l3ip+ V^M I - J^I F ~[ J 一一…々- V^Si - V(?p - VLct F V DSI * 讥o *■ vCrfc 7 Vs&i ―认心 有工g =占心」崔h Zo -VU -皿一 /(”还I 十心-麻J)/(fi - X M ( Vpp- Vtf —丿) 气 Ef ◎号F0* 3二卜乂 j.3牛2立行RD 占” 2o x 1占-仏去一 q J- 6出池匕?十”二》丿](H C.|< (i - Vi^)] 眷 肛-展" 側卑就師血创5比卅-沉丿•迂已-_由扈式争1b =■纭坯F + XA*ag y律餐& 0®®给乘彳署R^AM X 存加“ 了礼"厂小"『g（兄叙串E ）■ wj二丄————jTRwc 二［2 斗十 C + 灶J匕屛OMQS J 宦^rajfe^C G F S 焙it二 備 駢旳 也福范）二肿 RxnXC汁二云科"宀“ &工朴b 片小z争R八j曲皿“。
拉扎维模拟CMOS集成电路设计第三章作业答案详解完整版教程解析 (2)
拉扎维模拟CMOS集成电路设计第三章作业答案详解完整版教程解析第一题题目：请解释拉扎维模拟CMOS集成电路设计的主要目标。
拉扎维模拟CMOS集成电路设计的主要目标是通过集成电路设计技术来实现高性能、低功耗、低噪声、高稳定性的模拟电路。
具体目标包括：1.高性能：通过优化电路结构和参数，提高电路的增益、带宽和速度，以满足高性能模拟信号处理需求。
2.低功耗：采用低功耗设计技术，减少功耗和电源电压，提高电路的能效比，延长电池寿命。
3.低噪声：通过降低噪声源和优化电路设计，减少电路的噪声，并提高信号与噪声比，以提高电路的信号处理能力。
4.高稳定性：通过减小电路参数的变化范围、提高电路对温度、工艺和电源电压的抵抗能力，提高电路的稳定性和可靠性。
综合上述目标，拉扎维模拟CMOS集成电路设计致力于设计出符合实际需求，并具有良好性能、可靠性和可实施性的模拟电路。
第二题题目：什么是负载效应？在拉扎维模拟CMOS集成电路中如何考虑负载效应？负载效应是指当负载改变时，电路的工作条件和性能表现发生变化的现象。
在拉扎维模拟CMOS集成电路中，考虑负载效应是非常重要的。
拉扎维模拟CMOS集成电路中，电路的输入和输出之间会存在阻抗差异，从而导致在连接电路之间引入额外的电容和电阻负载。
这些负载对电路的工作状态产生影响，可能导致增益降低、频率响应偏移、功耗增加等问题。
为了考虑负载效应，在拉扎维模拟CMOS集成电路设计中，需要进行以下步骤：1.电路参数分析：通过计算和仿真，分析电路的输入和输出阻抗，确定电路的负载情况。
2.负载效应补偿：根据负载效应分析结果，采取一系列补偿措施来消除或减小负载效应对电路性能的影响。
例如，可以通过优化电路的结构或参数来改变电路的负载特性，使其更符合设计要求。
3.电路稳定性分析：在设计过程中，还需要对电路的稳定性进行分析。
如果负载效应较大，可能会导致电路的振荡或不稳定现象。
通过稳定性分析，可以预测和避免这些问题的发生。
模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第4章差分放大器
MOS管做负载的基本差分对放大器 差分放大器的应用－Gilbert单元
西电微电子学院－精董品刚课－件模拟集成电路设计
18
简单差分电路 g m = 2 I D μ n CWLOX
Av = − g m R D
Vout,CM = VDD −ISS
9
上一章
共漏级－源跟随器
Rin大，Rout小，输出摆幅 小，增益有百分之几非线性； PMOS管能消除体效应，提高 线性度，但输出阻抗大，带宽 降低；电压缓冲器、电压平移
Av
= 1+
gm RS
=
(gm + gmb )RS
1
1
≈
+ (1+η)
gm RS
1
1+η
Av
= 1
g
+
m1 (rO1 rO1 ) g m1 (rO1 rO1
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本讲
差分放大器简介 简单差分放大器 基本差分对放大器
大信号差分特性 大信号共模特性 小信号差分特性 小信号共模特性
MOS管做负载的基本差分对放大器 差分放大器的应用－Gilbert单元
西电微电子学院－精董品刚课－件模拟集成电路设计
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小信号差分特性－等价跨导公式
从大信号结果入手计算小信号差分增益
西电微电子学院－精董品刚课－件模拟集成电路设计
7
上一章
深线性区MOS管做负载的共源级
输出摆幅大（可以为VDD）
得到精准的Ron2比较困难；受工艺、温度变 化影响比较大，产生稳定、精确的Vb比较 难
RON 2
=
μnCox⎛⎛W
1 ⎛(V⎛DD