220GHz无源三倍频器设计
毫米波三倍频器的研究
frequency tripler Was simulated and optimized for maximum multiplication efficiency by using ADS and HFSS soft-ware.The simulated output power reaches maximum value
签名: 鱼 维
日期:办,口年6月/-P El
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1.3国内外发展动态
倍频器作为发射机、频率合成器、接收机本振源等电子设备中非常重要的非 线性电路,国内外己对它进行了广泛的研究。目前,国内外对倍频器的研究主要 集中在毫米波高端、亚毫米波频段,国外已经在亚毫米波的理论研究和实际应用 中都取得了很大进展。
1 998年John Thornton等报道了一种250GHz的肖特基二极管三倍频器【6】,在输
毫米波倍频器是毫米波技术中的一项重要内容,具有以下优点: 1.降低了设备的主振频率,并且把工作频率扩展到毫米波、亚毫米波段。 2.把微波设备所具有的高频率稳定度和相噪特性好的特点扩展到毫米波、亚 毫米波频段上。 3.固态倍频器体积小、易于集成。 4.使用寿命较长。 目前小功率的短波长毫米波、亚毫米波固态源的获得主要依靠倍频方法实现。 因此,进行毫米波、亚毫米波倍频器的研究具有很重要的意义。
so efrectivelv that the amount of clutter has been greatly reduced.In this paper,The model of diode pairs was modeled and impedance matching networks was designed in
高频倍频器三倍频器电路设计
西安航空学院高频电子线路课程设计题目: 3倍频器电路设计专业班级:电信1431 学号: 46 学生姓名:**指导教师:教师职称:起止时间: 2012.12.29——2013.1.6 课程设计(论文)任务及评语目录第一章倍频器工作原理分析 01.1工作原理 01.2晶体管倍频原理电路、工作状态及其特点 (1)第二章丙类倍频器功效分析 (3)第三章三倍频器的主要质量指标 (6)3.1 变频增益 (6)3.2 失真和干扰 (6)3.3 选择性 (6)3.4噪声系数 (6)第四章电路设计与仿真 (7)第五章设计分析与总结 (9)参考文献 .................................................. 错误!未定义书签。
第一章 倍频器工作原理分析1.1工作原理倍频器(Frequency double )是一种输出频率等于输入频率整数倍的电路,用以提高频率,如下图所示的例子。
图1.1倍频器的应用采用倍频器以下优点:发射机的主振频率可以降低,这对稳频是有利的。
因为振荡器的频率越高,频率稳定度就越低。
一般主振频率不宜超过5MHz 。
因此,发射频率高于5MHz 的发射机,一般宜采用倍频器。
在采用石英晶体稳频时,振荡频率越高,石英晶体越薄,越易震碎。
一般来说,最薄的石英晶体的固有振荡频率限制在20MHz 以下。
超过这一频率,就宜在石英振荡器后面采用倍频器。
如果中间级既可以工作在放大状态,也可以工作于倍频状态,那么就可以在不扩展主振波段的的情况下,扩展发射机的波段。
这对稳频是有利的,因为振荡波段越窄,频率稳定度就越高。
倍频器的输入与输出不同,因而减弱了寄生耦合,使发射机的工作稳定性提高。
如果是高频或调相发射机,则可采用倍频器来加大频移或相移,亦即加深调制度。
在超高频段难以获得足够的功率,可采用参量倍频器将频率较低、功率较大的信号转变为频率较高、功率亦较大的输出信号。
倍频器按其工作原理可分为三类。
倍频器
摘要摘要W波段是目前军用毫米波技术开发的高端,频率源是W波段高频系统实现的重要部分。
倍频器是实现毫米波频率源的一种重要方式,随着倍频器的发展和应用,倍频器方面的研究也不断地深入,如今倍频技术已经发展到一个新的阶段。
本文对W波段三倍频器进行了设计、仿真。
采用两个二极管反向并联的结构实现三次倍频的方案,这种平衡倍频电路结构能够将输入频率的偶次谐波抵消掉,从而大大降低电路中的杂波量。
本文运用ADS软件建立二极管对模型并且进行匹配电路的设计,运用HFSS软件对W波段三倍频器的滤波电路和过渡转换电路进行了仿真设计,然后把S参数仿真结果导入到ADS软件中,采用谐波平衡法对W 波段三倍频器的整体电路进行仿真和优化以获得最大倍频效率。
经仿真,W频段宽带三倍频器基本达到设计要求。
变频损耗在15dB以下,谐波抑制度基本20dBc以上。
关键词:毫米波、倍频器、低通滤波器、W频段三倍频IABSTRACTABSTRACTMultiplier is one important way to realize the millimeter-wave frequency source. Following the application and development of multiplier device and circuit, the research of multiplier theory is increasing. Today frequency multiplying technology has reached a new level.Firstly W-band frequency tripler has been designed, and simulation. Diodes which constitutes anti-parallel pairs structure was used to realize the frequency tripler. Balanced Frequency tripler can suppress the even-order harmonics so effectively that the amount of clutter has been greatly reduced. In this paper, The model of diode pairs was modeled and impedance matching networks was designed in Agilent ADS. Filter circuit and transition circuit of W-band frequency tripler have been simulation designed in the HFSS, and then import simulated S-parameters into ADS software. Finally, harmonic balance analysis was used to optimize the entire circuit for maximum multiplication efficiency.By the simulation, the W band tripler almost reaches the requirement of the project. the microstrip multiplier performance is better in entire W-band with multiplier loss 15dB and harmonic suppress above 20dBc.Key word: millimeter wave, multiplier, lowpass filter, W-band tripler.II目录目录第一章引言 (1)1.1毫米波的特点及应用 (1)1.2毫米波倍频器介绍 (2)1.3毫米波倍频器的国内外发展动态 (3)1.4课题介绍 (4)第二章倍频电路的基本理论 (5)2.1倍频原理 (5)2.2非线性电路的分析 (6)2.3平衡倍频器电路设计原理[11] (8)第三章毫米波三倍频器的设计 (10)3.1概述 (10)3.2关键技术和难点 (10)3.3倍频器的研制方案和设计框图 (11)3.4二极管的选择及参数介绍 (12)3.5波导-微带过渡 (13)3.5.1 理论基础 (13)3.5.2 输入波导到微带线探针过渡的设计仿真 (14)3.5.3 输出微带到波导线探针过渡的设计仿真 (16)3.6低通滤波器的设计 (18)3.7总体电路的仿真 (20)3.7.1 第一种电路形式的仿真 (20)3.7.1.1二极管对的输入阻抗及匹配电路 (20)3.7.1.2 加入无源电路进行总体仿真 (22)3.7.2第二种电路形式的设计及仿真 (26)3.7.2.1 二对二极管对的输入阻抗及匹配电路 (26)3.7.2.2 加入无源电路进行总体仿真 (28)3.7.3第三种电路形式的设计及仿真 (30)III电子科技大学学士学位论文3.7.3.1 二极管对的输入阻抗及匹配 (30)3.7.3.2偏置电路的设计 (30)3.7.3.3 加入无源电路进行总体仿真 (31)3.9三种结构的仿真结果分析 (34)第四章结论 (37)致谢 (38)参考文献 (39)外文资料原文 (40)外文资料译文 (45)IV第1章引言第一章引言1.1毫米波的特点及应用毫米波一般指的是波长介于1~10mm的一段电磁波频谱,其相应的频率范围为30~300GHz。
三倍频器设计解读
辽宁工业大学高频电子线路课程设计(论文)题目: 3倍频器电路设计学院:电子与信息工程学院专业班级:通信091学号: *********学生姓名:指导教师:教师职称:讲师起止时间: 2012.6.29——2012.7.8课程设计(论文)任务及评语目录第一章倍频器工作原理分析 (1)1.1工作原理 (1)1.2晶体管倍频原理电路、工作状态及其特点 (2)第二章丙类倍频器功效分析 (4)第三章三倍频器的主要质量指标 (7)3.1 变频增益 (7)3.2 失真和干扰 (7)3.3 选择性 (7)3.4噪声系数 (7)第四章电路设计与仿真 (8)第五章设计分析与总结 (10)参考文献 (11)第一章 倍频器工作原理分析1.1工作原理倍频器(Frequency double )是一种输出频率等于输入频率整数倍的电路,用以提高频率,如下图所示的例子。
图1.1倍频器的应用采用倍频器以下优点:发射机的主振频率可以降低,这对稳频是有利的。
因为振荡器的频率越高,频率稳定度就越低。
一般主振频率不宜超过5MHz 。
因此,发射频率高于5MHz 的发射机,一般宜采用倍频器。
在采用石英晶体稳频时,振荡频率越高,石英晶体越薄,越易震碎。
一般来说,最薄的石英晶体的固有振荡频率限制在20MHz 以下。
超过这一频率,就宜在石英振荡器后面采用倍频器。
如果中间级既可以工作在放大状态,也可以工作于倍频状态,那么就可以在不扩展主振波段的的情况下,扩展发射机的波段。
这对稳频是有利的,因为振荡波段越窄,频率稳定度就越高。
倍频器的输入与输出不同,因而减弱了寄生耦合,使发射机的工作稳定性提高。
如果是高频或调相发射机,则可采用倍频器来加大频移或相移,亦即加深调制度。
在超高频段难以获得足够的功率,可采用参量倍频器将频率较低、功率较大的信号转变为频率较高、功率亦较大的输出信号。
倍频器按其工作原理可分为三类。
一类是和丙类放大器电流脉冲中的谐波经选频回路获得倍频。
一种宽带注入锁定三倍频器
一种宽带注入锁定三倍频器
宛操;薛泉
【期刊名称】《红外与毫米波学报》
【年(卷),期】2022(41)3
【摘要】文章提出了一种宽带注入锁定三倍频器。
在传统注入方式基础上,倍频器采用了推-推差分对输入信号进行二倍频,并将产生的二次谐波通过变压器耦合至注入管的源极共模点,增强了注入管源极共模点二次谐波。
由于注入电流是由注入信号与源极共模点二次谐波进行混频而产生,因此注入电流也被增强,从而增大了锁定范围。
除此之外,三倍频采用了四阶谐振器,谐振阻抗的相位在过零点被平坦化,锁定范围进一步被增大。
采用标准CMOS 65 nm工艺设计三倍频,芯片面积为
720×670μm^(2),1.2-V供电时的功耗为15.2 mW。
0 dBm注入功率下三倍频的锁定范围为19.2~27.6 GHz,对应的基波抑制比大于25 dB,二次谐波抑制大于35 dB。
注入锁定三倍频器可满足5G收发机中本振源的要求。
【总页数】8页(P573-580)
【作者】宛操;薛泉
【作者单位】华南理工大学电子与信息学院;智能感知与无线传输中心琶洲实验室【正文语种】中文
【中图分类】TN432
【相关文献】
1.一种毫米波宽带倍频器设计
2.一种2.4GHz的CMOS注入锁频倍频器
3.一种宽带毫米波注入锁定分频器电路的设计方法
4.一种应用于K波段的宽锁定范围的CMOS注入锁定三倍频器
5.一种用于S波段倍频注入锁定的三端口波导器件设计
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多阳极220_GHz_倍频器单片设计
第 21 卷 第 9 期2023 年 9 月太赫兹科学与电子信息学报Journal of Terahertz Science and Electronic Information TechnologyVol.21,No.9Sept.,2023多阳极220 GHz倍频器单片设计徐森锋1,宋旭波*2,顾国栋1,梁士雄2,许婧1,周幸叶1,张立森2,郝晓林1,林勇1,冯志红*2(1.中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051;2.固态微波器件与电路全国重点实验室,河北石家庄050051)摘要:介绍了一款基于GaAs肖特基二极管单片工艺的220 GHz倍频器的设计过程以及测试结果。
为提高输出功率,倍频器采用多阳极结构,8个二极管在波导呈镜像对称排列,形成平衡式倍频器结构。
采用差异式结电容设计解决了多阳极结构端口散射参数不一致问题,提高了倍频器的转换效率和工作带宽。
对设计的倍频器进行流片、装配和测试,测试结果显示:倍频器在204~234 GHz频率范围内,转化效率大于15%;226 GHz峰值频率下实现最大输出功率为90.5 mW,转换效率为22.6%。
设计的220 GHz倍频器输出功率高,转化效率高,工作带宽大。
关键词:倍频器;太赫兹;肖特基二极管;结电容;单片中图分类号:TN771 文献标志码:A doi:10.11805/TKYDA2022184 Design ofDesign of 220220 GHz frequency doubler MMIC with multi-anode structureGHz frequency doubler MMIC with multi-anode structure XU Senfeng1,SONG Xubo*2,GU Guodong1,LIANG Shixiong2,XU Jing1,ZHOU Xingye1,ZHANG Lisen2,HAO Xiaolin1,LIN Yong1,FENG Zhihong*2(1.The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang Hebei 050051,China;2.National Key Laboratory of Solid-state Microwave Devices and Circuits,Shijiazhuang Hebei 050051,China)AbstractAbstract::The designing process and measurement results of a 220 GHz frequency doubler based on monolithic GaAs Schottky barrier diode are introduced. Multi-anode structure is adopted in thisfrequency doubler to improve the output power. Eight anodes are mirror symmetrically arranged along thewaveguide to form balanced structure. The conversion efficiency and operating bandwidth are improvedby adopting various junction capacitances to suppress the difference of scattering parameters amongwave ports. The designed frequency doubler is fabricated and measured. Measurement result shows thatthe conversion efficiency of frequency doubler is above 15% from 204 GHz to 234 GHz and a peak outputpower of 90.5 mW with conversion efficiency above 20% is demonstrated at 226 GHz. Finally, a 220 GHzfrequency doubler with high output power, high conversion efficiency and wide operating bandwidth isrealized by adopting multi-anode structure.KeywordsKeywords::frequency doubler;tearhertz;Schottky barrier diode;junction capacitance;Microwave Monolithic Integrated Circuit太赫兹(0.1~10 THz)波具有宽频谱、强穿透以及高定向等特点,下一代移动通信、气象雷达、安检以及太赫兹射电天文望远镜等应用领域的工作频段正向太赫兹频段延伸[1]。
W频段宽带三倍频器的研究
第三章倍频器设计图3_4倍频器模拟实物图3.3倍频器部件设计3.3.1微带到波导过渡微波、毫米波元器件以及子系统最终要应用于整机系统或要连接到测试系统中,这就要求输入、输出接口必须为标准矩形波导。
从标准波导至Ⅱ微带电路要求有良好的过渡,在过渡过程中,不但要完成不同结构的过渡,而且还要实现阻抗变换,使电磁能量损失尽可能的小。
除此之外,还要求装卸容易,重复性、一致性好且易于加工。
波导到微带过渡结构可由多种方式来实现,如微带探针形式I捌,鳍线过渡【矧,小孔耦合I矧,脊波导【25】【圳,本章探索了两种方式。
3.3.1.1脊波导【27】无论哪个标准波导的等效阻抗都比标准微带线特性阻抗50Q要高得多,为了保证两者连接得到较好的匹配,必须在标准波导和微带线之间加变阻器,把波导的等效阻抗逐步降低,这可以用连续过渡或阶梯过渡来实现,前者加工较为复杂(如指数线),且为了满足一定驻波比的要求,过渡段长度也不短,所以一般采用阶梯过渡(即1/4多节变阻器)。
单脊波导就其特点来说,工作频带宽。
另外,当金属脊较高时,电磁能量主要集中于脊下,相当于脊下等效电容增加,等效阻抗当然随之降低,若脊宽与脊高选择合理,机械尺寸上也便于与微带线匹配连接。
当脊高变低,相当于脊下等23电子科技大学硕士学位论文导波波长:铲7丽五‰=冬移啪娆212·66ram以。
^|,m觎29.088nun毛=挠鸵~(3·23)◇一24)其他段作相似计算。
最后得出整个初始脊波导尺寸:S=1.42mm磊=o。
127ram磊=2,5mm畦=o.57ram4--2。
28ram或一1.95mm乞=2。
467mm黧3-6脊渡霉程HFSS串静仿真模型”“”“船器“”8矗即日一茹f鬲●●●‘l_Il,.}li{{lll{~pi£j…t—L}]”J啊||;{,,t{l|}i..j一{-{{l,一,一{:M一\广!}N;再沁_.八l卜Z。
d●__一N?7i{‘;”㈠K’7…Hn{rrV斗÷一—:一3.{÷一曩一丫一{^一{;{{·|l…,{{i}{t|t”…、”…’’…、^‘t一+…””””R_MP””“掰34脊滚霉在HFSS审鹃待囊结采根据设计尺寸在HFSS中仿真并进行优化,得到仿真结聚如图3—7。
用肖特基二极管进行光频测量
用肖特基二极管进行光频测量
倪育才
【期刊名称】《计量学报》
【年(卷),期】1991(012)003
【总页数】5页(P161-165)
【作者】倪育才
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】TN247
【相关文献】
1.基于CSMRC结构和容性肖特基二极管的220GHz三倍频器 [J], 石向阳;刘杰;蒋均;陈鹏;陆彬;张健
2.基于平面肖特基二极管的220 GHz二倍频器 [J], 陈鹏;蒋均;邓贤进
3.基于平面肖特基二极管的300GHz平衡式二倍频器 [J], Zhang Lisen;Liang Shixiong;Yang Dabao;Xu Peng;Song Xubo;Lv Yuanjie;Feng Zhihong
4.基于平面肖特基二极管的220 GHz二倍频器 [J], 陈鹏; 蒋均; 邓贤进
5.基于片上肖特基二极管的高功率三倍频器设计 [J], 毋自贤;冯志红;郭诚;温潇竹;宋旭波;梁士雄;顾国栋;张立森;吕元杰;张安学
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高效无源三次倍频器研究与设计
第35卷第2期2021年4月南华大学学报(自然科学版)Journal of University of South China(Science and Technology)Vol.35No.2Apr.2021收稿日期:2020-09-20基金项目:深圳市横向课题项目(HX-2019-67)作者简介:孙㊀毅(1995 ),男,硕士研究生,主要从事智能信息处理和微波天线等方面的研究㊂E-mail:1828840213@㊂∗通信作者:王㊀彦(1971 ),男,教授,博士,主要从事智能信息处理和智能控制等方面的研究㊂E-mail:wangyan5406@DOI :10.19431/ki.1673-0062.2021.02.006高效无源三次倍频器研究与设计孙㊀毅,王㊀彦∗(南华大学电气工程学院,湖南衡阳421001)摘㊀要:为解决目前市面上毫米波倍频器制作工艺与体积之间的矛盾,设计了一款工艺简单㊁体积小㊁效率高㊁成本低的毫米波无源三倍频器㊂该倍频器在印制电路板上采用砷化镓变容二极管的反向并联电路结构,能有效抑制偶次谐波,改善输入阻抗特性;并在电路中增加空闲电路,大大提高了倍频信号的输出功率;最后通过仿真软件对倍频器进行优化和仿真,结果表明该倍频器效率高达55.78%㊁基波抑制大于50dBc ㊂关键词:倍频器;毫米波;变容二极管;反向并联结构;空闲电路中图分类号:TN771文献标志码:A 文章编号:1673-0062(2021)02-0040-07Research and Design of Efficient Passive Frequency TriplerSUN Yi ,WANG Yan ∗(School of Electrical Engineering,University of South China,Hengyang,Hunan 421001,China)Abstract :In order to solve the contradiction between the manufacturing process and the volume of the millimeter wave frequency doubler on the market,a millimeter wave passive tripler was designed,which is small,with low price,high efficiency and simple craft.The frequency multiplier adopts the anti-parallel circuit structure of GaAs varactor diodes on the printed circuit board,which can effectively suppress even harmonics and improve the input impedance characteristics;Then the idle circuit is increased in the circuit,which greatly improves the power of the output signal;Finally,the frequency tripler is optimized and simulated by the simulation software.The results show that the frequency tripler has an efficiency of 55.78%,and the fundamental suppression is greater than 50dBc.key words :frequency multiplier;millimeter wave;varactor diode;the anti-parallel circuitstructure;idle circuit第35卷第2期孙㊀毅等:高效无源三次倍频器研究与设计0㊀引㊀言随着通信技术的发展,所使用的信号频率越来越高,目前5G已经采用了毫米波[1],因此对于毫米波甚至是太赫兹频段的研究成为当前的热点㊂毫米波频率源由于频率较高,通常采用低频频率源与倍频器级联的方式制作频率源,因此毫米波倍频器具有重要的研究意义㊂中国空间电子信息技术研究院的研究人员基于肖特基势垒二极管,通过波导腔体结构进行精细仿真并制作出倍频效率最高为12%的W波段三倍频器[2]㊂电子科技大学的研究人员基于国产肖特基二极管,仿真出倍频效率大于4%,相对带宽为27%的宽带平衡三倍频器[3]㊂还有学者采用变容二极管,设计并仿真出输出频率为140GHz的二倍频器[4],倍频效率为10.8%㊂上述几篇文献均采用波导腔体的结构设计,这种结构体积大,不适合体积较小的商用产品,而是适合于航空航天领域㊂为了能够在体积较小的商品中使用,一般都做成芯片的形式,比如采用(complementary metal oxide semi-conductor,CMOS)工艺㊂美国加利福尼亚大学的研究人员采用45nm CMOS技术,研制出了一种输出频率135GHz~160GHz,倍频效率约为31.7%的有源二倍倍频器[5]㊂日本东京工业大学的研究人员采用65nm CMOS技术进行设计并实现了单个晶体管二倍频倍频器[6],并提出了一种优化的缓冲方法,抑制基频分量和其他谐波,同时采用了反馈拓扑结构提高增益㊂在输入功率为-8dBm时,基频抑制超过60dBc,输出频率为100GHz~123GHz,饱和输出功率高达5.5dBm㊂瑞典查尔姆斯理工大学的研究人员提出了使用分布式超导体-绝缘体-超导体(superconductor-insulator-superconductor,SIS)连接的倍频器[7],导出了描述分布式SIS结作为倍频器特性的解析表达式,对分布式SIS节点的建模表明,采用该方法可以获得较高的转换效率㊂也有研究人员采用吉尔伯特结构,避免了输出直流偏移,可以提供真正的差分输出信号[8],但是该结构相对复杂,对于分立电路而言需要较多的晶体管,增加成本㊂以上几种方式是通过有源方式设计倍频器,其倍频效率较高,但是增加了倍频器的复杂性㊂虽然通过不同工艺可以将倍频器做成小型化,但是这些工艺复杂㊂为了工艺简单并且达到小型化,本文考虑直接采用制作简单且成本低的印制电路板(printed circuit board,PCB)进行设计㊂1㊀提高倍频器倍频性能的方法倍频器的原理就是利用非线性器件的非线性效应产生谐波信号,然后通过滤波网络滤除无用谐波并保留有用谐波,最终得到所需的倍频信号㊂倍频器的系统框图如图1所示,其中低通滤波器是防止所产生的谐波信号反向注入输入端的频率源,避免基波信号发生频率偏移㊂输入阻抗匹配和输出阻抗匹配是在匹配阻抗,使得所需信号传输效率达到最大㊂输出滤波网络的作用主要是抑制无用谐波,使得所需谐波通过㊂图1㊀倍频器系统框图Fig.1㊀The system block diagram of thefrequency multiplier通过对倍频器的研究发现,在设计倍频器时,为提高倍频性能要着重考虑以下几点㊂1)选择合适的非线性器件㊂目前常见的非线性器件有肖特基势垒二极管(schottky barrier diode,SBD)㊁阶跃恢复二极管(step-recovary diode,SRD)㊁金属半导体型场效应晶体管(metal-semiconductor field effect transistor,MESFET)㊁异质结势垒变容二极管(heterostructure barrier varac-tor,HBV)㊁高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)等㊂倍频时所利用的非线性特性主要分为变阻特性和变容特性,当倍频器是利用非线性器件的变阻特性时,倍频带宽较宽,但是倍频效率较低,而当倍频器是利用非线性器件的变容特性时,倍频带宽较窄,但是倍频效率较高㊂一般变容二极管适合低次倍频(2~4次倍频),而阶跃恢复二极管适合高次倍频,晶体管虽然可以获得倍频增益,但是晶体管受到截至频率的限制,所以其构成的倍频器的使用频段也受到了限制㊂因此要根据倍频器的设计指标来选择合适的非线性器件㊂2)选择适合的非线性器件工作状态㊂以变容二极管为例,变容二极管倍频器是利用其电容特性进行倍频,在信号的一个周期内,某段时间偏压使PN结进入正向状态,即从反向状态较小的14㊀㊀㊀南华大学学报(自然科学版)2021年4月结电容转化到正向状态较大的扩散电容时,其电容变化率很高,从而可以有效体现出其较高的倍频效率,但是当激励过高时,PN结的结电阻所产生的损耗又会降低倍频器的倍频效率㊂因此对于不同的输入信号功率,需要选择合适的变容二极管偏置电压,使其达到最佳的工作状态㊂3)采用合适的电路结构㊂在设计倍频器时,最常用的电路结构就是平衡结构,即由偶数个二极管组成二极管对,形成串联或并联结构,二极管对可以是同向也可以是反向㊂一般同向结构可以抑制奇次谐波,反向结构可以抑制偶次谐波,因此这种结构可以抑制部分谐波,而且这种结构可以改善输入阻抗特性㊂同时二极管数量增加,也会提高倍频信号的输出功率㊂4)做好阻抗匹配㊂在设计高频电路时,阻抗匹配做的好可以使输出功率最大化,因此阻抗匹配无疑是最重要的事情,在设计倍频器时亦是如此㊂但是有所不同的是,倍频器需要对两个频率信号进行阻抗匹配,即非线性器件的输入电路与输入信号频率进行匹配,输出电路与倍频信号进行匹配㊂5)减少不同频率之间的相互干扰㊂虽然输入信号频率与非线性器件的输出电路阻抗不匹配,但是依然有一定功率的输入信号可以通过,混入输出信号,降低倍频器的性能㊂倍频信号也是一样,会泄漏到输入端,干扰信号源,从而影响倍频器性能㊂因此需要在输入电路和输出电路部分增加滤波网络,使得在输入端只有输入信号能够通过,而在输出端,只有所需的倍频信号能够通过㊂6)增加空闲电路㊂一个信号通过非线性器件之后会产生多个谐波,然而有用的谐波只有一个,其他谐波都属于空闲谐波㊂为了提高有用谐波的效率,就需要这些无用的谐波在电路中没有功率损耗,此时就需要将这些谐波信号接入纯电抗负载,使其功率损耗为零,或者将这些信号反馈回非线性器件,从而再次利用㊂而构成这些功能的电路就是空闲电路㊂大多数情况下,空闲电路加在输出滤波网络中㊂2㊀电路设计与仿真根据Manley-Rowe功率关系[9],变容二极管的倍频效率在理论上可达100%,且所使用的频段较高,需要反向恢复时间较短的二极管,因此在设计无源倍频器时采用GaAs变容二极管MA46H146㊂在选择基材时,通过权衡价格与损耗等因素,最终选择了介电常数为2.2的RT/ duroid5880㊂由于微带线过细的情况下,制造工艺很难把控,在相同阻抗情况下基片厚度越厚,线宽越宽,因此选择介质基片厚度为0.508mm㊂通过比较不同倍频电路之后,对于非线性器件部分,本文采用如图2所示的反向并联电路结构㊂反向并联的二极管结构可以抑制偶次谐波,因此可以大大减小输出滤波网络的复杂程度和尺寸,从而减少整个倍频器的尺寸㊂而且该结构中二极管一端接地,有利于二极管散热,提高倍频器的稳定性㊂图2㊀反向并联电路结构Fig.2㊀Reverse parallel circuit structure当给一个二极管两端加上电压v d时,流过二极管中PN结的电流可表示为i d=I s(e v d/nV T-1)(1)式中:I s表示反向饱和电流;n表示发射系数(范围为1~2,与PN结的尺寸㊁材料和所通过的电流有关);V T表示温度为T时的电压当量㊂若通过X1二极管的电流为i1=I s(e v d/nV T-1)(2)㊀㊀通过X2二极管的电流为i2=I s(e-v d/nV T-1)(3)则二极管对所产生的总电流为i all=2I s sin(v d/nV T)(4)㊀㊀当输入信号为正弦信号,即v d=V cos(ωt),带入上式并进行傅里叶变换后可得i all=4I s[I1(V/nV T)cos(ωt)+I3(V/nV T)cos(3ωt)+ ](5)由式(5)可知,通过该结构,只会得到奇次谐波,所以该结构通常用于奇次倍频㊂方案确定后,利用先进设计系统(advanced24第35卷第2期孙㊀毅等:高效无源三次倍频器研究与设计design system,ADS)软件对各部分内容进行仿真及优化㊂首先根据变容二极管MA46H146的数据手册中SPICE 参数可知,该二极管的击穿电压为26V,具有高Q 值(大于1.5ˑ104),其中二极管的欧姆电阻取6.5Ω,封装电容取0.03pF,寄生电感取0.04nH㊂其仿真模型如图3所示㊂图3㊀变容二极管MA46H146等效电路模型Fig.3㊀The equivalent circuit model of the varactordiode MA46H146之后通过高低阻滤波器的设计方法,采用巴特沃斯低通原型滤波器对低通滤波器进行设计,在ADS 中对所设计的滤波器进行建模,并对尺寸进行优化,然后生成低通滤波器版图,得到如图4所示性能良好的低通滤波器,尺寸约为2.5mm ˑ2.33mm㊂图4㊀低通滤波器版图Fig.4㊀The layout of the low pass filter该低通滤波器的仿真结果如图5所示㊂在通带(30GHz 以下)内回波损耗S11小于-20dB,插入损耗S21大于-1.3dB,阻带(50GHz ~100GHz)内插入损耗S21小于-20dB㊂由于在该电路中,偶次谐波被抑制,高次谐波能量低,因此无需考虑偶次谐波的信号和高次谐波信号,只需要考虑基波信号和三次谐波信号,对与基波信号20.4GHz 来说可以通过,衰减很低,对于三次谐波信号61.2GHz 来说无法通过,满足所设计倍频器的性能要求㊂1 回波损耗S11;2 插入损耗S21㊂图5㊀低通滤波器性能仿真图Fig.5㊀Simulation diagram of low pass filterperformance为便于放置二极管,需要添加一个T 字形微带线结构,左边接输入,右边接输出,下边接反向并联的二极管对,二极管对的另一端通过过孔接地㊂为了得到最佳的输出功率,需要对该结构前后进行阻抗匹配,匹配之前通过搭建电路,读出其基波的输入阻抗为(29.458+j5.98)Ω,同理读出三次谐波的输出阻抗为(33.534-j29.693)Ω,然后通过微带理论将输入阻抗㊁输出阻抗分别和50Ω进行阻抗匹配,得到输入匹配电路和输出匹配电路㊂由于该电路中偶次谐波被天然抑制,且高次谐波的功率很低,因此只需着重考虑基波抑制㊂这里采用如图6所示的分支线对其进行抑制,即采用四分之一波长的分支线将基波信号接入纯电抗负载,使其功率损耗为零,形成空闲电路㊂如果采用带阻滤波器或高通滤波器对基波进行抑制,则需要对滤波器进行设计,其尺寸可能会小一些,但是滤波器设计过程复杂,调试起来也不方便,而且滤波器对有用信号必定是有衰减的㊂而采用空闲电路的方式对有用信号衰减很小,且调试方便,只需要调整分支线的长度即可㊂空闲电路的仿真结果如图7所示,在空闲电路中,基波信号的回波损耗S11为-0.126dB,而34㊀㊀㊀南华大学学报(自然科学版)2021年4月三次谐波信号的回波损耗S11为-28.727dB,因此空闲电路可以有效抑制基波信号,而对其他谐波信号衰减很低,可以等效带组滤波器或是高通滤波器的效果㊂该空闲电路是提高基波抑制率的关键㊂最后将所有电路连接起来进行整体优化,其仿真原理图如图8所示㊂图6㊀空闲电路版图Fig.6㊀The layout of the idlecircuit图7㊀空闲电路仿真图Fig.7㊀Simulation diagram of idlecircuit图8㊀无源三倍频器整体仿真原理图Fig.8㊀Schematic diagram of the whole simulation of passive triplex㊀㊀优化后生成版图如图9,尺寸约为16.7mm ˑ4.6mm㊂其中二极管的反向并联结构,一端接在图示中的端口,另一端通过过孔接地㊂3㊀结果分析在输入频率为20.4GHz,功率为20dBm 时,44第35卷第2期孙㊀毅等:高效无源三次倍频器研究与设计谐波平衡仿真结果如图10所示㊂从图中可以看出,由于采用反向并联结构,所产生的偶次谐波信号功率极低,高次谐波(五次谐波)信号功率也很低,三次谐波输出功率为17.465dBm,倍频效率为55.78%㊂不同频率下三次谐波输出功率如图11所示,从图中可以看出,当输入频率在20.34GHz~20.45GHz范围内时,倍频效率大于1%;在20.38GHz~20.41GHz范围内时,倍频效率大于10%;在20.4GHz附近时,倍频效率最高,从图10中可看出具体数值㊂图9㊀无源三次倍频器版图Fig.9㊀Passive triple frequency multiplierlayout图10㊀谐波平衡仿真图Fig.10㊀Harmonic balance simulationdiagram图11㊀不同频率下的三次谐波输出功率Fig.11㊀Output power of third harmonic at different frequencies㊀㊀不同频率下各次谐波输出功率如图12所示,基波抑制大于50dBc,五次谐波抑制大于110dBc㊂从该结果中可以看出,所设计的倍频器倍频效率较高,无用谐波抑制效果很好,只是倍频带宽偏窄,这是由于采用变容二极管导致的㊂由于该倍频器设计初衷是用于ISM(industrial scientificmedical)频段中的61GHz~61.5GHz内,因此该结果满足需求㊂由于该倍频器频率较高,因此部分结构的尺寸要求比较严格,通过仿真研究可知,54㊀㊀㊀南华大学学报(自然科学版)2021年4月当尺寸存在微小误差时,倍频带宽变化不大,主要是倍频频带发生偏移,因此要求误差小于0.1mm,否则会导致倍频频段偏离设计频段㊂1 三次谐波信号;2 基波信号;3 五次谐波信号㊂图12㊀不同频率下各次谐波输出功率Fig.12㊀Output power of each harmonic atdifferent frequencies4㊀结㊀论通过对毫米波倍频器的研究,本文设计出一种应用于ISM 频段中中心频率为61.25GHz 的毫米波倍频器,该倍频器的最高倍频效率大于50%,但是倍频带宽偏窄,只适用于窄带系统㊂后续需要对所设计倍频器进行实物制作,进一步进行验证㊂参考文献:[1]胡国庆.毫米波5G 产业界研究现状[C]//AEIC Aca-demic Exchange Information Centre(China).Proceedings of the 20183rd International Conference on Advances inMaterials,Mechatronics and Civil Engineering:Advances inEngineering Research VOL.162.AEIC Academic Exchange㊀Information Centre (China):International Conference on Humanities and Social Science Research,2018:4.[2]李正纲,张晓阳,徐辉,等.基于肖特基势垒二极管的高效率W 波段三倍频器[C]//中国电子学会微波分会.2018年全国微波毫米波会议论文集:上册.上海:电子工业出版社,2018:6.[3]龙明星,张勇.基于国产肖特基二极管的110GHz 平衡三倍频器[C]//中国电子学会微波分会.2019年全国微波毫米波会议论文集:上册.上海:电子工业出版社,2019:3.[4]MIAO L,DENG X J,XIONG X Z,et al.The design andsimulation of a 0.14THz frequency doubler[C]//2012International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology (ICMMT).Piscataway,NJ:IEEE,2012:1-4.[5]LIN H C,REBEIZ G M.A 135-160GHz balanced frequencydoubler in 45nm CMOS with 3.5dBm peak power[C]//2014IEEE/MTT-S International Microwave Symposium-MTT 2014.Piscataway,NJ:IEEE,2014:1-4[6]ABDO I,TOKGOZ K K,FUJIMURA T,et al.A 100-123GHzCMOS frequency doubler with 5.5dBm output power andhigh fundamental rejection[C]//2017IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT).Piscataway,NJ:IEEE,2017:138-140.[7]RASHID H,KRAUSE S,MELEDIN D,et al.Frequencymultiplier based on distributed superconducting tunnel junctions:Theory,design,and characterization [J].IEEE transactions on terahertz science &technology,2016,6(5):724-736.[8]WAN J Y,CHEN Z M,AN Q,et al.A truly balanced Q-band CMOS frequency doubler based on hybrid quadraturecoupler[J].IEEE microwave and wireless components let-ters,2017,27(2):165-167.[9]MANLEY J M,ROWE H E.Some general properties ofnonlinear elements-Part I.General energy relations[J].Proceedings of the IRE,1956,44(7):904-913.64。
三毫米波三倍频器研析
第四章三毫米波三倍频器研制平方线渐变的阻抗分布。
另外,Mirshek缸等提出了一种槽宽曲线经验公式也很适用,这就是:一1.,(z)=6一(6一w)sin2(等)o≤z≤,(4一1)Zl式中:州z)为鳍线槽宽,b为矩形波导口窄边宽度,w为微带线宽度,一般为标准的50Q微带线宽度,,可根据需要选取,但是为了保证对极鳝线过渡段的效果,一般应当选取九/4的整数倍。
同时,为了抑制波导夹缝中毫米波能量传输带来的损耗,通常都要采用梳状高阻滤波器结构,即在波导夹缝内的金属鳍上沿纵向制作梳状结构。
这种结构可以截断纵向电流,抑制纵向电流的传输。
目前在毫米波频段,对极鳍线过渡已经得到了广泛的应用,因此技术较为成熟。
本文中,它可以同微带传输线、阻抗变换器jfB微带低通滤波器做在一块基片上,安装比较方便,易于集成和调试,因此本文采用对极鳍线过渡。
八毫米频段对极鳍线过渡模型如图4.3所示。
对极鳍线到微带过渡较难进行等效电路分析,而通过三维电磁场仿真,能得到理想的尺寸。
为了准确地得到过渡性能结果,可把波导一对极鳍线一微带过渡放到csT中进行仿真,优化过渡段长度即可,仿真结果见图4—4,在所设计的频带内s11小于一20dB。
图4-3八毫米频段对极鳍线过渡csT模型电子科技大学硕士学位论文甜岫rn∞_№,“n毒\×/V图4-4八毫米频段对极鳍线过渡CST仿真结果由于三毫米频段频率太高,对极鳍线过渡的实际性能与仿真结果的差异相对于八毫米频段来说更为明显,因此有必要对三毫米频段对极鳍线过渡的实际性能进行单独的研究测试,这样就需要将对极鳍线做成背靠背结构,以便于测试。
过渡段模型如图4.5所示,在csT中对过渡段的长度进行优化仿真,仿真结果如图4.6所示。
图4.5三毫米频段对极鳍线过渡背靠背结构’-翻__一心,讪h毒…出导盘I/—、./—十、‘、/旺、ly^ll-嘶,a心图4.6三毫米频段对极鳕线过渡背靠背结构仿真结果第四章三毫米波三倍频器研舒安装时,过渡段夹在波导中间,为了抑制波导鳍线夹缝中毫米波能量传输带来的损耗,采用了梳状高阻滤波器结构,即在波导鳍线夹缝内的金属鳍上沿纵向制成梳状结构。
三倍频发生器使用方法 三倍频发生器是如何工作的
三倍频发生器使用方法三倍频发生器是如何工作的产品别称:三倍频发生器用于电力变压器、电压互感器等被试品,除了要对全绝缘变压器的主绝缘进行外施工频高压试验外,而且还要对变压器的纵绝缘以及半绝缘产品别称:三倍频发生器用于电力变压器、电压互感器等被试品,除了要对全绝缘变压器的主绝缘进行外施工频高压试验外,而且还要对变压器的纵绝缘以及半绝缘变压器的主绝缘进行感应高压试验。
使用环境:1.电源条件:三相380V/50Hz2.输出电压:50—500V(最大750V),150Hz;100—1000V(最大1500V),150Hz;3.容量:1-1000KVA;4.波形:正弦波,失真度小于1%;5.负载特性:阻性、感性、容性均可;使用方法:1.带调压器(3kVA~10kVA)1)按接线图连接、再依据被试品来调整过流保护电流值。
2)使调压器在最低位置,合电源开关,零位指示灯亮,检查是否缺相,启动试验台。
3)调整调压器使三倍频输出的电压达到试验电压,用示波器测量输出电压波形、频率及输出电压值,使之达到试品的试验要求。
4)试验完毕,调整调压器使三倍频输出电压为零,零位指示灯亮,再分闸。
5)切断电源,试验结束。
2.不带调压器(10kVA~1000kVA)1)按接线图连线,再依据被试品来调整过流保护电流值。
2)使电感在最高位,开电源开关,检查是否缺相,启动试验台。
3)调整电感器手柄时电压表升压,当电流在最低电流时即产生谐振,达到试验电压值,测量输出电压波形、频率及输出电压值直到达到被试品的试验电源要求。
4)试验完毕,调整电感手柄使达到最高位置。
5)切断电源开关,试验结束。
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无源三相PWM逆变器控制电路设计
无源三相PWM逆变器控制电路设计一、课程设计的目的通过电力电子计术的课程设计达到以下几个目的:1、培养学生文献检索的能力,特别是如何利用Internet检索需要的文献资料。
2、培养学生综合分析问题、发现问题和解决问题的能力。
3、培养学生运用知识的能力和工程设计的能力.4、培养学生运用仿真工具的能力和方法。
5、提高学生课程设计报告撰写水平.二、课程设计的要求1注意事项控制框图设计装置(或电路)的主要技术数据主要技术数据输入交流电源:三相380V,f=50Hz交直变换采用二极管整流桥电容滤波电路,无源逆变桥采用三相桥式电压型逆变主电路,控制方法为SPWM控制原理输出交流:电流为正弦交流波形,输出频率可调,输出负载为三相异步电动机,P=5kW等效为星形RL电路,R=10Ω,L=15mH2.在整个设计中要注意培养灵活运用所学的电力电子技术知识和创造性的思维方式以及创造能力3.在整个设计中要注意培养独立分析和独立解决问题的能力4.课题设计的主要内容是主电路的确定,主电路的分析说明,主电路元器件的计算和选型,以及控制电路设计。
报告最后给出所设计的主电路和控制电路标准电路图。
5.课程设计用纸和格式统一三设计内容:整流电路的设计和参数选择滤波电容参数选择三相逆变主电路的设计和参数选择IGBT电流、电压额定的选择三相SPWM驱动电路的设计画出完整的主电路原理图和控制电路原理图根据要求,整流电路采用二极管整流桥电容滤波电路, 其电路图如图2.1所示:图2.1 考虑电感时电容滤波的三相桥式整流电路及其波形a )电路原理图b )轻载时的交流侧电流波形c )重载时的交流侧电流波形1. 其工作原理如下所示:该电路中,当某一对二级管导通时,输入直流电压等于交流侧线电压中最大的一个,该线电压既向电容供电,也向负载供电。
当没有二级管导通时,由电容向负载放电,u d 按指数规律下降.设二极管在局限电路电压过零点δ角处开始导通,并以二极管VD 6和VD 1开始同时导通的时刻为时间零点,则线电压为u ab =6U 2sin (ωt+δ)a)c)R462i i而相电压为u a =2U 2sin (ωt+δ-6π)在ωt=0时,二极管VD 6和VD 1开始同时导通,直流侧电压等于u ab ;下一次同时导通的一对管子是VD 1和VD 2,直流侧电压等于u ab 。
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倍频器是无线电技术高频电路中重要的非线性电路,作为基本的电子器件,被广泛应用于发射机、频率合成器、接收机本振源等各种电子设备中。
亚毫米波倍频器可以降低设备的主振频率和扩展工作频段,同时,由于其输出频率可以在输入频率的 n 次谐波上选取,因而所需的输入信号源可以选择在技术上相对成熟的毫米波频段上制作,从而为保证所需的频率稳定度和相噪特性提供了条件,同时,固态倍频器体积小、易于集成而且使用寿命较长。
因此,目前小功率的亚毫米波固态源主要依靠倍频方法实现。
亚毫米波在长波段与毫米波相重合,而在短波段,与红外线相重合,可见亚毫米波波在电磁波频谱中占有很特殊的位置。
由于起所处的特殊位置,亚毫米波具有一系列特殊的性质,在频域上,亚毫米波处于宏观经典理论向微观量子理论的过渡区,处于电子学向光子学的过渡。
它的量子能量很低,信噪比很高,频率极宽。
它覆盖各种蛋白质在内的大分子的转动和振荡频率。
因此,在学术上有很重要的学术价值,在科学技术上及工业上有很多很诱人的应用:如信息科学方面的超高速成像信号处理,大容量数据传输;材料处理,分层成像技术,生物成像;等离子体聚变的诊断;天文学及环境科学等。
而且在国防上也有着及其重要的应用前景。
2 三倍频器的设计
2.1 总体方案
本方案采用标准波导输入,通过悬置微带探针过渡,接低通滤波器,在低通滤波器末端接输入匹配段,后接同向并联的二极管对,之后输出结构为悬置微带到标准波导的过渡。
方案框图如下:
图1 总体方案图
2.2 传输线和介质基片的选择
由于本倍频器工作的频率达到220GHz,故传输线采用悬置微带线,其电磁场的大部分集中在空气中,因而其有效介电常数接近于1,使其电参数与空气线的电参数接近,接近于无色散特性;而且介质的损耗大大减小了,故具有比微带线更高的Q值(500~1500),而且此传输线可实现很宽范围的阻抗值,这样利于阻抗匹配。
[2]另外,为抑制由不连续带来的高次模,要仔细选择腔体的大小。
一般来说对基片的要求是微波损耗小、表面光滑度高、硬度强、韧性好、价格低。
可用于毫米波频段的介质基片主要有:氧化铝陶瓷、RT/duroid5880、蓝宝石、石英等,另外还有主要用于MMIC的砷化稼和磷化锢。
对于本文,综合介质损耗,加工精度,表面光洁度和成本等方面因素,本文采用石英作为基片,在设计过程中本文就考虑到了国内工艺水平的限制,具体参数如下:
相对介电常数=3.78,基片厚度h=0.1mm,损耗角正切tan=0.0027。
2.3 悬置微带与波导的过渡结构
悬置微带线到波导的过渡,结构有两种主要形式:悬置微带探针法向与波导传播方向平行;悬置微带探针法向与波导传播方向垂直。
选取的原则是:加工方便,本文根据这一原则选择悬置微带面法向与波导传播方向垂直的方案。
波导终端短路长度取1/4个波导波长以保证探针在波导内处于最大电压,即电场强度最强位置,以达到尽量高的耦合效率以减小插入损耗和回波损耗。
对于本文的倍频器,需要设计两个探针过渡:73GHz输入探针和220GHz输出探针。
在综合考虑抑制高次模,减低从悬置微带到滤波器的不连续性以及加工精度能力之后,本文在输入过渡部分选择了最为直接的探针过渡结构:没有使用抑制腔,通过减低悬置微带腔体尺寸来抑制高次模,并且采用渐变探针以降低不连续性。
以下为73GHz 输入端探针的仿真模型和结果。
在70GHz~80GHz范围内插损小于0.05dB,回波损耗大于20dB。
220GHz输出探针过渡也采用了相似的结构,在210GHz~227GHz频带内达到了与以上性能相当的S参数指标。
图2 输入探针仿真模型与结果
2.4 低通滤波器的设计
微带线低通滤波器用于通过基波(71.7~75GHz),并阻止由并联二极管对产生的三次谐波(215~ 225GHz)信号由微带线返回到输入电路,在此利用高低阻抗线结构实现该低通滤波器。
由于该滤波器工作频率较高,在设计时发现高阻线极细(0.02mm),这对加工精度有较高的要求。
本设计选择的是石英基片,可以达到该精度要求。
利用HFSS 仿真的结果如下图,从仿真结果可看出该滤波器对基波的损耗小于0.15dB,对三次谐波的抑制度在40dB以上,对二次谐波的抑制度在25dB以上,这说明在该低通滤波器后的二极管对产生的谐波信号基本不会泄露到输入端。
图3 LPF仿真模型与结果
2.5 输入和输出匹配
对于输出的波导匹配和输入的微带匹配的设计,先在ADS中利用谐波平衡法确定输出阻抗和输入阻抗,然后借助HFSS的仿真功能,使波导电路和悬置微带线实现匹配。
在ADS中扫描二极管对后的负载电阻大小和微带线宽,观测3次谐波功率,得到在悬置微带线宽为0.2mm左右时3次谐波输出最强。
然后在HFSS中建立模型,在安装平衡二极管对的位置设置集总参数端口,端口阻抗设为在ADS中算得的平衡二极管对的输出阻抗,将此
作为平衡二极管对在此复杂结构中的嵌入阻抗。
需要注意的是,由于二极管的宽度大于之前选定的悬置微带腔体宽度,所以需要在放置二极管对出扩大腔体,该不连续性造成的性能恶化需要尽量降低到最低程度。
另外,二极管对之前的低通滤波器输出端对于三次谐波来说相当于一个段路面,三次谐波会在滤波器的输出端与平衡二极管对的输入端来回反射,这样一来,三次谐波功率会在某些频点相互叠加和抵消,极有可能导致在最后输出频带内出现低功率点。
所以在仿真时需设计低通滤波器后到二极管对的长度以避免上述情况的出
现。
下图为从二极管放置位置处到输出部分的仿真模型和结果:
图4 输出部分仿真模型与结果
从结果可以看出220GHz信号从二级管处到输出端的回波损耗大于11dB,插损小于0.5dB。
需要说明的是,为放置二极管而扩宽的腔体在上图只画出与输出探针相连的一半,与低通滤波器相连接的一半没有画出。
放置二极管的腔体部分对基波信号的回波损耗大于15dB,插损小于0.2dB。
2.6 系统整体仿真
把之前HFSS中仿真的输入输出探针和滤波器,输出部分以S2P形式带入到ADS中进行整体仿真,采用的二极管为DBES105a。
设其输入功率为15dBm,在频带215~225GHz,输出功率为0.6dBm。
其仿真模型与仿真结果如
下图:
图5 整体仿真结构与结果
3 结论
本文利用HFSS和ADS仿真软件进行仿真和优化,讨论了220GHz三倍频器的设计。
该倍频器结构比较简单,但由于频率较高,悬置微带的尺寸及腔体尺寸都非常小,在设计时需要考量加工精度和误差的问题,在设计过程中就需要作出一些折中的处理,我将在以后的研究中继续分析并尽量减小这种影响。
/天域苍穹。