中远红外焦平面探测器

-1
1.E+10
MCT, LW(77K) Ge:Cu(4K)
1.E+09
Si:As(4K) EO crystals QWIP(77K) Ge:Zn(4K)
Thermopile
1.E+08 1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
Wavelength (um)
Hg1-xCdxTe（MCT）IRFPA
1.E+13
Ultrvoilet Visible InGaAs
Infrared
TeraHertz
Microwave
Infrared Detector Performance at FOV=180, 300K background
Cooled radiometers Si Diode InAs(PC, 77K) PC BLIP, 300K NbN/NbTiN film HEB (4K) InSb HEB (4K)
（3）热释电效应 （4）其它 热释电探测器 高莱盒，液晶等
单元器件
线列结构
焦平面
3. 光电探测器的基本理论
3.1 光电探测器的工作原理 3.2 光电探测器的性能参数
3.1 光电探测器的基本工作原理
光子 效应 光热 效应 入射光子流与探测材料相互作用产生的光电效应， 探测器吸收到光子后，直接引起原子或分子内部 电子状态的改变。 利用辐射热效应。 探测器吸收光辐射能量后，引起探测器元件温度 上升，从而使探测元件的电学性质或其它物理性 质发生变化。
1.E+12
NEP = (Sensitive Area)1/2/D*
D* (cmHz W )
1.E+11
1/2
PbS(PC,193K) PbS(PC,77K) MCT, MW(77K) InSb(77K)
Si or Ge HEB (hot-electron-bolometer, 4K) Ge:Ga(4K) Ge:Ga(4K), Stressed Golay cell Radiometers Uncooled bolometers
MCT材料的特性

能隙

带隙在0.7-25um内可调 直接带隙，吸收系数高； 热膨胀系数与Si膨胀系数 相近，而且极易钝化； 用于红外各波段的MCT材 料具有接近相同的晶格常 数。
Cd0.96Zn0.04Te


HgTe与CdTe之间的晶格失配小，约为0.3% CdZnTe是与HgCdTe晶格匹配的优质衬底。
引言
电磁波谱图
引言
1.2 红外光电探测器的研究现状
国外研究现状: 红外焦平面列阵(IRFPA) :
美、法和英等发达国家，基于碲镉汞材料的单色 红外焦平面器件的技术已经成熟，以480×4元长波和 512×512元中波为代表的焦平面器件已基本取代了多 元光导线列通用组件。 已实现向更大规模的凝视型焦平面列阵探测器、 双色探测器的发展，长波器件达到640×480元，中、 短波达到2048×2048元的规模。
铟柱将阵列上的每一个红外探测器与多 路传输器一对一地准确地配接起来，从 而使红外探测器阵列能够和单片式结构 相似地将所采集的图像信号通过多路传 输器输送出去，完成全部的功能。
(a)
(b)
第二代光伏型HgCdTe焦平面探测器的两种扫描方式： （a）扫描型 和（b）凝视型
几种材料的红外凝视焦平面阵列元数的增长，及2010年前的变 化趋势预测。
3.2.2 光谱响应度和响应时间
光谱响应度是光电探测器光电转换特性的量 度，定义为输出信号的光电流或电压与入射的辐 射光功率。 Ri = Iph/Po [A W-1] 电流响应度 Ru = Vd/Po [V W-1] 电压响应度 Ri = he/h he/hc

Iph和Vd 分别指输出信号的光电流和电压，Po入射光功 率

响应时间：（上升时间和下降时间）
当探测器的输入光信号为方波时，输出信号的电流从最大值 的90%减小到10%所需的时间称为下降时间τd，以及从最大 值的10%上升到90%所需的时间称为上升时间τr。
3.2.3 噪声等效功率NEP
（1）实际上，当P0=0时，光电探测器的输出电流并不 为0，这时的电流就称为暗电流in。 （2）NEP用来表征探测器探测能力，定义为相应于单 位信噪比的入射光功率：

D*越大的探测器其探测能力一定好。
4 红外焦平面探测器（IRFPA）
原理：焦平面上排列着感光元件阵列，入射 光线经过光学系统成像在系统焦平面的这些 感光元件上，探测器将接受到光信号转换为 电信号，并通过信号读出电路(包括积分放大、 采样保持和多路传输系统)输出形成图像。
IRFPA与单元器件或线列器件相比的优点

引言
国内目前的研究现状
从器件规模上：已经从红外单元器件向大规模
红外焦平面阵列探测器发展； 从波段上： 短波1—3μm，中波3—5μm和 长波8—14μm都有器件的研制. 从器件的工作温度上：在研制低温下工作的器 件同时，发展在室温下工作的非制冷焦平面器 件。 上海技术物理研究所对碲镉汞和量子阱红 外焦平面探测器件等方面进行了系统研究。
中远红外焦平面探测器 的研究与进展
内容
引言 红外探测器的分类 红外探测器的基本理论 中远红外焦平面探测器 红外探测器的发展历程与应用
引言
1.1 红外光电探测器

红外光电探测器是将接收到的红外辐射量转 换成电量(电流或电压)。

Atmosphere Windows 1-3 µm (SWIR) : 透射率大于80%，用于光纤通迅 3-5 µm (MWIR) :透射率60-70% 8-14 µm (LWIR) :透射率80%
3.1.7 光热效应: 热释电效应
热释电效应是通过热电材料实现的。热电材料 是结晶对称性很差的晶体，该类材料在温度发生变 化时，其内部自发极化强度发生改变，会在材料表 面呈现出相应于温度变化的面电荷变化。 它是响应与材料的温度变化率，所以比其它热 效应的响应速度要快得多，已获得日益广泛的应用。 工作时不用冷却，也不用加偏压，使用方便， 光谱响应范围很宽，已广泛用于辐射测量。
几种工作在中远红外探测的材料
Material Name
Mer-Cad-Tel Indium Antimonide Arsenic doped Silicon
Symbol
HgCdTe InSb Si:As
Eg (eV)
可调 0.189 0.05
c (m)
0.7 – 25 6.55 24.8
Operating Temp. (K) 50 - 250 80 10

3.1.5 光热效应: 辐射热效应

利用辐射热效应而引起电阻变化的热探测器应 称之为测辐射热计（Bolometer），俗称热 敏电阻。
3.1.6 光热效应: 温差电效应
原理:当两种不同的配偶材料，两端并联熔接时，当 光照熔接端（称为电偶接头）时，吸收光能使电偶 接头温度升高，电表就有相应的电流读数，电流的 数值就间接反映了光照能量的大小。
引言
国外的研究现状
非致冷红外焦平面列阵
目前主要研制铁电型和热敏电阻型焦平 面列阵，如以铁电陶瓷制作的384×288元 的热释电红外探测器；氧化钒热敏电阻制 成的非致冷红外焦平面已达到640×480元 的规模。
引言
国外的研究现状
量子阱红外焦平面列阵
目前，大多数QWIPs是用GsAs/AlGaAs（中 远红外）和InGaAs/InAlAs（近红外）制备的。 美国NASA/ARL 研制的1024×1024元焦 平面，NASA/JPL 研制的640×512元四色焦平 面，代表了当前的最高研究水平。
3.2 光电探测器的性能参数
量子效率η 灵敏度R/响应时间 噪声等效功率NEP 归一化探测度D*

3.2.1 量子效率η


在半导体内部，入射光生成的电子-空穴对与入射 的光子数量之比。 定义式：
I ph e I ph hv h = = P0 hv P0e

式中P0是入射到探测器表面的光功率，Iph是产生 的光电流，hv是入射光子能量。
物 理 效 应
光子效应对光波频率表现出选择性，其响应速度比较快，灵
敏度高。 热效应对光波频率没有选择性，但光谱响应范围较宽且较平 坦。
3.1.1 外光电效应:
光电发射效应
当光照射在物体表面上时，物体表面有电子（光电子） 逸出的现象，称为光电发射效应。
1 Ek mv 2 为光电子的初动能,hv是入射光子的能量, 2 E 为光电发射物体的功函数。
HgCdTe可以按任何比例混合，构成一种禁带宽度连续变化的材 料，而且工作温度较高，是目前性能最好、使用最广泛也最有 发展潜力的半导体红外光电探测器材料。
HgCdTe器件结构
通过铟丘互连的背照式混成HgCdTe焦平面列阵的结构图
The evolution of three generations of HgCdTe IRFPA
相应的探测器
充气光电管 光电倍增管 像倍增管 光导管或光敏电阻
光电池 光电二极管 雪崩光电二极管 肖特基势垒光电二极管 光电三极管 光电磁探测器
内 光 电 效 应
热探测器的原理及相应的探测器分类 效应 相应的探测器 （1）测辐射热计 负电阻温度系数 热敏电阻测辐射热计 光 正电阻温度系数 金属测辐射热计 热 超导 超导远红外探测器 效 （2）温差电效应 热电偶、热电堆 应
集成光电转换和信号读出处理于一体； 由于具有对信号积分累加，因而提高系统的灵敏 度和分辨率； 简化信号处理电路，降低对制冷系统的要求，减 小系统体积，降低功耗和成本。