上海电机学院专升本PPT-模拟电子技术基础习题1
专升本《模拟电子技术》_试卷_答案
专升本《模拟电子技术》一、（共48题,共150分）1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。
（2分）A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性.标准答案：C2. 稳压二极管的有效工作区是( )。
（2分）A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区.标准答案：B3. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
（2分）A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态.标准答案：D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。
（2分）A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.不易制作大阻值的电阻.标准答案：C5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。
（2分）A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大.标准答案：A6. 半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。
（2分）A.N区自由电子向P区的扩散运动B.N区自由电子向P区的漂移运动C.P区自由电子向N区的扩散运动D.P区自由电子向N区的漂移运动.标准答案：A7. 理想的功率放大电路应工作于( )状态。
（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补.标准答案：C8. NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。
（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区.标准答案：A 9. 当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( )。
（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻.标准答案：C10. 差动放大电路的特点是抑制( )信号，放大( )信号。
（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模.标准答案：B11. 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（2分） ( ).标准答案：正确12. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
模拟电子技术基础(复习)PPT课件
3. 通频带 4. 定量计算
9
❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
❖二、设置静态工作点的必要性
为什么放大的对 象是动态信号，却 要晶体管在信号为 零时有合适的直流
动态信号 驮载在静 态之上
电流和极间电压？ 设置合适的静态工
与iC变化 方向相反
作点，首先要解决 失真问题，但Q点几 乎影响着所有的动 态参数！
3
❖复习与考试
模拟电子技术基础
❖三、怎样复习
❖ 重点是基础知识：基本概念、电路、方法 ❖ 识别电路是正确分析电路的基础 ❖ 特别注意基础知识的综合应用，融会贯通。
4
❖第1 章 常用半导体器件（复习）
模拟电子技术基础
问题
❖ 为什么要把半导体材料变成本征半导体？ 再掺杂？如何控制杂质半导体导电性能？
8
❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
u放大的对象：变化量 u放大的本质：能量的控制 u放大的特征：功率放大 u放大的基本要求：不失真——放大的前提
1. 放大倍数：输出量与输入量之比
Au u
Au
Uo Ui
Aii
Ai
Io Ii
2. 输入电阻和输出电阻
A ui
U o Ii
A iu
Io U i
12
❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
❖三、三种接法的比较：空载情况下
接法
Au Ai Ri Ro 频带
共射 大
β 中 大 窄
共集 小于1 1＋β
大 小 中
共基 大
α 小 大 宽
13
第三章 多级放大电路（复习）
§3.1 多级放大电路的耦合方式 §3.2 多级放大电路的动态分析 §3.3 差分放大电路 §3.4 互补输出级
模拟电子技术基础习题ppt课件
18. 造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响 最大的是____温度升高____。
19. 三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是___共射 ___电路，与相位相同的是____共集和共基_____电路。
9. 理想二极管正向电阻为__零__，反向电阻为__无穷大___， 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时，二极管的正向特性曲线将__左移___， 反向特性曲线将__下移__。
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性，制成杂质半导体；利用半导
体的__光敏__特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏__ 特性，制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__，加反向电压时_截止_，这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
10. 晶体管放大电路中，三个电极的电位分别
为 V1 4V ，V2 1.2V ，V3 1.5V，试判断晶体管的类型是 ___PNP_____，材料是____锗___。
11. 温度升高时，晶体管的电流放大系数将___增加___，穿 透电流将___增加___，发射极电压将___减小____。
12 温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将____左___移， 输出特性曲线将___上____移，而且输出特性曲线的间隔 将变____大___。
(完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)分解166页PPT
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6、黄金时代是在我圆。
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8、你可以很有个性，但某些时候请收 敛。
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9、只为成功找方法，不为失败找借口 (蹩脚 的工人 总是说 工具不 好)。
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10、只要下定决心克服恐惧，便几乎 能克服 任何恐 惧。因 为，请 记住， 除了在 脑海中 ，恐惧 无处藏 身。-- 戴尔． 卡耐基 。
46、我们若已接受最坏的，就再没有什么损失。——卡耐基 47、书到用时方恨少、事非经过不知难。——陆游 48、书籍把我们引入最美好的社会，使我们认识各个时代的伟大智者。——史美尔斯 49、熟读唐诗三百首，不会作诗也会吟。——孙洙 50、谁和我一样用功，谁就会和我一样成功。——莫扎特
上海电机学院专升本PPT-模拟电子技术基础习题1
3.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否
导通，并求输出电压 U O 。
截止5 .3 V 钳位 U 0V D1 0.7V 导通 导通
U D 2 5.3V
U o 5.3V
-12V
-6V
VD导通
VD1截止，VD2导通
U O 11.3 V
U O 5.3 V
阴极并接 ,阳极高优先导通.
二、选择题： V )，（忽略导通压降） 1．所示电路图中 u i 1.0 sin t ( 用示波器观察 u o 的波形正确的是_______。
2.电路如图所示,VD1～VD3为理想二极管,A、B、C白炽 灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是_______。 A. B. C. B C A
3．理想二极管桥式整流，电阻性负载电路中，二极管 承受的最大反向电压为_______。 A．小于 2U 2 B.等于 2U 2 C.大于 2U 2 ，小于 2 2U 2 D.等于 2 2U 2
V：12V A1：14mA A2：6mA
2.电路如图所示，试估算输出电压 U o 1 和 U o 2 ， 并标出输出电压对地极性。
-45V
+
+9V
3．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示 u 2 10 2 sin t ( V )试求： （1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）； （2）正常工作时，Uo =？ 12V 9V （3）若电容脱焊，Uo=？ 14V （4）若RL开路，Uo =？ （5）若其中一个二极管开路，Uo =？10V
场效应管 1 N沟道 P沟道
双极型晶体管 场效应管
单极 P沟道 N沟道
栅
短接
P沟道
增强型
－2V
模拟电子技术基础ppt课件
外电场使空间电荷区变宽； 不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩 散电流，电路中产生反向电流 I ； 由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。
24
P
耗尽层
N
IS
内电场方向
外电场方向
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型 半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
12
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
36
二、温度对二极管伏安特性的影响(了解)
在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反
向特性将下移。
I / mA
15
温度增加
10
5
– 50 – 25
–0.01 0 0.2 0.4 U / V
–0.02
二极管的特性对温度很敏感。
37
1.2.3 二极管的参数
(1) 最大整流电流IF
(2) 反向击穿电压U（BR）和最高反向工作电压URM
3. 折线模型
3. 杂质半导体总体上保持电中性。
4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
图 杂质半导体的的简化表示法 17
1.1.3 PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术基础PPT课件-经典全
热力学温度0K时不导电。
两种载流子
为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？
二、杂质半导体
1. N型半导体
5
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目多了？少 了？为什么？
杂质半导体主要靠多数载流子导 电。掺入杂质越多，多子浓度越高， 导电性越强，实现导电性可控。
➢ 根据需求，最适用的电路才是最好的电路。 ➢ 要研究利弊关系，通常“有一利必有一弊”。
4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用
六、课程的目的
本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分析和设计的 学习，使学生获得模拟电子技术方面的基础知识、基础理论和基本技 能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。
于漂移运动，形成漂移电流。由于电 流很小，故可近似认为其截止。
四、PN 结的电容效应
1. 势垒电容
PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷 的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势 垒电容Cb。
2. 扩散电容
PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及 其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称 为扩散电容Cd。
若反向电压u UT，则i IS
2. 伏安特性受温度影响
反向特性为横轴的平行线
T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓
T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移
增大1倍/10℃
三、二极管的等效电路
1. 将伏安特性折线化
理想 二极管
导通时△i与△u成线 性关系
理想开关 导通时 UD＝0截 止时IS＝0
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电⼦技术基础》典型习题解答《模拟电⼦技术基础》典型习题解答模拟电⼦技术基础习题与解答1章绪论1.2.1在某放⼤电路输⼊端测量到输⼊正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5A µ和5 mV 。
输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V 。
试计算该放⼤电路的电压增益V A 、电流增益IA 、功率增益P A ，并分别换算成dB 数表⽰。
解：（1）电压增益20010513=?==-iO V V V A )(46200lg 20)(dB dB A V ==∴（2）电流增益 100105102/1/63=??===-iLO iO I I R V I I A )(40100lg 20)(dB dB A I ==∴（3）功率增益20000=?=I V P A A A )(43102lg 104dB A P =?=∴1.2.4 某放⼤器输⼊电阻,10Ω=k R i 如果⽤A µ1电流源驱动，放⼤电路短路输出电流为10,mA 开路输出电压为10V 。
求放⼤电路接Ωk 4负载电阻时的电压增益V A 、电流增益I A 、功率增益P A ，并分别转换成dB 数表⽰。
解：Ω=?==-k I V R OsOO O 11010103100010101064=?===-ii OO iOO VO I R V V V A)(62106.1lg 10)(106.12000800)(662000lg 20)(200010)14(101010101010)(58800lg 20)(80010)14(1041066334463333dB dB A A A A dB dB A R R R A I I A I I A dB dB A R R R A V V A P I V P V LO O ISiO V iOS IS V OL L VOiO V =?=?=?=====?+?=+===?=====?+??=+==∴--功率增益电流增益⽽电压增益第⼀章半导体器件的基础知识1.2 电路如图P1.2（a ）所⽰，其输⼊电压u I1和u I2的波形如图（b ）所⽰，⼆极管导通电压U D ＝0.7V 。
模拟电子技术例题习题ppt课件
ICQ=βIBQ=5060μA=3mA。
uo=VCC-ICQRC=9V 所以T处于放大状态
. 第10页
模拟电子技术B
1.10 电路如图P1.10所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、 3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO 的值。 【解】
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第17页
模拟电子技术B
讨论
例题习题
1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4？ 2. 从输出电压上看，哪个Q点下最易产生截止失真？哪 个Q点下最易产生饱和失真？哪个Q点下Uom最大？ 3. 设计放大电路时，应根据什么选择VCC？
静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
IBQVBBUBEQ Rb
ICQ= IBQ
T
U VI R
CQ E
CC C Q C
基本共射放大电路
. 第12页
模拟电子技术B
2. 常见的两种共射放大电路 (1) 直接耦合放大电路 （ RL＝∞ ）
Ib2 IBQ
Ube
Ib1例题习题源自已知Ib2=Ib1+IBQ
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第19页
模拟电子技术B
基本共射放大电路的直流通路和交流通路
例题习题
I
BQ
＝
V
BB
－U Rb
BEQ
I CQ I BQ
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选择题：
1.二极管的导通条件是( )。 A. U D 0 B. U D 死区电压 C. U D 击穿电压。 2.硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加10％， 它的电流( )。
A.基本不变 B.增加10％ C.增加10％以上 3.硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增大10％， 它的电流( )。 A.基本不变 B.增加10％ C.增加10％以上 4.用万用表的 R 100档和 R 1K 档分别测量一个 正常二极管的正向电阻，两次测量值分别为 R1和R 2 ， 则 R1 与 R 2 的关系为( )。 A. R1 R 2 B. R1 R 2 C. R1 R 2
模拟电子技术基础习题
第一章 半导体二极管及其应用电路 第六章 运放应用电路
第二章
半导体三极管及其放大电路
第七章
功率放大电路
第三章
场效应晶体管及其放大电路
第八章
波形发生和变换电路
第四章
集成运算放大器
第九章
直流稳压电源
第五章
负反馈放大电路
第十一章～第二十一章
应用篇
1-1半导体基础知识
填空： 绝缘体 之间的物 导体 和_______ 1．半导体是导电能力介于_______ 质。
4.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示， u 2 20 2 sin t ( V )试求： （1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）； （2）正常工作时，Uo =？ 24V （3）若电容脱焊，Uo=？ 18V 28V （4）若RL开路，Uo =？ （5）若其中一个二极管开路，Uo =？ 20V
3.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否
导通，并求输出电压 U O 。
截止5 .3 V 钳位 U 0V D1 0.7V 导通 导通
U D 2 5.3V
U o 5.3V
-12V
-6V
VD导通
VD1截止，VD2导通
U O 11.3 V
U O 5.3 V
阴极并接 ,阳极高优先导通.
选择题： 1．在本征半导体中掺入微量的( )价元素，形成N型杂 质半导体。 A．二 B．三 C．四 D．五 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( ) A．温度 B．掺杂工艺 C．杂质浓度 3．在杂质半导体中，少数载流子的浓度则与( )有关。 A．温度 B． 掺杂工艺 C．杂质浓度 4．PN结反向偏置，其耗尽层会( )。 A．变窄 B．变宽 C．不变 D．不能确定 5．在N型杂质半导体中掺入浓度更大的( )价元素，变 为P型半导体。 A、二 B、三 C、四 D、五
的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 u o 的波形。
V ) ，二极管 V， u i 12 sin t ( 6.电路如图所示，设 E 6
的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 u o 的波形。
1-3整流滤波电路
填空： 1.整流电路的作用是________，核心元器件是 _______。 将交流电变成脉动的直流电 二极管 2.滤波电路的作用是________，滤波电路一定包含 _______元件。 降低输出直流电中的脉动成分 储能 3.单相半波整流，单相桥式整流相比，脉动比较大的 是_______，整流效果好的是_______。 单相半波 单相桥式 4.在单相桥式整流电路中，如果任意一个二极管反 接，则________，如果任意一只二极管脱焊，则 _______。 电源短路 成为半波整流
4．在常温下，锗二极管的死区电压约为_______V，导 通后在较大电流的正向压降约为_______V。 0.1 0.3 5．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越 小，说明二极管的_______性能越好。 单向导电 6．稳压管工作在伏安特性的________区，在该区内的 反向电流有较大变化，但它两端的电压_______。 反向击穿 基本不变
发射极 集电极 -0.3
RB↑
RB↓
ib + ui RB Rbe
ic + ¦Âib Rc
RL u o
-
ib + ui RB Rbe
ic + ¦Âib Rc
RL u o
-
Ri 2
金属
氧化物
半导体
N沟道
P沟道
增强型
耗尽型
二、选择题： V )，（忽略导通压降） 1．所示电路图中 u i 1.0 sin t ( 用示波器观察 u o 的波形正确的是_______。
2.电路如图所示,VD1～VD3为理想二极管,A、B、C白炽 灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是_______。 A. B. C. B C A
3．理想二极管桥式整流，电阻性负载电路中，二极管 承受的最大反向电压为_______。 A．小于 2U 2 B.等于 2U 2 C.大于 2U 2 ，小于 2 2U 2 D.等于 2 2U 2
交流
电压串联负反馈
交直流 电流并联负反馈
交直流 电压串联负反馈
交直流 电流串联负反馈
交直流 电压并联负反馈
交直流 电压串联正反馈
交直流 电压并联负反馈
交直流 电流并联负反馈
交直流 电流串联负反馈
交流
电压并联正反馈
交直流 电压并联负反馈
交流
电流串联正反馈
交直流 电压并联负反馈
交流
电压并联负反馈
2－1 半导体三极管 填充题 PNP NPN 1.三极管从结构上看可以分成＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿ 两种类型。 空穴 自由电子 2.晶体三极管工作时有＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿两 双极型 种载流子参与导电，因此三极管又称为＿＿＿＿＿＿ 晶体管。 3.设晶体管的压降 U CE 不变，基极电流为20μA时，集电 100 。若基极电流增大至 极电流等于2mA，则 =____ 120。 25μA，集电极电流相应地增大至2.6mA，则 =____
双端输入双端输出 单端输入双端输出 双端输入单端输出 单端输入单端输出
电压 串联
并联 电流 电压 增大 电流 减小
并联 电压 电流串联
F 1 1 A
2 25
三、判断题：
1.若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定 是负反馈。（ × ） 2.负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大 电路的放大倍数量纲相同。（ √ ）
0 .5 0 .7
1-2半导体二极管：
填空： 1．二极管正向导通的最小电压称为______电压，使二 极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_______ 电压.
死区 击穿 2．二极管最主要的特性是_______，使用时应考虑的 两个主要参数是_______和_______。 单向导电性 最大整流电流 最大反向工作电压 3．在常温下，硅二极管的死区电压约为_______V，导 通后在较大电流下的正向压降约为_______V 。 0.5 0.7
V：12V A1：14mA A2：6mA
2.电路如图所示，试估算输出电压 U o 1 和 U o 2 ， 并标出输出电压对地极性。
-45V
+
+9V
3．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示 u 2 10 2 sin t ( V )试求： （1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）； （2）正常工作时，Uo =？ 12V 9V （3）若电容脱焊，Uo=？ 14V （4）若RL开路，Uo =？ （5）若其中一个二极管开路，Uo =？10V
0 7．理想二极管正向电阻为________ ，反向电阻为 开关 无穷大 ，这两种状态相当于一个_______ _______ 。
8．当温度升高时，二极管的正向特性曲线将 下移 左移 ________ ，反向特性曲线将_______ 。
减小 ，反 9．当温度升高时，二极管的正向电压降_______ 减小 ，反向电流________ 增大 。 向击穿电压________
5.当温度为 20C 时，二极管的导通电压为0.7V ， 若其他参数不变，当温度升高到 40C 时，二极管的 导通电压将( )。 A.等于0.7V B.小于 0.7V C.大于0.7V 6.如图所示，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为( )。
A. VD1导通， VD2 、 VD3截止 B. VD2导通， VD1 、 VD3截止 C. VD3导通， VD1 、 VD2截止
7.图示电路中二极管导通压降U D 0.7 V，则输出电压 U O
为（ ）。 A．+12V B．+6V C．+0.7V D．-0.7V
3k VD
UO
12V
3k
8.在图示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V， VDZ2的 稳定电压为15V，输出电压VO等于( )。 A．15V B．9V C．24V
C)
计算 1．图示电路中，已知2CW5的参数如下：
稳定电压 U Z 12 V，最大稳定电流 I ZM 20mA ，若流经电 压表V的电流可忽略不计。求： 1)开关S合上时，电压表V、电流表A1和电流表A2的读 数为多少？ V：12V A1：12mA A2：6mA 2)开关S打开时，流过稳压管的电流为多少？IZ：12mA 3)开关S合上，且输入电压由原来30 V上升到33 V时， 此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？
∞
∞ 0
线性
非线性
虚断
虚短
B 反相
A 同相
三、判断题： 1、运算电路中一般均引入负反馈。（ √ ） 2、在运算电路中，集成运放的反相输入端均 为虚地。（ × ） 3、凡是集成运算放大器构成的电路都可以利 用“虚短”和“虚断”的概念。（ × ）
u o 10u i 1 5.5u i 2
场效应管 1 N沟道 P沟道
双极型晶体管 场效应管
单极 P沟道 N沟道
栅
短接
P沟道
增强型