2014年电子科技大学微电子器件考研真题
2014年电子科技大学微机原理复试真题
2014年电⼦科技⼤学微机原理复试真题共5页第1页电⼦科技⼤学硕⼠研究⽣⼊学考试复试笔试试题《微机原理与应⽤》试题卷(120分钟) 考试形式：闭卷考试⽇期： 2014年 3⽉⽇⼀、选择题（每题2分，共50分）1. ⽚内AMBA 总线中，APB 桥是（）。
A 、⽀持突发传输数据的B 、AHB ⾼性能系统的中枢C 、APB 中的唯⼀总线主设备D 、⼀种总线仲裁器2. 超标量微处理器的特点有（）。
A 、不仅能进⾏32位运算，也能进⾏64位运算B 、内部含有多条指令流⽔线和多个执⾏部件C 、数据传输速度很快，每个总线周期最⾼能传送4个64位数据D 、芯⽚内部集成的晶体管数超过100万个，功耗很⼤ 3. RISC 执⾏程序的速度优于CISC 的主要原因是（）。
A 、RISC 的指令数较少B 、程序在RISC 上编译的⽬标程序较短 C 、RISC 只允许Load/Store 指令访存D 、RISC 的指令平均周期数较少4. 以下ARM 指令中，（）的源操作数采⽤了相对寻址⽅式。
A 、MOV R0,#2 B 、LDR R0,[R1]C 、BL SUB1D 、ADD R0,R1,R2,LSL #15. ⽤于存放待执⾏指令所在地址的是（）。
A 、程序计数器B 、数据指针C 、指令寄存器D 、地址寄存器6. 在某64位总线系统中，若时钟频率为1GHz ，传送⼀个字需要5个时钟周期，则该总线的带宽为（）MB/s 。
A 、400B 、800C 、1600D 、32007. ARM 处理器中⽤于反映其⼯作状态的是CPSR 寄存器中的（）。
A 、I 位B 、T 位C 、F 位D 、C 位8. 某系统的总线操作时序如下图所⽰。
可知：该系统的最⼤寻址空间为（①）；数据线D0~7上传送的是（②）信息；总线可能采⽤了（③）时序控制⽅式。
① A 、1KB B 、2KB C 、4KB D 、8KB ② A 、写存储器 B 、写端⼝ C 、读存储器 D 、读端⼝③ A 、异步B 、同步C 、周期挪⽤D 、以上都不对9. 下列关于DMA 的说法中，错误的是（）。
(完整版)电子科技大学微电子器件习题
第二章 PN 结填空题1、若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为 N A =1.5 ×1016cm -3 ，则室温下该区的平衡多子 浓度 p p0与平衡少子浓度 n p0分别为（ ）和（ ）。
2、在 PN 结的空间电荷区中， P 区一侧带（ ）电荷， N 区一侧带（ ）电荷。
内建 电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。
3、当采用耗尽近似时， N 型耗尽区中的泊松方程为 （ ）。
由此方程可以看出， 掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。
4、 PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ）， 内建电势 V bi 就越（ ），反向饱和电流 I 0就越（ ），势垒电容 C T 就越（ ），雪崩击穿电 压就越（ ）。
5、硅突变结内建电势 V bi 可表为（），在室温下的典型值为（ ）伏特。
6、当对 PN 结外加正向电压时， 其势垒区宽度会 （ ），势垒区的势垒高度会 （）。
7、当对 PN 结外加反向电压时， 其势垒区宽度会 （ ），势垒区的势垒高度会 （ ）。
8、在 P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度 n p 与外加电压 V 之间的关系可表示为（ ）。
若P 型区的掺杂浓度 N A =1.5 ×1017cm -3，外加电压 V= 0.52V ，则 P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 n p 为（ ）。
9、当对 PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子 浓度（ ）；当对 PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡 少子浓度（ ）。
10、 PN 结的正向电流由（ 电流三部分所组成。
11、 PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）； PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（ ）。
12、当对 PN 结外加正向电压时，由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边 （ ）。
成都电子科技大学微电子器件2008-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。
掺杂浓度越高，内建电势将越（）。
2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。
3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。
4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。
5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。
6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。
7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。
（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。
（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。
10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。
11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。
12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。
13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）在（）中所占的比例增加所引起的。
14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）的电势差。
一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于（）以及（）所引起。
（第三个空填“>”、“<”或“=”）15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】241专业课真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：241法语（二外）注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、用括号中动词的正确形式填空。
（每空1分，共10分）1. Plusieurs éléments (rendre) ____________ maintenant la situation grave.2. Je vais vous inscrire. (donner) ____________ -moi votre passeport.3. Au début du 20e siècle, la télévision (être) ____________ en noir et blanc.4. Hier après-midi, je (dormir) ____________ pendant trois heures.5. Ne dépassez pas les limites de vitesse ou vous (avoir) ___________ une amende.6. Je voudrais simplement que la vous (savoir) ___________ la réalité.7. Si le voyage n’était pas si long, nous (aller) __________ plus souvent en Bretagne.8. Si tu (réviser) _______________ tes cours, tu aurais réussi ton examen.9. Il est furieux de (rater) __________________ son train.10. Il écoute France Inter à la radio (préparer) __________________ le repas.二、选择填空。
电子科技大学微电子器件 (习题解答)
s Emax
qND
在
x
xi2 处，E3
Emax
q
s
NA xp
,
由此得：xp
s Emax
qNA
(2) 对于无 I 型区的PN结,
xi1 0,
xi2 0,
E1
q
s
ND (x
xn ),
E3
q
s
NA(x
xp )
在
x
0 处，电场达到最大， Emax
q
s
ND xn
q
s
NA xp
E
Emax
E1
E3
x
0
表面上，两种结构的 Emax 的表达式相同，但由于两种结构 的掺杂相同，因而Vbi 相同（即电场曲线与横轴所围面积相同）， 所以两种结构的 xn、xp与 Emax 并不相同。
WB
dWB dVCE
0 NBdx
IC VA
WB
VA 0 NBdx
N
B
(WB
)
dWB dVCE
对均匀基区，VA
WB dWB dVCE
式中，dWB dxdB , VCE VCB VBE
因
VBE
保持不变，所以 dVCE
dVCB ,
于是：VA
WB dxdB dVCB
1
xdB
2s N
2DB n
,
将n
106 s 及 WB 、DB
之值代入，得： 0.9987。
7、
b
WB2 2DB
2
1
1
1.1251011(s)
8、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时， 由式（3-33a）和式（3-33b），
（完整版）电子科技大学微电子器件习题
（完整版）电子科技大学微电子器件习题第二章 PN 结填空题1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为 N A =1.5 M016cm -3，则室温下该区的平衡多子浓度P po与平衡少子浓度 n po 分别为（）和（）°2、在 PN 结的空间电荷区中， P 区一侧带（）电荷， N 区一侧带（）电荷。
内建电场的方向是从（）区指向（）区。
3、当采用耗尽近似时， N 型耗尽区中的泊松方程为（）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
4、 PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi 就越（），反向饱和电流I o 就越（）,势垒电容C T 就越（），雪崩击穿电压就越（）。
5、硅突变结内建电势 V bi 可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。
6、当对 PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
7、当对 PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压 V 之间的关系可表示为（）°若P 型区的掺杂浓度 N A =1.5 M017cm -3，外加电压V= 0.52V ,则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 n p 为（）°9、当对 PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
1o 、 PN 结的正向电流由（电流三部分所组成。
11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对 PN 结外加正向电压时，由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN 结扩散电流的表达式为（）。
电子科大考研微电子器件2014真题及答案
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电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题·微电子器件 @Nitengliao，@我没逗你玩儿
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2014年电子科技大学832微电子器件考研真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。
2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。
3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。
同时，禁带宽带越（）的半导体材料，其热稳定性越好。
（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。
（填“大”或“小”）5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理意义为（），因此τb/τB可以表示（）。
6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。
栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。
（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”）7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表面将形成（），该结构（）单向导电性。
（从以下选项中选择）A 电子阻挡层B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层E 具有F 不具有微电子器件试题共6页，第1页8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲线的斜率。
在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。
电子科技大学2015年硕士研究生微电子器件考研真题_电子科技大学专业课真题
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。
2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。
例如：（）只存在于正向偏压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。
3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正向导通压降更（）。
4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（）的数目。
电场越（），材料的禁带宽度越（），碰撞电离率将越大。
5、温度升高时，PN结的雪崩击穿电压将（），这是因为温度升高将导致晶格振动加强，因而载流子的平均自由程（）。
6、MOSFET用于数字电路时，其工作点设置在（）区和（）区；双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（）区。
7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间，又是（）电阻与（）电容的乘积。
8、双极型晶体管的跨导代表其（）电流受（）电压变化的影响。
双极型晶体管的直流偏置点电流I E越大，跨导越（）；工作温度越高，跨导越（）。
（第三、四个空填“大”或“小”）9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES（）I CS；I CBO（）I CEO；BV CBO（）BV CEO；BV EBO（）BV CBO（填“>”、“<”或“=”）10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（）零，发射结上的偏压（）零。
（填“>”、“<”或“=”）11、增加双极型晶体管的基区宽度将（）厄尔利电压，（）基极电阻，（）基区输运系数。
12、NMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。
当|V BS|增加时，其阈值电压将（）。
（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”）13、MOSFET的沟道载流子和位于半导体内的载流子相比，除受到（）散射及电离杂质散射作用外，还会受到（）散射，因此，通常沟道载流子的迁移率（）体内载流子迁移率。
(完整版)电子科技大学微电子器件习题
第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。
内建电场的方向是从（）区指向（）区。
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。
5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。
若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】840专业课真题
x
k1
θ
z
o
θ
k2
(3) 若这两束自然光光强不相等，设 I1=2I2, 也考虑光束夹角对光矢量振动方向的影响，求干 涉条纹的可见度。（10 分）
3. 用白色平行光正入射到透射式夫琅禾费衍射光栅上，在 300 衍射角上方向上观测到 600nm 的第 2 级主极大，但在该方向上 400nm 的主极大缺级。若该光栅刚好能分辨第 2 级光谱中在 600nm 附近波长差为 0.005nm 的两条谱线。求(1) 光栅常数; (2) 光栅的总宽度; (3) 狭缝的可 能最小宽度。（10 分）
A. 光源的横向宽度限制双缝的最大距离。
B. 光源的谱宽限制观察屏上干涉条纹的横向范围。
C. 条纹可见度整体随光源谱宽增大而降低。
D. 在光源临界宽度范围内，条纹可见度整体随光源宽度增大而降低。
13. 迈克耳逊干涉仪中补偿板的作用是
。
A. 消除两光路的不对称性
B. 补偿两光路的光程差
C. 在使用白色光源时补偿分光板的色散
B. 当 k 沿光轴时，S 与 k 的方向一致。
C. 当 k 沿光轴时，D 的方向无限制。
D. 当 k 沿主轴时，S 与 k 的方向一致。
22. 为使光正入射到单轴晶体内能获得最大的离散角，光轴与通光面的夹角β应满足
。
A. tgβ = ne / no
B. tgβ = no / ne
( ) C. tgβ = ne2 − no2 2neno
D．散射
25. 关于色散，下列说法中不正确的是
。
A. 正常色散发生在介质的透明区。
B. 反常色散发生在介质固有频率附近。
C. 正常色散是折射率随波长增加而减小的色散。 D. 反常色散是色散率为负的色散。
2014年电子科技大学836信号与系统和数字电路考研真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：836信号与系统和数字电路注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
信号与系统一：选择题（18分）请选择一个正确的答案写在答题纸上（注意标注好题号），多选不得分。
（1） 已知系统输入[]f n 和输出[]y n 间关系为[]2[1]y n f n =+１）请问系统是否线性系统？是否稳定系统？（ ）。
A 、线性，非稳定；B 、非线性，非稳定；C 、非线性，稳定；D 、线性，稳定。
２）该系统冲激响应为（ ）。
A 、[]2[1]h n n δ=+；B 、[]2[1]h n n δ=+；C 、[]2[1]h n n δ=−+；D 、不能确定。
３）对任意输入[]f n ，系统输出[]y n 可表示为（ ）。
A 、[]2[1][]y n n f n δ=−+∗；B 、[]2[1][]y n n f n δ=+∗；C 、[]2[1][]y n n f n δ=+∗；D 、答案Ａ，Ｂ，Ｃ均不对。
（2） “对连续时间系统，若系统函数()H s 的收敛域包含虚轴则系统稳定”，该说法适合（ ）系统。
A 、 线性；B 、时不变；C 、线性时不变；D 、任意。
（3） 已知信号()f t 的频谱如图1所示，用周期冲激串()() k p t t kT δ∞=−∞=−∑进行采样，为使采样后的信号频谱不混叠，则最小采样角频率应满足（ ）。
图1，第1-（3）题图A 、8s ωπ>；B 、6s ωπ>；C 、4s ωπ>；D 、2s ωπ>（4） 对连续时间周期信号()f t ，其傅里叶变换和拉普拉斯变换说法正确的是（ ）。
A 、先求傅里叶级数，再求傅里叶变换；且拉普拉斯变换存在。
B 、先求傅里叶级数，再求傅里叶变换；且拉普拉斯变换不存在。
C 、直接按定义式计算傅里叶变换；且拉普拉斯变换存在。
D 、直接按定义式计算傅里叶变换；且拉普拉斯变换不存在。
电子科技大学微电子器件习题
第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。
内建电场的方向是从（）区指向（）区。
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。
5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。
若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。
电子科技大学微电子器件习题
第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。
内建电场的方向是从（）区指向（）区。
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。
5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。
若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。
电子科技大学微电子器件习题
第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。
p02、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。
内建电场的方向是从（）区指向（）区。
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。
5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。
若P型区的掺杂浓度N A=×1017cm-3，外加电压V= ，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。
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电子科技大学微电子器件习题Hessen was revised in January 2021第二章 PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。
内建电场的方向是从（）区指向（）区。
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。
5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。
若P型区的掺杂浓度N A=×1017cm-3，外加电压V= ，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
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2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：832 微电子器件
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共48分，每空1.5分）
1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的
（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。
2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流
为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为
（）。
3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。
同时，禁带宽带越
（）的半导体材料，其热稳定性越好。
（第二个空填“大”或“小”）
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输
出电阻越（）。
（填“大”或“小”）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理
意义为（），因此τb/τB可以表示
（）。
6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。
栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。
（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”）
7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表
面将形成（），该结构（）单向导电性。
（从以下选项中选择）
A 电子阻挡层
B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
E 具有
F 不具有
微电子器件试题共6页，第1页
8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲
线的斜率。
在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，
从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。
10、如果以SiGe来制作BJT的发射区，Si来制作BJT的基区，则与全部采用Si材料的双极
型晶体管相比，其共基极电流放大系数α将（）。
（填“增大”、“减小”或“不变”）
11、根据恒场等比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩小K倍时，其阈值电压变为之前的
（），总电容变为之前的（），最高工作频率变为之前的（）。
12、研究发现硅-二氧化硅系统中，存在四种形式的电荷或能量状态，包括Na+、K+等可动离
子、（）、（）以及二氧化硅层中的电离陷阱电荷，通常它们都带正电，因此（）型MOSFET的衬底表面更容易反型。
13、PMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。
当|V BS|增加时，PMOS的阈值电压绝对值
将（），该效应叫做（）。
（第二个空填“增大”、“减小”
或“不变”）
二、简答与作图题(共57分)
1、如图所示，一块掺杂浓度为N D的无限长均匀N型半导体材料，在x的负半轴有一束光稳定地照射在半导体表面，产生体密度为G0的电子-空穴对。
（9分）
（1）写出该半导体材料在x正半轴的少子扩散方程。
（只考虑少子在x方向的运动）
（2）如果要通过上述扩散方程求解x正半轴的少子分布，应该采用什么样的边界条件？（3）如果该半导体材料在x正半轴的长度缩短为W（W远小于少子扩散长度），又应该采用什么样的边界条件求解？
微电子器件试题共6页，第2页
微电子器件 试题共6页，第3页
2、下图是一个通过扩散工艺制作的PN 结，由于横向扩散，在PN 结终止的地方会形成弯曲的结面。
发现该PN 结的雪崩击穿电压远小于平行平面结击穿电压的理论计算值，造成该现象的原因是什么？如果要提高该结构的击穿电压，对扩散工艺的时间应该做怎样的调整？为什么？（9分）。
3、请画出PNP 缓变基区晶体管工作在放大区的能带图和少子分布图，并标注出必要的物理量（10分）。
4、某PN+结在一定的外加正向电压下发生了大注入现象。
（10分）
（1）请问大注入发生在哪个区？
（2）大注入将在中性区引入自建电场，指出该自建电场的方向，并说明自建电场的形成过程。
（3）发生大注入的区域，其中性区与耗尽区交界处的少子浓度是多少？
微电子器件 试题共6页，第4页
5、下图为测试获得的某NPN 型双极型晶体管的击穿特性曲线。
请问测试时该双极型晶体管的E 、B 、C 三个电极的电位是如何连接的？请解释击穿特性曲线上为什么会有一段负阻区域？（9分）
6、下图是在25℃、75℃和125℃下测到的MOSFET 的三条转移特性曲线。
请问图中的温度T1、T2、T3分别对应哪一个温度？为什么？这样的温度特性对于MOSFET 在应用中的可靠性是有利还是有弊？为什么？（10分）
I DS V
GS 0
微电子器件 试题共6页，第5页
四、计算题（共45分）
1、图为某突变PN 结在外加电压下的能带图。
求：（1）外加电压为正向电压还是反向电压？大小是多少？（2）该PN 结的内建电势是多少？（3）如果P 型区和N 型区掺杂浓度的比值是4:1，现在分别有多少电压降在P 型区和N 型区的耗尽区上？ （10分）
2、一个NPN 双极型晶体管，掺杂浓度为N E =5×1018cm -3，N B =5×1016cm -3，N C =1×1013cm -3，发射区和基区宽度为W E =10µm ，W B =2µm 。
偏置条件为I B =2mA ，V BC =-3V 。
电子和空穴的扩散系数分别为D n =40cm 2/s 和D p =20cm 2/s ，电子和空穴的寿命均为1µs 。
求： （10分）
（1） 器件的共发射极直流短路电流放大系数β为多少？
（2） 器件的跨导g m 为多少？
3、某高频晶体管的β0=200，当信号频率f 为50MHz 时测得|βω|=8，且最大功率增益K pmax =100。
（10分）
求：（1）该晶体管的特征频率f T
（2）该晶体管的截止频率f β
（3）该晶体管的最高振荡频率f M
（4）当信号频率f 为200MHz 时该晶体管的|βω|和最大功率增益K pmax 值。
4、某MOSFET采用简并掺杂的P型多晶硅作栅电极。
假设多晶硅的禁带宽度与硅相同，均为1.1eV，且多晶硅的费米能级已经与价带顶E V重合；同时假设栅氧化层中不存在电荷。
在不加任何栅压时，该MOSFET的能带图如下图所示。
请问：（15分）
（1）该MOSFET是NMOS还是PMOS？是增强型还是耗尽型？为什么？
（2）未加任何栅压，为什么衬底表面的能级会向上弯曲？
（3）假设外加栅压有一半降在氧化层，一半降在半导体表面。
求器件的平带电压和阈值电压。
（4）如果将栅电极换成简并掺杂的N型多晶硅，其他假设条件不变，器件的阈值电压变为多少？
E C
E V （E F
V OX
C
F
i
v
微电子器件试题共6页，第6页。