2014年电子科技大学微电子器件考研真题

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2014年电子科技大学微机原理复试真题

2014年电子科技大学微机原理复试真题

2014年电⼦科技⼤学微机原理复试真题共5页第1页电⼦科技⼤学硕⼠研究⽣⼊学考试复试笔试试题《微机原理与应⽤》试题卷(120分钟) 考试形式:闭卷考试⽇期: 2014年 3⽉⽇⼀、选择题(每题2分,共50分)1. ⽚内AMBA 总线中,APB 桥是()。

A 、⽀持突发传输数据的B 、AHB ⾼性能系统的中枢C 、APB 中的唯⼀总线主设备D 、⼀种总线仲裁器2. 超标量微处理器的特点有()。

A 、不仅能进⾏32位运算,也能进⾏64位运算B 、内部含有多条指令流⽔线和多个执⾏部件C 、数据传输速度很快,每个总线周期最⾼能传送4个64位数据D 、芯⽚内部集成的晶体管数超过100万个,功耗很⼤ 3. RISC 执⾏程序的速度优于CISC 的主要原因是()。

A 、RISC 的指令数较少B 、程序在RISC 上编译的⽬标程序较短 C 、RISC 只允许Load/Store 指令访存D 、RISC 的指令平均周期数较少4. 以下ARM 指令中,()的源操作数采⽤了相对寻址⽅式。

A 、MOV R0,#2 B 、LDR R0,[R1]C 、BL SUB1D 、ADD R0,R1,R2,LSL #15. ⽤于存放待执⾏指令所在地址的是()。

A 、程序计数器B 、数据指针C 、指令寄存器D 、地址寄存器6. 在某64位总线系统中,若时钟频率为1GHz ,传送⼀个字需要5个时钟周期,则该总线的带宽为()MB/s 。

A 、400B 、800C 、1600D 、32007. ARM 处理器中⽤于反映其⼯作状态的是CPSR 寄存器中的()。

A 、I 位B 、T 位C 、F 位D 、C 位8. 某系统的总线操作时序如下图所⽰。

可知:该系统的最⼤寻址空间为(①);数据线D0~7上传送的是(②)信息;总线可能采⽤了(③)时序控制⽅式。

① A 、1KB B 、2KB C 、4KB D 、8KB ② A 、写存储器 B 、写端⼝ C 、读存储器 D 、读端⼝③ A 、异步B 、同步C 、周期挪⽤D 、以上都不对9. 下列关于DMA 的说法中,错误的是()。

(完整版)电子科技大学微电子器件习题

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第二章 PN 结填空题1、若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为 N A =1.5 ×1016cm -3 ,则室温下该区的平衡多子 浓度 p p0与平衡少子浓度 n p0分别为( )和( )。

2、在 PN 结的空间电荷区中, P 区一侧带( )电荷, N 区一侧带( )电荷。

内建 电场的方向是从( )区指向( )区。

3、当采用耗尽近似时, N 型耗尽区中的泊松方程为 ( )。

由此方程可以看出, 掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越( )。

4、 PN 结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越( ),内建电场的最大值就越( ), 内建电势 V bi 就越( ),反向饱和电流 I 0就越( ),势垒电容 C T 就越( ),雪崩击穿电 压就越( )。

5、硅突变结内建电势 V bi 可表为(),在室温下的典型值为( )伏特。

6、当对 PN 结外加正向电压时, 其势垒区宽度会 ( ),势垒区的势垒高度会 ()。

7、当对 PN 结外加反向电压时, 其势垒区宽度会 ( ),势垒区的势垒高度会 ( )。

8、在 P 型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度 n p 与外加电压 V 之间的关系可表示为( )。

若P 型区的掺杂浓度 N A =1.5 ×1017cm -3,外加电压 V= 0.52V ,则 P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 n p 为( )。

9、当对 PN 结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子 浓度( );当对 PN 结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡 少子浓度( )。

10、 PN 结的正向电流由( 电流三部分所组成。

11、 PN 结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是(); PN 结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是( )。

12、当对 PN 结外加正向电压时,由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散,一边 ( )。

成都电子科技大学微电子器件2008-2016年考研初试真题+答案

成都电子科技大学微电子器件2008-2016年考研初试真题+答案

电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目:832 微电子器件注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题(共44分,每空1分)1、PN结的内建电势也称为扩散电势,是指耗尽区中从()处到()处的电位差。

掺杂浓度越高,内建电势将越()。

2、根据耗尽近似和中性近似,在PN结势垒区内,()已完全耗尽;而在势垒区之外,()浓度等于电离杂质浓度,维持电中性。

3、在相同的电场强度和温度下,锗材料和硅材料相比较,碰撞电离率更高的是(),其原因是它的()更小。

4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时,如果结两侧掺杂浓度相差较小,浓度梯度较小,而结深较大时,则可将其近似为()结求解。

5、温度升高时,PN结的齐纳击穿电压会(),因为()随温度升高减小了。

6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照,该二极管的反向恢复时间将(),原因是电子辐照在半导体中引入了()。

7、当PN结的正向电流增大时,其直流增量电阻会(),扩散电容会()。

(填“变大”,“变小”或“不变”)8、双极型晶体管的基区宽度越小,其共发射极增量输出电阻越(),厄尔利电压越()。

(填“大”或“小”)9、双极型晶体管的发射结注入效率是指()电流与()电流之比。

10、双极型晶体管的基区发生大注入时,由于基区载流子浓度急剧增加,其发射结注入效率γ会();同时,和PN结大注入相类似,基区内会发生()效应。

11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在:()< f <()。

12、双极型晶体管的高频优值是指()与()的乘积。

13、小电流时,双极型晶体管的电流放大系数会下降,这是由于()在()中所占的比例增加所引起的。

14、MOS结构中,半导体的表面势是指从()到()的电势差。

一般来说,实际MOS结构的表面势是()零的,这主要是由于()以及()所引起。

(第三个空填“>”、“<”或“=”)15、为了降低栅氧化层电荷的影响,MOSFET通常会采用()晶面来制作。

电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】241专业课真题

电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】241专业课真题

电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目:241法语(二外)注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上均无效。

一、用括号中动词的正确形式填空。

(每空1分,共10分)1. Plusieurs éléments (rendre) ____________ maintenant la situation grave.2. Je vais vous inscrire. (donner) ____________ -moi votre passeport.3. Au début du 20e siècle, la télévision (être) ____________ en noir et blanc.4. Hier après-midi, je (dormir) ____________ pendant trois heures.5. Ne dépassez pas les limites de vitesse ou vous (avoir) ___________ une amende.6. Je voudrais simplement que la vous (savoir) ___________ la réalité.7. Si le voyage n’était pas si long, nous (aller) __________ plus souvent en Bretagne.8. Si tu (réviser) _______________ tes cours, tu aurais réussi ton examen.9. Il est furieux de (rater) __________________ son train.10. Il écoute France Inter à la radio (préparer) __________________ le repas.二、选择填空。

电子科技大学微电子器件 (习题解答)

电子科技大学微电子器件 (习题解答)

s Emax
qND

x
xi2 处,E3
Emax
q
s
NA xp
,
由此得:xp
s Emax
qNA
(2) 对于无 I 型区的PN结,
xi1 0,
xi2 0,
E1
q
s
ND (x
xn ),
E3
q
s
NA(x
xp )

x
0 处,电场达到最大, Emax
q
s
ND xn
q
s
NA xp
E
Emax
E1
E3
x
0
表面上,两种结构的 Emax 的表达式相同,但由于两种结构 的掺杂相同,因而Vbi 相同(即电场曲线与横轴所围面积相同), 所以两种结构的 xn、xp与 Emax 并不相同。
WB
dWB dVCE
0 NBdx
IC VA
WB
VA 0 NBdx
N
B
(WB
)
dWB dVCE
对均匀基区,VA
WB dWB dVCE
式中,dWB dxdB , VCE VCB VBE

VBE
保持不变,所以 dVCE
dVCB ,
于是:VA
WB dxdB dVCB
1
xdB
2s N
2DB n
,
将n
106 s 及 WB 、DB
之值代入,得: 0.9987。
7、
b
WB2 2DB
2
1
1
1.1251011(s)
8、以 NPN 管为例,当基区与发射区都是非均匀掺杂时, 由式(3-33a)和式(3-33b),

(完整版)电子科技大学微电子器件习题

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(完整版)电子科技大学微电子器件习题第二章 PN 结填空题1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为 N A =1.5 M016cm -3,则室温下该区的平衡多子浓度P po与平衡少子浓度 n po 分别为()和()°2、在 PN 结的空间电荷区中, P 区一侧带()电荷, N 区一侧带()电荷。

内建电场的方向是从()区指向()区。

3、当采用耗尽近似时, N 型耗尽区中的泊松方程为()。

由此方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。

4、 PN 结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势V bi 就越(),反向饱和电流I o 就越(),势垒电容C T 就越(),雪崩击穿电压就越()。

5、硅突变结内建电势 V bi 可表为(),在室温下的典型值为()伏特。

6、当对 PN 结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

7、当对 PN 结外加反向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

8、在P 型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度n p 与外加电压 V 之间的关系可表示为()°若P 型区的掺杂浓度 N A =1.5 M017cm -3,外加电压V= 0.52V ,则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 n p 为()°9、当对 PN 结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN 结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()。

1o 、 PN 结的正向电流由(电流三部分所组成。

11、PN 结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是();PN 结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是()。

12、当对 PN 结外加正向电压时,由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散,一边()。

每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的()。

13、PN 结扩散电流的表达式为()。

电子科大考研微电子器件2014真题及答案

电子科大考研微电子器件2014真题及答案
电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题·微电子器件 @Nitengliao,@我没逗你玩儿
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电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题·微电子器件 @Nitengliao,@我没逗你玩儿
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2014年电子科技大学832微电子器件考研真题

2014年电子科技大学832微电子器件考研真题

电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目:832 微电子器件注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题(共48分,每空1.5分)1、PN结二极管用途广泛,在作为变容二极管使用时,主要利用其()向偏置的()电容;在作为温度传感器使用时,主要利用其正向导通压降会随温度的升高而()。

2、一个P+N型的二极管,电子和空穴的寿命分别为τn和τp,在外加正向直流电压V1时电流为I1,当外加电压反向为-V2时,器件会经历一段反向恢复过程,这主要是由正向导通时存储在()型中性区中的非平衡少子造成的,该非平衡少子的总量为()。

3、防止PN结发生热击穿,最有效的措施是降低器件的()。

同时,禁带宽带越()的半导体材料,其热稳定性越好。

(第二个空填“大”或“小”)4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重,其厄尔利电压越(),共发射极增量输出电阻越()。

(填“大”或“小”)5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB,则1/τB表示的物理意义为(),因此τb/τB可以表示()。

6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中()的控制能力。

栅氧化层越厚,则S越(),该控制能力越()。

(第二个空填“大”或“小”,第三个空填“强”或“弱”)7、当金属和P型半导体形成金-半接触时,如果金属的功函数大于半导体的功函数,半导体表面将形成(),该结构()单向导电性。

(从以下选项中选择)A 电子阻挡层B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层E 具有F 不具有微电子器件试题共6页,第1页8、MOSFET的跨导是()特性曲线的斜率,而漏源电导是()特性曲线的斜率。

在模拟电路中,MOSFET一般工作在()区,此时理想情况下漏源电导应为零,但实际上由于()和(),漏源电导通常为正的有限值。

9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构,是为了降低漏端附近的电场强度,从而抑制()效应,防止器件电学特性退化。

电子科技大学2015年硕士研究生微电子器件考研真题_电子科技大学专业课真题

电子科技大学2015年硕士研究生微电子器件考研真题_电子科技大学专业课真题

电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目:832 微电子器件注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题(共45分,每空1分)1、泊松方程的积分形式即是()定理,它的物理意义是:流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的()。

2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。

例如:()只存在于正向偏压之下;()的正负电荷在空间上是分离的;()能用作变容二极管。

3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比,其反向饱和电流更(),正向导通压降更()。

4、碰撞电离率是指每个载流子在()内由于碰撞电离产生的()的数目。

电场越(),材料的禁带宽度越(),碰撞电离率将越大。

5、温度升高时,PN结的雪崩击穿电压将(),这是因为温度升高将导致晶格振动加强,因而载流子的平均自由程()。

6、MOSFET用于数字电路时,其工作点设置在()区和()区;双极型晶体管用于模拟电路时,其直流偏置点设置在()区。

7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间,又是()电阻与()电容的乘积。

8、双极型晶体管的跨导代表其()电流受()电压变化的影响。

双极型晶体管的直流偏置点电流I E越大,跨导越();工作温度越高,跨导越()。

(第三、四个空填“大”或“小”)9、一般来说,双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为:I ES()I CS;I CBO()I CEO;BV CBO()BV CEO;BV EBO()BV CBO(填“>”、“<”或“=”)10、当双极型晶体管集电极反偏,发射极开路时,发射极电流()零,发射结上的偏压()零。

(填“>”、“<”或“=”)11、增加双极型晶体管的基区宽度将()厄尔利电压,()基极电阻,()基区输运系数。

12、NMOS的衬底相对于源端应该接()电位。

当|V BS|增加时,其阈值电压将()。

(第二个空填“增大”、“减小”或“不变”)13、MOSFET的沟道载流子和位于半导体内的载流子相比,除受到()散射及电离杂质散射作用外,还会受到()散射,因此,通常沟道载流子的迁移率()体内载流子迁移率。

(完整版)电子科技大学微电子器件习题

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第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3,则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为()和()。

2、在PN结的空间电荷区中,P区一侧带()电荷,N区一侧带()电荷。

内建电场的方向是从()区指向()区。

3、当采用耗尽近似时,N型耗尽区中的泊松方程为()。

由此方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。

4、PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势V bi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容C T就越(),雪崩击穿电压就越()。

5、硅突变结内建电势V bi可表为(),在室温下的典型值为()伏特。

6、当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

7、当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为()。

若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3,外加电压V= 0.52V,则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为()。

9、当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()。

10、PN结的正向电流由()电流、()电流和()电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是();PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是()。

12、当对PN结外加正向电压时,由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散,一边()。

每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的()。

13、PN结扩散电流的表达式为()。

这个表达式在正向电压下可简化为(),在反向电压下可简化为()。

14、在PN结的正向电流中,当电压较低时,以()电流为主;当电压较高时,以()电流为主。

电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】840专业课真题

电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】840专业课真题
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x
k1
θ
z
o
θ
k2
(3) 若这两束自然光光强不相等,设 I1=2I2, 也考虑光束夹角对光矢量振动方向的影响,求干 涉条纹的可见度。(10 分)
3. 用白色平行光正入射到透射式夫琅禾费衍射光栅上,在 300 衍射角上方向上观测到 600nm 的第 2 级主极大,但在该方向上 400nm 的主极大缺级。若该光栅刚好能分辨第 2 级光谱中在 600nm 附近波长差为 0.005nm 的两条谱线。求(1) 光栅常数; (2) 光栅的总宽度; (3) 狭缝的可 能最小宽度。(10 分)
A. 光源的横向宽度限制双缝的最大距离。
B. 光源的谱宽限制观察屏上干涉条纹的横向范围。
C. 条纹可见度整体随光源谱宽增大而降低。
D. 在光源临界宽度范围内,条纹可见度整体随光源宽度增大而降低。
13. 迈克耳逊干涉仪中补偿板的作用是

A. 消除两光路的不对称性
B. 补偿两光路的光程差
C. 在使用白色光源时补偿分光板的色散
B. 当 k 沿光轴时,S 与 k 的方向一致。
C. 当 k 沿光轴时,D 的方向无限制。
D. 当 k 沿主轴时,S 与 k 的方向一致。
22. 为使光正入射到单轴晶体内能获得最大的离散角,光轴与通光面的夹角β应满足

A. tgβ = ne / no
B. tgβ = no / ne
( ) C. tgβ = ne2 − no2 2neno
D.散射
25. 关于色散,下列说法中不正确的是

A. 正常色散发生在介质的透明区。
B. 反常色散发生在介质固有频率附近。
C. 正常色散是折射率随波长增加而减小的色散。 D. 反常色散是色散率为负的色散。

2014年电子科技大学836信号与系统和数字电路考研真题

2014年电子科技大学836信号与系统和数字电路考研真题

电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目:836信号与系统和数字电路注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上均无效。

信号与系统一:选择题(18分)请选择一个正确的答案写在答题纸上(注意标注好题号),多选不得分。

(1) 已知系统输入[]f n 和输出[]y n 间关系为[]2[1]y n f n =+1)请问系统是否线性系统?是否稳定系统?( )。

A 、线性,非稳定;B 、非线性,非稳定;C 、非线性,稳定;D 、线性,稳定。

2)该系统冲激响应为( )。

A 、[]2[1]h n n δ=+;B 、[]2[1]h n n δ=+;C 、[]2[1]h n n δ=−+;D 、不能确定。

3)对任意输入[]f n ,系统输出[]y n 可表示为( )。

A 、[]2[1][]y n n f n δ=−+∗;B 、[]2[1][]y n n f n δ=+∗;C 、[]2[1][]y n n f n δ=+∗;D 、答案A,B,C均不对。

(2) “对连续时间系统,若系统函数()H s 的收敛域包含虚轴则系统稳定”,该说法适合( )系统。

A 、 线性;B 、时不变;C 、线性时不变;D 、任意。

(3) 已知信号()f t 的频谱如图1所示,用周期冲激串()() k p t t kT δ∞=−∞=−∑进行采样,为使采样后的信号频谱不混叠,则最小采样角频率应满足( )。

图1,第1-(3)题图A 、8s ωπ>;B 、6s ωπ>;C 、4s ωπ>;D 、2s ωπ>(4) 对连续时间周期信号()f t ,其傅里叶变换和拉普拉斯变换说法正确的是( )。

A 、先求傅里叶级数,再求傅里叶变换;且拉普拉斯变换存在。

B 、先求傅里叶级数,再求傅里叶变换;且拉普拉斯变换不存在。

C 、直接按定义式计算傅里叶变换;且拉普拉斯变换存在。

D 、直接按定义式计算傅里叶变换;且拉普拉斯变换不存在。

电子科技大学微电子器件习题

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第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3,则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为()和()。

2、在PN结的空间电荷区中,P区一侧带()电荷,N区一侧带()电荷。

内建电场的方向是从()区指向()区。

3、当采用耗尽近似时,N型耗尽区中的泊松方程为()。

由此方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。

4、PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势V bi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容C T就越(),雪崩击穿电压就越()。

5、硅突变结内建电势V bi可表为(),在室温下的典型值为()伏特。

6、当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

7、当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为()。

若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3,外加电压V= 0.52V,则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为()。

9、当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()。

10、PN结的正向电流由()电流、()电流和()电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是();PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是()。

12、当对PN结外加正向电压时,由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散,一边()。

每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的()。

13、PN结扩散电流的表达式为()。

这个表达式在正向电压下可简化为(),在反向电压下可简化为()。

14、在PN结的正向电流中,当电压较低时,以()电流为主;当电压较高时,以()电流为主。

电子科技大学微电子器件习题

电子科技大学微电子器件习题

第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3,则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为()和()。

2、在PN结的空间电荷区中,P区一侧带()电荷,N区一侧带()电荷。

内建电场的方向是从()区指向()区。

3、当采用耗尽近似时,N型耗尽区中的泊松方程为()。

由此方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。

4、PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势V bi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容C T就越(),雪崩击穿电压就越()。

5、硅突变结内建电势V bi可表为(),在室温下的典型值为()伏特。

6、当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

7、当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为()。

若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3,外加电压V= 0.52V,则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为()。

9、当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()。

10、PN结的正向电流由()电流、()电流和()电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是();PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是()。

12、当对PN结外加正向电压时,由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散,一边()。

每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的()。

13、PN结扩散电流的表达式为()。

这个表达式在正向电压下可简化为(),在反向电压下可简化为()。

14、在PN结的正向电流中,当电压较低时,以()电流为主;当电压较高时,以()电流为主。

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第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=×1016cm-3,则室温下该区的平衡多子浓度p与平衡少子浓度n p0分别为()和()。

p02、在PN结的空间电荷区中,P区一侧带()电荷,N区一侧带()电荷。

内建电场的方向是从()区指向()区。

3、当采用耗尽近似时,N型耗尽区中的泊松方程为()。

由此方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。

4、PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势V bi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容C T就越(),雪崩击穿电压就越()。

5、硅突变结内建电势V bi可表为(),在室温下的典型值为()伏特。

6、当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

7、当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为()。

若P型区的掺杂浓度N A=×1017cm-3,外加电压V= ,则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为()。

9、当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()。

10、PN结的正向电流由()电流、()电流和()电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是();PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是()。

12、当对PN结外加正向电压时,由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散,一边()。

每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的()。

13、PN结扩散电流的表达式为()。

这个表达式在正向电压下可简化为(),在反向电压下可简化为()。

14、在PN结的正向电流中,当电压较低时,以()电流为主;当电压较高时,以()电流为主。

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电子科技大学微电子器件习题Hessen was revised in January 2021第二章 PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=×1016cm-3,则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为()和()。

2、在PN结的空间电荷区中,P区一侧带()电荷,N区一侧带()电荷。

内建电场的方向是从()区指向()区。

3、当采用耗尽近似时,N型耗尽区中的泊松方程为()。

由此方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。

4、PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势V bi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容C T就越(),雪崩击穿电压就越()。

5、硅突变结内建电势V bi可表为(),在室温下的典型值为()伏特。

6、当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

7、当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为()。

若P型区的掺杂浓度N A=×1017cm-3,外加电压V= ,则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为()。

9、当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()。

10、PN结的正向电流由()电流、()电流和()电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是();PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是()。

12、当对PN结外加正向电压时,由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散,一边()。

每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的()。

13、PN结扩散电流的表达式为()。

这个表达式在正向电压下可简化为(),在反向电压下可简化为()。

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电子科技大学
2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目:832 微电子器件
注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题(共48分,每空1.5分)
1、PN结二极管用途广泛,在作为变容二极管使用时,主要利用其()向偏置的
()电容;在作为温度传感器使用时,主要利用其正向导通压降会随温度的升高而()。

2、一个P+N型的二极管,电子和空穴的寿命分别为τn和τp,在外加正向直流电压V1时电流
为I1,当外加电压反向为-V2时,器件会经历一段反向恢复过程,这主要是由正向导通时存储在()型中性区中的非平衡少子造成的,该非平衡少子的总量为
()。

3、防止PN结发生热击穿,最有效的措施是降低器件的()。

同时,禁带宽带越
()的半导体材料,其热稳定性越好。

(第二个空填“大”或“小”)
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重,其厄尔利电压越(),共发射极增量输
出电阻越()。

(填“大”或“小”)
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB,则1/τB表示的物理
意义为(),因此τb/τB可以表示
()。

6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中()的控制能力。

栅氧化层越厚,则S越(),该控制能力越()。

(第二个空填“大”或“小”,第三个空填“强”或“弱”)
7、当金属和P型半导体形成金-半接触时,如果金属的功函数大于半导体的功函数,半导体表
面将形成(),该结构()单向导电性。

(从以下选项中选择)
A 电子阻挡层
B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
E 具有
F 不具有
微电子器件试题共6页,第1页
8、MOSFET的跨导是()特性曲线的斜率,而漏源电导是()特性曲
线的斜率。

在模拟电路中,MOSFET一般工作在()区,此时理想情况下漏源电导应为零,但实际上由于()和(),漏源电导通常为正的有限值。

9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构,是为了降低漏端附近的电场强度,
从而抑制()效应,防止器件电学特性退化。

10、如果以SiGe来制作BJT的发射区,Si来制作BJT的基区,则与全部采用Si材料的双极
型晶体管相比,其共基极电流放大系数α将()。

(填“增大”、“减小”或“不变”)
11、根据恒场等比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩小K倍时,其阈值电压变为之前的
(),总电容变为之前的(),最高工作频率变为之前的()。

12、研究发现硅-二氧化硅系统中,存在四种形式的电荷或能量状态,包括Na+、K+等可动离
子、()、()以及二氧化硅层中的电离陷阱电荷,通常它们都带正电,因此()型MOSFET的衬底表面更容易反型。

13、PMOS的衬底相对于源端应该接()电位。

当|V BS|增加时,PMOS的阈值电压绝对值
将(),该效应叫做()。

(第二个空填“增大”、“减小”
或“不变”)
二、简答与作图题(共57分)
1、如图所示,一块掺杂浓度为N D的无限长均匀N型半导体材料,在x的负半轴有一束光稳定地照射在半导体表面,产生体密度为G0的电子-空穴对。

(9分)
(1)写出该半导体材料在x正半轴的少子扩散方程。

(只考虑少子在x方向的运动)
(2)如果要通过上述扩散方程求解x正半轴的少子分布,应该采用什么样的边界条件?(3)如果该半导体材料在x正半轴的长度缩短为W(W远小于少子扩散长度),又应该采用什么样的边界条件求解?
微电子器件试题共6页,第2页
微电子器件 试题共6页,第3页
2、下图是一个通过扩散工艺制作的PN 结,由于横向扩散,在PN 结终止的地方会形成弯曲的结面。

发现该PN 结的雪崩击穿电压远小于平行平面结击穿电压的理论计算值,造成该现象的原因是什么?如果要提高该结构的击穿电压,对扩散工艺的时间应该做怎样的调整?为什么?(9分)。

3、请画出PNP 缓变基区晶体管工作在放大区的能带图和少子分布图,并标注出必要的物理量(10分)。

4、某PN+结在一定的外加正向电压下发生了大注入现象。

(10分)
(1)请问大注入发生在哪个区?
(2)大注入将在中性区引入自建电场,指出该自建电场的方向,并说明自建电场的形成过程。

(3)发生大注入的区域,其中性区与耗尽区交界处的少子浓度是多少?
微电子器件 试题共6页,第4页
5、下图为测试获得的某NPN 型双极型晶体管的击穿特性曲线。

请问测试时该双极型晶体管的E 、B 、C 三个电极的电位是如何连接的?请解释击穿特性曲线上为什么会有一段负阻区域?(9分)
6、下图是在25℃、75℃和125℃下测到的MOSFET 的三条转移特性曲线。

请问图中的温度T1、T2、T3分别对应哪一个温度?为什么?这样的温度特性对于MOSFET 在应用中的可靠性是有利还是有弊?为什么?(10分)
I DS V
GS 0
微电子器件 试题共6页,第5页
四、计算题(共45分)
1、图为某突变PN 结在外加电压下的能带图。

求:(1)外加电压为正向电压还是反向电压?大小是多少?(2)该PN 结的内建电势是多少?(3)如果P 型区和N 型区掺杂浓度的比值是4:1,现在分别有多少电压降在P 型区和N 型区的耗尽区上? (10分)
2、一个NPN 双极型晶体管,掺杂浓度为N E =5×1018cm -3,N B =5×1016cm -3,N C =1×1013cm -3,发射区和基区宽度为W E =10µm ,W B =2µm 。

偏置条件为I B =2mA ,V BC =-3V 。

电子和空穴的扩散系数分别为D n =40cm 2/s 和D p =20cm 2/s ,电子和空穴的寿命均为1µs 。

求: (10分)
(1) 器件的共发射极直流短路电流放大系数β为多少?
(2) 器件的跨导g m 为多少?
3、某高频晶体管的β0=200,当信号频率f 为50MHz 时测得|βω|=8,且最大功率增益K pmax =100。

(10分)
求:(1)该晶体管的特征频率f T
(2)该晶体管的截止频率f β
(3)该晶体管的最高振荡频率f M
(4)当信号频率f 为200MHz 时该晶体管的|βω|和最大功率增益K pmax 值。

4、某MOSFET采用简并掺杂的P型多晶硅作栅电极。

假设多晶硅的禁带宽度与硅相同,均为1.1eV,且多晶硅的费米能级已经与价带顶E V重合;同时假设栅氧化层中不存在电荷。

在不加任何栅压时,该MOSFET的能带图如下图所示。

请问:(15分)
(1)该MOSFET是NMOS还是PMOS?是增强型还是耗尽型?为什么?
(2)未加任何栅压,为什么衬底表面的能级会向上弯曲?
(3)假设外加栅压有一半降在氧化层,一半降在半导体表面。

求器件的平带电压和阈值电压。

(4)如果将栅电极换成简并掺杂的N型多晶硅,其他假设条件不变,器件的阈值电压变为多少?
E C
E V (E F
V OX
C
F
i
v
微电子器件试题共6页,第6页。

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