CMP化学机械抛光材料项目初步方案

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cmp 化学机械抛光 技术详解

cmp 化学机械抛光 技术详解

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化学机械抛光工艺(CMP)全解(可编辑修改word版)

化学机械抛光工艺(CMP)全解(可编辑修改word版)

化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具体添加剂摘要:本文首先定义并介绍 CMP 工艺的基本工作原理,然后,通过介绍 CMP 系统,从工艺设备角度定性分析了解 CMP 的工作过程,通过介绍分析 CMP 工艺参数,对 CMP 作定量了解。

在文献精度中,介绍了一个 SiO2的CMP 平均磨除速率模型,其中考虑了磨粒尺寸,浓度,分布,研磨液流速,抛光势地形,材料性能。

经过实验,得到的实验结果与模型比较吻合。

MRR 模型可用于CMP 模拟,CMP 过程参数最佳化以及下一代 CMP 设备的研发。

最后,通过对 VLSI 制造技术的课程回顾,归纳了课程收获,总结了课程感悟。

关键词:CMP、研磨液、平均磨除速率、设备Abstract:This article first defined and introduces the basic working principle of the CMP process, and then, by introducing the CMP system, from the perspective of process equipment qualitative analysis to understand the working process of the CMP, and by introducing the CMP process parameters, make quantitative understanding on CMP.In literature precision, introduce a CMP model of SiO2, which takes into account the particle size, concentration, distribution of grinding fluid velocity, polishing potential terrain, material performance.After test, the experiment result compared with the model.MRR model can be used in the CMP simulation, CMP process parameter optimization as well as the next generation of CMP equipment research and development.Through the review of VLSI manufacturing technology course, finally sums up the course, summed up the course.Key word: CMP、slumry、MRRs、device1.前言随着半导体工业飞速发展,电子器件尺寸缩小,要求晶片表面平整度达到纳米级。

氧化铝cmp化学机械抛光钨

氧化铝cmp化学机械抛光钨

氧化铝cmp化学机械抛光钨以氧化铝CMP化学机械抛光钨引言:氧化铝化学机械抛光(CMP)是一种常用的表面处理技术,它在集成电路制造、半导体封装、光电子器件制造等领域有着广泛的应用。

而钨是一种重要的材料,在电子、光电、航空航天等领域都有着广泛的应用。

本文将介绍氧化铝CMP化学机械抛光钨的原理、过程和应用。

一、氧化铝CMP化学机械抛光原理氧化铝CMP化学机械抛光是一种同时使用化学和机械作用来改变材料表面形貌的技术。

其原理是在研磨液中加入一定的氧化铝颗粒,通过与材料表面的摩擦作用和化学反应,来实现对材料表面的去除和平整。

在氧化铝CMP过程中,研磨液中的氧化铝颗粒通过与钨表面的摩擦作用和化学反应,可以去除钨表面的不平整和杂质,使其达到所需的光洁度和平整度。

二、氧化铝CMP化学机械抛光过程氧化铝CMP化学机械抛光钨的过程可以分为几个关键步骤:1. 研磨液的准备:选择适当的研磨液,其中主要成分是氧化铝颗粒和化学添加剂。

研磨液的配比和pH值的控制对于抛光过程的效果具有重要影响。

2. 研磨头的选择:根据不同的抛光要求和材料特性选择合适的研磨头,以实现对钨表面的去除和平整。

3. 抛光机的设置:根据具体的抛光要求设置合适的抛光参数,如旋转速度、压力和时间等,以控制抛光过程的效果。

4. 抛光过程的控制:在抛光过程中,通过控制研磨液的流量和抛光头的运动轨迹,来实现对钨表面的均匀去除和平整。

5. 清洗和检测:抛光完成后,需要对样品进行清洗和表面检测,以确保抛光效果和质量的要求。

三、氧化铝CMP化学机械抛光钨的应用氧化铝CMP化学机械抛光钨在微电子工艺、集成电路制造和半导体封装等领域有着广泛的应用。

1. 微电子工艺:在微电子工艺中,钨常用作金属导线和电极材料。

通过氧化铝CMP化学机械抛光钨,可以实现对钨表面的平整和去除杂质,提高电子器件的性能和可靠性。

2. 集成电路制造:在集成电路制造中,氧化铝CMP化学机械抛光钨被广泛应用于金属化层的制备。

化学机械抛光(CMP)技术、设备及投资概况

化学机械抛光(CMP)技术、设备及投资概况
责任编辑:毛烁
化学机械抛光(CMP)技术、 设备及投资概况
Overview of CMP technology, equipment and investment
作者/李丹 赛迪顾问 集成电路产业研究中心高级分析师 (北京 100048)
摘要:分析了CMP设备技术、设备供应商及投资要点。 关键词:CMP;设备;投资
1.2 CMP抛光工艺技术原理 CMP从概念上很简单,但纳米级CMP其实是一项
很复杂的工艺。在晶圆表面堆叠的不同薄膜各自具有 不同的硬度,需以不同的速率进行研磨。这可能会导 致“凹陷”现象,也就是较软的部分会凹到较硬材料 的平面之下。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方 法,CMP通过化学的和机械的综合作用,最大程度减 少较硬材料与较软材料在材料损伤和由单纯 化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一 致性差等缺点。
CMP在二十世纪90年代中期真正开始起飞,当时 半导体业希望用导电速度更快的铜电路取代铝电路, 来提高芯片的性能。铝互连线的制作是先沉积一层金 属层,然后再用反应性气体把不要的部分腐蚀掉,铜 金属层无法使用这种方法轻易去除,因此开发出了铜 CMP 技术。今天生产的每一块微处理器都使用铜连 线,而CMP设备更是任何芯片制造商不可或缺的必备 工具。CMP工艺在芯片制造中的应用包括浅沟槽隔离 平坦化(STI CMP)、多晶硅平坦化(Poly CMP)、 层间介质平坦化(ILD CMP)、金属间介平坦化 (IMD CMP)、铜互连平坦化(Cu CMP)。
1 CMP设备技术概况
1.1 CMP工艺技术发展进程 化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,
CMP)技术的概念是1965年由Monsanto首次提出,该 技术最初是用于获取高质量的玻璃表面,如军用望远 镜等。CMP工艺由 IBM 于1984年引入集成电路制造 工业,它首先用于后道工艺金属间绝缘介质(IMD) 层的平坦化,之后用于金属钨(W)的平坦化,随后又 用于浅沟槽隔离(ST)和铜(Cu)的平坦化。整个CMP 工艺只要短短的30秒就能完成,包括退出CMP系统前 的研磨后清洁(对晶圆进行洗涤、冲洗和干燥)。所 有这些工序整合到一起,可实现极佳的平坦度。

氮化镓cmp化学机械抛光_概述说明以及解释

氮化镓cmp化学机械抛光_概述说明以及解释

氮化镓cmp化学机械抛光概述说明以及解释1. 引言1.1 概述氮化镓CMP化学机械抛光是一种常用于半导体制造过程中的表面处理技术,可以实现对氮化镓材料表面的平整化和清洁化。

随着氮化镓半导体器件在日常生活和工业应用中的广泛应用,对氮化镓CMP的研究与发展也日益重要。

本文旨在系统地介绍氮化镓CMP技术的基本原理、关键参数以及影响因素。

通过对近期研究进展的归纳与分析,总结出氮化镓CMP在半导体制造中的应用领域以及优化策略和挑战。

此外,还将探讨近期改进和创新对该方法进行了哪些改善,并提供了针对未来研究方向和工业应用前景的建议。

1.2 文章结构本文共分为五个部分。

第一部分是引言部分,在这一部分我们将概述文章所涵盖内容以及列举文中各个小节目录作简要说明。

第二部分将详细介绍氮化镓CMP技术的基本原理、关键参数以及影响因素。

首先会对化学机械抛光技术进行概述,然后重点讨论氮化镓CMP的基本原理以及CMP过程中的关键参数。

第三部分将探讨氮化镓CMP在半导体制造中的应用以及工艺优化策略和挑战。

我们将详细介绍氮化镓CMP在半导体制造中的具体应用领域,并对优化策略和挑战进行深入讨论。

此外,还会总结近期研究对氮化镓CMP方法进行的改进与创新。

第四部分将介绍氮化镓CMP实验方法和步骤,并对所使用的设备和材料进行简单介绍。

我们还会详细解释实验流程和步骤,并给出实验结果及数据分析方法。

最后一部分是结论与展望,在这一部分我们将对全文内容进行总结,回顾所得到的研究成果,并提出对未来氮化镓CMP研究方向和工业应用前景的建议与展望。

1.3 目的本文旨在提供一份系统、全面且准确地关于氮化镓CMP技术的文章,以满足读者对该技术原理、应用和发展的需求。

通过深入地研究和分析,本文希望能够促进氮化镓CMP技术在半导体制造领域的应用,并为未来的研究方向和工业应用提供有效的指导和展望。

2. 氮化镓CMP化学机械抛光的原理2.1 化学机械抛光技术概述化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)技术是一种通过在制造过程中对材料表面进行仿佛研磨和化学反应的综合处理方法。

集成电路化学机械抛光关键技术与装备

集成电路化学机械抛光关键技术与装备

集成电路化学机械抛光关键技术与装备集成电路(IC)在我们现代生活中扮演着不可或缺的角色,真是“家家户户离不了,寸步难行”。

然而,要想让这些小小的芯片在电路中发挥大作用,背后有一项非常重要的工艺——化学机械抛光(CMP)。

说到CMP,听起来有点复杂,其实就是通过化学和机械的结合,给芯片表面一个光滑、平整的“美容”过程,像是给芯片做了一次高档的面部护理。

1. CMP的基本原理1.1 什么是CMP?CMP其实就像是一种“打磨和清洁”的双重工艺。

你想啊,集成电路的生产过程就像在做一幅精致的画,表面越平滑,作品的质量就越高。

CMP利用化学药剂和机械力量的结合,帮助去除多余的材料,让芯片的表面达到一种“光滑如镜”的效果。

1.2 CMP的必要性你可能会问,为什么芯片需要抛光呢?这个就好比你在家里搞卫生,桌子不擦干净,东西一放上去就会显得杂乱无章。

集成电路的结构微小而复杂,任何细小的瑕疵都可能导致性能下降,甚至引发“闪退”之类的尴尬状况。

通过CMP抛光,不仅能提高芯片的性能,还能大大增强它的耐用性。

简而言之,CMP就是芯片的“安全保障”,让它在使用中不至于“翻车”。

2. CMP的关键技术2.1 药剂的选择CMP的成功与否,药剂的选择至关重要。

就像做菜,调料的搭配能决定一道菜的成败。

CMP中常用的药剂包括氧化剂、抛光液等,这些药剂的作用就是帮助去除芯片表面的杂质,促进材料的磨损。

选对药剂,抛光效果事半功倍,选错了,可能就会“事与愿违”。

所以,科研人员在这方面可是费尽心思,反复试验,就为了找到那几种“黄金配方”。

2.2 机械装备的设计除了药剂,机械装备的设计也不容小觑。

CMP设备就像是给芯片“按摩”的工具,必须要有合适的压力、速度和运动轨迹。

想象一下,如果给脸部按摩的手法不对,反而会造成肌肤受伤,那芯片在不恰当的条件下抛光,岂不是会损伤其内部结构?因此,设计一台高效的CMP设备,就需要技术团队在多个领域的知识碰撞、创新,真是“群策群力”。

CMP化学机械抛光材料产业实施方案

CMP化学机械抛光材料产业实施方案

CMP化学机械抛光材料产业实施方案20xx年CMP化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing)工艺是半导体制造过程中的关键流程之一,利用了磨损中的“软磨硬”原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。

通过化学的和机械的综合作用,从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。

牢固树立创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,发挥区域示范引领作用,加快产业领域体制机制创新,促进城市建设发展转型,实现产业发展进一步提升。

当前是我国加快转变经济发展方式的关键时期,为加快区域产业转型升级,提升产业核心竞争力,促进行业持续健康发展,提出本指导意见。

一、指导思路深入贯彻落实科学发展观,加快转变产业发展方式,优化产业结构,加快技术进步,发展循环经济,提升发展质量和效益,进一步加大联合重组、淘汰落后力度,走高效的可持续发展道路,促进产业长期平稳较快发展。

二、指导原则1、因地制宜,科学发展。

充分结合各区域经济社会发展水平、资源条件,分地区、分类型制定科学合理的工作路线,指导推动产业现代化发展。

2、人才为先。

把人才作为发展产业的首要资源,创新培养、引进和使用人才机制,保障人才以知识、技能、管理等创新要素参与利益分配,以市场价值回报人才价值,弘扬新时期工匠精神和企业家精神,最大限度地激发人才的创业创新活力,夯实产业发展智力基础。

3、坚持融合发展。

推进业态和模式创新,促进信息技术与产业深度融合,强化产业与上下游产业跨界互动,加快产业跨越式发展。

4、区域协同,部门联动。

深入推进区域产业发展协同发展,在更大区域范围内打造产业发展链条,形成错位发展、共同发展格局;加强部门间的统筹协调,建立联动机制,形成合力。

三、产业背景分析CMP化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing)工艺是半导体制造过程中的关键流程之一,利用了磨损中的“软磨硬”原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。

CMP化学机械抛光材料项目规划方案

CMP化学机械抛光材料项目规划方案

CMP化学机械抛光材料项目规划方案规划设计/投资分析/产业运营摘要说明—CMP化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing)工艺是半导体制造过程中的关键流程之一,利用了磨损中的“软磨硬”原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。

通过化学的和机械的综合作用,从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。

该CMP化学机械抛光材料项目计划总投资13493.81万元,其中:固定资产投资10763.92万元,占项目总投资的79.77%;流动资金2729.89万元,占项目总投资的20.23%。

达产年营业收入18432.00万元,总成本费用13993.56万元,税金及附加233.78万元,利润总额4438.44万元,利税总额5284.42万元,税后净利润3328.83万元,达产年纳税总额1955.59万元;达产年投资利润率32.89%,投资利税率39.16%,投资回报率24.67%,全部投资回收期5.55年,提供就业职位307个。

报告内容:概况、项目建设及必要性、项目市场研究、建设规划分析、项目建设地分析、项目土建工程、项目工艺分析、项目环境分析、安全规范管理、项目风险评估、项目节能方案、实施进度计划、投资方案分析、项目经济评价、综合结论等。

规划设计/投资分析/产业运营CMP化学机械抛光材料项目规划方案目录第一章概况第二章项目建设及必要性第三章建设规划分析第四章项目建设地分析第五章项目土建工程第六章项目工艺分析第七章项目环境分析第八章安全规范管理第九章项目风险评估第十章项目节能方案第十一章实施进度计划第十二章投资方案分析第十三章项目经济评价第十四章招标方案第十五章综合结论第一章概况一、项目承办单位基本情况(一)公司名称xxx公司(二)公司简介公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,宾客至上服务理念,将一整套针对用户使用过程中完善的服务方案。

化学机械抛光(CMP)技术、设备及投资概况

化学机械抛光(CMP)技术、设备及投资概况
责任编辑:毛烁
化学机械抛光(CMP)技术、 设备及投资概况
Overview of CMP technology, equipment and investment
作者/李丹 赛迪顾问 集成电路产业研究中心高级分析师 (北京 100048)
摘要:分析了CMP设备技术、设备供应商及投资要点。 关键词:CMP;设备;投资
1.2 CMP抛光工艺技术原理 CMP从概念上很简单,但纳米级CMP其实是一项
很复杂的工艺。在晶圆表面堆叠的不同薄膜各自具有 不同的硬度,需以不同的速率进行研磨。这可能会导 致“凹陷”现象,也就是较软的部分会凹到较硬材料 的平面之下。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方 法,CMP通过化学的和机械的综合作用,最大程度减 少较硬材料与较软材料在材料去除速率上的差异,也 有效避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯 化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一 致性差等缺点。
2017年11月21日上午, 由电科装备45所研发的 国产首台200 mm CMP商用机通过了严格的万片马 拉松式测试,启程发往中芯国际(天津)公司进行上线 验证。这意味着电科装备45所的设备得到了用户的认 可,产品从中低端迈向了高端,也标志着电科装备向 着实现集成电路核心装备自主可控,担起大国重器的 责任迈出了重要的一步。杭州众德是新成立的一家公 司,由中电科45所中的CMP技术专家创业建立。 2.5 盛美半导体
荏原在欧洲、日本等全球的研发团队继续推动最 先进的应用程序定位于行业生产和新技术要求的前 沿。除了MEMS / SOI /磁介质行业的挑战外,荏原 的高通量F-REX系列CMP系统正在运行当今最严苛的 应用,如用于IC制造的氧化物、ILD、STI、钨和铜。 它们具有出色的可靠性,性能超过250小时MTBF。 适用于200和300 mm晶圆直径的F-REX200和 F-REX300SII平台分别提供最先进的设计和性能,以 满足最先进的器件制造需求。它们提供面向用户的系 统配置,旨在实现最大吞吐量和所有干燥/干燥晶圆处 理功能。F-REX200工具代表了适用于200 mm晶圆的 最新CMP技术(也可用150 mm)。它采用了EB原专 利的干进干出晶圆处理技术。清洁模块集成在CMP工 具内,从而将干晶片输送到后续工艺中。F-REX200 系统配备2个压板,每个压板1个头和4个清洁站,可 选配4个盒式SMIF兼容装载端口和CIM主机通信。其

CMP化学机械抛光材料项目投资计划书

CMP化学机械抛光材料项目投资计划书

CMP化学机械抛光材料项目投资计划书xxx(集团)有限公司摘要报告根据项目产品市场分析并结合项目承办单位资金、技术和经济实力确定项目的生产纲领和建设规模;分析选择项目的技术工艺并配置生产设备,同时,分析原辅材料消耗及供应情况是否合理。

该CMP化学机械抛光材料项目计划总投资8988.96万元,其中:固定资产投资6871.41万元,占项目总投资的76.44%;流动资金2117.55万元,占项目总投资的23.56%。

达产年营业收入16169.00万元,总成本费用12710.62万元,税金及附加158.97万元,利润总额3458.38万元,利税总额4094.37万元,税后净利润2593.78万元,达产年纳税总额1500.59万元;达产年投资利润率38.47%,投资利税率45.55%,投资回报率28.86%,全部投资回收期4.97年,提供就业职位291个。

CMP化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing)工艺是半导体制造过程中的关键流程之一,利用了磨损中的“软磨硬”原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。

通过化学的和机械的综合作用,从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。

概论、项目建设背景、市场研究分析、产品及建设方案、项目选址评价、土建工程方案、项目工艺可行性、环境保护概述、生产安全保护、项目风险概况、节能方案、项目实施进度计划、投资可行性分析、项目经营收益分析、项目综合评价结论等。

CMP化学机械抛光材料项目投资计划书目录第一章概论第二章项目承办单位基本情况第三章项目建设背景第四章项目选址评价第五章土建工程方案第六章项目工艺可行性第七章环境保护概述第八章项目风险概况第九章节能方案第十章实施进度及招标方案第十一章人力资源第十二章投资可行性分析第十三章项目经营收益分析第十四章项目综合评价结论第一章概论一、项目名称及承办单位(一)项目名称CMP化学机械抛光材料项目CMP化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing)工艺是半导体制造过程中的关键流程之一,利用了磨损中的“软磨硬”原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。

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CMP化学机械抛光材料项目初步方案规划设计/投资分析/产业运营摘要说明—CMP化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing)工艺是半导体制造过程中的关键流程之一,利用了磨损中的“软磨硬”原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。

通过化学的和机械的综合作用,从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。

该CMP化学机械抛光材料项目计划总投资9910.05万元,其中:固定资产投资8217.30万元,占项目总投资的82.92%;流动资金1692.75万元,占项目总投资的17.08%。

达产年营业收入16581.00万元,总成本费用12508.09万元,税金及附加202.25万元,利润总额4072.91万元,利税总额4836.94万元,税后净利润3054.68万元,达产年纳税总额1782.26万元;达产年投资利润率41.10%,投资利税率48.81%,投资回报率30.82%,全部投资回收期4.74年,提供就业职位315个。

报告内容:项目总论、建设背景及必要性分析、项目市场研究、项目规划方案、选址评价、工程设计、项目工艺说明、环保和清洁生产说明、企业安全保护、项目风险评价分析、项目节能评估、实施安排方案、投资方案、项目经营效益、项目综合结论等。

规划设计/投资分析/产业运营CMP化学机械抛光材料项目初步方案目录第一章项目总论第二章建设背景及必要性分析第三章项目规划方案第四章选址评价第五章工程设计第六章项目工艺说明第七章环保和清洁生产说明第八章企业安全保护第九章项目风险评价分析第十章项目节能评估第十一章实施安排方案第十二章投资方案第十三章项目经营效益第十四章招标方案第十五章项目综合结论第一章项目总论一、项目承办单位基本情况(一)公司名称xxx公司(二)公司简介公司致力于一个符合现代企业制度要求,具有全球化、市场化竞争力的新型一流企业。

公司是跨文化的组织,尊重不同文化和信仰,将诚信、平等、公平、和谐理念普及于企业并延伸至价值链;公司致力于制造和采购在技术、质量和按时交货上均能满足客户高标准要求的产品,并使用现代仓储和物流技术为客户提供配送及售后服务。

公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,宾客至上服务理念,将一整套针对用户使用过程中完善的服务方案。

经过10余年的发展,公司拥有雄厚的技术实力,完善的加工制造手段,丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系,综合实力进一步增强。

公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。

集团成立至今,始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进,以技术领先求发展的方针。

公司致力于创新求发展,近年来不断加大研发投入,建立企业技术研发中心,并与国内多所大专院校、科研院所长期合作,产学研相结合,不断提高公司产品的技术水平,同时,为客户提供可靠的技术后盾和保障,在新产品开发能力、生产技术水平方面,已处于国内同行业领先水平。

公司始终秉承“集领先智造,创美好未来”的企业使命,发展先进制造,不断提升自主研发与生产工艺的核心技术能力,贴近客户需求,助力中国智造,持续为社会提供先进科技,覆盖上下游业务领域的行业综合服务商。

公司建立完整的质量控制体系,贯穿于公司采购、研发、生产、仓储、销售等各环节,并制定了《产品开发控制程序》、《产品审核程序》、《产品检测控制程序》、等质量控制制度。

(三)公司经济效益分析上一年度,xxx科技发展公司实现营业收入13622.18万元,同比增长8.99%(1124.02万元)。

其中,主营业业务CMP化学机械抛光材料生产及销售收入为11853.85万元,占营业总收入的87.02%。

根据初步统计测算,公司实现利润总额3123.85万元,较去年同期相比增长608.07万元,增长率24.17%;实现净利润2342.89万元,较去年同期相比增长455.53万元,增长率24.14%。

上年度主要经济指标二、项目概况(一)项目名称CMP化学机械抛光材料项目(二)项目选址某某产业示范园区(三)项目用地规模项目总用地面积33710.18平方米(折合约50.54亩)。

(四)项目用地控制指标该工程规划建筑系数78.84%,建筑容积率1.55,建设区域绿化覆盖率7.86%,固定资产投资强度162.59万元/亩。

(五)土建工程指标项目净用地面积33710.18平方米,建筑物基底占地面积26577.11平方米,总建筑面积52250.78平方米,其中:规划建设主体工程33051.49平方米,项目规划绿化面积4104.93平方米。

(六)设备选型方案项目计划购置设备共计148台(套),设备购置费3951.38万元。

(七)节能分析1、项目年用电量936848.12千瓦时,折合115.14吨标准煤。

2、项目年总用水量12385.07立方米,折合1.06吨标准煤。

3、“CMP化学机械抛光材料项目投资建设项目”,年用电量936848.12千瓦时,年总用水量12385.07立方米,项目年综合总耗能量(当量值)116.20吨标准煤/年。

达产年综合节能量36.69吨标准煤/年,项目总节能率28.84%,能源利用效果良好。

(八)环境保护项目符合某某产业示范园区发展规划,符合某某产业示范园区产业结构调整规划和国家的产业发展政策;对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施,严格控制在国家规定的排放标准内,项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。

(九)项目总投资及资金构成项目预计总投资9910.05万元,其中:固定资产投资8217.30万元,占项目总投资的82.92%;流动资金1692.75万元,占项目总投资的17.08%。

(十)资金筹措该项目现阶段投资均由企业自筹。

(十一)项目预期经济效益规划目标预期达产年营业收入16581.00万元,总成本费用12508.09万元,税金及附加202.25万元,利润总额4072.91万元,利税总额4836.94万元,税后净利润3054.68万元,达产年纳税总额1782.26万元;达产年投资利润率41.10%,投资利税率48.81%,投资回报率30.82%,全部投资回收期4.74年,提供就业职位315个。

(十二)进度规划本期工程项目建设期限规划12个月。

认真做好施工技术准备工作,预测分析施工过程中可能出现的技术难点,提前进行技术准备,确保施工顺利进行。

将整个项目分期、分段建设,进行项目分解、工期目标分解,按项目的适应性安排施工,各主体工程的施工期叉开实施。

三、项目评价1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求,符合某某产业示范园区及某某产业示范园区CMP化学机械抛光材料行业布局和结构调整政策;项目的建设对促进某某产业示范园区CMP化学机械抛光材料产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。

2、xxx科技发展公司为适应国内外市场需求,拟建“CMP化学机械抛光材料项目”,本期工程项目的建设能够有力促进某某产业示范园区经济发展,为社会提供就业职位315个,达产年纳税总额1782.26万元,可以促进某某产业示范园区区域经济的繁荣发展和社会稳定,为地方财政收入做出积极的贡献。

3、项目达产年投资利润率41.10%,投资利税率48.81%,全部投资回报率30.82%,全部投资回收期4.74年,固定资产投资回收期4.74年(含建设期),项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。

4、鼓励民营企业参与智能制造工程,围绕离散型智能制造、流程型智能制造、网络协同制造、大规模个性化定制、远程运维服务等新模式开展应用,建设一批数字化车间和智能工厂,引导产业智能升级。

支持民营企业开展智能制造综合标准化工作,建设一批试验验证平台,开展标准试验验证。

加快传统行业民营企业生产设备的智能化改造,提高精准制造、敏捷制造能力。

民间投资是我国制造业发展的主要力量,约占制造业投资的85%以上,党中央、国务院一直高度重视民间投资的健康发展。

为贯彻党的十九大精神,落实国务院对促进民间投资的一系列工作部署,工业和信息化部与发展改革委、科技部、财政部等15个相关部门和单位联合印发了《关于发挥民间投资作用推进实施制造强国战略的指导意见》,围绕《中国制造2025》,明确了促进民营制造业企业健康发展的指导思想、主要任务和保障措施,旨在释放民间投资活力,引导民营制造业企业转型升级,加快制造强国建设。

加强对“专精特新”中小企业的培育和支持,引导中小企业专注核心业务,提高专业化生产、服务和协作配套的能力,为大企业、大项目和产业链提供零部件、元器件、配套产品和配套服务,走“专精特新”发展之路,发展一批专业化“小巨人”企业,不断提高专业化“小巨人”企业的数量和比重,有助于带动和促进中小企业走专业化发展之路,提高中小企业的整体素质和发展水平,增强核心竞争力。

综上所述,项目的建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。

四、主要经济指标主要经济指标一览表第二章建设背景及必要性分析CMP化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing)工艺是半导体制造过程中的关键流程之一,利用了磨损中的“软磨硬”原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。

通过化学的和机械的综合作用,从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。

CMP抛光材料主要包括抛光液、抛光垫、调节器、清洁剂等,其市场份额分别占比49%、33%、9%和5%。

中国2016年CMP抛光材料市场规模为23亿元,2018年市场有望达到28亿元。

目前市场上抛光垫目前主要被陶氏化学公司所垄断,市场份额达到90%左右,其他供应商还包括日本东丽、3M、台湾三方化学、卡博特等公司,合计份额在10%左右。

抛光液方面,目前主要的供应商包括日本Fujimi、日本HinomotoKenmazai,美国卡博特、杜邦、Rodel、Eka,韩国ACE等公司,占据全球90%以上的市场份额,国内这一市场主要依赖进口,国内仅有部分企业可以生产。

安集微电子(上海)有限公司生产的铜/铜阻挡层抛光液,二氧化硅抛光液,TSV抛光液,硅抛光液、铜抛光后清洗液等产品已成功进入国内外8英寸和12英寸客户芯片生产线使用,铜/铜阻挡层抛光液产品已经进入国内外领先技术节点,产品涵盖130nm~28nm技术节点,产品性能达到国际领先水平,并具有成本优势,打破了国外厂商在高端集成电路制造抛光材料领域的垄断;上海新安纳在抛光液用磨料和存储器抛光液等产品开发方面取得较好进展;时代立夫科技有限公司在CMP抛光垫产品开发方面取得较好进展,部分产品在8寸和12寸CMP 工艺中正在进行应用评估。

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