二极管参数中英文对照表

(完整版)二极管参数中英文对照表

Cj Junction Capacitance 结电容ηV Rectification Efficiency 整流效率If DC Forward Current 正向直流电流I(AV) Average Forward Rectified Current 正向平均整流电流ID Stand-off Reverse Leakage Current 关态反向漏电流IFSM Peak Forward Surge Current 正向浪涌峰植电流ITSM Non Repetitive Surge Peak on-state Current 不重复浪涌峰值开态电流IDM Maximum Reverse Leakage 最大反向漏电流IFRM Repetitive Peak Forward Current 正向重复峰值电流IH Holding Current 维持电流IO Mean Forward Current 正向平均电流IR Reverse Leakage Current 反向漏电流Irr Reverse Recovery Current 反向恢复电流IPPM Maximum peak lmpulse Current 最大脉冲峰值电流IRM Maximum peak Reverse Current 最大峰值反向电流IRM(REC) Maximum peak Reverse recovery Current 最大峰值反向恢复电流IRSM Maximum Non-repetitive recovery Peak Current 最大峰值反向恢复电流IT On-state Test Current 导通测试电流I2t Rating for fusing 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分值PM(AV) Maximum Steady State Power Dissipation 最大稳态功耗PPM Peak Pulse Power Dissipation 峰值脉冲功耗Ptot Total Power Dissipation 总功耗Qrr Recovered Charge 恢复电荷ROJA Thermal Resistance (Junction to Ambient) 热阻（结到环境）ROJC Thermal Resistance（Junction to Case ）热阻（结到管壳）ROJL Thermal Resistance（Junction to Lead ）热阻（结到引线）TA Ambient Temperature 环境温度TC Case Temperature 管壳温度td Time Duration 持续时间tf Fall Time 下降时间Tj Junction Temperature 结温TL Lead Temperature 引线温度tfr Forward Recovery Time 正向恢复时间tr Rise Time 上升时间trr Reverse Recovery Time 反向恢复时间TSTG Storage Temperature 存储温度VBO Breakover Voltage 转折电压V（BR）Reverse Breakdown Voltage 反向击穿电压VF Instantaneous Forward Voltage 正向瞬态电压VFR Forward Recovery Voltage 正向恢复电压VDC,VR DC Reverse Voltage 反向直流电流VRM Maximum Reverse Paek Reverse Voltage 最大重复峰值反向电压VRMS RMS Input Voltage 均方根输入电压VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage 反向重复峰值电压VWM Working Peak Reverse Voltage 反向工作峰值电压VC Clamping Voltage 箝位电压VWM Working Stand-off Voltage 关态工作电压VZ Zener Voltage 齐纳电压ZZ Dynamia Zener Impedance 动态齐纳阻抗αVF Temperature coefficient of forward voltage 正向压降的温度系数二极管电压参数及含义1)UTo:阈值电压。

二极管参数大全范文

二极管参数大全范文一、基本参数1. 最大正向电压（Forward Maximum Voltage）：也叫做最大正向工作电压，是指二极管可承受的最大正向电压。

超过这个电压，二极管就会被击穿，导致损坏。

2. 最大反向电压（Reverse Maximum Voltage）：也叫做最大反向工作电压，是指二极管可承受的最大反向电压。

超过这个电压，二极管就会被击穿，导致损坏。

3. 封装类型（Package Type）：二极管有多种不同的封装类型，如SMD、DIP、TO-18等。

不同的封装类型适用于不同的应用场合和环境。

4. 工作温度范围（Operating Temperature Range）：指二极管可以正常工作的温度范围。

超过这个温度范围，二极管的性能可能会发生变化，甚至导致损坏。

二、电学参数1. 正向电流（Forward Current）：是指二极管在正向工作时的电流。

正向电流决定了二极管的导通能力和工作状态。

2. 反向电流（Reverse Current）：是指二极管在反向工作时的电流。

反向电流的大小决定了二极管的绝缘性能和工作状态。

3. 导通压降（Forward Voltage Drop）：是指二极管在正向工作时的电压降。

导通压降直接影响二极管的功耗和性能。

4. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage）：是指二极管在反向工作时的击穿电压。

反向击穿电压决定了二极管的可靠性和稳定性。

5. 动态电阻（Dynamic Resistance）：是指二极管在正向工作时的动态电阻。

动态电阻越小，二极管转导能力越好。

6. 频率响应（Frequency Response）：是指二极管对高频信号的响应能力。

频率响应决定了二极管在高频电路中的应用性能。

三、尺寸参数1. 尺寸（Size）：是指二极管的物理尺寸，如长度、宽度、高度等。

尺寸参数决定了二极管的安装方式和适用场合。

2. 引脚间距（Pin Spacing）：是指二极管引脚之间的距离。

常用贴片二极管丝印和参数对应表

常用贴片二极管丝印和参数对应表一、常用贴片二极管丝印和参数对应表在电子元器件中，常用贴片二极管是一种重要的电子元件，具有广泛的应用。

了解二极管的丝印和参数对应关系，对于正确选择和使用二极管具有重要意义。

下面是常用贴片二极管丝印和参数对应表：1. 丝印：1N4148参数：最大反向电压(Vrrm)：100V最大反向电流(Ir)：150mA正向压降(Vf)：1V最大连续工作温度(Tj)：200℃2. 丝印：1N4007参数：最大反向电压(Vrrm)：1000V最大反向电流(Ir)：30mA正向压降(Vf)：1V最大连续工作温度(Tj)：150℃3. 丝印：1N5819参数：最大反向电压(Vrrm)：40V最大反向电流(Ir)：1mA正向压降(Vf)：0.45V最大连续工作温度(Tj)：125℃4. 丝印：BAT54S参数：最大反向电压(Vrrm)：30V最大反向电流(Ir)：100nA正向压降(Vf)：0.32V最大连续工作温度(Tj)：150℃5. 丝印：BAV99参数：最大反向电压(Vrrm)：85V最大反向电流(Ir)：2μA正向压降(Vf)：0.8V最大连续工作温度(Tj)：150℃二、结语通过以上常用贴片二极管丝印和参数对应表，我们可以清楚地了解到不同型号的贴片二极管的丝印和参数之间的对应关系。

在选择和应用贴片二极管时，我们可以根据需要的电压、电流和温度等参数，选择合适的型号的贴片二极管。

这样能够确保电路的正常工作，提高电子产品的性能和可靠性。

希望以上内容对您了解常用贴片二极管丝印和参数对应关系有所帮助。

如果您对其他电子元器件的丝印和参数对应关系也感兴趣，欢迎提出，我们将为您提供更多相关信息。

二极管参数大全

2
3
50
150
10
3
3
50
150
10
3
3
50
150
10
3
3
50
150
10
3
3
50
150
10
3
3
50
150
10
3
3
50
150
10
3
3
50
150
10
3
6
50
300
10
6
6
50
300
10
6
6
50
300
10
6
HER604 HER605 HER606 HER607 UF101 UF102 UF103 UF104 UF105 UF106 UF107 UF151 UF152 UF153 UF154 UF155 UF156 UF157 UF201 UF202 UF203 UF204 UF205 UF206 UF207 UF301 UF302 UF303 UF304 UF305 UF306 UF307 UF4001 UF4002 UF4003 UF4004 UF5400 UF5401 UF5402 UF5403 UF5404 UF5405 UF5406 UF5407 UF5408
75
30
5
1
75
30
5
1
75
30
5
1
75
30
5
1
75
30
5
1
75
30
5
1
75
50
5
1.5
75
50

二极管的重要参数关系表格

正向电压降、反向击穿电压和导通电阻是二极管最重要的三个参数。

正向电压降是指二极管在正向导通状态下的电压降，通常用VF 表示；反向击穿电压是指二极管在反向击穿状态下的电压值，通常用VRRM表示；导通电阻是指二极管在正向导通状态下的电阻值，通常用RDS(on)表示。

这三个参数之间存在一定的关系，具体如下：
1.正向电压降与导通电阻之间的关系：正向电压降越小，导通电阻越大；正向电压降越大，导通电阻越小。

这是因为正向电压降是由载流子在PN结中的扩散和漂移形成的，而导通电阻则是由PN结本身的电阻和接触电阻等因素决定的。

因此，在设计电路时需要根据实际需求选择合适的二极管型号，以满足不同的电压降和导通电阻要求。

2.反向击穿电压与最大反向电流之间的关系：反向击穿电压越大，最大反向电流越小；反向击穿电压越小，最大反向电流越大。

这是因
为反向击穿电压是指在一定条件下，二极管能够承受的最大反向电压值，而最大反向电流则是指在该条件下，二极管能够通过的最大反向电流值。

因此，在设计电路时需要根据实际需求选择合适的二极管型号，以满足不同的反向击穿电压和最大反向电流要求。

二极管参数符号及意义

二极管参数符号及意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(A V)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(A V)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

各类型二极管英汉

diode[5daiEud]n.二极管diode[5daIEJd]n.〈电〉二级管diodeAHD:[do“?d”]D.J.:[6dai7oud]K.K.:[6da!7od]n.An electronic device that restricts current flow chiefly to one direction. 二极管将电流主要限制于一个方向的电子设备，An electron tube having a cathode and an anode.电子二极管有一个阳极和一个阴极的电子管A two-terminal semiconductor device used chiefly as a rectifier.半导体二极管主要作为整流器使用的一个有两端的半导体设备diode[5daiEud]n.【电子】二极管abrupt junction diode突变结二极管absorber diode吸收二极管alkali ion diode碱离子二极管alloy junction diode合金结二极管alloyed diode合金(型)二极管antilog diode反对数二极管back-to-back diode背对背二极管backward diode反向二极管band switching diode波段转换开关二极管barrier injection transit-time diode 势越二极管base-collector diode基极集电极二极管biased diode偏压二极管bilateral diode双向二极管bonded NR diode键合负阻二极管booster diode升压二极管bootstrap diode阴极负载二极管breakdown diode雪崩二极管, 击穿二极管bulk diode体效应二极管by-pass diode旁通二极管catching diode箝位二极管centering diode定心二极管channelling diode沟道(效应)二极管charge storage diode电荷存储二极管charging diode充电二极管clamping diode钳位二极管clipper diode削峰二极管cold-cathode gas diode冷阴极充气二极管collector-base diode集电极-基极二极管commutation diode整流二极管, 换向二极管compound diode复合二极管constant voltage diode稳压二极管crystal diode晶体二极管damper diode阻尼二极管damping diode阻尼二极管delayed diode阻尼二极管demodulator diode二极管解调器detector diode检波器二极管dielectric diode电介质二极管difference diode差分二极管diffused type diode扩散型二极管diffused-junction varactor diode扩散结变容二极管discharge diode放电二极管double base diode双基极二极管, 单结晶体管double drift region avalanche diode 双漂移雪崩二极管double heatsink diode双重散热片二极管dummy diode仿真二极管duo diode双二极管duplex diode双二极管efficiency diode效率二极管(高压整流用)阻尼二极管emission limited diode限幅发射二极管energy recovery diode能量恢复二极管, 升压二极管epitaxial p-n junction diode外延 p-n 结二极管equivalent diode等效二极管field-effect diode场效应二极管fixed-pattern generator using a Au-Si diode 金-硅二极管固定模式信号发生器fluid diode射流二极管four-layer diode四层二极管fuse diode熔式二极管gas diode充气二极管gas -filled diode充气二极管gate diode门二极管gate-controlled diode闸控二极管germanium diode锗二极管glass diode玻璃二极管gold bond type diode金键二极管gold-epitaxial silicon high-frequency diode 金-外延硅高频二极管grid-cathode diode栅-阴二极管heavy-duty diode大功率二极管heterojunction diode异质结二极管high-frequency diode高频二极管high-pressure gas-filled diode高压充气二极管high-voltage diode耐高压二极管hold-off diode闭锁二极管hot carrier diode热载流子二极管hot-cathode gas filled diode热阴极充气二极管hypercap diode变容二极管idealized diode理想二极管impact avalanch transit time diode碰撞雪崩渡越时间二极管inductance diode电感二极管infrared detection diode红外探测二极管infrared-emitting diode红外发射二极管injection diode注入二极管injection luminescent diode注入式发光二极管intrinsic-barrier diode本征势垒二极管isolating diode隔离二极管junction diode面结型二极管Ketter diode变容二极管laser diode激光器二极管laser detector diode激光检波二极管level shift diode电平移动二极管light sensitive diode光敏二极管light-emitting diode发光二极管lighthouse diode灯塔式二极管(电子管)lighting diode发光二极管limited space-charge accumulation diode 限累二极管limiter diode限幅二极管limiting-velocity diode限速二极管linear diode线性二极管locking diode锁定二极管, 自保持二极管log diode对数二极管logic diode逻辑二极管luminescence diode发光二极管luminescent diode发光二极管luminous diode发光二极管magneto diode磁敏二极管Matsushita pressure diode压敏二极管, 松下压敏二极管measuring diode测量用二极管mesa diode台面二极管metal-semiconductor diode金属-半导体二极管microminiature diode超小型二极管microwave diode微波二极管minitype voltage regulator diode 微型稳压二极管mixer diode混频器二极管mott-barrier diode莫特势垒二极管multiple diode复式二极管negative resistance diode负阻二极管noise diode噪声二极管octupler diode八倍频变容二极管相对连接的二极管optical diode光二极管optoelectronic diodes光电子二极管osaki diode隧道二级管oscillating diode振荡二极管parametric diode参数二极管, 参量二极管photosensitive diode光敏二极管photosensor diode光传感二极管, 光敏感二极管pick-off diode截止二极管p-i-n diode正-本-负二极管pin-photo diode针形光电管, 细光束光电管planar diode平面(型)二极管plane-parallel diode平行板二极管plasma diode等离子体二极管point-contact diode点接触型二极管press-fit diode压装二极管pressure-sensitive diode 压敏二极管protecting diode保护二极管pulse damping diode脉冲阻尼二极管pulsed laser diode脉冲激光二极管Read diode里德二极管recovery diode恢复二极管参考二极管, 恒压二极管ring diode环形二极管saturated diode饱和二极管selenium diode硒二极管semiconductor diode半导体二极管series diode串联二极管series-efficiency diode升压二极管(行扫描输出级用) shunt diode旁路二极管silicon diode硅二极管silicon alloy diode硅合金二极管silicon junction diode硅结二极管silicon photoelectric diode硅光电二极管silicon punch through diode硅穿通二极管silicon reference diode硅稳压二极管silver-bond diode银键二极管snapback diode阶跃恢复二极管snap off diode急变二极管, 阶跃恢复二极管stacked laser diode堆垛激光二极管steering diode控向二极管step-recovery diode阶跃恢复二极管, 急变二极管storage diode存储二极管surface barrier diode表面阻挡层二极管, 表面势垒二极管开关二极管temperature limited diode温度限制二极管temperature-compensated Zener diode 温度补偿齐纳二极管thermoelectric diode温差电二极管thin-film diode薄膜二极管three-contact diode三接点二极管three-layer diode三层二极管through diode穿通二级管transit-time microwave diode渡越时间微波二极管trigger diode触发二极管tunnel diode隧道二极管turbulent diode紊流二极管twin diode双二极管unilateral diode单向二极管valve action diode二极管的阀作用varactor diode变容二极管, 参量二极管variable capacitance diode变容二极管varicap diode变容二极管voltage regulator diode稳压二极管voltage variable brightness diode 随电压变化亮度的二极管voltage variable capacitance diode 压控变容二极管vortex diode涡流二极管Zener diode齐纳二极管, 稳压二极管。

二极管参数中英文对照表(4页)

二极管参数中英文对照表Page 1: 基本参数1. Maximum Forward Current (最大正向电流)2. Maximum Reverse Voltage (最大反向电压)3. Forward Voltage Drop (正向电压降)4. Reverse Current (反向电流)5. Forward Current (正向电流)6. Reverse Recovery Time (反向恢复时间)7. Junction Temperature (结温)8. Thermal Resistance (热阻)9. Peak Forward Surge Current (正向峰值浪涌电流)10. Maximum Power Dissipation (最大功率耗散) Page 2: 特性参数11. Reverse Recovery Time (反向恢复时间)12. Junction Capacitance (结电容)13. Forward Recovery Time (正向恢复时间)14. Reverse Breakdown Voltage (反向击穿电压)15. Reverse Leakage Current (反向漏电流)16. Forward Voltage (正向电压)17. Peak Inverse Voltage (反向峰值电压)18. Capacitance (电容)19. Forward Conductance (正向电导)20. Reverse Conductance (反向电导)Page 3: 物理参数21. Length (长度)22. Width (宽度)23. Height (高度)24. Weight (重量)25. Package Type (封装类型)26. Lead Length (引线长度)27. Lead Diameter (引线直径)28. Material (材料)29. Color (颜色)30. Shape (形状)Page 4: 其他参数31. Manufacturer (制造商)32. Model Number (型号)33. Date Code (日期代码)34. Lot Number (批号)35. Serial Number (序列号)36. Test Conditions (测试条件)37. Application (应用)38. Compliance (合规性)39. Safety (安全)40. Environmental (环境)二极管参数中英文对照表Page 1: 基本参数1. Maximum Forward Current (最大正向电流)2. Maximum Reverse Voltage (最大反向电压)3. Forward Voltage Drop (正向电压降)4. Reverse Current (反向电流)5. Forward Current (正向电流)6. Reverse Recovery Time (反向恢复时间)7. Junction Temperature (结温)8. Thermal Resistance (热阻)9. Peak Forward Surge Current (正向峰值浪涌电流)10. Maximum Power Dissipation (最大功率耗散) Page 2: 特性参数11. Reverse Recovery Time (反向恢复时间)12. Junction Capacitance (结电容)13. Forward Recovery Time (正向恢复时间)14. Reverse Breakdown Voltage (反向击穿电压)15. Reverse Leakage Current (反向漏电流)16. Forward Voltage (正向电压)17. Peak Inverse Voltage (反向峰值电压)18. Capacitance (电容)19. Forward Conductance (正向电导)20. Reverse Conductance (反向电导)Page 3: 物理参数21. Length (长度)22. Width (宽度)23. Height (高度)24. Weight (重量)25. Package Type (封装类型)26. Lead Length (引线长度)27. Lead Diameter (引线直径)28. Material (材料)29. Color (颜色)30. Shape (形状)Page 4: 其他参数31. Manufacturer (制造商)32. Model Number (型号)33. Date Code (日期代码)34. Lot Number (批号)35. Serial Number (序列号)36. Test Conditions (测试条件)37. Application (应用)38. Compliance (合规性)39. Safety (安全)40. Environmental (环境)在了解这些参数的同时，我们还应该关注二极管在实际应用中的性能表现。

二极管参数中英文对照表

Cj Junction Capacitance 结电容ηV Rectification Efficiency 整流效率If DC Forward Current 正向直流电流I(AV) Average Forward Rectified Current 正向平均整流电流ID Stand-off Reverse Leakage Current 关态反向漏电流IFSM Peak Forward Surge Current 正向浪涌峰植电流ITSM Non Repetitive Surge Peak on-state Current 不重复浪涌峰值开态电流IDM Maximum Reverse Leakage 最大反向漏电流IFRM Repetitive Peak Forward Current 正向重复峰值电流IH Holding Current 维持电流IO Mean Forward Current 正向平均电流IR Reverse Leakage Current 反向漏电流Irr Reverse Recovery Current 反向恢复电流IPPM Maximum peak lmpulse Current 最大脉冲峰值电流IRM Maximum peak Reverse Current 最大峰值反向电流IRM(REC) Maximum peak Reverse recovery Current 最大峰值反向恢复电流IRSM Maximum Non-repetitive recovery Peak Current 最大峰值反向恢复电流IT On-state Test Current 导通测试电流I2t Rating for fusing 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分值PM(AV) Maximum Steady State Power Dissipation 最大稳态功耗PPM Peak Pulse Power Dissipation 峰值脉冲功耗Ptot Total Power Dissipation 总功耗Qrr Recovered Charge 恢复电荷ROJA Thermal Resistance (Junction to Ambient) 热阻（结到环境）ROJC Thermal Resistance（Junction to Case ）热阻（结到管壳）ROJL Thermal Resistance（Junction to Lead ）热阻（结到引线）TA Ambient Temperature 环境温度TC Case Temperature 管壳温度td Time Duration 持续时间tf Fall Time 下降时间Tj Junction Temperature 结温TL Lead Temperature 引线温度tfr Forward Recovery Time 正向恢复时间tr Rise Time 上升时间trr Reverse Recovery Time 反向恢复时间TSTG Storage Temperature 存储温度VBO Breakover Voltage 转折电压V（BR）Reverse Breakdown Voltage 反向击穿电压VF Instantaneous Forward Voltage 正向瞬态电压VFR Forward Recovery Voltage 正向恢复电压VDC,VR DC Reverse Voltage 反向直流电流VRM Maximum Reverse Paek Reverse Voltage 最大重复峰值反向电压VRMS RMS Input Voltage 均方根输入电压VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage 反向重复峰值电压VWM Working Peak Reverse Voltage 反向工作峰值电压VC Clamping Voltage 箝位电压VWM Working Stand-off Voltage 关态工作电压VZ Zener Voltage 齐纳电压ZZ Dynamia Zener Impedance 动态齐纳阻抗αVF Temperature coefficient of forward voltage 正向压降的温度系数二极管电压参数及含义1)UTo:阈值电压。

二极管参数中英文对照表

二极管参数中英文对照表Cj Junction Capacitance 结电容ηV Rectification Efficiency 整流效率If DC Forward Current 正向直流电流I(AV) Average Forward Rectified Current 正向平均整流电流ID Stand-off Reverse Leakage Current 关态反向漏电流IFSM Peak Forward Surge Current 正向浪涌峰植电流ITSM Non Repetitive Surge Peak on-state Current 不重复浪涌峰值开态电流IDM Maximum Reverse Leakage 最大反向漏电流IFRM Repetitive Peak Forward Current 正向重复峰值电流IH Holding Current 维持电流IO Mean Forward Current 正向平均电流IR Reverse Leakage Current 反向漏电流Irr Reverse Recovery Current 反向恢复电流IPPM Maximum peak lmpulse Current 最大脉冲峰值电流IRM Maximum peak Reverse Current 最大峰值反向电流IRM(REC) Maximum peak Reverse recovery Current 最大峰值反向恢复电流IRSM Maximum Non-repetitive recovery Peak Current 最大峰值反向恢复电流IT On-state Test Current 导通测试电流I2t Rating for fusing 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分值PM(AV) Maximum Steady State Power Dissipation 最大稳态功耗PPM Peak Pulse Power Dissipation 峰值脉冲功耗Ptot Total Power Dissipation 总功耗Qrr Recovered Charge 恢复电荷ROJA Thermal Resistance (Junction to Ambient) 热阻（结到环境）ROJC Thermal Resistance（Junction to Case ）热阻（结到管壳）ROJL Thermal Resistance（Junction to Lead ）热阻（结到引线）TA Ambient Temperature 环境温度TC Case Temperature 管壳温度td Time Duration 持续时间tf Fall Time 下降时间Tj Junction Temperature 结温TL Lead Temperature 引线温度tfr Forward Recovery Time 正向恢复时间tr Rise Time 上升时间trr Reverse Recovery Time 反向恢复时间TSTG Storage Temperature 存储温度VBO Breakover Voltage 转折电压V（BR）Reverse Breakdown Voltage 反向击穿电压VF Instantaneous Forward Voltage 正向瞬态电压VFR Forward Recovery Voltage 正向恢复电压VDC,VR DC Reverse Voltage 反向直流电流VRM Maximum Reverse Paek Reverse Voltage 最大重复峰值反向电压VRMS RMS Input Voltage 均方根输入电压VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage 反向重复峰值电压VWM Working Peak Reverse Voltage 反向工作峰值电压VC Clamping Voltage 箝位电压VWM Working Stand-off Voltage 关态工作电压VZ Zener Voltage 齐纳电压ZZ Dynamia Zener Impedance 动态齐纳阻抗αVF Temperature coefficient of forward voltage 正向压降的温度系数二极管电压参数及含义1)UTo:阈值电压。

很全的二极管参数

很全的二极管参数二极管是一种常见的电子元器件，用于电子电路中的整流、开关、放大和限幅等多种应用。

下面将详细介绍二极管的各种参数。

1.电压参数：- 最大反向电压（Reverse Voltage, VR）：二极管在反向工作时所能承受的最大电压。

- 顶部反向电压（Peak Reverse Voltage, VRM）：二极管在瞬态工作条件下所能承受的最大反向电压。

- 额定反向电压（Rated Reverse Voltage, VRRM）：二极管在稳态工作条件下所能承受的最大反向电压。

- 触发电压（Trigger Voltage, VT）：在正向偏置条件下，二极管开始导通的最小电压。

2.电流参数：- 最大直流正向电流（Maximum DC Forward Current, IF）：二极管在正向工作时所能承受的最大电流。

- 顶部正向电流（Peak Forward Current, IFM）：二极管在瞬态工作条件下所能承受的最大正向电流。

- 额定正向电流（Rated Forward Current, IFRM）：二极管在稳态工作条件下所能承受的最大正向电流。

- 最大反向电流（Maximum Reverse Current, IR）：二极管在反向工作时所能承受的最大电流。

- 最大反向浸泡电流（Maximum Reverse Surge Current, IFSM）：二极管在瞬态工作条件下所能承受的最大反向浸泡电流。

3.频率参数：- 额定反向恢复时间（Rated Reverse Recovery Time, trr）：二极管从导通状态到截止状态所需的时间。

- 最大反向恢复时间（Maximum Reverse Recovery Time, trr）：二极管从截止状态回到导通状态所需的最长时间。

4.功率参数：- 最大功耗（Maximum Power Dissipation, PD）：二极管能够承受的最大功耗。

- 最大脉冲功耗（Maximum Pulse Power Dissipation, PDM）：二极管能够承受的瞬态脉冲功耗。

二极管的特性与应用及英文代码含义

二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。

根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。

按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。

由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。

面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。

平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。

在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。

下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1. 正向特性。

在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。

二极管参数符号及意义

CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。

二极管晶体管类电子符号大全

二极管晶体管类电子符号大全肖特基二极管(Schottky Diode)Symbol Parameter 中文VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压VRWM Working peak reverse voltage 方向工作峰值电压VR DC Blocking Voltage 反向直流电压VR(RMS) RMS Reverse Voltage 反向电压有效值IF(AV) Average Rectified Forward Current 正向平均电流IR Reverse Current 反向电流IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流VF Forward Voltage 正向直流电压Cj Typical Junction Capactiance 结电容PD Power Dissipation 耗散功率Tj Operating Junction Temperature 工作结温Tstg Storage Temperature Range 存储温度Rth(j-a) Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻Pin二极管(Pin Diode)Symbol Parameter 中文VR Continuous reverse voltage 反向直流电压IF Continuous forward current 正向直流电流VF Forward voltage 正向电压IR Reverse current 反向电流Cd diode capacitance 二极管电容rd diode forward resistance 二极管正向电阻Ptot total power dissipation 总的功率损耗Tj Junction Temperature 结温Tstg storage temperature 存储温度TVS二极管(TVS Diode)Symbol Parameter 中文IPP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流VC Clampling voltage 钳位电压IR Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流VBR Breakdown voltage 击穿电压VRWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压VF Forward voltage 正向电压IF Forward current 正向电流IT Test current 测试电流可控硅(SCR)Symbol Parameter 中文VDRM Peak repetitive off-state voltage 断态重复峰值电压VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压IT(RMS) RMS On-state current 额定通态电流ITSM Non repetitive surge peak on-state current 通态非重复浪涌电流IGM Forward peak gate current 控制极重复峰值电流VTM peak forward on-state voltage 通态峰值电压IGT Gate trigger current 控制极触发直流电流VGT Gate trigger voltage 控制极出发电压IH Holding current 维持电流IDRM Peak repetitive off-state current 断态重复峰值电流IRRM Peak repetitive reverse current 反向重复峰值电流PG(AV) Average gate power dissipation 控制极平均功率Tj operating junction temperature range 工作结温Tstg Tstg storage temperature range 存储温度三端稳压管(Three T erminal Voltage Regulator)Symbol Parameter 中文VI input voltage 输入电压Vo output voltage 输出电压△Vo Load regulation 输出调整率△Vo Line regulation 输入调整率Iq quiescent current 偏置电流△Iq q uiescent current change 偏置电流变化量VN Output noise voltage 输出噪声电压RR Ripple rejection 纹波抑制比Vd dropout voltage 降落电压Isc short circuit current 短路输出电流Ipk peak current 峰值输出电流Topr operating junction temperature range 结温Tstg storage temperature range 存储温度43系列稳压管(Adjustable Shunt Regulator)Symbol Parameter 中文VKA Cathode voltage 阴极电压IK Cathode current range(continous) 阴极电流Iref Reference input current range,continous 基准输入电流PD Power dissipation 耗散功率Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻Topr operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度Vref Reference input voltage 基准输入电压△Vref(dev) Deviation of reference input voltage over full temperature range 全温度范围内基准输入电压的偏差△Vref/△VKA Ratio of change in reference input v oltage to the change in cathode voltage 基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比△Iref(dev) Deviation of reference input current over full temperature range 全温度范围内基准输入电流的偏差Imin Minimum cathode current for regulation 稳压时最小负极电流Ioff Off-state cathode current 关断状态阴极电流|ZKA|Dynamic impedance 动态阻抗普通晶体管(Transistor)Symbol Parameter 中文VCBO Collector-Base voltage 发射极开路,集电极-基极电压VCEO Collector-emitter voltage 基极开路,集电极-发射极电压VEBO Emitter-base voltage 集电极开路,发射极-基极电压IC Collector current 集电极电流PC Collector power dissipation 集电极耗散功率Tj Junction temperature 结温Tstg storage temperature 存储温度V(BR)CBO Collector-Base breakdown voltage 发射极开路,集电极-基极反向电压V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 基极开路,集电极-发射极反向电压V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 集电极开路,发射极-基极反向电压ICBO Collector cut-off current 发射极开路,集电极-基极截止电流IEBO Emitter cut-off current 集电极开路,发射极-基极截止电流ICEO Collector cut-off current 基极开路,集电极-发射极截止电流hFE DC current gain 共发射极正向电流传输比的静态值VCEsat Collector-emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和电压VBEsat Base-emitter saturation voltage 基极-发射极饱和电压VBE Base-emitter voltage 基极-发射极电压fT Transition frequency 特征频率Cobo Collector output capacitance 共基极输出电容Cibo Collector input capacitance 共基极输入电容F Noise figure 噪声系数ton Turn-on time 开通时间toff Turn-off time 关断时间tr Rise time 上升时间ts Storage time 存储时间tf Fall time 下降时间td Delay time 延迟时间数字晶体管(Digital Transistor）Symbol Parameter 中文VCC Supply voltage 直流电压VIN input voltage 输入电压IO output current 输出电流PD Power dissipation 功率损耗VI(off) Input-off voltage 输入截止电压VI(on) Input-on voltage 输入开启电压VO(on) output voltage 输出电压II input current 输入电流IO(off) output current 输出截止电流GI DC current gain 直流增益R1 Input resistance 输入电阻R2/R1 Resistance ratio 电阻率fT Transition frequency 传输频率Tj junction temperature 结温Tstg storage temperature range 存储温度VCBO Collector-base voltage 发射极开路,集电极-基极反向击穿电压VCEO Collector-emitter voltage 基极开路,集电极-发射极反向击穿电压VEBO Emitter-base voltage 集电极开路,发射极-基极反向击穿电压场效应管(MOSFET)Symbol Parameter 中文ID Continous drain current 漏极直流电流VGS Gate-source voltage 栅-源电压VDS Drain-source voltage 漏-源电压EAS single pulse avalchane energy 单脉冲雪崩击穿能量Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻Rth(j-c) Thermal resistance from junction to case 结到管壳的热阻V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压IGSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流IDSS Zero gate voltage drain curent 栅-源短路的漏极电流rDS(on) Drain-source on-resistance 漏源通态电阻gfs Forward transconductance 跨导VSD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降Ciss Input capacitance 栅-源电容Coss Output capacitance 漏-源电容Crss Reverse transfer capacitance 反向传输电容Rg Gate resistance 栅极电阻td(on) Turn-on delay time 开通延迟时间tr Rise time 上升时间td(off) Turn-off delay time 关断延迟时间tf Fall time 下降时间IDM Pulsed drain current 最大脉冲漏电流PD Power dissipation 耗散功率Tj operating junction temperature range 结温Tstg storage temperature range 存储温度。

（完整版）二极管参数中英文对照表

（完整版）⼆极管参数中英⽂对照表Cj Junction Capacitance 结电容ηV Rectification Efficiency 整流效率If DC Forward Current 正向直流电流I(AV) Average Forward Rectified Current 正向平均整流电流ID Stand-off Reverse Leakage Current 关态反向漏电流IFSM Peak Forward Surge Current 正向浪涌峰植电流ITSM Non Repetitive Surge Peak on-state Current 不重复浪涌峰值开态电流IDM Maximum Reverse Leakage 最⼤反向漏电流IFRM Repetitive Peak Forward Current 正向重复峰值电流IH Holding Current 维持电流IO Mean Forward Current 正向平均电流IR Reverse Leakage Current 反向漏电流Irr Reverse Recovery Current 反向恢复电流IPPM Maximum peak lmpulse Current 最⼤脉冲峰值电流IRM Maximum peak Reverse Current 最⼤峰值反向电流IRM(REC) Maximum peak Reverse recovery Current 最⼤峰值反向恢复电流IRSM Maximum Non-repetitive recovery Peak Current 最⼤峰值反向恢复电流IT On-state Test Current 导通测试电流I2t Rating for fusing 正向浪涌电流的平⽅对电流浪涌持续时间的积分值PM(AV) Maximum Steady State Power Dissipation 最⼤稳态功耗PPM Peak Pulse Power Dissipation 峰值脉冲功耗Ptot Total Power Dissipation 总功耗Qrr Recovered Charge 恢复电荷ROJA Thermal Resistance (Junction to Ambient) 热阻（结到环境）ROJC Thermal Resistance（Junction to Case ）热阻（结到管壳）ROJL Thermal Resistance（Junction to Lead ）热阻（结到引线）TA Ambient Temperature 环境温度TC Case Temperature 管壳温度td Time Duration 持续时间tf Fall Time 下降时间Tj Junction Temperature 结温TL Lead Temperature 引线温度tfr Forward Recovery Time 正向恢复时间tr Rise Time 上升时间trr Reverse Recovery Time 反向恢复时间TSTG Storage Temperature 存储温度VBO Breakover Voltage 转折电压V（BR）Reverse Breakdown Voltage 反向击穿电压VF Instantaneous Forward Voltage 正向瞬态电压VFR Forward Recovery Voltage 正向恢复电压VDC,VR DC Reverse Voltage 反向直流电流VRM Maximum Reverse Paek Reverse Voltage 最⼤重复峰值反向电压VRMS RMS Input Voltage 均⽅根输⼊电压VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage 反向重复峰值电压VWM Working Peak Reverse Voltage 反向⼯作峰值电压VC Clamping Voltage 箝位电压VWM Working Stand-off Voltage 关态⼯作电压VZ Zener Voltage 齐纳电压ZZ Dynamia Zener Impedance 动态齐纳阻抗αVF Temperature coefficient of forward voltage 正向压降的温度系数⼆极管电压参数及含义1)UTo:阈值电压。

LED专业：各参数中英文对照版

Anisotropic conductive film means the thermosetting or thermal plastic resin film which contains conductivity particle. It is used major in LCD panel, and to drive the signal connection, transmitting in IC. Different interface connection requires specific conductivity particles and density accordingly. Generally speaking, the diameter of conductivity particles, which used for fine pitch, should be three to five um.
Spacer〈间隔粒子〉于两片玻璃基板间, 所均匀洒上的球形树脂粒子, 用来撑出一个间隙, 以灌入液晶, 其作用类似我们盖房子时的柱子。
Uniformity〈均匀度〉
画面的均匀度；将一Panel分为数等份，分别测量其中心点的亮度，所测得的最小值除以最大值即是此Panel均匀度，均匀度越高表示Panel画面越稳定。
此为黑色与白色之间的对比。比值越高，色彩越鲜明。
FPC
Flexible Printed Circuit；可弯曲印刷电路。
Inverter 〈换流器〉
DC/AC换流器主要应用于TFT 面板背光源之power supply。它使用高电压来驱动冷阴极射线管。此独特的电力仪器具有高瓦特数、高效能及坚实小巧的设计。
LCM(Liquid Crystal Module): 液晶模块。

二极管参数中英文对照表

二极管参数中英文对照表参数文字符号一览表文字符号中文EnglishI F(AV)正向平均电流(整流管) mean foreard current (of diode)I T(AV)通态平均电流mean on-state currentV RSM反向不重复峰值电压non-reetitive peak reverse voltage V RRM反向重复峰值电压repetitive peak reverse voltageV DSM断态不重复峰值电压non-repetitive peak off-state voltage V DRM断态重复峰值电压repetitive peak off-state voltageV FM正向峰值电压(整流管) peak forward voltage (of diode)V TM通态峰值电压peak on-state voltageT jm最高等效结温maximum virtual junction temperatureF 紧固力mounting forceI RRM反向重复峰值电流repetitive peak reverse currentI DRM断态重复峰值电流repetitive peak of-state currentV GT门极触发电压gate trigger voltageI GT门极触发电流gate trigger currentR jc结壳热阻junction-case thermal resistance Q rr反向恢复电荷reverse recovery chargeI TM通态峰值电流peak on-state currentI FM正向峰值电流(整流管) peak forward current (of diode)I TSM通态浪涌电流surge on-state currentdv/dt 断态电压临界上升率critical rate of rise of off-state voltage di/dt 通态电流临界上升率critical rate of rise of on-state current t gt门极控制开通时间gate controlled turn-on timet q电路换向关断时间cricuit commutated turn-off timeI RMS通态方均根电流R.M.S. on-state current(dv/dt)c 换向电压临界上升率(双向晶闸管)critical rate of rise of commutating voltage(ofbi-directional thyristor)t rr反向恢复时间(二极管reverse recovery time (of diode)的)t on开通时间turn on timet s存储时间storage timet f下降时间fall timeCj Junction Capacitance 结电容ηＶRectification Efficiency 整流效率If DC Forward Current 正向直流电流I(AV) Average Forward Rectified Current 正向平均整流电流ID Stand-off Reverse Leakage Current 关态反向漏电流IFSM Peak Forward Surge Current 正向浪涌峰植电流ITSM Non Repetitive Surge Peak on-state Current 不重复浪涌峰值开态电流IDM Maximum Reverse Leakage 最大反向漏电流IFRM Repetitive Peak Forward Current 正向重复峰值电流IH Holding Current 维持电流IO Mean Forward Current 正向平均电流IR Reverse Leakage Current 反向漏电流Irr Reverse Recovery Current 反向恢复电流IPPM Maximum peak lmpulse Current 最大脉冲峰值电流IRM Maximum peak Reverse Current 最大峰值反向电流IRM(REC) Maximum peak Reverse recovery Current 最大峰值反向恢复电流IRSM Maximum Non-repetitive recovery Peak Current 最大峰值反向恢复电流IT On-state Test Current 导通测试电流I2t Rating for fusing 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分值PM(AV) Maximum Steady State Power Dissipation 最大稳态功耗PPM Peak Pulse Power Dissipation 峰值脉冲功耗Ptot Total Power Dissipation 总功耗Qrr Recovered Charge 恢复电荷ROJA Thermal Resistance (Junction to Ambient) 热阻（结到环境）ROJC Thermal Resistance（Junction to Case ）热阻（结到管壳）ROJL Thermal Resistance（Junction to Lead ）热阻（结到引线）TA Ambient Temperature 环境温度TC Case Temperature 管壳温度td Time Duration 持续时间tf Fall Time 下降时间Tj Junction Temperature 结温TL Lead Temperature 引线温度tfr Forward Recovery Time 正向恢复时间tr Rise Time 上升时间trr Reverse Recovery Time 反向恢复时间TSTG Storage Temperature 存储温度VBO Breakover Voltage 转折电压V（BR）Reverse Breakdown Voltage 反向击穿电压VF Instantaneous Forward Voltage 正向瞬态电压VFR Forward Recovery Voltage 正向恢复电压VDC,VR DC Reverse Voltage 反向直流电流VRM Maximum Reverse Paek Reverse Voltage 最大重复峰值反向电压VRMS RMS Input Voltage 均方根输入电压VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage 反向重复峰值电压VWM Working Peak Reverse Voltage 反向工作峰值电压VC Clamping Voltage 箝位电压VWM Working Stand-off Voltage 关态工作电压VZ Zener Voltage 齐纳电压ZZ Dynamia Zener Impedance 动态齐纳阻抗αVF Temperature coefficient of forward voltage 正向压降的温度系数二极管电压参数及含义1)UTo:阈值电压。

二极管参数中英文对照表

Cj Junction Capacitance 结电容ηV Rectification Efficiency 整流效率If DC Forward Current 正向直流电流I(AV) Average Forward Rectified Current 正向平均整流电流ID Stand-off Reverse Leakage Current 关态反向漏电流IFSM Peak Forward Surge Current 正向浪涌峰植电流ITSM Non Repetitive Surge Peak on-state Current 不重复浪涌峰值开态电流IDM Maximum Reverse Leakage 最大反向漏电流IFRM Repetitive Peak Forward Current 正向重复峰值电流IH Holding Current 维持电流IO Mean Forward Current 正向平均电流IR Reverse Leakage Current 反向漏电流Irr Reverse Recovery Current 反向恢复电流IPPM Maximum peak lmpulse Current 最大脉冲峰值电流IRM Maximum peak Reverse Current 最大峰值反向电流IRM(REC) Maximum peak Reverse recovery Current 最大峰值反向恢复电流IRSM Maximum Non-repetitive recovery Peak Current 最大峰值反向恢复电流IT On-state Test Current 导通测试电流I2t Rating for fusing 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分值PM(AV) Maximum Steady State Power Dissipation 最大稳态功耗PPM Peak Pulse Power Dissipation 峰值脉冲功耗Ptot Total Power Dissipation 总功耗Qrr Recovered Charge 恢复电荷ROJA Thermal Resistance (Junction to Ambient) 热阻（结到环境）ROJC Thermal Resistance（Junction to Case ）热阻（结到管壳）ROJL Thermal Resistance（Junction to Lead ）热阻（结到引线）TA Ambient Temperature 环境温度TC Case Temperature 管壳温度td Time Duration 持续时间tf Fall Time 下降时间Tj Junction Temperature 结温TL Lead Temperature 引线温度tfr Forward Recovery Time 正向恢复时间tr Rise Time 上升时间trr Reverse Recovery Time 反向恢复时间TSTG Storage Temperature 存储温度VBO Breakover Voltage 转折电压V（BR）Reverse Breakdown Voltage 反向击穿电压VF Instantaneous Forward Voltage 正向瞬态电压VFR Forward Recovery Voltage 正向恢复电压VDC,VR DC Reverse Voltage 反向直流电流VRM Maximum Reverse Paek Reverse Voltage 最大重复峰值反向电压VRMS RMS Input Voltage 均方根输入电压VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage 反向重复峰值电压VWM Working Peak Reverse Voltage 反向工作峰值电压VC Clamping Voltage 箝位电压VWM Working Stand-off Voltage 关态工作电压VZ Zener Voltage 齐纳电压ZZ Dynamia Zener Impedance 动态齐纳阻抗αVF Temperature coefficient of forward voltage 正向压降的温度系数二极管类型与英文对照表1)变容二极管Varactor diode2)肖特基二极管SRSchottky rectifier diode3)高效二极管HERHigh efficiency rectifier diode4)快恢复二极管FRFast recovery recovery rectifier diode5)特快恢复二极管SFSuper fast recovery rectifier diode6)超速恢复二极管UFUltrafast rectifier diode7)肖特基栅栏二极管SB SR Schottky barrier rectifier diode8)电压瞬间抑制二极管(如P4KE6.8) TVS diode。