模拟电子技术习题与答案
模拟电子技术习题及答案
习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
模拟电子技术习题答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术基础第五版课后习题答案
模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。
试画出ui和uo的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。
解：对于（a）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。
采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。
模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案
《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
（1）信号是反映消息的物理量，电信号是指随时间而变化的电压或电流。
（2）模拟信号在时间和数值上均具有连续性，数字信号在时间和数值上均具有离散性。
（3）模拟电路是处理模拟信号的电路。
（4）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。
1.2 （1）在设计电子系统时，应尽量可能做到哪几点？
答：必须满足功能和性能的指标要求；
在满足功能和性能指标要求的前提下，电路要尽量简单，所用元器件尽可能少；
考虑电磁兼容性；
系统的调试应简单方便，而且生产工艺应简单。
第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。
解：
2.13 求解电路的运算关系。
第三章
3.2
（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，如磷等；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，如硼等。
（2）PN结加正向电压时，由扩散运动形成电流，其耗尽层变窄；加反向电压时，由漂移运动形成电流，其耗尽层变宽。
第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
（1）为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入电流串联负反馈。
（3）为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力，应引入电压串联负反馈。
第十章。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
电子技术及实训模拟题(附参考答案)
电气设备及主系统判断模拟练习题与参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1、直流电弧电压中，端部靠近触头的区段，导电率高，电位梯度大。
（）A、正确B、错误正确答案：B2、开关电器包括断路器、隔离开关、负荷开关和电抗器等。
（）A、正确B、错误正确答案：B3、计算电流互感器二次侧负荷容量时，应考虑二次负载电阻、二次导线电阻、接触电阻等所有电阻。
（）A、正确B、错误正确答案：A4、带有接地闸刀的隔离开关操作时必须先闭合隔离开关，后断开接地闸刀；先闭合接地闸刀，后断开隔离开关。
（）A、正确B、错误正确答案：B5、当电气设备一相绝缘损坏而与外壳相碰发生接地短路时，接地电流可以通过接地体向大地四周流散，形成半球形的电流场。
（）A、正确B、错误正确答案：A6、间隔将设备故障的影响限制在最小的范围内，以免波及相邻的电气回路。
（）A、正确B、错误正确答案：A7、单母接线的可靠性比双母接线高。
（）A、正确B、错误正确答案：B8、导体的对流散热量和导体的比热容有关。
（）A、正确B、错误正确答案：B9、分裂电抗器正常运行时，要求两臂母线的电压波动不大于母线额定电压的5%。
（）A、正确B、错误正确答案：A10、目前，核电站主要是利用核裂变反应释放能量来发电。
（）A、正确B、错误正确答案：A11、一般发电厂中都是用事故保安电源兼做备用电源。
（）A、正确B、错误正确答案：B12、除另有规定外，由发电厂、变电所区域内引出的铁路轨道不需要接地。
（）A、正确B、错误正确答案：A13、无母线接线形式的进出线一般比较多。
（）A、正确B、错误正确答案：B14、发电机断路器应具有开断非对称短路电流的能力、关合额定短路电流的能力和开断失步电流的能力。
（）A、正确B、错误正确答案：A15、110kV及以上的裸导体，应按晴天不发生全面电晕的条件校验，裸导体的临界电晕电压U。
应不高于最高工作电压。
（）A、正确正确答案：B16、为满足机械强度要求，电流互感器二次侧导线，一般要求铜线截面不得小于1.5mm²；铝线截面不得小于2.5mm²。
《模拟电子技术》(高起专)习题答案
《模拟电子技术》（高起专）习题答案一、单选题1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于截止状态。
（ B ）A、正偏，大于；B、反偏，大于；C、正偏，小于；D、反偏，小于。
2、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真和下半周失真时分别为（ B ）失真。
A、饱和，截止；B、截止，饱和；C、饱和，频率；D、频率，截止。
3、一个正常放大的三极管，测得它的三个电极c、b、e的电位分别的6V、3.7V、3.0V，则该管是（ D ）管。
A、锗PNP；B、锗NPN；C、硅PNP；D、硅NPN。
4、PN结加反向电压时，空间电荷区将( C )。
A、变窄；B、基本不变；C、变宽；D、不确定。
5、对三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（ A ）。
A、三极管可以用较小的电流控制较大的电流；B、三极管可以把小电流放大成大电流；C、三极管可以把小电压放大成大电压；D、三极管可以把小能量放大成大能量。
6、半导体二极管的重要特性之一是( B )。
A、温度稳定性；B、单向导电性；C、放大作用；D、滤波特性。
7、稳压二极管稳压时，其工作在( C )。
A、正向导通区；B、反向截止区；C、反向击穿区；D、不确定。
8、当放大电路设置合适的静态工作点，如再加入交流信号，则工作点（ B ）。
A、沿直流负载线移动；B、沿交流负载线移动；C、不移动；D、沿坐标轴移动。
9、场效应管靠( A )导电。
A、一种载流子；B、两种载流子；C、电子；D、空穴。
10、用指针式万用表的R×10和R×1K档分别测量整流二极管的正向电阻，二次测试结果是（ B ）。
A、相同；B、R×10档的测试值小；C、R×1K档的测试值小；D、不确定11、已知三极管各极电位，则（ B ）管工作在放大状态。
A、；B、；C、；D、。
12、对三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（ A ）。
模拟电子技术复习试题+答案
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。
三、计算（20分）
电路如图所示，β=50,RB1=15KΩ，RB2=5KΩ，RL=5.1KΩ，RE=2.3KΩ， VCC=12V ，信号源的内阻RS=1KΩ，RC=5.1KΩ
28、甲类功放的最大缺点是（效率较低）；
29、多级放大电路的耦合方式有（直接耦合）、（阻容耦合）、（变压器耦合）。
30、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应该在电路中引入（电
压串联负）反馈。
31、有源滤波器的功能是（用于小信号处理），按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、（带通滤波）、
没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器。
10）两级放大电路，Au1=-40，Au2=-50，若输入电压U1=5mv，则输出电压Uo为C
-200mv； -250mV； 10V； 100V。
3.电路如图所示，已知VCC＝12V，RC＝3k，β＝40 且忽略VBE,若要使静态时VCE＝9V，则RB应取多少？输入电阻为多少？输出电阻为多少？放大倍数为多少？（14分）
六、在图示电路中，已知晶体管静态时UBEQ=0.7RB2=15 kΩ，RE=2.3 kΩ，RC=RL=3 kΩ，VCC=12V。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
模拟电子技术 课后习题及答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断以下说法是否正确，用“√〞和“×〞表示判断结果填入空内。
〔1〕在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
〔 〕 〔2〕因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
〔 〕〔3〕PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
〔 〕〔4〕处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
〔 〕 〔5〕结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
〔 〕〔6〕假设耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，那么其输入电阻会明显变小。
〔 〕解：〔1〕√ 〔2〕× 〔3〕√ 〔4〕× 〔5〕√ 〔6〕×二、选择正确答案填入空内。
〔1〕PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 根本不变C. 变宽〔2〕设二极管的端电压为U ，那么二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I〔3〕稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿〔4〕当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏〔5〕U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：〔1〕A 〔2〕C 〔3〕C 〔4〕B 〔5〕A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如下图，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
模拟电子技术基础课后答案（完整版）
第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（×）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（×）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（√ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（×）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（×）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦，则)V (2.11594TV T，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TVV，于是TV Vs eI I，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V ，于是s I I，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1.1填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2.本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体,其多数载流子是3±—;若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体,其多数载流子是空穴o3. PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。
4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。
5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为V,该二极管的直流电阻等于650 交流电阻等于26 Q。
1. 2单选题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C ）。
A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2. PN结形成后，空间电荷区由（D ）构成。
A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B ）。
A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C ）o A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作（D ）o、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（V ）2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（X ）3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（X ）4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
（X ）1.4分析计算题1.电路如图TL 1所示，设二极管的导通电压仄丽）二，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：（a）二极管正向导通，所以输出电压U0= （6—V= Vo（b）令二极管断开，可得5=6 V、U N=10 V, IUU N,所以二极管反向偏压而截止，Uo=10 Vo（c）令1、V,2均断开，U N尸0V、U N2=6V、U P=10V,U P—UQUp—LU,故％优先导通后，V2截止，所以输出电压Uo= V o2.电路如图TL 2所示，二极管具有理想特性，已知ui=（sin3t）V,试对应画出口、U。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_3
习 题题 3.1 在题图 3.1 所示的电路中，1T 、2T 、3T 的特性都相同，且321βββ==很大，===3BE 2BE 1BE U U U 0.7V ，计算21U U −。
题图3.1 解：43.1107.01511BE CC REF 1C 2C =−=−==≈R U V I I I mA ， 85.743.157.02C 23BE 21=⨯+=⋅+=−∴I R U U U V 。
题3.2 由对称三极管组成题图3.2所示的微恒流源电路。
设三极管的β相等，=BE U 0.6V ，=CC V +15V 。
要求：①设反向饱和电流2S 1S I I =，根据三极管电流方程导出工作电流C1I 与2C I 之间的关系式。
②若要求mA 5.01C =I ，μA 202C =I ，则电阻R 、E R 。
题图3.2解：①2C 1C E T 1E 2E 2C ln I I R U I I I ⋅≈=≈， RU V I I BE CC 1C REF −=≈。
②mA 5.01C =I ，μA 202C =I 时，Ωk 8.285.06.015C1BE CC =−=−=I U V R ， Ωk 18..4ln 2C C12C T E =⋅=I I I U R 。
题3.3 题图3.3所示电路是某集成运放的一个多路输出恒流源电路。
图中所有三极管均为硅管，−=BE U 0.7V ，>>β1。
计算1o I 、2o I 和3o I 。
题图3.3解：mA 265.0203.57.0)6(00E REF ==+−−−=R R I ， μΑ3.5265.0255.01E 0E REF 1o =⨯=⋅=R R I I ， m Α1325.0265.015.02E 0E REF 3o 2o =⨯=⋅==R R I I I 。
题 3.4 在题图 3.4 所示的一种改进型镜像恒流源中，设==21U U 10V ，Ωk6.81=R ，Ωk7.42=R ，三个晶体管的特性均相同，且=β50，=BE U 0.7V 。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_8
习 题题8.1 在题图8.1所示的电路中，晶体管T 的50=β，V 7.0BE =U ，()V 5.0sat CE =U ，0CEO =I ，电容1C 对交流可视作短路。
①计算电路可能达到的最大不失真输出功率omax P 。
②此时b R 应调节到什么值？ ③此时电路的效率η是多少？题图8.1解：① 最大不失真输出功率：()[]2sat CE CC cem U V U −= ，∴=⋅=cm cem o 21I U P ()()=−⋅=⋅L 2sat CE CC L 2cem 42121R U V R U ()W 07.2845.012212≈⨯−⋅。
② =CQ I ()=−Lsat CE CC 2R U V A 71875.0825.11=⨯, 7.0CQb BE BQ b CC +⋅=+⋅=βI R U I R V ,()=−=βCQCC b 7.0I V R Ω≈⨯78671875.0503.11。
③ =⋅=CQ CC V I V P W 625.871875.012=⨯，24.0625.807.2V o ===P P η。
题8.2 在题图8.2所示的电路中，已知i u 为正弦电压，Ω=16L R ，要求最大输出功率为10W 。
试在晶体管的饱和压降可以忽略不计的条件下，求出下列各值：①正、负电源CC V 的最小值（取整数）；②根据CC V 的最小值，得出晶体管的CM I 、BR(CEO)U 的最小值；③当输出功率最大（10W ）时，电源的供给功率； ④每个管子的CM P 的最小值；⑤当输出功率最大时的输入电压有效值。
题图8.2 解：① L 2CC omax 2R V P =，162102CC ⨯=V ，≈CC V V 18。
② =>L CC CM R V I A 125.11618=，()=>CC CEO BR 2V U V 36。
③ =≈L 2CC 2R V P V πW 89.12161822=⨯⨯π。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
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模拟电子技术第 1 章半导体二极管及其基本应用1． 1填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3． PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为 1 mA，正向压降为 0.65 V ，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。
1． 2单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ( C ) 。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度 D ．晶格缺陷2． PN结形成后，空间电荷区由 ( D ) 构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 ( C ) 。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作 ( D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1． 3是非题1．在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )2．因为 N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
( × )4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(× )1． 4分析计算题1．电路如图 T1．1 所示，设二极管的导通电压U D(on) =0.7V，试写出各电路的输出电压 Uo 值。
解： (a) 二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6 — 0.7)V ＝5.3 V 。
(b)令二极管断开，可得 U P＝ 6 V 、U N＝10 V ，U P<U N，所以二极管反向偏压而截止， U0＝10 V 。
(c)令 V1、V2均断开， U N1＝0V、 U N2＝6V、U P＝10V， U P—U N1>Up—U N2，故 V1优先导通后， V2截止，所以输出电压 U0＝ 0.7 V 。
2．电路如图应画出 u i、u0、i T1．2 所示，二极管具有理想特性，已知D的波形。
ui＝(sinωt)V，试对解：输入电压 u i为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即 u0＝0，而流过二极管的电流i D＝u i／R，为半波正弦波，其最大值I Dm＝10 V ／1 kΩ＝10 mA；当 u i为负半周时，二极管反偏截止， i D＝ 0， u0＝u i为半波正弦波。
因此可画出电压 u0电流 i D的波形如图 (b) 所示。
3．稳压二极管电路如图 T1．3 所示，已知 U Z ＝ 5 V ，I Z ＝5 mA ，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关 s 断开和闭合时，电压表○ V和电流表○A1 、○A2 读数分别为多大 ?解：当开关 S 断开， R 2 支路不通， I A2＝0，此时 R 1 与稳压二极管 V 相串联，因此由图可得I A1U 1 U 2(18 5)V I ZR 12K6.5mA可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V 。
当开关 S 闭合，令稳压二极管开路，可求得 R 2 两端压降为UR2R 2U 10.5U ZR 1218 3.6R 2 0.5故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R 、R 构成串1 2联电路，电流表 A 1 、A 2 的读数相同，即I A1 I A2U 1（ 18V 7.2mAR 1 R 2 2 ）0.5 K而电压表的读数，即 R 2 两端压降为 3.6 V 。
第 2 章 半导体三极管及其基本应用2． 1 填空题1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。
2 ．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。
3 ．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大 、 饱和 、 截止 。
4 ．当温度升高时， 晶体管的参数 β 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压 U BE 减 小 。
5 ．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从 10μA 变化到 20μA 时，集电 极电流从 1mA 变为 1.99 mA ，则交流电流放大系数 β约为 99 。
6 ．某晶体管的极限参数 I CM =20mA 、P CM =100mW 、 U (BR)CEO =30V ，因此，当工作电压 U CE =10V 时，工作电流 I C 不得超过 10 mA ；当工作电压 U CE =1V 时， I C 不得超 过 20 mA ；当工作电流 I C =2 mA 时， U CE 不得超过 30 V 。
7 ．场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 MOS ；根据导电沟道 的不同又可分为 N 沟道 、 P 沟道 两类；对于 MOSFET ，根据栅源电压为 零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。
8 ．U GS(off) 表示 夹断 电压， I DSS 表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型 场效应管的参数。
2 ．2 单选题1 ．某 NPN 型管电路中，测得 U BE =0 V ，U BC = —5 V ，则可知管子工作于 ( C ) 状态。
A ．放大B ．饱和C ．截止D ．不能确定2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B ) 。
A ．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管C ．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管3．输入 ( C ) 时，可利用 H 参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A ．正弦小信号B ．低频大信号C．低频小信号 D ．高频小信号4． ( D ) 具有不同的低频小信号电路模型。
A ．NPN型管和 PNP型管 B ．增强型场效应管和耗尽型场效应管C ．N 沟道场效应管和 P 沟道场效应管D．晶体管和场效应管5．当 U GS＝0 时，( B )管不可能工作在恒流区。
A ．JFETB ．增强型 MOS管C．耗尽型 MOS管 D ． NMOS管6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为(B )。
A ．N沟道 JFET B．增强 ~AI PMOS管C ．耗尽型 NMOS管D．耗尽型 PMOS管2． 3 是非题1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
( × ) 2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
( √ ) 3．EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
( × ) 4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的 PN结反偏。
( √ ) 5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
( √ )2． 4分析计算题1．图 T2．1 所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解： (a)U BE=U B—U E＝ 0.7 —0＝0.7V ，发射结正偏；U BC=U B—U C＝0.7 — 3＝— 2.3 V ，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
(b)U BE=U B—U E＝2—3＝—1V，发射结反偏；U BC=U B—U C＝2—5＝— 3 V ，集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。
(c)U BE=U B—U E＝3—2.3＝0.7V，发射结正偏；U BC=U B—U C＝3—2.6 ＝ 0.4V，集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。
(d)该管为 PNP型晶体管U EB=U E— U B＝( —2) — ( — 2.7) ＝ 0.7V，发射结正偏；U CB=U C—U B＝( —5) —( —2.7) ＝— 2.3V ，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
2 ．图 T2．2 所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的 I B、 I C、U CE。
解： (a) 方法一：(60.7)VI B0.053mA100K设晶体管工作在放大状态，则有I＝β I＝100×0.053 ＝5.3mACBU CE＝12—5.3 ×3＝— 3.9 V<0说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降 U＝0.3 V ，则集电极电流为CE(Sat)VCC UCE ( sat )120.3mA1 3.9R C因此可得晶体管的I B＝ 0.053 mA、I C＝ I CS＝3.9 mA、 U CE＝U CE(Sat)＝0.3 V 方法二：(60.7)VI B0.053mA100K VCC UCE ( sat)12 0.3ICSR C3.9mA 1ICS 3.9IBS0.039mA100因为 I B>I BS，所以晶体管处于饱和状态，因而有I B＝0.053 mA、 I C＝I CS＝ 3.9 mA、U CE＝ U CE(Sat)＝0.3 V(b) I B (6 0.7)VA0.0084mA 8.4 510K设晶体管工作在放大状态，则有I C＝100×0.008 4 mA＝0.84 mAU CE＝5 V—0.84×3＝2.48 V> U CE(Sat)说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。
I B(c) 基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则＝0，I C＝0，U CE＝5 V3．放大电路如图 T2．3 所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解： (a) 将 C1、C2断开，即得直流通路如下图 (a) 所示；将 C1、C2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b) 所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图 (c) 所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图 (a) 、(b) 、(c) 所示。
4．场效应管的符号如图 T2． 4 所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。
解：(a) 为 P 沟道耗尽型 MOS管，它的转移特性曲线如下图(a) 所示，其特点是u GS＝ 0 时， i D＝— I DSS(b)为 N沟道增强型 MOS管，它的转移特性曲线如下图 (b) 所示，其特点是u GS＝ 0 时， i D＝0(c)为 N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图 (c) 所示，其特点是u GS＝ 0 时， i D＝I DSS，且 u GS≤ 0第 3 章放大电路基础3． 1填空题1．放大电路的输入电压U i＝10 mV，输出电压U0＝1 V ，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40 dB。