模拟电子技术习题与答案

模拟电子技术

第 1 章半导体二极管及其基本应用

1． 1填空题

1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载

流子是空穴。

3． PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直

流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．测得某二极管的正向电流为 1 mA，正向压降为 0.65 V ，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。

1． 2单选题

1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ( C ) 。

A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度 D ．晶格缺陷

2． PN结形成后，空间电荷区由 ( D ) 构成。

A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子

3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。

A．减小B．基本不变C．增大

4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 ( C ) 。

A．增大B．基本不变C．减小

5．变容二极管在电路中主要用作 ( D )。、

A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器

1． 3是非题

1．在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )

2．因为 N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )

3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。 ( × )

4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(× )

1． 4分析计算题

1．电路如图 T1．1 所示，设二极管的导通电压U D(on) =0.7V，试写出各电路的输出电压 Uo 值。

解： (a) 二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6 — 0.7)V ＝5.3 V 。

(b)令二极管断开，可得 U P＝ 6 V 、U N＝10 V ，U P

(c)令 V1、V2均断开， U N1＝0V、 U N2＝6V、U P＝10V， U P—U N1>Up—U N2，故 V1优先导通后， V2截止，所以输出电压 U0＝ 0.7 V 。

2．电路如图应画出 u i、u0、i T1．2 所示，二极管具有理想特性，已

知D的波形。

ui＝(sinωt)V，试对

解：输入电压 u i为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，

即 u0＝0，而流过二极管的电流i D＝u i／R，为半波正弦波，其最大值I Dm＝10 V ／1 kΩ＝10 mA；当 u i为负半周时，二极管反偏截止， i D＝ 0， u0＝u i为半波正弦波。因此可画出电压 u0电流 i D的波形如图 (b) 所示。

3．稳压二极管电路如图 T1．3 所示，已知 U Z ＝ 5 V ，I Z ＝5 mA ，电压表中流

过的电流忽略不计。试求当开关 s 断开和闭合时，电压表○ V

和电流表○A1 、○A2 读数分别为多大 ?

解：当开关 S 断开， R 2 支路不通， I A2＝0，此时 R 1 与稳压二极管 V 相串联，因此由图可得

I A1

U 1 U 2

(18 5)V I Z

R 1

2K

6.5mA

可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为

5 V 。 当开关 S 闭合，令稳压二极管开路，可求得 R 2 两端压降为

U

R2

R 2

U 1

0.5

U Z

R 1

2

18 3.6

R 2 0.5

故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，

R 、R 构成串

1 2

联电路，电流表 A 1 、A 2 的读数相同，即

I A1 I A2

U 1

（ 18V 7.2mA

R 1 R 2 2 ）

0.5 K

而电压表的读数，即 R 2 两端压降为 3.6 V 。

第 2 章 半导体三极管及其基本应用

2． 1 填空题

1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。

2 ．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。

3 ．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是

放大 、 饱和 、 截止 。

4 ．当温度升高时， 晶体管的参数 β 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压 U BE 减 小 。

5 ．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从 10μA 变化到 20μA 时，集电 极电流从 1mA 变为 1.99 mA ，则交流电流放大系数 β约为 99 。

6 ．某晶体管的极限参数 I CM =20mA 、P CM =100mW 、 U (BR)CEO =30V ，因此，当工作电

压 U CE =10V 时，工作电流 I C 不得超过 10 mA ；当工作电压 U CE =1V 时， I C 不得超 过 20 mA ；当工作电流 I C =2 mA 时， U CE 不得超过 30 V 。 7 ．场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 MOS ；根据导电沟道 的不同又可分为 N 沟道 、 P 沟道 两类；对于 MOSFET ，根据栅源电压为 零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。

8 ．U GS(off) 表示 夹断 电压， I DSS 表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型 场效应管的参数。 2 ．2 单选题

1 ．某 NPN 型管电路中，测得 U BE =0 V ，U BC = —5 V ，则可知管子工作于 ( C ) 状态。

A ．放大

B ．饱和

C ．截止

D ．不能确定