光电材料的研究现状及其未来(ppt 20页)

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研究内容及主要指标：
1) 光电集成芯片技术 (1)速率在2.5Gb/s以上的长波长单片集成
光发射机芯片及模块关键技术(A类) (2) 高速 Si基单片集成光接收机芯片及模
块关键技术(A类) 2) 基于平面集成光波导技术的OADM芯片
及模块关键技术(A类) 3) 平面光波导器件的自动化耦合封装关键技
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3、新型半导体材料与光电子器件技术
研究目标：重点研究自组装半导体量子点、 ZnO晶体和低维量子结构、窄禁带氮化物等新 型半导体材料及光电子器件技术。
研究内容及主要指标： 1) 研究ZnO晶体、低维量子结构材料技术， 研制短波长光电子器件 (A类) 2) 自组装量子点激光器技术 (A类) 3) Ⅲ-Ⅴ族窄禁带氮化物材料及器件技术(A 类) 4) 光泵浦外腔式面发射半导体激光器(A类)
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研究内容及主要指标：
(1) 速率在10Gb/s以上的高速光探测器组 件(PIN-TIA) 目标产品和规模化生产技术，直 接调制DFB-LD目标产品和规模化生产技术， 光转发器(Transponder)目标产品和规模化生产 技术；(均为B类，要求企业负责并有配套投入)
(2) 40通道、0.8nm间隔EDFA动态增益均 衡关键技术(A类)；
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3、超高密度光存储材料与器件技术
研究目标：发展具有自主知识产权的 超高密度、大容量、高速度光存储材料 和技术，达到国际先进水平，为发展超 高密度光存储产业打下基础。
研究内容及主要指标： 1) DVD光头用光源和非球面透镜等 产业化关键技术(B类)； 2) 新型近场光存储材料和器件(A类)。
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2、人工晶体和全固态激光器技术
研究目标：研究探索新型人工晶体材料与应用技 术，突破人工晶体的产业化关键技术，研制大功率全 固态激光器，解决产业化关键技术问题。
研究内容及主要指标： 1) 新型深紫外非线性光学晶体材料和全固态激光 器(A类); 2) 面向光子/声子应用的人工微结构晶体材料与器 件 (A类); 3) 研究开发瓦级红、蓝全固态激光器产业化技术 (B类)，高损伤阈值光学镀膜关键技术(B类)，基于全 固态激光器的全色显示技术(A类); 4) 研究开发大功率半导体激光器阵列光纤耦合模 块产业化技术(B类); 5) Yb系列激光晶体技术(A类)。
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“十·五”863项目申请指南
（一）新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和 特种光电子器件
1、光电子基础材料、生长源和关键设备 研究目标：突破新型生长源关键制备技术，掌握
相关的检测技术；突破半导体光电子器件的基础材料 制备技术，实现产业化。
研究内容及主要指标： 1) 高纯四氯化硅(4N)的纯化技术和规模化生产技 术(B类，要求企业负责并有配套投入) 2) 高纯(6N)三甲基铟规模化生产技术(B类，要求 企业负责并有配套投入)
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3) 可协变(Compliant)衬底关键技术(A类) 4) 衬底材料制备与加工技术(B类) 重点研究开发外延用蓝宝石、GaN、SiC等 衬底材料的高标抛光产业化技术（Epi-ready 级）；大尺寸（>2"）蓝宝石衬底材料制备技术 和产业化关键技术。蓝宝石基GaN器件芯片切割 技术。 5) 用于平板显示的光电子基础材料与关键 设备技术(A类) 大面积(对角线>14″)的定向排列碳纳米管或 纳米棒薄膜生长的关键技术; 等离子体平板显示 用的新型高效荧光粉的关键技术。
研究目标：提出光电子新材料、新器件的 构思，为原始创新提供理论概念与设计
研究内容：针对光电子技术的发展需求， 结合本主题的研制任务，采用建立分析模型、 进行计算机模拟，在不同尺度（从原子、分子 到纳米、介观及宏观）范围内，阐明材料性能 与微观结构的关系，以利性能、结构及工艺的 优化。解释材料制备实验中的新现象和问题， 预测新结构、新性能，预报新效应，以利材料 研制的创新。低维量子结构材料新型表征评价 技术和设备。
(3) InGaNAs高性能激光器研究(A类)； (4) 光波长变换器关键技术和目标产品(B 类)； (5) 可调谐激光器目标产品(A类)； (6) 用于无源光网络(EPON)的突发式光收 发模块关键技术和目标产品(B类)。
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3、光纤制造新技术及新型光纤
研究目标：研究开发并掌握具有自主 知识产权的光纤预制棒制造技术；研究 开发新一代通信光纤，推动光纤通信系 统在高速、大容量骨干网以及接入网中 的应用。
术(B类) 4) 基于微光电机械(MOEMS)芯片技术的8′8
以上阵列光开关关键技术(A类) 5) 光电子芯片与集成系统(Integrated System)
的无生产线设计技术研究(A类)
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2、 通信光电子关键器件技术
研究目标：针对干线高速通信系统 和密集波分复用系统、全光网络以及光 接入网系统的需要，重点进行一批技术 含量高、市场前景广阔的目标产品和单 元技术的研究开发，迅速促进相应产品 系列的形成和规模化生产，显著提高我 国通信光电子关键器件产业的综合竞争 能力。
4、光传感材料与器件技术
研究目标：以特殊环境应用为目的，实现 传感元器件的产业化技术开发；研究开发新型 光电传感器。
研究内容及主要指标： 1) 光纤光栅温度、压力、振动传感器的 产业化技术(B类，要求企业负责并有配套投 入); 2) 锑化物半导体材料及室温无制冷红外 焦平面探测器技术(A类); 3) 大气监测用高灵敏红外探测器及其列 阵(A类) ; 4) 基于新概念、新原理的光电探测技术 (A类)。
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5、新型有机光电子材料及器件
研究目标：研究开发新型有机半导 体材料及其在光显示等领ห้องสมุดไป่ตู้的应用。
研究内容及主要指标： 1) 有机非线性光学材料及其在全光 光开关中的应用(A类); 2) 有机半导体薄膜晶体管材料与器 件技术(A类)。
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光电材料的研究现状与未来
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“十一·五”863项目重大项 目
“十一·五 ”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料 技术领域重大项目“半导体照明工程”2006年度课题申请 指南
研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品是《国家中长期科 学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》工业节能优先主题的重要内 容。“半导体照明工程”项目在“十一五”的战略目标是：通过自主 创新，突破白光照明部分核心专利，解决半导体照明市场急需的产业 化关键技术，建立完善的技术创新体系与特色产业集群，完善半导体 照明产业链，形成我国具有国际竞争力的半导体照明新兴产业。
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本项目分解为七个研究方向：
第三代宽禁带半导体外延材料生长和器件技术研究； 130lm/W半导体白光照明集成技术研究； 100lm/W功率型LED 制造技术开发； MOCVD装备核心技术及关键原材料产业化技术开发； 半导体照明重大应用技术开发； 半导体照明规模化系统集成技术研究； 半导体照明产业技术标准、评价体系与专利战略研究。 此次发布的课题申请指南经费预算为22000万元。
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（二）通信用光电子材料、器件与集成技术
1、集成光电子芯片和模块技术
研究目标：突破并掌握用于光电集成 (OEIC)、光子集成(PIC)与微光电机械(MOEMS) 方面的材料和芯片的关键工艺技术，以典型器 件的研制带动研究开发工艺平台的建设和完善， 探索集成光电子系统设计和工艺制造协调发展 的途径，促进芯片、模块和组件的产业化。
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4、 光电子材料与器件产业化质量控制技术(A类)
研究目标：发展人工晶体与全固态激光器、 GaN基材料及器件表征评价技术，解决产业化 质量控制关键技术。
研究内容：重点研究人工晶体与全固态激 光器、GaN基材料及器件质量监测新方法与新 技术，相关产品测试条件与数据标准化研究。
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5、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预 测研究(A类)
研究内容和主要指标： 1) 光纤预制棒制造新技术(B类，要 求企业负责并有配套投入)； 2) 新型特种光纤(A类)。
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（三）面向信息获取、处理、利用的光 电子材料与器件
1．GaN材料和器件技术 研究目标：重点突破用于蓝光激光
器衬底的GaN体单晶生长技术。 研究内容及主要指标： 大面积、高质量GaN体单晶生长技
术。
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2、超高亮度全色显示材料与器件应用技术
研究目标：研究开发用于场致电子发射平 板显示器（FED）材料和器件结构，以及超高 亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术。
说明：等离子体平板显示器和高亮度、长 寿命有机发光器件（OLED）和FED的产业化 关键技术将于"平板显示专项"中考虑。
研究内容及主要指标： 1) 超高亮度冷阴极发光管制作和应用的 关键技术(A类); 2) 研制FED用的、能够在低电压下工作的 新型冷阴极电子源结构、新型冷阴极电子发射 材料(A类)。