超大规模集成电路设计导论考试题及答案

1、MOS集成电路的加工包括哪些基本工艺？各有哪些方法和工序？

答：（1）热氧化工艺：包括干氧化法和湿氧化法；

（2）扩散工艺：包括扩散法和离子注入法；

（3）淀积工艺：化学淀积方法：1 外延生长法；2 热CVD法；3 等离子CVD 法；

物理淀积方法：1 溅射法；2 真空蒸发法

（4）光刻工艺：工序包括：1 涂光刻胶；2 预烘干；3 掩膜对准；4 曝光；

5 显影；

6 后烘干；

7 腐蚀；

8 去胶。

2、简述光刻工艺过程及作用。

答：（1）涂光刻胶：为了增加光刻胶和硅片之间的粘附性，防止显影时光刻胶的脱落，以及防止湿法腐蚀产生侧向腐蚀；

（2）预烘干：以便除去光刻胶中的溶剂；

（3）掩膜对准：以保证掩模板上的图形与硅片上已加工的各层图形套准；

（4）曝光：使光刻胶获得与掩模图形相同的感光图片；

（5）显影：将曝光后的硅片浸泡在显影液中，使正光刻胶的曝光部分和负光刻胶的未曝光部分被溶解掉；

（6）后烘干：使残留在光刻胶中的有机溶剂完全挥发掉，提高光刻胶和硅片的粘接性及光刻胶的耐腐蚀性；

（7）腐蚀：以复制在光刻胶上图形作为掩膜，对下层材料进行腐蚀，将图形复制到下层材料中；

（8）去胶：除去光刻胶。

3、说明MOS晶体管的工作原理

答：MOS晶体管有四种工作状态：

（1）截止状态：即源漏之间不加电压时，沟道各电场强度相等，沟道厚度均匀，S、D之间没有电流I ds=0；

（2）线性工作状态：漏源之间加电压Vds时，漏端接正，源端接负，沟道厚度不再均匀，在D端电位升为V d，栅漏极电位差为

Vgs-Vtn，电场强度变弱，反型层变薄，并在沟道上产生由D到S的电场E ds，使得多数载流子由S端流向D端形成电流I ds，它与V ds变化呈线性关

系：I ds=βn[(V gs-V tn)-V ds/2]V ds

（3）饱和工作状态：Vs继续增大到V gs-V tn时，D端栅极与衬底不足以形成反型层，出现沟道夹断，电子运动到夹断点V gs-V ds=V tn时，便进入耗尽区，在漂移作用下，电子被漏极高电位吸引过去，便形成饱和电流，沟道夹断后，（V gs-V tn）不变，I ds 也不变，即MOS工作进入饱和状态，I ds=V gs-V tn/R c

（4）击穿状态：当Vds增加到一定极限时，由于电压过高，晶体管D端得PN结发生雪崩击穿，电流急剧增加，晶体管不能正常工作。

4、MOS反相器有哪些种类？说明每种反相器的特性。

答：（1）电阻负载反相器（E/R）：该电路在集成电路中很少用，在分离原件中常用；

（2）增强型负载反相器（E/E）：这种反相器的漏端始终处于夹断状态；

（3）耗尽型负载反相器（E/D）：有较高的输出电平和较快的上升速度，其翻转时间短，电路工作速度快，是目前最常用的反相器；（4）CMOS反相器：1 静态功耗低；2 抗干扰能力强；3 电源利用率低；4 输入阻抗多，负载能力强。

5、简述Latch-up效应的产生原理及防治办法

答：产生原理：用CMOS晶体管的说明闸流效应

（1）在P阱内有一个纵向的NPN管，在P阱外有一个横向的NPN管，两个晶体管的集电极各驱动另一个晶体管的基极，构成正反馈回路；

（2）P阱中纵向NPN管的电流放大倍数约为50到几百，P阱外的横向PNP管的电流放大倍数约为0.5到10；

（3）R w和R s为基极的寄生电阻，阱电阻Rw的典型值为1K--10K欧姆，衬底电阻R s 的典型值为500--700欧姆。

如果两个晶体管的电流放大倍数和基极寄生电阻Rw、Rs值太大，在外部噪声的影响下，很容易使输出端V o瞬间置于V ss之下约为0.7V，使得N+漏区（也有可能是N+]源区）向P

阱注入电子，这股电子流使PNP和NPN管的正反馈增强，电流一直增强，将产生很大的破坏性，而且在去除干扰后，闸流电流也不会消除，即产生闸流效应，而且若输出端Vo置于Vdd 上方，也能引P+漏极的空穴注入而引发闸流效应。

防止办法：（1）减小寄生晶体管的电流增益（2）采用伪收集极（3）采用保护环（4）加衬底

6、如何定义晶体管的串并联等效因子？

答（1）串联：如图示是两个晶体管串联及其等效电路，设两个管子的开启电压Vt相同，且都工作在线性区

根据电流公式有：

I ds1=β1[(V g-V t-V m)2-(V g-V t-V d)2] (1)

I ds2=β2[(V g-V t-V s)2-(V g-V t-V m)2]

因为I ds1=I ds2 所以

(V g-V t-V m)2=β2/(β1+β2)[(V g-V t-V s)2-(V g-V t-V d)2]

代入（1）得I ds=β1β2/(β1+β2)[(V g-V t-V s)2-(V g-V t-V d)2]

由等效电路得：I ds=βeff[(V g-V t-V s)2-(V g-V t-V d)2]

由于I ds=I ds1，则βeff=β1β2/(β1+β2)

上式即为两个晶体管串联时的等效导电因子，同理可推出N个管子的串联使用时，其等效导电因子为：

（2）并联：如图所示为两个晶体管并联及其等效电路，设两个管子的开启电压为Vt相同，且都工作在线性区

根据电流公式有：I ds12=I ds1+I ds2=(β1+β2)[(V g-V t-V s)2-(V g-V t-V d)2]

由等效电路得：I ds=βeff[(V g-V t-V s)2-(V g-V t-V d)2]

由于I ds12=I ds则βeff=β1+β2 此式即为两个晶体管并联时的等效导电因子，同理可得N个Vt相等的管子并联使用时的等效导电因子为：

7、简述存储器的主要结构及各部分的作用

答：存储器主要由：存储器、地址译码、读写电路和始终控制电路构成，各部分作用如下：

（1）存储体：由若干个存储单元组成，每个存储单元有两个相对稳定的状态，以代表存储的二进制信息0和1，如果要存储N组二进制数据，每组二进制数据又由M个二进制数组成，则需要M*个单元，这时称该存储器的存储容量为M*N位，N代表能存储的字数，M代表每个字的位数