差动放大器差动放大器
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实验报告:学号:2010210979 姓名:葛宝瑞班级:0221002 实验一:CS放大器
一.实验步骤:
打开位于桌面上的快捷方式,点击POWERED ON 之后,弹出此界面在用户名中输入:tang,之后会弹出类似界面,输入密码:123456,点击icfb.sh,选择在终端中运行;
2、选择File>New>Library,新建自己所用library;输入一个英文名,然后点击OK;之后选择Attach to an existing techfile 的选项,点OK,再Technology Library 选项里面选择NCSU_Techlib_tsmc02d这个选项;这样就建好了一个library;
3、选中自己所建的library后,点击File_New,新建自己所需要的cell New File;这里选择建立一个名(不可中文),然后就出现了电路图的设计界面;
4、点击Add ,选择Instance 的界面,点击Browse,选择analogLib(这是一个应用的元器库)在cell框中选择nmos4;同时在view框中选择symbol格式,这时这个四段nmos器件就选择好了,然后我们设置器件model name为mn,宽度(Width)预设为4u;长度为1u,这个器件的初始值变设置好了;以同样的方法选取pmos4;如果需要改变参数,选中器件后,点击快捷键q,就进行更改;
5、选择gnd(地端),Vdd(高电位),用导线将器件链接好;点击pin键,在pin name里面写上端口的名字,是vin,代表输入端口;要注意下面要选择端口类型,选择input;然后同样的方法将输出端口名为vout,端口类型为output;最后vb端其类型也为input;
6、类似于4的方法建立工作电源:选择3个vdc,需要的直流电压源,设置电压源的初值为5v,3.8v,1v;再来设置小信号,我们设置初值为1v就差不多能够满足其饱和的需求。而小信号我们采用的是vsin正弦波信号,其ac magnitude为1v,方便我们比较信号的放大倍数;而amplitu为1mv;频率为10kHZ;之后按照下图所示接好所选元器件,同时设定好参数,这样就连好了电路;同时操作注意:点击Esc,为放弃器件选择,也能代表放弃此次操作;还有COPY对元器件的复制操作,先点击COPY之后选择要复制的元器件,左击,然后放到你要的位置,再次左击放置;
二.参数设定:
已知vdd=3V, 输出摆幅2.7V,电流为10uA.
所以两管消耗的过驱动电压共0.3V,每个管0.15V。设置偏置电压V out=1.5V,pmos的阈值电压为1V,|Vds|>|Vgs-Vth|,所以Vgs<1.15V,我们可以取vb=1.8V,直流工作电流为10uA,可以仿出P管宽长比。
NMOS的阈值电压为0.7V,保证工作在饱和区即可,去除加在V out处的电压。可以取vin=0.9V仿出N管宽长比。仿瞬时要加小信号1V,频率10k。根据Av=V out/Vin,求出增益。
三.电路的仿真
1、确定设计的电路无误后,我们就可以进行仿真的实验。首先选择Tools>Analog Environment,进入仿真设置的界面。选择setup>Model Library选项,选择选项卡的右下角browse(浏览)按钮,选择csmc05库文件,之后双击csmc05,选择后缀名为scs 的文件,点击ok,然后在section中输入tt,点击Add,点击OK,这样仿真环境就设置好了;
2、此再进行宽长比的扫描,确定实际宽长,设定工作的电流I为10uA, vout处接 1.5v直流;然后进行dc仿真,选择Analyses>dc>component paramerer>select component选择器件nmos4,点击w然后点击OK;再选择开始为1um,结束为20um;然后点击outputs>to be plotted ,选择源极电流,对电流进行扫描,然后点击netlist run进行扫描;之后再做M1的宽长比的扫描,方法与扫描M0的类似;
扫描的结果如下图:图1 为MO的实际宽度结果
W=7.8u
图2 为M1的实际宽度结果
W=22.6u(设定为两个并联,各11.3u)
(图一)PMOS
(图二)NMOS
四.瞬态(tran)仿真
选择Analyses>tran,设置扫描的时间(stop time)为1ms.然后点击outputs>to be plotted 输出选择vout 节点;得到输出的波形。
五.交流(ac)仿真
选择analyses>ac;选择扫描频率(frequency)范围为1k到100M,然后点击outputs>to be plotted端选择vout得到输出波形;
实验二:差动放大器
一.参数设定
已知Vdd=3V,输出摆幅2.4V,尾电流20uA.
所以假设N和P管的过驱动电压为(3-2.4)/3=0.2V,要使P管工作在饱和区,就保正|Vds|>|Vgs-Vth|,|Vgs|<0.9V,可以取vb=1.8(g点电压)。其次是N管保证工作在饱和区,首先M2,M3由于源极电压不为0,所以有体效应。对于M2,M3管Vds>Vgs-Vth,1+0.2+0.2>Vgs,可以取Vg=1.35V.为保证M4工作在饱和区,0.2>Vg-0.75,可以加Vg=1V.
二.电路的仿真
首先要测出M4宽长比,可以加0.3V的工作电压,让其处于饱和区,选电流为20uA,得W=13.6uM。
在测出M0,M1宽长比,由于同时模拟所以设置变量,同时测量。可以加一个1.5V的源极电压,使其工作在饱和区,选电流10uA,得W=7.8uM。
再测M2,M3宽长比,选择变量模拟,选电流为10uA,得W=18uM。
三.瞬态(tran)仿真
选择Analyses>tran,设置扫描的时间(stop time)为1ms.然后点击outputs>to be plotted 输出选择vout 节点;得到输出的波形。加一交流小信号,电压1V、频率10KHz、1m(amplitude)。
四.交流(ac)仿真
选择analyses>ac;选择扫描频率(frequency)范围为1k到100M,然后点击outputs>to be plotted端选择vout得到输出波形;