器件网格划分方法的教学总结与归纳

器件网格划分方法的教学总结与归纳

一、前言微电子产业规模和技术水平是衡量国家综合实力的重要指标，在促进国民经济可持续性发展的同时，对国家安全战略的保护也有着重要的贡献。 [1] 积极培养掌握先进半导体知识与集成电路设计技术并符合企业需求的高端人才，是高等学校肩负的不可推卸的重要职责。在微电子相关课程体系教学过程中，引入半导体器件计算机模拟仿真技术，可以帮助学生理解抽象、复杂的基础理论，加强学生半导体技术实际应用能力的培养，实现理论教学与实践教学的紧密结合 [2] ，在一定程度上可以缓解教学投入与学校有限办学经费之间的矛盾。

要顺利开展半导体器件模拟仿真工作，首先面临所谓的网格划分问题。 [3] 网格划分指的是将非线性偏微分方程所描述的几何区域分割成有限个子区域的方法，把非线性偏微分方程的求解，简化为在更小单个子区域内线性方程组的求解。网格划分的优劣决定了方程求解速度的快慢，关系到数值求解是否能收敛及误差大小。在正确划分网格的基础上，越细致的网格，得到的数据与真实值的误差就越小，但仿真任务所需计算时间增加的就越快，所需计算硬件资源就越多越昂贵，甚至超出高等学校实际的办学条件。

半导体工艺及器件仿真工具 Sentaurus TCAD 是由 Synopsys 公司开发的最新软件，可以用来模拟集成器件的工艺制程、器件

物理特性和互连特性等，支持的仿真器件类型包括CMO、S 功率

器件、存储器、太阳能电池和光电探测器等，在高校微电子与半导体相关专业教学中逐渐得到了推广。 [4][5] 本文将以

Sentaurus软件对半导体PN结仿真模拟的任务为例，针对软件中SDE 模块中涉及的网格划分的主要内容与方法进行归纳整理，为相关课程的教学提供参考借鉴。

二、步骤与策略

网格的划分大致分为三个步骤：定义网格划分的策略，定义划分网格的区域，将网格划分的策略施加到相应区域上。这是 SDE中网格划分的基本的方法，当有部分区域没有被定义为网格划分区域时，将自动为该部分区域进行网格划分，但相对划分的部分会粗略许多。

对于网格区域的定义需要根据器件的结构和网格的划分策

略，SDE中提供了三种网格区域定义的方法：自定义窗口区域（Window）、通过选定器件的结构区域（Region）、通过选定器件的材料（ Material ）。三种网格区域定义的方法各有侧重，需要根据情况得当使用。

在网格区域划分的基础上便需要进行网格划分策略的选择，定义网格划分的策略也是网格划分过程中最核心的部分。软件中网格划分的基本思路是，在三个坐标轴方向上设定最小（ Min）和最大划分因子（Max）的值，通过调节比例参数（Ratio ），改变最小因子到最大因子的变化速率（当比例参数为 1 时表示选用最小划分因子进行相应坐标轴上的划分）。按照各坐标轴的正方向由最小因子至最大因子的步长，并由最大因子的步长完成整个网格划分剩余的过程。在这里

将网格划分的策略分为主要的两类：一种是按几何区域进行网格划分，另一种是按器件的结构、区域以及材料的分布进行网格划分。系统存在自动网格划分的机制，这些机制针对没有进行网格划分区域定义的器件区域部分以及定义了网格区域但是没有定义网格划分策略的区域。系统是会自动对上述部分进行网格划分的。

三、空间几何区域方法

在SDE中构建了一块PN结构器件的2D模型，分别定义了两种具体的网格划分策略，如表 1所示。图 1为没有添加网格划分策略定义的状态下，系统自行生成的粗略网格划分。图2为只对从（-

2.0 ， 0.5 ）到（ 2.0 ， 1.5 ）矩形区域执行策略 1的网格划

分。图 3 为对相同区域执行策略 2 的网格划分。由图可知，在无网格划分策略定义区域内，同样执行了网格划分的过程，这些区域的网格划分与有定义网格划分策略的区域具有匹配性，尤其是在两区域之间的过渡区。这样的机制使得策略定义区域和无策略定义区域通过过渡区域相吻合，提高了数学求解时边界条件的连续性，有利于减小误差。

当不同策略定义叠加在同一几何区域内时，网格划分结果将变得不一样。例如，先对器件从（ -2.0 ， 0.0 ）到（ 2.0 ， 2.0 ）整个矩形区域执行表 1 中策略 1 的网格划分，再对从（ -2 ，0.5 ）到（ 2，1.5 ）区域执行表 1 中策略 2 的网格划分，得到的网格划分结果如图 4 所示。若将这两个区域内网格划分策略对换一下，也就是先对从（ -2.0 ，0.0 ）到（ 2.0 ，2.0 ）区域执行策略 2 的网

格划分，再对从（ -2，0.5）到（2，1.5）区域执行策略 1 的网格划

分，得到的网格划分结果将如图 5 所示。由此实验可以看出，对同一区域施加多个网格划分策略时，系统会优先采取网格划分较为细致的一种方案，同时在两种不同策略网络划分区域之间，网格划分较为粗糙的一侧生成过渡区域。过渡区域完成从网格划分较为细致一侧区域向较为粗糙一侧区域的过渡。

四、器件物理结构方法

第二类网格划分的策略，按器件结构、功能层或材料属性的不同进行网格划分，这种网格的划分策略能够更加具体针对的器件物理结构。因为器件仿真时往往需要对界面处的参数进行针对性考虑，因而对界面处的网格划分也需要进一步的细化。以界面处作为放射边（面）进行扩散式的网格划分，往往比单纯的以几何区域定义划分网格的方法更加合理。

在SDE中提供了三种主要的第二类网格划分的策略：对于同质结材料针对不同掺杂进行不同的网格划分；针对不同的器件结构梯度（ Gradient ）进行不同的网格划分；针对不同界面

（interface ）进行不同的网格划分，这也适用于由异质结不同材料

形成的界面，结构定义时不同的结构部分形成的界面以及电

极的界面。

这类策略中第三种针对界面进行网格划分，是广泛采用的一种方法。还是以PN结为例，p型区域和n型区域交界处的有源层是PN 结器件工作的核心区域，此处区域需要网格划分时的额外细化。如图