2003-2016年合肥工业大学831半导体物理考研真题及答案解析 汇编
2003—2012合肥工业大学物理化学历年真题
合肥工业大学2003年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：物理化学 适用专业：应用化学、化学工艺等专业（各位考试请注意：答题请写在报考点统一发放的答题纸上，写在试卷上一律无效.）一、名词解释：[15分] 1. 焓H2. 比表面吉布斯函数σ3. 润湿角（接触角）θ4. 超电势η5. 基元反应二、填充题：（1-3题填>、<或＝，不能确定者填×）[50分，每空2分]1. 对于任何一个热力学平衡系统，G H ，T V A )/(∂∂＝ 0。
2. 101.325kPa 下水由20℃升温至30℃，其μΔ＝ 0，σΔ＝ 0。
3. 在101.325kPa 、99℃时，过饱和水蒸气快速冷凝为水，其S Δ 0，H Δ 0，G Δ 0，W 0。
4. 1000K 时反应SO 2+1/2O 2=SO 3的标准平衡常数θK ＝ ，θmr G Δ＝ 。
5. 1atm 、25 ℃时，液态有机物B 在水中部分溶解而形成浓度x B ＝0.1的饱和溶液，而水在B 中完全不溶。
现以液态纯B 物质为标准态，则B 在水中的活度a B ＝ ，活度系数f B ＝ 。
6. 上述共轭平衡系统的组分数C ＝ ，自由度数F ＝ 。
7. 真实气体B 的化学势表达式为μB ＝ ，其标准态是指 。
8. 某反应A+B=P 的动力学方程为 nA kc v =，已测得t /min 10 15 20 25 30 35c A /mol·dm -3 0.3370.2810.2340.1950.1630.136则该反应级数n ＝ ，反应速率常数k ＝ 。
9. 固体A 对气体B 的吸附符合朗格谬尔理论，已知其吸附系数b ＝0.5kPa -1，则当覆盖率θ为1/2时B 的压力p B ＝ kPa ，当B 的压力p B 为4kPa 时的覆盖率θ＝ 。
10. 对于0.01mol/kg 的CaCl 2水溶液，其离子强度I ＝ 。
若已知r ±＝0.724，则b ±＝ mol/kg ，a ±＝ 。
2016年合肥工业大学考研真题及资料 合工大考研真题
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半导体物理习题及答案
半导体物理习题及答案(总12页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--复习思考题与自测题第一章1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。
答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。
当原子互相靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层价电子则参与原子间的相互作用，应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。
组成晶体原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相似，称为准自由电子，而内层电子共有化运动较弱，其行为与孤立原子的电子相似。
2.描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念, 用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。
答：引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。
惯性质量描述的是真空中的自由电子质量，而不能描述能带中不自由电子的运动，通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动，成为有效质量3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此，为什么？答：不是，能级的宽窄取决于能带的疏密程度，能级越高能带越密，也就是越窄；而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度，掺杂浓度高，禁带就会变窄，掺杂浓度低，禁带就比较宽。
4.有效质量对能带的宽度有什么影响，有人说:"有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.是否如此，为什么？答：有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比，对宽窄不同的各个能带，1（k）随k的变化情况不同，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大，内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。
合工大2003-2015年半导体物理真题总结
2003--2015真题一．简答题1.半导体晶体中电子波函数的形式是怎样的？其物理意义是什么？2.何谓空穴？3.砷化镓的能带和硅的能带有什么异同点？4.什么是施主杂质和受主杂质？什么是杂质的电离能？5.什么是复合中心？复合中心起什么作用？6.金属与半导体接触有那两种类型？平面工艺中有一道蒸铝的工艺，这层铝膜与半导体的接触属于哪一种接触类型？7.复合的微观机构有哪几种？并给出其定义。
8.半导体中有哪几种主要的散射机构？它们各在什么条件下起作用？9.何谓电子的有效质量，引入有效质量的意义何在？10.解释非简并半导体和简并半导体。
分别写出谈们的判断标准。
非简并半导体的热平衡判据是什么，并说明其意义。
11.杂质在半导体中起哪些作用？12.何谓施主表面态和受主表面态？13.什么是准热平衡态和准费米能级？引入这两个概念的意义何在？14.半导体表面在电场作用下，可以出现哪几种表面态？15.半导体中有哪几种主要的散射机构，它们各在什么条件下起作用？16.什么是金属和半导体的功函数？其物理意义是什么？半导体的功函数与什么因素有关？什么是电子亲和能？半导体的功函数与电子亲和能对于同一材料哪个为可变量？17.什么叫费米能级？它的位置能反映那些信息？说明时要详细一些。
18.给出电子迁移率的表达式，它与哪些因素有关？19.何谓本征吸收，直接跃迁和间接跃迁？20.什么是替位式杂质和间隙式杂质？21.分别写出Si和GaAs的迁移率表达式，并说明其物理意义。
22.列出两种以上产生非平衡载流子的方法。
23.写出n型半导体的扩散长度表达式，并说明其物理意义。
24.什么是单电子近似？25.什么是杂质的补偿作用？26.写出电子与空穴的爱因斯坦关系。
其是否能够应用于非平衡载流子？为什么？27.列出描述原子电子量子态的四个量子数，并说明它们之间的数量关系。
28.什么是强电场效应？29.什么是非平衡态？30.什么是光注入？其特点是什么？31.晶体中的内层电子和外层电子运动状态及能量有什么区别？32.什么是大注入？33.讨论EFn和EFp偏离程度的物理意义。
半导体物理 课后习题答案解析
第一章习题1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为：E c =0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。
试求：为电子惯性质量，nm a ak 314.0,1==π（1）禁带宽度;（2） 导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1）eV m k E k E E E k m dk E d k m kdk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064338232430)(2320212102220202020222101202==-==<-===-==>=+===-+ 因此：取极大值处，所以又因为得价带：取极小值处，所以：在又因为：得：由导带：043222*83)2(1m dk E d mk k C nC===sN k k k p k p m dk E d mk k k k V nV/1095.7043)()()4(6)3(25104300222*11-===⨯=-=-=∆=-== 所以：准动量的定义：2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
解：根据：tkhqE f ∆∆== 得qE k t -∆=∆sat sat 137192821911027.810106.1)0(1027.810106.1)0(----⨯=⨯⨯--=∆⨯=⨯⨯--=∆ππ第三章习题和答案1. 计算能量在E=E c 到2*n 2C L 2m 100E E π+= 之间单位体积中的量子态数。
解322233*28100E 21233*22100E 0021233*231000L 8100)(3222)(22)(1Z VZZ )(Z )(22)(2322C 22C L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V d dEE g d E E m V E g c nc C n l m h E C n l m E C n n c n c πππππ=+-=-====-=*++⎰⎰**）（）（单位体积内的量子态数）（2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。
2003年研究生入学考试试题半导体物理与器件
一． 简单回答：（20分） 1． 在原子间距为 a 的一维单原子晶格中，波矢 q=1/4(2π/a)，和 q=1/4(2π/a)+2π/a 的两种格波所描述的原子振动的情况有何 异同？ 2． 含施主浓度为 Nd=210cm,受主浓度为 Na=210×cm 的硅样品,温度 为 300K 和温度为 500K 时该样品的载流子浓度各是多少？
的晶格振动的独立波矢数都为 4 ○ 有 ；其中有 8 ○ 5 ○ 类横波，有
；晶格振动的总的格波数都是 7 类纵波，有 ○ 支声学波，
支光学波。
2、某一维半导体晶体价带顶附近的电子能量，在国际单位制中可 表示为 E（k）=E0-10 ，现将其中一波矢 k=10 cm 的电子移走，则此 电子留下的空穴能量为 速度为 4 ○ 、准动量为 1 、有效质量为 ○ 5 。 ○ 2 ○ 、波矢为 3 ○ 、
在有一个受主浓度为 Na 的 P 型半导体：
1．
在表面空间电荷区为积累层、耗尽层、反型层三种情况 下，分别画出能带图（必须画出费米能级和本征费米能 级） ：
2．
已知强反型层开始出现的条件是：表面触地少子浓度等 于体内的多子浓度。画出开始出现强反型层时的能带 图，证明开始出现强反型层时，表面势 Vs = 2 φ f 。这里
，试由
τ =τ p
n0 + n1 p + p1 +τ n 0 n0 + p0 n0 + p0 验证上述关系：并说明激活能
Ec − Ei kT
∆ E 的物理意义。 （式中 n1 = N c e
, p1 = N v e
Ei − Ec kT
）
四． （ 15 分）两种载流子同时起作用，半导体的霍尔系数为：
2016年安徽工业大学831物理化学考研真题硕士研究生入学考试试题
2016年安徽工业大学全国硕士研究生入学考试招生单位自命题试卷 A 卷831（A 卷）第 1 页，共 3 页 安徽工业大学2016年硕士研究生招生专业基础课试卷（A 卷）科目名称： 物理化学 科目代码： 831 满分： 150分考生请注意：所有答案必须写在答题纸上，做在试题纸或者草稿纸上的一律无效！一、填空题（本题14分，每小题2分）1、在101325 Pa 下，-10℃过冷水的化学势⎽⎽ ⎽⎽-10℃ 冰的化学势。
（选填＞，＝，＜）。
（2分）2、在一定的温度下将1mol A 和1mol B 两种液体混合形成理想液态混合物,则混合过程的Δmix H ; Δmix S ｡(在横线内填>0，=0或<0) （2分）3、在温度T 时，将NH 2COONH 4 (s) 置于抽空的容器中 ，当反应NH 2COONH 4 (s) 2NH 3(g)+ CO 2 (g) 达平衡时，测得总压力为p ，则反应的标准平衡常数K ө =⎽⎽⎽⎽ 。
（2分）4、某温度T 时，反应 (i) SO 2(g) +1/2O 2 (g) == SO 3(g) K 1ө；(ii) 2SO 2(g) +O 2 (g)== 2SO 3(g) K 2ө，则K 1ө和K 2ө的关系是 。
（2分）5、对单组分体系来说，体系最多可能有 个自由度。
（2分）6、几个平行反应的活化能往往不同，温度升高有利于活化能 的反应（选填大、小），反之温度低有利于活化能 的反应（选填大、小）。
（2分）7、影响反应速率的主要因素有催化剂、 、 。
（2分）二、选择题（本题20分，每小题2分）1、若固体不能被液体润湿，则相应的接触角为（ ）（2分）（A ）> 900； （B ）＝ 900； （C ）< 900； (D) 无法确定。
2、通常所说胶体带正电或负电是指⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽而言。
( ) （2分）（A ）胶核 ； （B ）胶粒； （C ）胶团； (D) 无法确定。
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合肥工业大学《半导体物理》全套考研资料
一、合肥工业大学《半导体物理》历年考研真题及答案解析
2016年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）（11月份统一更新）
2015年合肥工业大学《半导体物理》考研真题
2014年合肥工业大学《半导体物理》考研真题
2013年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2012年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2011年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2010年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2009年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2008年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2007年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2006年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2005年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2004年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2003年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
二、合肥工业大学《半导体物理》期中期末试卷
合工大半导体物理期末试卷
三、合肥工业大学《半导体物理》考研复习笔记
四、赠送资料（电子版，发邮箱）
1、半导体物理课本部分习题配套答案
2、初试半导体物理配套课件
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