半导体存储器分类共54页文档
存储器
TM
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存储器读时序图(补充）
指定地址
2011 BIT
石秀民 北京理工大学
有效数据 /WE为高电平
TM
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存储器写时序图(补充）
指定地址A0-A12(A19)
2011 BIT
石秀民 北京理工大学
有效数据
TM
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2011 BIT
8086/8088时序例－存储器写
T1：输出地址；T2：总线转向；T3:存储器访问；T4:结束
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(2) 编程
两种编程方式：标准编程、快速编程
标准编程的过程
a) 将EPROM插入专门的编程器 b) VCC加上+5V， VPP加上EPROM 所要求的高电 压（+12.5V, +15V, +21V, +25V等） c) 加上待编程单元的地址，数据线上加上待写入 的数据，CE保持低电平，OE保持高电平
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EPROM 27C040 的编程时序图
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27C040 快速编程流程图
TM
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四， EEPROM(E2PROM)
EPROM在擦除时需从系统上取下，而E2PROM可在线进行电 擦除
典型EEPROM芯片介绍
根据制造工艺及芯片容量，EEPROM具有多种型号。
CS#片选： 低有效，允许对存储器读写 R/W# 读 / 写 ： 读 / 写 控 制 信 号 ， 高 电 平 为 读 ， 低 电 平 为写。 OE# 输 出 使 能 ： 在 读 存 储 器 周 期 中 ， OE# 为 低 电 平 允 许输出数据
存储器系统
存储器系统：概述：计算机中的存储系统是用来保存数据和程序的。
对存储器最基本的要求就是存储容量要大、存取速度快、成本价格低.为了满足这一要求,提出了多级存储体系结构。
一般可分为高速缓冲存储器、主存、外存3个层次,有时候还包括CPU内部的寄存器以及控制存储器.◆衡量存储器的主要因素：存储器访问速度、存储容量和存储器的价格;◆存储器的介质：半导体、磁介质和光存储器.◆存储器的组成：存储芯片+控制电路(存储体+地址寄存器+数据缓冲器+时序控制）;◆存储体系结构从上层到下层离CPU越来越远、存储量越来越大、每位的价格越来越便宜，而且访问的速度越来越慢存储器系统分布在计算机各个不同部件的多种存储设备组成，位于CPU内部的寄存器以及用于CU的控制寄存器。
内部存储器是可以被处理器直接存取的存储器,又称为主存储器，外部存储器需要通过I/O模块与处理器交换数据,又称为辅助存储器，弥补CPU处理器速度之间的差异还设置了CACHE，容量小但速度极快,位于CPU和主存之间，用于存放CPU 正在执行的程序段和所需数据。
整个计算机的存储器体系结构：通用寄存器堆—指令和数据缓冲栈—Cache（静态随机存储器RAM）—主存储器(动态随机存储器DRAM）—联机外部存储器（磁盘存储器)—脱机外部存储器(磁带、光盘存储器) 通常衡量主存容量大小的单位是字节或者字,而外存的容量则用字节来表示。
字是存储器组织的基本单元,一个字可以是一个字节，也可以是多个字节。
信息存取方式：信息的存取方式影响到存储信息的组织，常用的有4种，◆顺序存取存储器的数据是以记录的形式进行组织，对数据的访问必须按特定的线性顺序进行.磁带存储器的存取方式就是顺序存取。
◆直接存取共享读写装置，但是每个记录都有一个唯一的地址标识，共享的读写装置可以直接移动到目的数据块所在位置进行访问。
因此存取时间也是可变的。
磁盘存储器采用的这种方式。
◆随机存取存储器的每一个可寻址单元都具有唯一地址和读写装置，系统可以在相同的时间内对任意一个存储单元的数据进行访问，而与先前的访问序列无关。
SRAM
SRAM、DRAM、SDRAM、DDRSDRAM、RDRAM、SARAM、SDRAM、NAND_F/NOR_F2007-11-29 09:16一、 SRAM(Static Random Access Memory)与DRAM(Dynamic Random Access Memory)这是根据内存的工作原理划分出的两种内存。
DRAM表示动态随机存取存储器。
这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。
DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。
数据存储在电容器中。
电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。
为了将数据保存在存储器中，DRAM器件必须有规律地进行刷新。
而SRAM是静态的，因此只要供电它就会保持一个值。
一般而言，SRAM 比DRAM 要快，这是因为SRAM没有刷新周期。
每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。
相比而言，DRAM比SRAM每个存储单元的成本要高。
照此推理，可以断定在给定的固定区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。
SRAM常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率；而DRAM常常用于PC中的主存储器，因为其拥有更高的密度。
二、SDRAM(Synchronous DRAM)、DDRSDRAM(Dual Data Rate SDRAM)和RDRAM(Rambus DRAM)这是计算机内存市场上对内存的分类方式，这些内存都属于上面提到的DRAM。
SDRAMSDRAM中文名字是“同步动态随机存储器”，意思是指理论上其速度可达到与CPU同步。
自从Pentium时代以来，SDRAM就开始了其不可动摇的霸主地位。
这种主体结构一直延续至今。
成为市场上无可争议的内存名称的代名词。
台式机使用的SDRAM一般为168线的管脚接口，具有64bit的带宽，工作电压为3.3伏，目前最快的内存模块为5.5纳秒。
由于其最初的标准是采用将内存与CPU 进行同步频率刷新的工作方式，因此，基本上消除了等待时间，提高了系统整体性能。
半导体存储器题库
半导体存储器题库
1. 半导体存储器按照存取功能可以分为哪两类？
A. 只读存储器和随机存储器
B. 磁表面存储器和半导体存储器
C. 主存储器和外存储器
D. 硬盘和软盘
2. ROM代表什么类型的存储器？
A. 只读存储器
B. 随机存储器
C. 缓冲存储器
D. 高速缓存存储器
3. RAM代表什么类型的存储器？
A. 只读存储器
B. 随机存储器
C. 缓冲存储器
D. 高速缓存存储器
4. EEPROM是什么类型的存储器？
A. 只读存储器
B. 随机存储器
C. 可编程只读存储器
D. 可擦除可编程只读存储器
5. EPROM是什么类型的存储器？
A. 只读存储器
B. 随机存储器
C. 可编程只读存储器
D. 可擦除可编程只读存储器
6. 半导体存储器的优点是什么？
A. 容量大、速度快、功耗低、体积小、可靠性高
B. 容量小、速度快、功耗低、体积大、可靠性高
C. 容量大、速度快、功耗高、体积小、可靠性低
D. 容量小、速度快、功耗高、体积小、可靠性低
7. 下列哪个不是半导体存储器的缺点？
A. 需要定期刷新
B. 数据易丢失
C. 存取速度慢
D. 集成度低
8. 半导体存储器的刷新周期是由什么决定的？
A. 存储单元的个数
B. 存取周期的时间长度
C. 刷新电路的工作原理
D. 数据在内存中存放的时间长度。
AN2594中文资料
引言许多应用都需要用EEPROM（电可擦可编程只读存储器）来存储非易失性数据。
低成本目的使得STM32F101xx和STM32F103xx 器件没有使用EEPROM。
而是使用了嵌入式闪存来实现EEPROM模拟。
这篇应用笔记解释了外部EEPROM和嵌入式闪存的区别，并且它还描述了一种软件方法，这个方法是为了使用STM32F101xx和STM32F103xx器件的片上闪存来模拟EEPROM。
这篇文档也致力于一些针对模拟EEPROM数据存储的嵌入式方面，这些是假定读者知道的。
术语中等密度器件是指那些闪存存储范围在32和128Kb之间的STM32F101xx和STM32F103xx微控制器。
高密度器件是指那些闪存存储范围在256和512Kb之间的STM32F101xx和STM32F103xx微控制器。
目录1嵌入式闪存vs EEPROM:主要区别1.1写访问时间的区别1.2写方法的区别1.3擦除时间的区别2模拟EEPROM的实现2.1原理2.1.1应用举例2.1.2EEPROM软件描述3嵌入式应用方面3.1数据间隔尺寸管理3.1.1一个字一个字的编程3.1.2一个字节一个字节的编程3.2平均抹写存储区块：闪存持续时间的改善3.2.1平均抹写存储区块实现的举例3.3功率损耗下的页数据头恢复3.4可擦写性能4出版历史表格清单表1. 内嵌式闪存和EEPROM之间的区别表2. 状态组合和采取的行动表3. 模拟EEPROM中储存变量的最大值（10000个周期） 表4. 文档修正历史图清单图1. Page0和Page1之间的页状态切换图2. EEPROM变量格式化图3. 数据更新流程图4. 写变量流程图图5. 四页的页交换计划（平均抹写存储区块）1嵌入式闪存VS EEPROM:主要区别电可擦可编程只读存储器（EEPROM）是许多嵌入式应用程序的关键组成部分，这些应用程序要求非易失性存储数据在运行的时候一个字或者一个字节的更新。
IC测试原理：存储器和逻辑芯片测试
目 的 ：这是功能测试，地址解码测试和干扰 测试一个极好的向量。如果选择适当的时序，它还 可以很好地用于写入恢复测试。同时它也能很好地 用于读取时间测试。
其他的测试向量都类似于以上这些向量，都基 于相同的核心理念。
５ 动态随机读取存储器（ＤＲＡＭ）
动态随机读取存储器（Ｄ Ｒ Ａ Ｍ ）的测试有以 下的一些特殊要求：
读取时间（Ａｃｃｅｓｓ ｔｉｍｅ）：通常是指在读使能， 芯片被选中或地址改变到输出端输出新数据的所需 的时间。读取时间取决于存取单元排列次序。
３ 存储器芯片所需的功能测试
存储器芯片必须经过许多必要的测试以保证其 功能正确。这些测试主要用来确保芯片不包含以下 任何一种类型的错误：
存储单元短路 ： 存储单元与电源或者地短路。 存储单元开路：存储单元在写入时状态不能改变。 相邻单元短路 ：根据不同的生产工艺，相邻 的单元会被写入相同或相反的数据。 地址开路或短路 ： 这种错误引起一个存储单 元对应多个地址或者多个地址对应一个存储单元。 这种错误不容易被检测，因为我们一次只能检查输 入地址所对应的输出响应，很难确定是哪一个物理 地址被真正读取。 存储单元干扰：它是指在写入或者读取一个存 储单元的时候可能会引起它相邻的存储单元状态的 改变，也就是状态被干扰了。
微机原理第5章存储器系统
3. 工作方式
数ห้องสมุดไป่ตู้读出 字节写入：每一次BUSY正脉冲写
编程写入
入一个字节
自动页写入：每一次BUSY正脉冲写
入一页（1~ 32字节）
字节擦除：一次擦除一个字节 擦除
片擦除：一次擦除整片
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4. EEPROM的应用
可通过编写程序实现对芯片的读写； 每写入一个字节都需判断READY / BUSY
主存储器 虚拟存储系统
磁盘存储器
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Cache存储系统
对程序员是透明的 目标：
提高存储速度
Cache
主存储器
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虚拟存储系统
对应用程序员是透明的。 目标：
扩大存储容量
主存储器
磁盘存储器
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3. 主要性能指标
存储容量（S）（字节、千字节、兆字节等） 存取时间（T）（与系统命中率有关）
端的状态，仅当该端为高电平时才可写 入下一个字节。
P219例
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四、闪速EEPROM
特点：
通过向内部控制寄存器写入命令的方法 来控制芯片的工作方式。
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工作方式
数据读出
读单元内容 读内部状态寄存器内容 读芯片的厂家及器件标记
CAS：列地址选通信号。
地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们 分别在#RAS和#CAS有效期间被锁存在锁存器中。
WE：写允许信号
DIN： 数据输入
WE=0 WE=1
数据写入 数据读出
DOUT：数据输出
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3. 2164在系统中的连接
与系统连接图
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三、存储器扩展技术
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1. 存储器扩展
1 A15 1 A14 1 A13
微机接口ppt课件第6章微型计算机中的存储器
程写入。 2021/8/17
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电可擦除可编程只读存储器EEPROM （Electrically EPROM）：与EPROM类似， 只是使用电信号进行擦除，比EPROM更为 方便。
闪速存储器（Flash Memory）：新型的 半导体存储器，具有非易失性、电擦除 性和高可靠性。
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计算地址范围的方法是： 译码器的输入信号（A19~A13）为0011111
（高7位地址）， 低13位地址（A12~A0）可以是全0到全1之间。
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图6-4 6264的全地址译码连接
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只将系统总线的部分高位地址线作为译码器 的输入，从而得到存储器芯片地址范围的译 码连接方式称为部分地址译码连接。
每个存储矩阵由7条行地址线和7条列地址线 选择相应的存储单元。
7条行地址线经过译码器产生128条行选择线， 可选择128行；
7条列地址线经过译码器产生128条列选择线， 可选择128列。
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2．动态RAM 2164的工作过程
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1．2164的引脚及内部结构
2164是一个64K×1位的动态RAM芯片 其引脚包含8条地址线A0~A7 数据输入端DIN，数据输出端DOUT 行地址选通RAS，列地址选通CAS 写允许端WE（高电平时为数据读出，低
电平时为数据写入），如图6-6所示。
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由于16K=214，故每个芯片有14位地址线，8 条数据线。
数字电子技术习题附答案
数字电子技术习题附答案(共20页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--一、填空题。
1．基本的逻辑门电路有 与 ， 或 ， 非 。
2．基本逻辑运算有_与_、或、非3种。
3．描述逻辑函数各个变量取值组合与函数值对应关系的表格叫 真值表 。
4．十进制数72用二进制数表示为 1001000 ，用8421BCD 码表示为 01110010 。
二进制数111101用十进制数表示为 615.数制转换： (8F)16 = ( 143 )10= ( )2 = ( 217 )8；(3EC)H = ( 1004 )D ； (2003) D = ()B = ( 3723)O 。
6.有一数码，作为自然二进制数时，它相当于十进制数 147 ，作为8421BCD 码时，它相当于十进制数 93 。
7.10=( )2 = ( )8421BCD 。
8．在8421BCD 码中，用 4 位二进制数表示一位十进制数。
9．在逻辑运算中，1+1= 1 ；十进制运算中1+1= 2 ；二进制运算中1+1= 10 。
10、表示逻辑函数功能的常用方法有逻辑表达式、逻辑真值表、卡诺图等。
11．将2004个“1”异或得到的结果是（ 0 ）。
12．TTL 门电路中，输出端能并联使用的有__OC 门__和三态门。
13. 在TTL 与非门电路的一个输入端与地之间接一个10K 电阻，则相当于在该输入端输入 高 电平。
14．TTL 与非门多余输入端的处理方法通常有 接至正电源 ， 接至固定高电平 ， 接至使用端 。
逻辑门是 单 极型门电路，而TTL 逻辑门是 双 极型门电路。
16.与TTL 电路相比，COM 电路具有功耗 低 、抗干扰能力 强 、便于大规模集成等优点。
门电路的电源电压一般为 5 V ， CMOS 电路的电源电压为 3—18 V 。
门的输出端可并联使用，实现线与功能；三态门可用来实现数据的双向传递、总线结构等。
64K1I64K1I64K1I6...
第五章存储器系统5.1 存储器件的分类5.2 半导体存储芯片5.3 存储系统的层次结构1.存储系统的分层管理2.地址映射技术3.现代计算机的多级存储体系5.4 主存储器设计技术u 存储芯片选型u 存储芯片的组织形式u 地址译码技术u 存储器接口设计决定芯片片选信号的实现两级译码；全译码、部分译码、线译码；固定、可变存储介质(存储原理)、读写策略(存取方式)容量扩展；基本结构（RAM 、ROM ）、性能指标并行、多端口、联想（改善主存的访问速度和吞吐量）不同的存储原理双极型：MOS 型掩膜ROM一次性可编程PROM 紫外线可擦除EPROM 电可擦除E2PROM 快闪存储器FLASH易失性存储器非易失性存储器静态SRAM动态DRAM存取速度快，但集成度低，一般用于大型计算机或高速微机的Cache ；速度较快，集成度较低，一般用于对速度要求高、而容量不大的场合（Cache ）集成度较高但存取速度较低，一般用于需较大容量的场合（主存）。
半导体存储器磁介质存储器磁带、软磁盘、硬磁盘（DA 、RAID ）光介质存储器只读型、一次写入型、多次写入型不同的读写策略一.数据访问方式–并行存储器(Parallel Memory)–串行存储器(Serial Memory)二.数据存取顺序1.随机存取（直接存取）可按地址随机访问；访问时间与地址无关；2.顺序存取(先进先出)FIFO、队列(queue)3.堆栈存储先进后出(FILO)/后进先出(LIFO)；向下生成和向上生成；实栈顶SS、堆栈指针SP；堆栈的生成方式堆栈建立与操作示例堆栈段起始地址栈底及初始栈顶（a）向下生成堆栈的建立及初始化（b）入栈操作（实栈顶）栈顶（c）出栈操作（实栈顶）地址存储单元10200H10202H10204H10206H10208H1020AH1020CH……10230H0011SS1020 SP初值0030栈顶PUSH AX1234PUSH BX1A B110200H10202H10204H10206H10208H……1022CH1022EH10230H0011SS1020SP0030栈底堆栈段起始地址12341A B1002E002CPOP AXPOP BX10200H10202H10204H10206H10208H……1022CH1A B11022EH123410230H0011SS1020SP002C(栈底)堆栈段起始地址002E00301A B11234静态RAM 的六管基本存储单元集成度低，但速度快，价格高，常用做Cache 。
17年华工计算机接口技术随堂理解练习
1.(单选题) 8086CPU的地址总线和数据总线各有（）根A、16，16B、20，16C、20，8D、16，8答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：2.(单选题) 下列哪个标志位可用于判断CPU运算是否溢出。
（）A、CFB、OFC、ZFD、SF答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：3.(单选题) 下列8086CPU的引脚中哪个是中断响应信号线（）。
A、INTRB、NMIC、D、AD15-AD0答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：4.(单选题) 下列哪个标志位可用于判断CPU运算是否有进位。
（）A、CFB、OFC、ZFD、SF答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：5.(单选题) 下列8086CPU的引脚中哪个是外部不可屏蔽中断请求信号线（）。
A、INTRB、NMIC、D、AD15-AD0答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：6.(单选题) 下列哪个标志位可用于判断CPU运算结果是否为0。
（）A、CFB、OFC、ZFD、SF答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：7.(单选题) 若要屏蔽外部中断，需要设置（）A、TF=0B、TF=1C、IF=0D、IF=1答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：8.(单选题) 芯片74LS373在8086 CPU系统中用作（）。
A、总线驱动器B、总线锁存器C、总线控制器D、总线仲裁器答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：9.(单选题) 8086微处理器可寻址访问的最大I/O空间是（）。
A、1KBB、64KBC、640KBD、1MB答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：10.(单选题) CPU的控制总线提供（）。
A、数据信号流B、所有存储器和I/O设备的时序信号及控制信号C、来自I/O设备和存储器的响应信号D、前面B和C两项答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对8题。
2-半导体材料特性(自学为主)
Tin Antimony Tellurium Iodine Xenon
55 132.90 561137.34 57 138.91 72 178.49 73 180.95 74 183.85 75 186.2 76 190.2 77 192.2 78 195.09 79196.96780 200.59 81 204.37 82 207.19 83 208.98 84 210 85 210 86 222
Cs Ba La Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
Cesium Barium Lanthanum Hafnium Tantalum Tungsten Rhenium Osmium Iridium Platinum Gold Mercury Thallium Lead Bismuth Polonium Astatine Radon
87 223 88 226 89 227 104
105
106
107
108
109
110
Fr Ra Ac Rf Ha Sg Uns Uno Une Uun
Nonmetals
Francium Radium Actinium
Metalloids (semimetals)
镧系元素 锕系元素
58 140.12 59 140.91 60 144.24 61 147 62 150.35 63 151.96 64 157.25 65 158.92 66 162.50 67 164.93 68 167.26 69 168.93 70 173.04 71 174.97
Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te
计算机文化基础题
附录第一章一、单选题1．近代信息技术的发展阶段的特征是以为主体的通信技术。
A．电传输B．光缆、卫星等高新技术 C．信息处理技术D．书信传递2．在信息技术整个发展过程中，经历了语言的利用、文字的发明、印刷术的发明、和计算机技术的发明和利用五次革命性的变化。
A．农业革命B．电信革命C．工业革命D．文化革命3．第一台数字电子计算机ENIAC在美国诞生拉开了第五次信息革命和现代信息技术发展的序幕。
A．1945年B．1946年C．1947年D．1948年4．信息资源的开发和利用已经成为独立的产业，即。
A．第二产业B．第三产业C．信息产业D．房地产业5．知识是经过加工和 D 的，通过认识主体所表达的条理化的信息。
A．研究确定B．反复叙述C．理论论证D．实践检验6．自然信息和社会信息一起构成了当前人类社会的信息体系，人们每时每刻都在自觉或不自觉地接受和信息。
A．认识B．传播C．存储D．复制7．冯·诺依曼结构的计算机是将计算机划分为运算器、控制器、输入设备、输出设备和等五大部件。
A．存储器B．CPU C．高速缓冲器D．硬盘8．智能计算机具有功能,能以自然语言、文字、声音、图形、图像和人交流信息和知识的处理计算机。
A.学习B.计算技术C.通信技术D.模拟9．以下不是电子计算机的发展趋势A．巨型化B．微型化C．网络化D．专业化10．计算机中使用辅助存储器作为虚拟存储，用于提高计算机的。
A．命中率B．运行速度C．存储容量D．运算能力11．信息处理技术是建立在信息基础技术上的，具体实现对信息获取、、处理、控制和存储的技术。
A．检索B．排序C．传输D．转换12．计算机系统能够实现多任务、多用户作业，在于它。
A．采用实时操作系统B．采用并行操作系统C．采用多道程序设计技术D．采用图形界面操作系统13．计算机操作系统的基本任务是指。
A．网络资源管理和系统资源管理B．系统资源管理和信息管理C．人机接口界面管理和系统资源管理D．人机接口界面管理和信息管理14. 目前制造计算机所采用的电子器件是_______。
计算机题
2011-2012学年计算机文化基础模拟题一、单项选择题1、计算机能够直接识别和执行的语言是（ D ）。
A．汇编语言 B．高级语言 C．英语 D．机器语言2、计算机语言的发展经历了（ C ）三个发展阶段。
A.机器语言、Basic语言和C语言B.二进制代码语言、机器语言和FORTRAN 语言C.机器语言、汇编语言和高级语言D.机器语言、汇编语言和C＋＋语言3、组成计算机的CPU的两大部件是（ A ）。
A．运算器和控制器 B. 控制器和寄存器 C．运算器和内存 D. 控制器和内存4、计算机网络是计算机技术和（ D ）相结合的产物。
A．系统集成技术 B．网络技术 C．微电子技术 D．通信技术5、文本文件的扩展名为（D）。
A COMB BMPC AVID TXT6、下列可以进行各种输入法切换的组合键是（B ）。
A Ctrl+SpaceB Ctrl+ShiftC Shift+SpaceD Shift+Alt7、Exce1中,设置两个条件的排序目的是（A ）。
A.第一排序条件完全相同的记录以第二排序条件确定记录的排列顺序B.记录的排列顺序必须同时满足这两个条件C.先确定两列排序条件的逻辑关系，再对数据表进行排序D.记录的排序必须符合这两个条件之一8、Exce1中,关于列宽的描述，不正确的是（D ）。
A．可以用多种方法改变列宽 B.列宽可以调整 C.不同列的列宽可以不一样D.同一列中不同单元格的宽度可以不一样9、在Excel 2003中，如要关闭工作簿，但不想退出Excel，可以单击（A ）。
A．“文件”下拉菜单中的“关闭”命令 B．“文件”下拉菜单中的“退出”命令 C．关闭Excel窗口的按钮× D．“窗口”下拉菜单中的“隐藏”命令10、Internet使用的协议是（A ）。
A TCP/IPB IPXC NETWARED NETBEUI11、下列设备组中，完全属于输出设备的一组是（D ）。
A．喷墨打印机、显示器、键盘 B．键盘、鼠标器、扫描仪C．激光打印机、键盘、鼠标器 D．打印机、绘图仪、显示器12、在Word 2003中，对于插入文档中的“椭圆”图形不能进行的操作是（A ）。