多次级高压变压器的分布电容

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

多次级高压变压器的分布电容

摘要:分布电容是多次级高压变压器固有的寄生参数,它直接影响电路的工作性能。本文从分布电容的产生机理出发,通过传统绕制和pcb迭绕两种工艺的比较,最后以实测波形来说明了分布电

容对电路性能的影响。

关键词:分布电容;多次级高压变压器;传统绕制; pcb迭绕

中图分类号:tm433 文献标识码:a

文章编号:2095-1302(2012)02-0036-03

distributed capacitance of multi-level high-voltage

transformer

xie fei-yan, zhang ling-di

(state key laboratory of electronic thin films and integrated devices, university of electronic science and technology of china, chengdu 610054, china)

abstract: the distributed capacitance is inherent in the multi-level high-voltage transformer parasitic parameters, which directly affects the circuit performance. according to the generation mechanism of distributed capacitance, through comparing the traditional method of winding and the technology of pcb diego around, the measured waveform is used to illustrate the influence of distributed capacitance

on circuit performance.

keywords: distributed capacitance; multi-level

high-voltage transformer; traditional winding; pcb diego around

0 引言

高压变压器的分布参数主要是漏感和分布电容1]

压变压器应用中单次级变压器的分布电容很大,严重影响了电路的工作性能。为了减小分布电容,将单次级绕组分段绕制后再串联,后接整流和滤波电路。如果分段后变比依旧很大,那么在次级匝数依然很多的情况下,分布电容依然

2]

本文通过传统绕线和pcb迭绕两种工艺的比较,并采用谐振法测得谐振频率及通过计算得到分布电容,最后以实测波形说明分布电容

对电路性能的影响。

1 分布电容产生机理

在高压变压器中,分布电容由匝间分布电容和层间分布电容构成。任何两匝线圈间都存在分布电容。将“平板电容器的电容量与极板面积成正比,与极板间距成反比3]

匝线圈时单位长度分布电容表达式为:

其中,cε

电常数;s d

εs,d。

2 传统绕制线包和pcb线圈的比较

为方便比较,两种工艺绕制的变压器均采用如下相同参数:

工作模式:全桥拓扑;工作频率:150 khz;输入电压/电流:50 v/3 a;初级匝数np:4匝;8个输出次级匝数ns1~ns8:68匝,68匝,68匝,68匝,62匝,62匝,62匝,62匝;次级线径/线宽:0.2 mm;磁芯:pq40;绝缘等级:初级和次级及次级和磁芯间耐压大于8 kv dc;绝缘处理:均采用0.05 mm厚的聚酯薄膜胶纸。

2.1 线包绕制工艺

高压变压器的线包绕制工艺如下:

(1) 采用直径为16 mm的圆柱型绕线骨架,所有绕线距骨架的上下都应有4 mm以上留边距离;

(2) 初级采用宽6 mm×厚0.05 mm的铜箔,次级均采用线径为0.2 mm的漆包线,绕完初级后依次绕次级,所有次级均一层内绕完;(3) 初级/磁芯中柱间绝缘要求的聚酯薄膜为24 mm0.05 mm ×2层,初/次级组间、次级组间及ns8次级与外磁芯绝缘要求的聚

酯薄膜为24 mm×0.05 mm6层;

(4) 所有次级要一层绕完,初次级出线端头应伸出50 mm左右;

(5) 初级出线和次级出线分别绕中柱两边,ns1~ns4出线和

ns5~ns8出线分别位于磁芯一边中的上下部位。

图1所示为传统方法绕制的线包实物图。

2.2 pcb线圈绘制

线宽采用0.2 mm,线间距为0.3 mm;由于pq40磁芯窗口宽度为11 mm,在预留足够绝缘空间的情况下pcb每层最多布置17匝线圈,这样每个次级绕组均需4层。如果全部初次级印制在同一块pcb板中,就有(4层×8+2层)34层,这样不仅成本太高,而且体现不出多层pcb板“薄”的优势,所以,pcb板采用单层双面聚四氟乙烯板,厚0.5 mm,且双面迭绕线圈,每组次级线圈均需两块pcb板。采用dxp2004软件绘制的pcb线圈图如图2所示。限于篇幅,图2

中只示出ns1中一块pcb板的正背面。

2.3 分布电容大小的确定

从变压器初级视入,分布电容和初级电感构成了并联谐振回路,所以可以通过网络分析仪测得此谐振回路的谐振频率,然后通过下式计算确定分布电容的大小4]

其中,f l c

容。表1所列为上述变压器的静态参数测试结果。由表1数据可知,pcb线圈变压器在分布参数上均优于线包绕制变压器。这归因于pcb

线圈易于控制线间距和层间距。

3 次级加满载时初级电压波形及分析

测试电路采用移相全桥拓扑结构,控制芯片采用ucc3895,开关管是irfp460,芯片输出开关管驱动频率为146.8 khz。输入电压为50 v,输出满载功率为160 w。图3所示为8次级高压变压器实物图。

相关文档
最新文档