模拟电子线路(模电)频率特性

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模拟电子技术(5.9)--第五章放大电路的频率特性-6

模拟电子技术(5.9)--第五章放大电路的频率特性-6

AuI 2 1+ j
H1
H 2
AuIn 1+ j
Hn
Au ( j)
=
AuI [1+ ( )2 ][1+ ( )2 ]�[�1+�( )2 ]
H1
H 2
Hn
模 拟电子技术
( j ) = arctan( ) arctan( ) arctan( )
g
m
RL'

A&um

矛盾
当提高增益时 ,带宽将变窄; 反之,增益降低 ,带宽将变宽。
模 拟电子技术
定量分析 :
fH =
根据
A&usm
=
Ri Rs +
Ri

rb'e rbe
1
2π [rb'e∥(∥rbb' + RB Rsπ)]C '
[gm (Rc

RL )]
Cπ' Cπ + (1+ gm RL' )Cμ
n
= 20lg Au( j) k =1 n
( j) = 1( j) + 2( j) + + k = k ( j) k =1
模 拟电子技术
一个两级放大电路每一级(已考虑了它们 的相互影响)的幅频特性均如图所示。
20 lg A&u = 20 lg A&u1 + 20 lg A&u2 = 40 lg A&u1
H1
H 2
Hn
Au ( jH ) =
AuI 2
[1 + ( H )2 ][1 + ( H )2 ] [1 + ( H )2 ] = 2

第四章_频率特性

第四章_频率特性
f L1 1 = ; 2π( RS + rbe )C1
f L2 1 = 2π( RC + RL )C2
《模拟电子技术基础》 模拟电子技术基础》
4.2.2、单级放大器的高频特性 1. 晶体三极管的混合 π 型等效电路
C
因 β 值随频 率升高而降 低,高频下 不能采用 H B 参数等效电 路。
rb′′c
1 kΩ Ω 1 kΩ Ω
戴维宁定理等效
0.01 µF
1//1 kΩ Ω 0.01 µF
1 1 fH = = = 31.8 (kHz) 2πRC 2 × 3.14× 0.5 kΩ × 0.01 µF
例2 已知一阶高通电路的 fL = 300 Hz,求电容 C , 。 1 C= 500 Ω C 2πfL R 1 2 kΩ Ω = 2 × 3.14× 300 Hz × 2500Ω = 0.212 (µF)
f
BW
= f − f
H
L
L

H
相频特性:在 10 f ≤ f ≤ 0.1 f 相频特性: 在 在
f ≤ 0.1 f
f ≥ 10 f
L
时,ϕ = − 180 ;
o
时,ϕ = −90 ;
o
H
时,ϕ = −270 ;
o
《模拟电子技术基础》 模拟电子技术基础》
而在f从

以及从
o

的范围内,
相频特性都是斜率为 − 45 /十倍频程的直线。 前面已经指出在画波特图时,用折线代替实际 的曲线是有一定误差的。对数幅频特性的最大 误差为3dB,相频特性的最大误差为 ± 5.71o , 都出现在线段转折处。
fH
f f
《模拟电子技术基础》 模拟电子技术基础》

模拟电路典型例题讲解

模拟电路典型例题讲解

频率响应典型习题详解【3-1】已知某放大器的传递函数为试画出相应的幅频特性与相频特性渐近波特图,并指出放大器的上限频率f H ,下限频率f L 及中频增益A I 各为多少【解】本题用来熟悉:(1)由传递函数画波特图的方法;(2)由波特图确定放大器频响参数的方法。

由传递函数可知,该放大器有两个极点:p 1=-102rad/s ,p 2=-105rad/s 和一个零点z =0。

(1)将A (s )变换成以下标准形式:(2)将s =j ω代入上式得放大器的频率特性: 写出其幅频特性及相频特性表达式如下: 对A (ω)取对数得对数幅频特性: (3)在半对数坐标系中按20lg A (ω)及φ(ω)的关系作波特图,如题图所示。

由题图(a )可得,放大器的中频增益A I =60dB ,上限频率f H =105/2π≈,下限频率f L =102/2π≈。

【3-2】已知某放大器的频率特性表达式为试问该放大器的中频增益、上限频率及增益带宽积各为多少【解】本题用来熟悉:由放大器的频率特性表达式确定其频率参数的方法。

将给出的频率特性表达试变换成标准形式: 则当ω = 0时,A (0) =200,即为放大器的直流增益(或低频增益)。

当ω =ωH 时,ωH =106rad/s相应的上限频率为 由增益带宽积的定义可求得:GBW=│A (0)·f H │≈ 思考:此题是否可用波特图求解【3-3】已知某晶体管电流放大倍数β的频率特性波特图如题图(a )所示,试写出β的频率特性表达式,分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少并画出其相频特性的渐近波特图。

【解】本题用来熟悉:晶体三极管的频率特性及其频率参数的确定方法。

由β(ω)的渐近波特图可知:β0=100,ωβ=4Mrad/s ,ωT =400Mrad/s 。

它是一个单极点系统,故相应的频率特性表达式为:ωT 也可按ωT ≈β0ωβ=100×4=400 Mrad/s 求得。

模拟集成电路频率特性1

模拟集成电路频率特性1

引入二个极点,没有直馈通路,没有零点
in
CGS
CSB Rs
//
gm
1 gmb
1
out CDB CGD RD 1
AV
1
gm g
m
gmb RD gmb RS
1
1
CGS CSB gm gmb 1 Rs
s 1 CGD
1
CDB RDs
共栅级
若计入沟道长度调制效应,输入输出结点不是“孤立”的。 输入阻抗与输出结点有关,很难把极点和结点对应。
R2
1 gm
, R1
Rs
1
gm , L
CGS s gm
Rs
1
gm
若源跟随器的前级输出阻抗很
大,则源跟随器的输出阻抗表
现出电感现象。带大电容负载
时,阶跃响应为减幅震荡。
共栅级
若忽略沟道长度调制效应,输入输出结点是“孤立” 的,易达到宽带。
CD : CDB CGD Vb 交流接地
CS : CSB CGS
差动对
可分别讨论差分信号和共模信号的频率特性。
① 对于双端输出的对称差动对
可采用半边电路等效,则频率特 性和共源级相同。
例如: 输入结点有密勒项
1 gmRD CGD
可以近似得到:
BW 1
2RDCL
GBW
AV
BW
gm
2CL
② 共模频率特性 如果只考虑 gm ,则可利用差分对公式
差动对
AV ,CM
一般情况下,电路作为缓冲器, Rs很大,输出阻抗随频率上升而 增加。
源跟随器
输出阻抗的电感等效:
输出阻抗可写为:
Zout
1 RsCGS s CGS s gm

模拟电子技术14放大电路的频率特性

模拟电子技术14放大电路的频率特性

Ri
rb'e rbe
1
jRC
1
'
(gmR'L )
jRC '
Ausm
1
1
jRC '
Ausm 1 1 j
f
fH
1
fH 2RC'
幅频特性和相频特性
20
lg
Aush
20 lg Ausm
20 lg
1 ( f )2 fH
-180 - tg-1
f fH
f fH时,20 lg Aush 下降3dB, -225;
可见共基截止频率远大于共射 截止频率,故共基放大电路常 作为宽频带放大电路。
共基截止频率
8.3.4 晶体管的频率参数
f
共射截止频率
β 0
1 j f
f
2
1 r b'e (C
C )
f
f 共基截止频率
fT 特征频率
使 1时的频率为fT fT f 0 f
Cob (Cμ ) 集电结电容
8.4 单管共射放大电路的频率响应
从物理概念可以解释随着频率增加,β将
下降。
Ic Ib
U ce 0
Uce=0是指一定条件下,在等效电路中可将c-e间 交流短路,得到等效电路如下图所示。
因为K=-gmR’L=0,所以C’π=Cπ+Cμ。

Ib
U
b'e
[
1 rb'e
+
j(Cπ

)]
U
b'e
(
1 rb'e
+
jC 'π
)
Ic gmU b'e U b' e jCμ gmU b'e

模拟电子技术(5)--放大电路的频率特性

模拟电子技术(5)--放大电路的频率特性
是 ,最小的电路是 ;电压放大倍数数值最大的电路是 是 ;若能调节 Q 点,则最大不失真输出电压最大的电路是 同相的电路是 。
;输出电阻最大的电路 ;低频特性最好的电路 ;输出电压与输入电压
+VCC
8.2kΩ 3.3kΩ
C1+ +
ui 3kΩ _
VT1 3.6kΩ
VT2
+ C2
VT3 + C3
2kΩ
C.为正弦波
D.不会产生失真
7.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率特性,条件是( )。
A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值
C.输入电压的幅值与频率同时变化 D.输入电压的幅值与频率都不变化
8.电路如图 T5.2.8 所示。已知:晶体管的 、rbb' 、C 、fβ' 均相等,所有电容的容量均
R
+. U_o
R + U. i _
C
+. U_o
(a)
(b)
图 T5.1.7
8.某放大电路的波特图如图 T5.1.8 所示,则中频电压增益 20lg | Ausm |
dB ;
Ausm
;电压放大倍数 Au
;电路的下限频率 fL = ,上限截止频率 fH = ;
当 f 105 Hz 时,附加相移为 ;该电路为 级放大电路。
60dB; 103 ;
A u

1
103
j
10 f
1

j
f 10
4
1
j
f 10
5

;10Hz; 104 Hz ; 135 ,
两级。 9.(1)共基放大电路,共集放大电路; 共射放大电路,共集放大电路; 共射放大电路,共射放大电路; (2)(b),(a);(c),(a);(c),(b);(c),(b)。 5.2 选择题 1.某放大器频率特性为: f L 60 Hz, fH 60 kHz。下列输入信号中,产生线性失真的

Multisim2001实现放大电路频率特性的仿真测试

Multisim2001实现放大电路频率特性的仿真测试
启动Simulate菜单中Analyses下的Parameter Sweep Analysis 命令,弹出 Parameter Sweep对话框,在 Parameter Sweep对话框 中,单击 Analysis Parameters按钮,设置扫描元件、参数及扫描 方式:
Sweep Parameter[扫描参数] :Device Paramete(r 元件参数), Device[元器件种类] :Capacitor(电容),Name[元器件标号] : cc3,Parameter [扫描元器件的参数] :Capacitance(电容量),
图3
单击 AC Analysis对话框的 Simulate按钮,便可得放大电路 交流频率响应特性曲线图,如图 4所示。
图1
交流频率响应的仿真测试
Multisim2001扫描分析法中的交流分析(AC Analysis)可以 对模拟电路进行交流频率响应的分析,即获得模拟电路的幅度 和相位的频率响应。Multisim2001在进行交流分析前,会自动计 算电路的直流工作点,以确定电路中非线性元器件的小信号工 作模型,而且,在交流分析中,所有输入源都认为是正弦信号, 直流电压源视为短路,直流电流源视为开路。交流频率响应的 仿真测试方法如下:
(4)在约束条件限制下,用 Spice仿 真工具确定电路的工作范围和限制条件。
(5)根据仿真结果,确定宏模型二 端口网络在约束条件下的参数。
基于仿真的电路设计技术
在目前的电子线路教学中,电路设 计和设计结果分析往往采用“假设 - 计 算 -分析”的方法,这种方法的本质是对 电路进行线性非时变约束下的估算,电 路的最终设计结果,则是在估算基础上 通过对电路进行实际调试的最后结果。 例如,给定MOS管低频小信号跨导后,对 电路进行分析计算,然后根据估算的结 果对电路进行实际调试,调试的结果就 是电路设计结果。这种方法可以建立电 路传递函数和参数计算方法,但不易确 定电路的限制条件。同时,用估算方法实 现电路的优化设计也比较困难。

《模拟电子教学资料》第2章 多级_频率特性共31页文档

《模拟电子教学资料》第2章 多级_频率特性共31页文档
当Re>>1/Ce时,在射极电路中,可忽略Re,只剩下Ce
3. 低频段等效电路
Ce'=Ce /(1+0 )
C e'' ≈ C e
低频段
当R'b较大,可忽略Rb的影响。
低频段
在此简化条件下,
低频段的电压放大倍数:
A vsLV V o s V I B oV I B s
-RS0R rb'Le•1jj (C (C 1/1//C/C e)e)R (S R ( S rbrb e)e)•1jj CC 2(2R (C RC RL R)L)
'+
1 jω Cπ
'

V
'

A • vsM=V V 高•频o s = 段-RsR +bR '/b/'r/b/reb
•β0RL' e rbe
1

=
V'
1 + jω R 'Cπ '
R’ •
Vs'
Rb '

Vs
V’
Rs Rb '

V'
rb'e

Vs'
V •o=-gmV •b'eRL'=1+ -g jω m R R'L C 'π'V •' rbb' rb'e Rs '
∠ A ∠ V o ∠ V if()
2.7.2 BJT的高频小信号模型
物理模型
rbb' ---基区的体电阻,b'是假
想的基区内的一个点。 re --- 发射结电阻

模拟电子技术基础【ch05】放大电路的频率特性 培训教学课件

模拟电子技术基础【ch05】放大电路的频率特性 培训教学课件
两级差动放大器的频率特性分析
1.低频电压增益; 2.通频带BW的估算;
多级放大器高、低截止频率的估算方法
两级差动放大器的频率特性分析
“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材
感谢观看
模拟电子技术基础(第4版)
放大电路的复频域分析法
放大电路增益函数的特点
2.在s平面坐标原点处零点或极点的波特图;
放大电路的复频域分析法
放大电路增益函数的特点
04
基本放大器高、低 截止频率的估算
基本放大器高、低截止频率的估算
主极点的概念
然而基本放大器的零、极点分布往往有以下特点:在低频段,其零点通常 比所有极点或部分极点在数值上要小得多;
RC电路的频率响应
RC高通电路的频率响应
RC电路的频率响应
RC低通电路的频率响应
图5-5为RC低通电路,所谓低通电路是指该电路主要用于通过低频或直流信号,而 阻止或抑制高频信号通过。
RC电路的频率响应
RC低通电路的频率响应
RC电路的频率响应
频率响应的一般性分析方法
通过对RC高通和低通电路的频率响应的分析,可以得到以下具有普遍意义的结论:
“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材
第五章
放大电路的频率特性
模拟电子技术基础(第4版)
01
放大电路频率特性 的基本概念
放大电路频率特性的基本概念
频率特性和通频带
1.RC阻容耦合放大器
放大电路频率特性的基本概念
频率特性和通频带
2.直接耦合放大器
放大电路频率特性的基本概念
频率特性和通频带
3.通频带
放大电路频率特性的基本概念
频率失真和增益带宽积
1.频率失真 频率失真也称为线性失真,它与非线性失真是两种产生原因完全不同的失真。

模拟电路4-频率概念

模拟电路4-频率概念

e
图 5.4.3 低频等效电路
& U b′e =
式中
Ri
1 Rs + Ri + jω C1 Ri = Rb // rbe
rb′e & Us rbe
(动画 动画avi\5-2.avi) 动画
第五章—放大电路的频率响应 第五章 放大电路的频率响应
& Ub′e =
Ri 1 Rs + Ri + jω C1
1 1 fH = = 2πτ H 2πR′C′
τ H = R′C′
& & 故 AusH = Ausm
1
& AsH 的对数幅频特性和相频特性 u
20 lg Aush = 20 lg Ausm
0
f 1+ j fH
f 2 20 lg 1 + ( ) fH
f = 180 arctan fH
& 当 f = f L 时, lg Au = 20 lg 2 = 3 dB 20
第五章—放大电路的频率响应 第五章 放大电路的频率响应
对数幅频特性: 对数幅频特性:
& 20 lg Au / dB
实际幅频特性曲线: 实际幅频特性曲线:
0.1 fL fL 10 fL f
0 3dB 20
高通特性: 高通特性:
由图可得
& Ub′e =
Ri rb′e & Us Rs + Ri rbe
e
图 5.4.2 中频段等效电路
式中 Ri = Rb //rbe
& & U o = gmU b′e Rc =
Ri rb′e & gm RcU s Rs + Ri rbe

模电5放大电路频率特性

模电5放大电路频率特性
.
A = Aejφ
频率特性曲线如下所示。
下限频率fL 上限频率fH 通频带BW = fH - fL≈fH
2.放大器频率失真
当输入信号含有多个频率,不同频率信号放大倍数不 同,可导致输出波形产生频率失真。
2.波特(Bode)图
(1)波特图 波特图即对数频率特性图——可以在较小的 视野内反映较大的频率变化情况。
1/(1-jf/fL)的波特图为两条直线——斜率为20dB/十 倍频直线、平行水平轴的直线;1/(1+jfH/f)的波特图 为两条直线——平行水平轴的直线、斜率为-20dB/ 十倍频直线。
上述二直线构成的波特图与实际幅频特性相比,最 大误差为3dB,发生在fL或fH处。
波特图规律小结
(2)相频特性规律
Hale Waihona Puke (1)中频特性C1容抗较小看作 短路;极间电容容抗 较大看作开路:
(2)低频特性
略去C′和 (K-1)Cb’e/K
低频段最大附加相移为+900
(3)高频特性
电容C1可略去, 并用戴维南定理将 电路等效为:
高频段最大附加相移为-900
(4)频率特性波特图
全部频段的放大倍 数可近似表示为:
(5.4.10)
Au 增 大 1 倍 , 相 应 的 20lgAu 约 增 加 6dB;
Au>1,相应的20lgAu>0; Au<1,相应的20lgAu<0。
3.R C高通电路
R C高通电路波特图
(1)f>>fL时, 20lgAu≈0dB; (2)f<<fL时, 20lgAu≈20lg(f/fL); (3)f=fL时, 20lgAu=-3dB。
波特图如右所示:
见课本例5.4.1
• 例:已知某放大电路电压增益的频率特性表达式

模拟电子线路(模电)频率特性

模拟电子线路(模电)频率特性
精品课件
一、 RC低通电路
R
传递函数为:
+
.
Au
U o Ui
1j1RC11j
f
fH
Ui -
+
C
. Uo
-
式中:
fh
1 1 2RC 2
上限截止频率(上边频)
模: Au
1 1 ( f fH)2
频 率
Au(d)b20 log1(f fH)2
特 性

相 角:
arctgf(fH)
精品课件
线
▪ 绘制渐近波特图
H 2 ( C d s C 'g) d r d (/s R /'L ) C d R s 'L
而输入回路的高频时间常数为
H 1R s(C g sC 'gd )R sC 'gs 式C '中 g sC g sC 'gd C d,sR s为信号 ,所源 H 以 2 内 H 。 1 阻
精品课件
于是可得场效应三极管的简化高频小 信号模型,如图所示。
Au(s)(g1m ssC bC 'b c'c)R'R L'L R'LRC//RL
Cb’c很小 gm Cb'c
R'LC 1b'c
Au(s)gmR'L
gmR'L1
CCM M12
gmR'LCb'c Cb'c
场效应三极管高频小信号模型
(a) 场效应三极管高 频小信号模型
(b) 单向化高频小信号模型
精品课件
(扩大视野)
dB(decibel):分贝 优Au点(d:b)1=、20乘lo→gA加u

模电课件19第五章放大电路的频率特性

模电课件19第五章放大电路的频率特性

系2统020/5的/19 稳态响应
模电课件
集总参数元件电阻R、电感L和电容C对应的阻抗分别 为R、jωL、1/jωC,称为复数阻抗
RL C R jωL 1/jωC R SL 1/SC
复数阻抗 变换阻抗
2020/5/19
模电课件
5.2放大电路的复频域分析法
3H.(s传)分输子函有数理多的项零式点的,根极→点H和(s)=零0→极零图点→ “o”表
幅频特性表达式
20lg A( )(dB)
20lg Ao 20lg
1 ( )2 20lg
z1
1 ( )2 20lg
z2
1 ( )2
zm
20lg 1 ( )2 20lg 1 ( )2 20lg 1 ( )2
2020/5/19
p1
模p电2 课件
pn
m
j zi
Au( j) dB
20lg Au (0)
0 ( ) 0o
( )
幅频波特图
ω 0o
ω
相频波特图
( )
Au ( )
0()
20lg Au (0)
arctan Z
20lg
Au
1
jz
2
Aa2u0r(l0cg)ta111njjp p2 Zp
20lg 1 20lg0.707 3dB
2
20lg 2 3dB
z
2 2
z
2 m
p12 p22 pn2
(1
2
z12
)(1
2
z22
)
(1
2
z
2 m
)
(1
2
p12
)(1
2
p22

模拟电子技术基础第4章频率特性课件

模拟电子技术基础第4章频率特性课件
7)本章将主要讨论电路 中的耦合电容、旁路电容 和三极管的结电容对电路 响应带来的影响。
共78页第5页
4.1 频率响应概述
8)每一个具体的放大电路,只对特定频段的信号能够进 行不失真的放大,因此,必须根据信号的频率范围,选 择具有与之相应的频率特性的放大电路,才能获得满意 的放大效果。 例如,一个音频信号的范围为20HZ f 20KHZ,则为了使 放大以后的信号完整地反映原有信号,所设计的放大电路
11 1
RC S
A ( j) 1 1 1
U
f
1 L 1 j L 1 j L
j
f
Low-pass network. 共78页第21页 high-pass network.
4.3 双极结型晶体管的高频等效模型
4.3.1 双极结型晶体管的混合Π型等效模型 4.3.2 双极结型晶体管混合Π型等效模型的主要参数 4.3.3 双极结型晶体管电流放大系数β的频率响应 4.3.4 双极结型晶体管混合Π型等效模型的单向化处理
为– 3dB。
共78页第12页
4.2.1 RC低通电路的频率响应
b) 相位频率响应
arctg( f / fH )
当 f<<fH :相位频率特性的渐近线为0°的直线。 当 f>>fH :相位频率特性的渐近线为-90°的直线
当 f=fH : arctg( f / fH ) 450
相位频率特性如图
j
f
1
幅值频率特性: AU ( j) 1 ( fL )2
f
相位频率特性: arctg( fL / f )
fL
1
2 RC
共78页第16页
4.2.2 RC高通电路的频率响应
2). 波特图

模电课件第五章放大电路的频率响应

模电课件第五章放大电路的频率响应

2
f 当f =fH时, 20lg Au 20lg 2 3dB , arctan 45 fH
f 当f >>fH时, 20 lg Au 20 lg , 90,表明f 每上升10倍, fH
增益下降20dB,即对数幅频特性在此区间可等效成斜率为 (-20dB/十倍频)的直线。
2019/1/10 模电课件
A u
f j fL
3、波特图
在画频率特性曲线时采用对数坐标,称为波特图。波特图由 对数幅频特性和对数相频特性两部分组成,它们的横轴采用对数 u 表示,单位是分贝(dB); 刻度lgf,幅频特性纵轴采用 20 lg A 相频特性纵轴仍用 表示。 2 f f 高通电路的对数幅频特性为: 20 lg Au 20 lg 20 lg 1 fL fL f 90 arct an fL u 0dB , 0 当f >>fL时,20 lg A
u 20 lg f , 90 ,表明f 每下降10倍,增 当f <<fL时,20 lg A fL 益下降20dB,即对数幅频特性在此区间可等效成斜率为(20dB/ 模电课件 2019/1/10 十倍频)的直线。
★低通电路的波特图
f 20 lg Au 20 lg 1 fH u 0dB , 0 当f <<fH时,20 lg A
§5.2 晶体管的高频等效模型
一、晶体管的混合π模型 1、完整的混合π模型
π模型
晶体管结构示意图
rc和re分别是集电区和发射区的体电阻,数值比较小,常忽略
不计。Cμ为集电结电容,Cπ为发射结电容。 rbc为集电结电阻,
rbb 为基区体电阻, rbc rbc , rbe rbe 。 rbe 为发射结电阻, be 成线性关系,与频率无关。gm为 c 与U I 根据半导体物理的分析, c 的控制关系,I be 对 I c g mU be。 跨导,是一个常数,表明 U

模拟电子技术(5.7)--第五章放大电路的频率特性-4

模拟电子技术(5.7)--第五章放大电路的频率特性-4
C1 看作短 路
U sᄁ
Ri Rs
Ri

rbᄁe rbbᄁ
rbᄁe
U s
R rbᄁe //[rbbᄁ (RB // Rs )]
模 拟电子技术
(2) 写出 AusH 的表达式
U o - gmUbᄁe Rc
U bᄁe

U

s
R 1
1 ᄁ J C ᄁ
J C ᄁ
AusH
U o - gmUbᄁe Rc
Ubᄁe

Ri Rs
Ri

rbᄁe rbbᄁ rbᄁe
U s
Ri RB //(rbbᄁ rbᄁe )
模 拟电子技术
Ausm

U U
o s
-
Ri Rs Ri

rbᄁe rbbᄁ rbᄁe
gm Rc
(3). 写出表达式的模和相位
| Ausm | UUos
模 拟电子技术
U be

Rs

Ri Ri
1 j C1

rbe rbe
U s
输出电压
C1
Rs + Us+~ U i
b rbb b
c
+
+
Rb Ube rbe
Rc
gmU be
U o
U o - gmU be Rc
-
e

-
Ri Rs Ri

rbe rbe
gm Rc

Ri Rs Ri

rbᄁe rbbᄁ
rbᄁe
gm Rc
j -1800
模 拟电子技术
2. 低频区的频率响应 f≤fL

模电第七章 频率响应中的基本概念

模电第七章 频率响应中的基本概念

ψ(jω) 90o 45o
0
ω
第7章 频率响应 7.2 晶体管的高频小信号模型与频率参数
晶体管的混合π型等效电路
c N b rb'c
rbb' b'
Cb'c
g mU be Cb'e
rce
P N
rb'e
e
c
rb'c
第7章
频率响应
cb'c cb'
e
rce
b
b'
gmU be
rb'e
e
I b rbb' U be
RC RL
Ui
U be
RB rb'e Cb'e
gmU be
Uo
第7章
频率响应
gmU be R U2 Uo L gm R K L U 1 U be Ub e
1 Z jC bc
1 1 1 1 1 Z1 Z 1 g m R jC bc j (1 g m R )C bc jC M 1 1 K L L
2 当 z时,( 10 z ),20 lg 1 ( ) 20 lg z z 2 当 z时, 20 lg 1 ( ) 20 lg 2 3dB z 2 当 z时,( 0.1 z ),20 lg 1 ( ) 0 z
密勒定理
I1 U1
Z
第7章
I2 U2 I1 U 1 Z1
频率响应
I2
U2 K U1
U2 K U1
Z2
U2
1 Z1 Z 1 K
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由于频率失真由线性电抗元件引起,故称线性失真。
注意:线性失真不产生新的频率成份。
RC电路的频率响应
一、 RC低通电路 二、 RC高通电路
一、 RC低通电路
R
传递函数为:
+
.
Au
U o Ui
1j1RC11j
f
fH
Ui -
+
C
. Uo
-
式中:
fh
1 1 2RC 2
上限截止频率(上边频)
模: Au
由此得到的其幅频特性和相频特性的 Bode 图。
归纳一阶因子渐近波特图画法:
已知
Av(j)
1
1jP
✓幅频渐近波特图:
Av( )/dB
0
0.1p p 10
p
自0dB水平线出发 ,经 p
转折成斜率为(–20dB/十倍
-20
-20dB/十倍频
频)的直线。 ✓相频渐近波特图:
自 0 水 平 线 出 发 , 经 0.1p
f
式中:fL
1 1 2RC 2
下限截止频率(下边频)
模: Au
1 1 ( fL f )2
频 率
Au(d)b20 log1(fLf)2
特 性

相角:90oarctfgfL ()
线
▪ 绘制渐近波特图:
根据
A v()dB 2l0 g1(P)2 A()arc tP a n)(
画出幅频波特图 画出相频波特图
0
0.1p p 10
p
• 频率特性小结: 复频域与频域, s j
• 1, 低通电压传递函数(相对于高频等效电路)
A u(s)U U o i((s s))R 1 Cs11 ps 1 p
R C
p
1 RC
2
f
称为极点角频率。
Au
U o Ui
1 1
1jRC 1j
f
fH
2, 高通电压传递函数(相对于低频等效电路)
二、频率特性
幅度频率特性 相位频率特性
幅频特性是描绘输入信号幅度
固定,输出信号的幅度随频率变化
而变化的规律。即
AUo/Ui f
相频特性是描绘输出信号与输入 信号之间相位差随频率变化而变化 的规律。即
∠ A ∠ U o∠ U i f()
阻容耦合放大的频率特性和频率失真
Au Aum 0.7(扩大视野)
dB(decibel):分贝
Au(db)=20logAu
优点:1、乘→加
2、人耳对声能的辨别能力与其对数成正比
Au: 10 102 103 10-1 10-2 1 2
Au(db): 20 40 60 -20 -40 -3
频率失真
幅频失真 相频失真
线性失真
(组合失真) 产生原因: 1.放大电路中存在电抗性元件,例如
1 1 ( f fH)2
频 率
Au(d)b20 log1(f fH)2
特 性

相 角:
arctgf(fH)
线
▪ 绘制渐近波特图:
根据
A v()dB 2l0 g1(P)2 A()arc taP n)(
画出幅频波特图 画出相频波特图
渐近波特图画法:
Av( )/dB
✓幅频
<>=<>p p时p 时时,,,A AAvvv((( )))dddB B B023dd0BlBgP
放大电路的频率特性
1 概述 2 RC电路的频率响应 3 三极管的高频小信号模型 4 共射放大电路的频率特性 5 多级放大器频率特性
一. 概述
放大器输入信号 频率范围: 音频——话音:300-3400Hz
——音乐:20-15KHz 视频——图象:0-6MHz
一、频率响应:放大器对不同频率信号的稳态响应
✓幅频渐近波特图:
>p:0dB水平线; <p:斜率为(20dB/十倍
频)的直线。
Av( )/dB
0
0.1p p 10
p
-20
20dB/十倍频
✓相频渐近波特图:
A( )
<0.1p: -90的水平线。 90
0.1p<<10p :
斜 率 为 (–45/ 十 倍 频 ) 的 直 线
45
-45/十倍频

>10p :0水平线。
耦合电容、旁路电容、分布电容等;
设计电路时,要合适选择耦合电容和旁路电容
2.三极管的()是频率的函数。
低频小信号模型不再适用
▪ 频率特性的三个频段
中频段:通频带以内的区域 特点:放大器的增益、相角均为常数,不随f 变化。 原因:所有电抗影响均可忽略不计。 即极间电容开路、耦合旁路电容短路。
高频段: f > fH 的区域 特点:频率增大,增益减小并产生附加相移。 原因:极间电容容抗 分流 不能视为开路。
✓相频
<0.1p 时,A()0o
0 -3 -20
A( )
0 - 5.7
0.1p p 10
p
-20dB/十倍频
0.1p p 10
p
>10p 时,A()90o =p 时, A()45o
- 45 -45/十倍频
- 90
低通滤波器的渐近线 Bode 图 在 f=fH 处幅频特性渐近线有3dB 的最大误差, 在其它频率上的误差均小于3dB。
通频带
fL
fH f
共发射级放大电路的幅频特性
中频段:电压放大倍数近似为常数。
低频段:耦合电容和发射极旁路电容的容抗增大,以 致不可视为短路,因而造成电压放大倍数减小。 高频段:晶体管的结电容以及电路中的分布电容等的 容抗减小,以致不可视为开路,也会使电压放大倍数 降低。
波特图(Bode) 半对数坐标
一般认为, f < 0.1 fH 即为 f << fH ;f > 10 fH 即为 f >> fH 。 幅频特性 在 f<<fH 时为一条与横轴重合的直线, 在 f>>fH 时为一条斜率为-20dB/10倍频程的直线; 相频特性 在 f<<fH 时为一条与横轴重合的直线, 在 0.1fH <f<10fH 时为一条斜率为-45˚/10倍频程的直线, 在 f>>fH 时为一条等于-90˚的直线。
A( )
0
0.1p p 10
p
处 转 折,斜率 为 (–45/十倍 - 45
频),再经10p处转折为-90
的水平线。
- 90
-45/十倍频
▪ 确定上限角频率: H =p
因 =p时, A v()dB 2l0 g1(P)2 3 dB
二、 RC高通电路
传递函数为:
Au
U o Ui
jRC 1 1jRC 1j fL
低频段: f < fL 的区域 特点:频率减小,增益降低并产生附加相移。 原因:耦、旁电容容抗 分压 不能视为短路
▪ 幅度失真与相位失真
实际输入信号含有众多频率分量,当通过放大器时:
若不同频率信号呈现不同增益
幅度失真
若不同频率信号呈现不同相角
相位失真
幅度失真与相位失真统称放大器的频率失真。
一般音频放大器的频率失真主要指幅度失真。 视频放大器的频率失真则包括幅度失真与相位失真。
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