模拟电子技术基础第4讲晶体三极管

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模拟电子技术基础(第4版)ppt课件

多子浓度高
多子浓度很低，且很薄
面积大
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
华成英 hchya@
二、晶体管的放大原理
（发射结正偏） uBE U on 放大的条件（集电结反偏） uCB 0，即 uCE uBE
少数载流子的运动因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区基区空穴的扩散
华成英 hchya@
§1.3
晶体三极管
一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响
五、主要参数
华成英 hchya@
一、晶体管的结构和符号
为什么有孔？
小功率管
中功率管
大功率管
华成英 hchya@
2、本征半导体的结构
共价键
由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。动态平衡一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。
指数曲线
若正向电压 UT，则i ISe u
u UT
若反向电压u UT，则i IS
2. 伏安特性受温度影响
反向特性为横轴的平行线
T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ 增大1倍/10℃
T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移
华成英 hchya@
华成英 hchya@

《模拟电子技术》课件晶体三极管1-2.

凸片
凸片距发射极引线 4 5 °角
e
凸片
焊接片
凸片距发射极引线 4 5°角
e
c b
c
接管壳
c
b e
e
e
以色点辨认集电极
b
c b
b
c
e
c
b
b e
以色点辨认集电极
e c 接管壳
图2.10 典型三极管的管脚排列图
图2.11 光电耦合器电路
(a) LED+光敏电阻；
(a)
(b)
(b) LED+光电二极管
(c) LED+光电三极管;
(d) LED+光电池
(c)
(d)
光电耦合器的工作原理
光电耦合器的工作原理是以光信号作为媒体将输入的电信号传送给外加负载4 ,实现了电—光—电的传递与转换。光电耦合器主要用作高压开关、信号隔离器、电平匹配等电路中,起信号的传输和隔离作用。
饱和电流。温度升高时，ICBO 急剧增大，温度每升高
ICBO
c
uA b
-+
e
VCC
10℃，ICBO 增大一倍。选管时应选ICBO 小且ICBO 受温度影响小的三极管。
Ie=0
(2) 集电极发射极间的反向饱和电流 ICEO 是指基
极开路时，集电极—发射极间的反向电流，也称集电结穿透电流。
它反映了三极管的稳定性，其值越小，受温度影响也越小，三极
. 0 U1 =0 --4 V
GND
AC1
+12 V
LP1 LAMP
2 20 V 5 0 Hz 1 2V 5A
D1
J1 IN4 0 07

(模拟电子技术基础)第4讲晶体三极管

输出
输入
回路
偏回路）
因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区
因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合
因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区
扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。
为简化分析，本讲解5 中省略了少子的运动。
ICm aV xC 2C R U c CE S(5 50)m A 1mA
1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态； 2. 已知T导通时UBE＝0.7V， β=100，若uI=2V。分别求 Vcc=12V 和Vcc=5V 时的Ic值（设T饱和时UCES=0）。
12
讨论二
2.7
截止区
β是常数吗？通常，我们可以看成 8
晶体管的三个工作区域
状态截止放大饱和
uBE ＜Uon ≥ Uon ≥ Uon
iC ICEO βiB ＜βiB
uCE VCC ≥ uBE ≤ uBE
晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅
决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB
ΔiC
PCMiCuCE
uCE=1V时的iC就是ICM
iC iB
UCE
U（BR）CEO
由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。
13
作业：
1、预习 4.2 2、教材习题，
P122：4.6 (a) (c) (e)
14
控制的电流源iC 。
9
四、温度对晶体管特性的影响
T(℃ ) ICEO
u B 不 E iB 变， i时 B 不即 u 变 B E 时

高教社2024模拟电子技术教学课件4 三极管基础知识

（2）极间反向电流
集电极-基极间的反向电流ICBO：指发射极开路时，集电极—基极间的
反向电流，也称集电结反向饱和电流。当温度升高时， ICBO急剧增大，
温度每升高10℃， ICBO增大一倍。
集电极-发射极间的反向电流 ICEO：指基极开路时，集电极—发射极
间的反向电流，也称集电结穿透电流。它反映了三极管的稳定性，其
基极b、发射极e。P区靠背时构成NPN型，N区靠背时构成PNP型。
一、三极管结构
三极管的外形结构
常见三极管的外形结构
01
三极管结构
02
三极管特性
03
三极管参数
04
三极管分类
二、三极管的特性
1. 输入特性
输入特性是指当集电极与发射极之间的电压为一
常数时，加在三极管基极与发射极之间的电压uBE
与基极电流iB之间的关系
三极管结构
02
三极管特性
03
三极管参数
04
三极管分类
三、三极管的参数
三极管常用参数：
（1）电流放大系数
直流电流放大系数：定义为三极管的集电极电流IC与基极电流IB之比，
即 =IC/IB。有时用hFE表示。
交流电流放大系数β：定义为三极管的集电极电流ΔiC与基极电流ΔiB
之比，即β=ΔiC/ΔiB。β有时用hFE表示。
值越小，受温度影响也越小，三极管的工作就越稳定。
三、三极管的参数
三极管极限参数：
集电极最大允许电流ICM：集电极电流IC过大时，β将明显下降， ICM
为β下降到规定允许值（一般为额定值的1/2~2/3）时的集电极电流。
集电极最大允许功率损耗PCM ：管子工作时， UCE 的大部分降在集

模电晶体三极管及基本放大电路PPT学习教案

第21页/共27页
讨论四：基本共射放大电路的静态分析
80 rbb' 200
IBQ≈35μA
为什么用图解法求解 IBQ和UBEQ？
Q
VBB小
UBEQ≈0.65V
ICQ IBQ 2.8mA
UCEQ VCC ICQ Rc 3.8V
第22页/共27页
讨论四：基本共射放大电路的动态分析（续）
可以写成：在小信号情况下，对上两式取全微分得
用小信号交流分量表示
v =const iB=f(vBE)
CE
iB=const iC=f(vCE)
vBE f1(iB ,vCE )
iC f2(iB ,vCE ) BJT双口网络
dvBE
vBE iB
VCE
diB
vBE vCE
IB dvCE
IB
四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（ H参数）。
输出端交流短路时的输入电阻；输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数；
输入端交流开路时的反向电压传输比；输入端交流开路时的输出电导。
vbe= hieib+ hrevce
ic= hfeib+ hoevce
hie
uBE iB
U CE
rbe
b-e间的动态电阻
hfe
iC iB
U CE
电流放大系数
第9页/共27页
hre
uBE uCE
IB
内反馈系数
hoe
iC uCE
1 iB rce
c-e间的电导
1. BJT的 H参数及小信号模型
• 模型的简化 BJT在共射连接时，其H参数的数量级一般为

模拟电子技术第四章第一节双极型三极管BJT共18页

10
b. 三极管的三种组态
强调如何判断呢？
BJT的三种组态
(a) 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； (b) 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； (c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。
引出：强调三极管是一个双端口网络具有输入端和输出端对应着两条特性曲线 c: 输入特性曲线
来描述。
iB=f(vBE) vCE=const.
iC=f(vCE) iB=const.
15
6、教学效果
（1）通过前面讲述，学生能从感性上和理性上认识三极管；（2）通过这节课的学习，能在仿真软件熟练绘出实际电路，并查看仿真结果；（3）学生知道实际生活中三极管的应用。
16
•
谢谢！
3
2、教学目标
（1）了解三极管的结构、工作原理；（2）熟练掌握三极管的输入输出特性曲线；（3）熟练掌握三极管三种接法的判断；（4）了解三极管的应用.
重点和难点
4
3、教学方法
采用课堂讨论法、多媒体课件及动画相结合、实验仿真的教学方法，让学生认识三极管及其用途。
通过复习以前的知识引入新内容的介绍，从感性认识到理性认识，到实际中应用。循序渐进，逐渐深入的方法。
半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 (a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号
9
Байду номын сангаас
（3）理性上认识三极管
a：内部载流子的传输过程（以NPN为例） IE=IB+ IC
放大状态下BJT中载流子的传输过程
iB=f(vBE) vCE=const.

模拟电子技术-03.晶体三极管

晶体管的结构晶体管有三个极（发射极、基极、集电极）、三个区（发射区、基区、集电区）、两个PN结（发射结、集电结）。

以NPN型晶体管为例，发射区多子（自由电子）浓度高；基区多子（空穴）浓度低，且很薄；集电区面积大。

晶体管的放大原理放大条件：1.U BE>U on（发射结正向偏置）2.U CB≥ 0，即U CE≥U BE（集电结反向偏置）工作原理：基区->发射区：空穴的扩散运动，电流方向基区->发射区发射区->基区：自由电子扩散运动，电流方向基区->发射区在外电场作用下，扩散运动被加强。

基区很薄且多子浓度低，只有极少数来自发射区的自由电子与基区的空穴结合，难以形成空间电荷区，剩下的大部分自由电子向集电区移动。

基区->集电区：自由电子漂移运动（空穴的扩散运动被抑制），电流方向集电区->基区集电区->基区：空穴的漂移运动（自由电子的扩散运动被抑制），电流方向集电区->基区在外电场作用下，漂移运动被加强，自由电子从基区移动向集电区。

集电区面积较大，因而在容纳电子数目相同的情况下，自由电子的浓度更低，自由电子的扩散作用更弱。

从而在外加电场一定时，可以容纳更多的自由电子。

扩散运动形成发射极电流I E，复合运动形成基极电流I B，漂移运动形成集电极电流I C。

直流放大系数β=I C I B交流放大系数β=∆i CB穿透电流（基极开路时集电极与发射极之间的漏电电流）I CEO=(1+β )I CBOI CBO为集电结反向电流（发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流）晶体管的共射输入特性和输出特性输入特性：i B=f(u BE)|UCE类似于PN结的伏安特性。

U CE增大则曲线右移，增大到一定值时右移便开始不明显。

对于小功率晶体管，U CE大于1V时的一条输入特性曲线可以取代所有大于1V的输入特性曲线。

输出特性：i C=f(u CE)|IB对应于一个I B就有一条i C随u CE变化的曲线。

电子电工学——模拟电子技术第四章双极结型三极管及发达电路基础

4.1 双极结型三极管BJT
(Bipolar Junction Transistor)
又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。
分类：按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN型、PNP型按频率分：高频管、低频管按功率分：小功率、大功率
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
c
e V VCE
VCC
V
VBE
也是一组特性曲线
实验电路
1.共射极电路的特性曲线
输入特性 :iB=f(vBE)|vCE=const
(1)VCE=0V时，发射结和集电结均正偏，输入特性相当于两个PN结并联
(2)VCE=1V时，发射结正偏，集电结反偏，收集电子能力增强，发射极发
射到基区的电子大部分被集电极收集，从而使得同样的VBE时iB减小。
ICEO (1 )ICBO 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。
３．极限参数
(1) 集电极最大允许电流 ICM
过流区
当IC过大时，三极管的值要 iC
减小。在IC=ICM时，值下降 ICM
到额定值的三分之二。
PCM = iCvCE
(2) 集电极最大允许耗散功率 PCM
将 iC 与 vCE 乘积等于规定的 PCM 值各点连接起来，可得一条双曲线。
利用IE的变化去控制IC，而表征三极管电流控制作用的参数就是电流放大系数。
共射极组态连接方式
IE UBE
+ Uo
-
49 IC 0.98(mA)
IB
20( A)
共射极接法应用我们得到的结论：
１、从三极管的输入电流控制输出电流这一点看来，这两种电路的基本区别是共射极电路以基极电流作为输入控制电流。２、共基极电路是以发射极电流作为输入控制电流。

模拟电子技术晶体三极管

40A 20A IB=0 12 UCE(V)
1 3
6 9
IC(mA ) 4
3
2
100A : 此区域中 IB=0,IC=ICEO 80 A ,UBE< 死区电压，称为 60A 截止区。 40A
1 3
6 9
20A IB=0 12 UCE(V)
饱和区
为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？
第四讲晶体三极管
一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入、输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数
一、三极管的结构和符号
一、结构
NPN型
C
集电极
集电极
C P N P E
PNP型
B
基极
N P N
E
发射极
B
基极
发射极
C
N P N E
集电极
集电结
B
基极
发射结
发射极二、类型
iC
iB

放大区截止区
iC iB
U CE 常量
晶体管的三个工作区域
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。即： IC=IB , 且 IC = IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V (3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
ICBO A
3. 集-射极反向截止电流ICEO
集电结反偏有ICBO C
ICEO= IBN+ICBO ICEO受温度影响
很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。根据放大关系，由于IBN的存在，必有电流 IBN。

《模拟电子技术》第3章晶体三极管及放大电路基础

• 放大器的静态：当输入的交流信号为零时，这时三极管的基极、集电极和发射极中都只有直流电流。
• 放大器的动态：当输入的交流信号不为零时，基极、集电极和发射极中的电流既含有直流电流成分又含有交流电流成分。
3.3 共射基本放大电路
3.3.1 电路结构和元器件的作用
3.3.2 共发射极放大电路的工作原理
3.1.5 三极管的工作状态
1.三极管的三种组态
2.共发射极放大电路的输入输出特性
三极管的工作状态说明
3.三极管截止和饱和时的等效电路
• 三极管的工作状态判断。
①当UBE<UTH时，IB=0，三极管截止，C、E间相当于开关断开， Ic=0；
②当iB>IBS时，三极管饱和，C、E间相当于开关闭合，iC=ICS；
第三章晶体三极管及放大电路基础
学习目标：
（１）了解三极管的电流放大作用。（２）掌握万用管的三种组态特点。掌握共射电路的
基本结构。（４）了解放大电路性能指标。掌握用万用表调试三
极管各参数的方法。（5）制作放大电路，把微弱的信号进行放大，如做
IE＝IC＋IB，在放大状态下，IC＝βIB。
本章回顾
(3)三极管的特性曲线和参数是用来描述三极管性能，是选择三极管时的依据。选择三极管时要考虑的主要参数是工作频率、耐压、放大倍数。型号相同的三极管可以互换，型号不同，但对于该电路来说关键参数相似也可以替换。
(4)放大器是三极管电路中最常见和最基本的电路。放大器的基本任务就是放大信号。放大器用一些性能指标来表征放大器性能：电压（电流、功率）放大倍数、输入电阻、输出电阻是最主要的三个。单级共射小信号放大器是最基本的放大电路。
3.4 三种基本组态放大电路的比较

模拟电子技术1.3晶体三极管.ppt

大部分电子收集到集电区。若继续增大uCE ，ic也不可能明显增大，即iB基本不变。
∴输入特性曲线不再明显右移
而基本重合。对于小功率管，可用的任何一条UCE>1曲线来近似UCE>1 的所有曲线。
共射接法输入特性曲线
2、输出特性曲线
iC f (uCE ) iB常数
①UCE增大集电结电场增强，收集基区非平衡少子的能力增强，电流iC随UCE增大而增大。
③U(BR)CEO：基极开路时集、射间的击穿电压。
几个击穿电压在大小上有如下关系：
U(BR)CBO＞U(BR)CEO＞U(BR) EBO
例1：在一个单管放大电路中，电源电压为30V，已知三只管子的参数如下表，请选用一只管子，并简述理由。
晶体管参数
T1
T2
T3
ICBO/μA
0.01
0.1
0.05
UCEO/V
IC
IB
输入交流信号时，共射交流电流放大系数β
在近似分析中，
iC
iB
共基直流电流放大系数
I CN
IE
共基交流电流放大系数α
ic
iE
在近似分析中，
例：现测得放大电路中两只管子的两个电极的电流如下图所示，分别求出另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出电流放大系数β。
VBB 1V , Rb 500 ,T工作在何种状态？
IB 0.6mA, IC 30mA,UCE 18V U B
从外部看： I E I B IC IE发射极电流最大
C IC B
IB E IE
NPN型三极管
C
B
IC
IB E IE
PNP型三极管

模电——三极管课件PPT

（一）晶体三极管的概念、分类、结构、符号及类型判断
• 提问： • ⑴图中位于左右两边的N区可以互相调换位子嘛？
– 答：通过之前对内部结构的分析得出，由于各区掺杂浓度不同以及各区的特点，两个N区是不能互换的。
• ⑵晶体管只能有三个引脚嘛？ – 答：一般的只有三个引脚，但一些金属封装的大功率管就只有两个引脚，分别为b,e极，c极为金属外壳。
放大状态的外部条件为发射结正偏，
集电结反偏。由此我们得出
Vbb<<Vcc
（四）三极管的输入和输出特性
• 一、共发射极输入特性曲线
•
集射极之间的电压VCE一
定时，发射结电压VBE与基极
电流IB之间的关系曲线。
三极管的输入特性
（四）三极管的输入和输出特性
• 由图可见：
• 1．当V CE ≥2 V时，特性曲线基本重
（三）晶体三级管的工作电压和基本连接方式
何为发射结G正B为称偏基偏，极置集电电电源源结，又反偏？Rb为基极电阻
V为三极管R阻c。为集电极G电C为集源电极电
三极管电源的接法
（三）晶体三级管的工作电压和基本连接方式
三极管在电路中的三种基本连接方式：
• 共射极连接法
共基极连接法
共集电极连接法
（三）晶体三级管的工作电压和基本连接方式
小变化不失真的放大输入。
（二）晶体三级管的电流放大作用
• 三极管放大原理 • 三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。 • 即三极管放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。 • 切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。 • 放大的条件 • 内部：发射区杂质浓度远大与基区杂质浓度，且基区很薄，集电结面积大（即各区特点） • 外部：发射结正偏，集电结反偏 • 何为发射结正偏，集电结反偏？

模拟电子技术第4章-晶体三极管及其基本放大电路

Uces=0.3V，iC不等于iB
晶体管放大时，输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。
四、温度对晶体管特性的影响
T (℃) ICBO
iB不变时uBE
•极间反向电流：
越小越好
1、集－基极反向饱和电流ICBO
发射极开路，C--B极间由于漂移运动而产生的反向电流
2、穿透电流ICEO
基极开路，C-- E间由于漂移运动而产生的反向电流。
UBE对IB的控制作用
iB (μA)
IB (μA)
60
40
20
t
只要改变uBE的大小，即可线性控制iB的变化。
• UBE
0.6 0.7
ui t
改变UCE，可以画出一族曲线
iB f (uBE ) UCE
为什么像PN结的伏安特性？两PN结并接
为什么UCE增大曲线右移？集电极电场加强，发射区入基区的电子越多进入集电区，基区参与复合的电子减少，同样大的ib需加大ube，使发射区注更多电子。为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显？集电极电场足够强，电子几乎收集完
晶体管的h（混合）参数等效模型
（交流等效模型）低记频住小信号模型
rbe
rbb'
rb'e
rbb'
(1
)
26 IEQ (mA)
rbb’题目若未给，用200；若给，用给值
2. 微变等效电路（了解）
当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。
ui=0时直流电源作用
I CBO
IB
IC I CN
I BN
IE
3) 集电区收集偏移过来的载流子形成集电极电流 IC I C = ICN + ICBO 由于ICBO很小

第4讲晶体三极管

结构特点：内部条件
• 发射区的掺杂浓度最高；
• 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；
• 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。
++
管芯结构剖面图
基区很薄(几微米~几十微米) 发射区掺杂浓度最大
集电区的面积最大
C 集电极
集电结
N
B
P
基极
N
发射结
E
发射极
集电区：面积较大
基区：较薄， e b 掺c 杂浓度低
4.1.1 BJT结构简介
1. NPN型
集电极 c
N
基极 b
P
N
vCEvCBvBE 发射极 e
集电区集电结
基区发射结
发射区
c
b e
符号
4.1.1 BJT结构简介
1. PNP型集电极 c
集电区
基极 b
NP NN
P
集电结
c
基区
发射结 b
发射区
e
发射极 e
符号
vCEvCBvBE
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
___IIC B
1.5 37.5 0.04
IC 2.31.5 40
IB 0.06 0.04
在以后的计算中，一般作近似处理： =
2.集-基极反向截止电流ICBO
ICBO A
ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。
3. 集-射极反向截止电流ICEO
集电结反 ICEO= (1+ ) ICBO
三极管内有两种载流子(自由电子和空穴) 都参与导电，
故称为双极型三极管BJT 。

模拟电子技术基础讲义晶体管课件

20℃
40℃
49
β：随温度的升高而增加，原因：温度升高，加快载流子的速度，基区复合减少，往集电区流的载流子增多。
VBE ：随温度的升高而减少。
20℃
40℃
50
18
(2) PN结，定管型：找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另
外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
19
(3) 顺箭头，偏转大：用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。 (a) 对于NPN 型三极管，用万用电表的黑、红表笔
测得NPN型、硅BJT的三个电极b 、e 、c 的对地电压分别为
(1)Vb=6.7V ，Ve=6V ，VC=9V (2) Vb=8V ，Ve=7.3V ，VC=7.6V (3) Vb=1V ，Ve=2V ，VC=9V 问：管子工作在输出特性曲线的什么区？
(1)发射结正偏、集电结反偏；
工作在放大区。
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根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。
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3 、管型判别和管电极判别： “三颠倒，找基极； PN结，定管型；顺箭
头，偏转大；测不准，动嘴巴。 ”
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(1) 三颠倒，找基极：三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两
(1)输入特性曲线：
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由于发射结是正向偏置的PN结，所以它的曲线与PN结的曲线相似。
uCE增加时集电结反偏，发射区进入基区的电子更多地流向集电区，因此对应于相同uBE ，流向基极的电流比原来时减小。所以曲线往右移动。

模拟电子技术三极管详解

振荡电路
振荡电路的基本原理三极管在振荡电路中的应用振荡电路的设计和调试振荡电路在实际中的应用案例
调制与解调电路
调制：将信号转换为适合传输的形式
解调：将接收到的信号还原为原始信号
三极管在调制与解调电路中的应用：放大信号、控制信号、实现信号转换
调制与解调电路中的三极管类型：双极型三极管、场效应三极管等
流变化
应用领域：广泛应用于电子技术、通信、计算机等领域
三极管的工作原理
基本结构：由两个PN结组成分为发射极、基极和集电极
工作状态：分为截止区、放大区和饱和区
电流关系：基极电流IB、集电极电流 IC和发射极电流IE 之间的关系
放大作用：通过改变基极电流IB来控制集电极电流IC实现信号放大
负载
放大电路的工作原理：通过改变三极管的工作状态实现
信号的放大
放大电路的分类：共射放大电路、共集放大电路、共基
放大电路
放大电路的应用：音频放大、视频放大、射
频放大等
开关电路
开关电路是三极管最常用的应用之一三极管在开关电路中起到控制电流的作用开关电路可以分为NPN型和PNP型两种类型三极管在开关电路中的工作状态可以分为饱和区和截止区两种
03 三极管的种类和特性
NPN型和PNP型三极管
NPN型三极管：电流从基极流入从发射极流出
PNP型三极管：电流从发射极流入从基极流出
NPN型三极管：基极电流控制发射极电流
PNP型三极管：基极电流控制集电极电流
NPN型三极管：基极电流与发射极电流成正比
PNP型三极管：基极电流与集电极电流成正比
三极管型号的识别与代换
型号识别：根据三极管的外观、尺寸、引脚数量等特征进行识别