IBIS模型笔记
IBIS学习心得及使用
IBIS 学习心得及使用
IBIS(Input/Output Buffer InformaTIon SpecificaTIon)模型是基于V/I 曲线
的对I/O Buffer 快速准确建模的方法,其目的是提供一种集成电路制造商与仿真软件供应商以及设计工程师之间相互交换电子元件仿真数据的标准方法。
IBIS 是一种行为模型,它不是从要仿真的元件的结构出发定义的,而是从元件的行为出发定义的。
IBIS 本身是一种标准的文本格式,它记录驱动器和接收器的不同参数,如驱动源输出阻抗、上升/下降时间以及输入负载等参数,但它不说明这些记录参数是如何使用的。
IBIS 模型分为驱动器模型和接收器模型,如下图示:
Pull up/pull down:标准输出缓冲器的上拉和下拉晶体管,用直流I/V 数据
表来描述它们的行为。
Power clamp/gnd clamp:静电放电和钳位二极管,用直流I/V 数据表来描述
它们的行为。
Ramp:表示输出从一个逻辑状态转换到另一个逻辑状态,用dV/dt 来描
述。
C_comp:硅晶圆电容,它是不包括封装参数的总输出电容。
R_pkg/L_pkg/C_pkg:封装带来的寄生电阻、电感和电容。
无论是驱动器模型还是接收器模型都是由两部分组成的:缓冲器结构模型([model] secTIon)和封装因子([component]&[pin] secTIon)。
IBIS 文件结构
IBIS 文件包括了从行为上模拟一个器件的输入、输出和I/O 缓冲器所需要。
IBIS模型学习笔记
IBIS模型学习笔记IBIS模型学习笔记一、I BIS 模型的信息IBIS模型架构包括:|-- [IBIS Ver]|-- [File Name]|-- [File Rev]|-- [Date]|-- [Source]|-- [Notes]|-- [Disclaimer]|-- [Copyright]|-- [Component]|-- [Manufacturer]|-- [Package]|-- [Pin]|-- [Diff Pin]|-- [Model Selector]|-- [Model]|-- [End]二、各个部分的定义1. [IBIS Ver]从目前仿真的过程看,使用HyperLynx Simulation Software 9.4版本仿真,IBIS模型需要使用Version 4.0以上版本。
在Version 3.2版本中,不包含Vinh_ac等定义,在仿真中会提示不支持这些语句。
现在使用的是V4.1.2. [File Name]IBIS模型的名字,例如:ic.ibs3. [File Rev]文件版本,例如:[File Rev] 1.04. [Date]编写时间:[Date] 1/22/20135. [Source],[Disclaimer],[Copyright],[Component]来源,免责声明,版权,组成的一些说明[Source] Sigrity SpeedPKG Suite XtractIM 4.0.4.09231[Disclaimer] The model given below represents a 73-pin package.[Copyright][Component] ddr_ctrl6. [Package]包含在封装厂提取的IBIS文件中。
[Package]| variable typ min maxR_pkg 0.76859 0.48527 0.95543L_pkg 3.608e-9 2.259e-9 4.39e-9C_pkg 1.088e-12 9.004e-13 1.741e-127. [Pin]定义各个Pin的RLC,模型类型。
走进IBIS模型
AN-715应用笔记One Technology Way • P.O. Box 9106 • Norwood, MA 02062-9106 • Tel: 781/329-4700 • Fax: 781/326-8703 • 走近IBIS 模型:什么是IBIS 模型?它们是如何生成的?作者:Mercedes Casamayor简介在进行系统设计时节省时间和降低成本是很关键的。
在原型制作之前,系统设计人员可以用模型来进行设计仿真。
在高速系统设计中正是如此,进行信号完整性仿真来分析不同条件下传输线中的电路行为,在设计初期就能预防并检测出典型的问题,例如过冲、欠冲、阻抗不匹配等。
然而,可用的数字IC 模型非常少。
当半导体厂商被索要SPICE 模型时,他们并不愿意提供,因为这些模型会包含有专有工艺和电路信息。
这个问题已经通过采用IBIS 模型来 (输入/输出缓冲器信息规范)解决,IBIS 也被称为ANSI/EIA-656,这是一个建模的新标准,在系统设计人员中越来越流行。
什么是IBIS ?IBIS 是一个行为模型,通过V/I 和V/T 数据描述器件数字输入和输出的电气特性,不会透露任何专有信息。
IBIS 模型与系统设计人员对传统模型的理解不同,例如其它模型中的原理图符号或多项式表达式。
IBIS 模型包括由输出和输入引脚中的电流和电压值以及输出引脚在上升或下降的转换条件下电压与时间的关系形成的表格数据。
这些汇总的数据代表了器件的行为。
IBIS 模型用于系统板上的信号完整性分析。
这些模型使系统设计人员能够仿真并预见到连接不同器件的传输线路中基本的信号完整性问题。
潜在的问题可以通过仿真进行分析,潜在的问题包括由传输线上阻抗不匹配导致的到达接收器的波形反射到驱动器的能量;串扰;接地和电源反弹;过冲;欠冲;以及传输线路端接分析等等。
Rev. 0 | Page 1 of 8IBIS 是一种精确的模型,因为它考虑了I/O 结构的非线性,ESD 结构和封装寄生效应。
IBIS模型解说
IBIS模型解说IBIS模型解说1.IBIS模型的一些基本概念IBIS这个词是Input/Output buffer information specification 的缩写。
在业界经常会把spice 模型描述为transistor model,是因为spice描述了电路内部的细节问题。
而把IBIS模型描述为behavioral model,是因为IBIS 只是描述了电路的外在表现,它像个黑匣子一样,根据输入得到输出结果,而不需要了解电路的内部细节。
IBIS模型的仿真精度依赖于模型的准确度以及考虑的worse case。
2.IBIS模型的构成从上图可以看出,IBIS模型包括如下的一些信息(部分model有一些信息会省略掉):VI 曲线: Pullup,Pulldown,POWER clamp,GND clampVT曲线: Rise waveform, Fall waveform还有一些其它比较重要的信息比如Die capacitance(C_comp)以及package parameter(RLC)。
3.IBIS的应用场合任何电路都可以用下面的模型来描述:Driver ---interconnect---ReceiverIBIS模型描述的是Driver/Receiver的行为特性,而不是它们的电路特性,因此模型内部的逻辑延时是没有考虑的(这正是区分Tco的原因),通过使用IBIS模型,可以得出interconnect对于电路的影响。
由于IBIS支持的buffer type很多,每个类型都会有对应的格式以及需要包含的信息,常用有output, input以及IO 模型。
4.IBIS模型的VI/VT曲线Pull down曲线由来(此曲线需要考虑与clamp 曲线重复的部分):Ground clamp 曲线由来:Pull up 曲线由来(此曲线需要考虑与clamp 曲线重复的部分):Power clamp 曲线由来:注意:IBIS里面定义电流流入方向为正;在此图中pull up 以及power clamp 曲线都没经过转化。
ibis资料简介完成
《Accuracy of IBIS models with reactive loads》--Arpad Muranyi简介:主要讲解了在抗性负载条件下的IBIS动态模型求解。
内容:(1)在IBIS模型中I-V数据主要用来表征I/O缓冲的完全打开或关闭的直流特性(稳态);而V-T数据用来表征缓冲的动态开关特性(动态)。
所以,也就是说V-T数据是用来补全表征缓冲在完全打开/关闭之间的状态。
(2)需要注意的是2EQ/2UK算法只在模型进行状态过渡时起作用,当模型处于稳态时,模型数据中起作用的只有I-V和C_comp。
(3)总结:如果在状态转移期间,抗性负载对输出电流的影响越大,那么用2EQ/2UK 算法得到的IBIS动态模型的准确性将会越低。
考虑到在一个模型中存在多个影响因素(如:抗性负载的大小、缓冲强度、V-t曲线数据的长度以及C_comp)对输出产生很大的影响,所以说想要建立一个准确IBIS行为模型是很困难的。
因此需要更加精确的算法,或者在*-AMS提供一种解决思路。
《Future directions for IBIS》简介:主要讲解了IBIS未来的发展方向。
(IBIS Summit Meeting at DesignCon 2000)《Introduction to the IBIS Macro Model Library》--2006简介:主要讲解了IBIS宏观模型库。
内容:《Study of Solving IBIS Single VT》—Asian IBIS Summit Meeting 2008简介:讲解了处理单个VT波形数据获得动态缩放系数的两种方法。
内容:(1)我们熟悉的2EQ/2UK算法只适用于two VT waveforms.理论上讲,对于单个VT,不存在解决方法——一个方程,两个未知数(Ku,Kd)。
(2)两种方法方法一:Experiential Way(经验主义)方法二:Impose Constraint(添加约束)(3)总结:比较两种方法:法一:如果PWL调整的好,会有良好的准确性;很难找到一个所有IBIS模型都适用的PWL。
IBIS 模型介绍及如何产生IBIS 模型
IBIS 模型介绍及如何产生IBIS 模型何为IBIS?IBIS 是一种可以利用V/I 和V/T 数据(不包含任何版权信息)描述一个器件的数字输入和输出端口电气特征的行为级模型。
IBIS 模型不同于传统系统设计师使用的原理图符号的常规理想化模型。
一个IBIS 模型是由输入和输出引脚上的电流和电压值,也可以是输出引脚上电平上升或下降转换过程中相关电压和时间组成的列表数据。
该表数据反映了器件行为。
IBIS 模型通常被用于系统板的SI 分析。
潜在的问题可以通过仿真分析得出由于传输线的阻抗失调而引发的能量反射大小;串扰、地或电源反弹、过冲及线端分析等。
IBIS 是一种精确的模型,因此可以用在非线性的I/O 特征、ESD 特征和封装寄生效应的描述。
在一些方面已经超越了传统模型的性能,如SPICE。
例如,在分析速度上要至少比SPICE模型仿真快25 倍,同时IBIS 还不像SPICE 模型那样存在版权问题。
IBIS 的发展历史:IBIS 最先由Intel 公司在1990 年提出。
在1993 年发布了IBIS 1.0 版本并且设立了IBIS 开放性论坛。
IBIS 开放性论坛由EDA 厂商、计算机制造商、半导体厂商、高校和终端用户组成,负责更新、修改和校对标准和组织研讨。
并在1995年与EIA(电子工业联盟)建立合作关系。
最新的IBIS 版本为4.0,在2002 年7月发布,但是目前仍然还不是ANSI/EIA 标准。
最早的IBIS 版本可以描述CMOS电路和TTL I/O 缓冲器,其后每个版本均添加新的功能,并且实现完全向下兼容。
如何创建一个IBIS 模型?通常可以利用采集仿真数据和仪器测量获取建立IBIS 模型所需的数据,另外,也可以将SPICE 模型直接翻译成IBIS 模型(可以从IBIS 官方网站/eig/ibis/ibis.htm 免费获得)。
模型可以从三个不同角度条件下创建:典型、最小化和最大化。
- 典型:在常温、常压和常规处理参数条件下;- 最小化:在高温、最低电压和小参数条件下;- 最大化:在低温、最高电压和大参数条件下;刨析IBIS 模型中的数据:在IBIS 规范中支持包括三态、开漏(open drain)、开集(open collector)、I/O 和ECL 等形式的多种类型输入输出端口。
ibis模型仿真培训教材
IBIS模型培训要点:模型的概论模型的分类模型的基本理论模型的检查连接器和过孔的模型一.模型的概论仿真的第一步离不开IBIS模型的收集,下面是关于模型的一些基本知识:模型产生的流程:模型的转换工具:上图中的IBIS to DML的转换的工具已经整合到Cadence的仿真工具中,DML是指DEVICE MODEL Language模型的精度:模型是否能够准确反映器件BUFFER的工作状态,直接关系到仿真的准确性,因此模型内部的检查是必须的:下面是一个模型的BUFFER的图与实际测量的结果对比:(二)模型的分类:模型的分类方式有两种:以文本格式的分类和以器件类型的分类以文本格式的分类:SPICE(典型的晶体管模型)同类的模型有PSPICE HSPICEIBIS (行为极的模型)器件类型分类的模型:DEVICE MODELIO BUFFER(Drive receive)Discrete deviceBoardmodelINTERCONNECT MODELTransmission lineConnectorCablePackageViaIBIS模型的定义:IBIS模型的作用:SPICE模型与SPICE模型的比较:三.IBIS的基本理论IBIS 模型的几种等效电路:IBIS模型版本的区别IBIS 1.1版本的时候,仅仅只是CMOS的电平无边沿控制,对于高速芯片的由电平的上升沿及下降沿控制的电路,显然不适用。
IBIS模型2.0版本最主要增加包括ECL的多总线支持,终端和漏极开路模型,差分I/O及复杂包装参数定义。
模型3。
2版本主要增加的是FBGA的PIN模型选择,及多级驱动和动态箝位 (所以特别注意的是当你拿到厂家给你的模型,首先要检查模型的版本信息,当然观察模型的曲线,版本越高级,曲线的精度越高,但是可能有些芯片的IBIS模型版本没有升级到那麽高,但是也要看是否可用,比如我这次有一个器件的模型中Buffer的类型是差分I/O,但是供应商给的版本是V2.0,模型中没有定义差分的关键字,由于差分模型是在V2.1以上版本才有,所以就必须和厂家联系重新给你更新版本的IBIS模型。
完整word版,IBIS模型详解中文版
§1绪论 (1)1.1 IBIS模型的介绍 (1)1.2 IBIS的创建 (3)§2旧IS模型的创建 (3)2.1准备工作 (3)2.1.1基本的概念 (3)2.1.2数据列表的信息 (4)2.2数据的提取 (4)2.2.1 利用Spice 模型 (4)2.2.2确定I/V数据 (4)2.2.3边缘速率或者是V/T波形的数据的测量 (7)2.2.4试验测量获取I/V和转换信息的数据 (7)2.3数据的写入 (8)2.3.1旧S文件的头I信息 (8)2.3.2器件和管脚的信息 (8)2.3.3 关键词Model的使用 (9)§3 用旧IS 模型数据验证模型 (10)3.1常见的错误 (10)3.2旧IS模型的数据验证 (12)3.2.1 Pullup> Pulldown 特性 (12)3.2.2 上升和下降的速度(Ramp rate) (12)3.2.3上下拉特性和Ramp rate的关系 (12)3.3用旧IS模型数据验证模型参数的实例 (12)§1绪论1.1 IBIS模型的介绍IBIS (Input/Output Buffer Informational Specifation)是用来描述IC 器件的输入、输出和I/OBuffer 行为特性的文件,并且用来模拟Buffer和板上电路系统的相互作用。
在IBIS模型里核心的内容就是Buffer的模型,因为这些Buffer产生一些模拟的波形,从而仿真器利用这些波形,仿真传输线的影响和一些高速现象(如串扰,EMI 等。
)。
具体而言IBIS描述了一个Buffer的输入和输出阻抗(通过I/V曲线的形式)、上升和下降时间以及对于不同情况下的上拉和下拉,那么工程人员可以利用这个模型对PCB板上的电路系统进行SI、串扰、EMC以及时序的分析。
IBIS模型中包含的是一些可读的ASCII格式的列表数据。
IBIS有特定的语法和书写格式。
IBIS模型及其应用讲解
IBIS模型及其应用CDMA事业部眭诗菊摘要:本文介绍了用于高速系统信号完整性分析的IBIS模型的历史背景、IBIS模型的结构、IBIS模型的建模过程、IBIS模型的参数、语法格式,以及在使用IBIS模型时常遇到的问题和解决方法。
关键词:IBIS模型、EDA、信号完整性、缓冲器、单调性、收敛高时钟频率下运行的并行处理系统或其它功能更加复杂的高性能系统,对电路板的设计提出了极其严格的要求。
按集总系统的方法来设计这些系统的线路板已不可想象。
许多EDA (电子设计自动化)供应商都提供能进行信号完整性分析和EMC分析的PCB设计工具。
这些工具需要描述线路板上元器件的电气模型。
IBIS(I/O Buffer Information Specification)模型是EDA供应商、半导体器件供应商和系统设计师广泛接受的器件仿真模型。
一、IBIS的背景及其发展在IBIS出现之前,人们用晶体管级的SPICE模型进行系统的仿真,这种方法有以下三个方面的问题:第一,结构化的SPICE模型只适用于器件和网络较少的小规模系统仿真,借助这种方法设定系统的设计规则或对一条实际的网络进行最坏情况分析。
第二,得到器件结构化的SPICE模型较困难,器件生产厂不愿意提供包含其电路设计、制造工艺等信息的SPICE模型。
第三,各个商业版的SPICE软件彼此不兼容,一个供应商提供的SPICE模型可能在其它的SPICE仿真器上不能运行。
因此,人们需要一种被业界普遍接受的、不涉及器件设计制造专有技术的、并能准确描述器件电气特性的行为化的、“黑盒”式的仿真模型。
1990年初,INTEL公司为了满足PCI总线驱动的严格要求,在内部草拟了一种列表式的模型,数据的准备和模型的可行性是主要问题,因此邀请了一些EDA供应商参与通用模型格式的确定。
这样,IBIS 1.0 在1993年6月诞生。
1993年8月更新为IBIS 1.1版本,并被广泛接受。
此时,旨在与技术发展要求同步和改善IBIS模型可行性的IBIS论坛成立,更多的EDA供应商、半导体商和用户加入IBIS论坛。
IBIS模型
IBIS:Input/Output Buffer Information Specification的简写,是进行数字电路的传输线路分析即信号完整性分析,描述高速器件输入输出特性的行为模型。
简单的说就是【高速PCB板仿真使用的模型】。
IBIS的规格是IBIS开放论坛制定的,但是其只规定了信息的格式,关于仿真处理和模型的使用方法并没有特别规定。
1IBIS模型的构成:IBIS模型里记录器件Pin脚的排列信息和输入输出的特性,基本的构成如下:1、驱动模型(输出模型)Though rate: 上升、下降的特性Pull down I-V curb: 在输出为逻辑低电平时,半导体的I/V特性曲线Pull up I-V curb: 在输出为逻辑高电平时,半导体的I/V特性曲线I/V curb: 【power clamp】clamp和【GND clamp】clamp二极管特性半导体芯片的电容C_comp封装的LCR特性2、接收器模型(1):I-V curb:【power clamp】clamp和【GND clamp】clamp 二极管特性(2):半导体芯片的电容C_comp(3):封装的LRC特性等效电路图IBIS模型的创建及优化随着半导体器件的高速化和高度集成,要求我们从电路设计阶段到PCB板设计阶段就需要进行传输线路的仿真分析,来合理布局布线。
作为分析中必要的器件模型,IBIS模型和SPICE模型得到了广泛的利用,但是IBIS模型凭借其易于获得,简易,仿真速度的优势,更加适用于PCB高速仿真。
含有高速半导体器件的PCB板设计中,为了减少改版的次数,运用EDA工具进行信号完整性分析是必不可少的。
但是,如果我们获取的高速器件的IBIS模型有问题,在仿真的时候就会产生错误,这样又需要研究错误原因,修改IBIS模型,从而导致仿真时间的增加。
另外,实用有问题的IBIS模型即使能顺利仿真,但样机的实际测量值于仿真结果不一致,就无法确认设计是否符合要求,这样的话,仿真起不到其作用。
IBIS 模型简介
IBIS 模型簡介IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一種基於V/I曲線的對I/O BUFFER快速準確建模的方法,是反映晶片驅動和接收電氣特性的一種國際標準,它提供一種標準的檔格式來記錄如驅動源輸出阻抗、上升/下降時間及輸入負載等參數,非常適合做振盪和串擾等高頻效應的計算與仿真。
IBIS規範最初由一個被稱為IBIS開放論壇的工業組織編寫,這個組織是由一些EDA廠商、電腦製造商、半導體廠商和大學組成的。
IBIS的版本發佈情況為:1993年4月第一次推出Version1.0版,同年6月經修改後發佈了Version1.1版,1994年6月在San Diego通過了Version2.0版,同年12月升級為Version2.1版,1995年12 月其Version2.1版成為ANSI/EIA-656標準,1997年6月發佈了Version3.0版,同年9月被接納為IEC 62012-1 標準,1998年升級為Version3.1版,1999年1月推出了當前最新的版本Version3.2版。
IBIS本身只是一種檔格式,它說明在一標準的IBIS檔中如何記錄一個晶片的驅動器和接收器的不同參數,但並不說明這些被記錄的參數如何使用,這些參數需要由使用IBIS模型的仿真工具來讀取。
欲使用IBIS進行實際的仿真,需要先完成以下四件工作:1.獲取有關晶片驅動器和接收器的原始資訊源;2.獲取一種將原始資料轉換為IBIS格式的方法;3.提供用於仿真的可被電腦識別的佈局佈線資訊;4.提供一種能夠讀取IBIS和佈局佈線格式並能夠進行分析計算的軟體工具。
IBIS是一種簡單直觀的檔格式,很適合用於類似於Spice(但不是Spice,因為IBIS檔格式不能直接被Spice工具讀取)的電路仿真工具。
它提供驅動器和接收器的行為描述,但不洩漏電路內部構造的知識產權細節。
IBIS_model详解
§1 绪论 .....................................................................................................................................................................................1
§3 用 IBIS 模型数据验证模型 ..............................................................................................................................................10
号 , [File Name] 文 件 的 名 称 , [File Rev] 文 件 的 版 本 号 , [Component] 器 件 的 名 称 和 [Manufacturer]. 器件的制造商。 2. 关于器件的封装电气特性和管脚与Buffer模型的映射关系。可以使用关键词 [Package] 和 [Pin] 描述。 3. 为了表述器件管脚的Buffer所需要的相关的数据信息。关键词 [Model] 是用来表示每个 Buffer的数据,具体的内容有:Model_type(Buffer的类型)、Vinh、Vinl以及C_comp (IC芯片的电容)。在前面的内容中提到了Buffer的特性描述,在IBIS模型中需要下面的一 些关键词描述:[Pull-up]、 [Pull-down]、[GND clamp]、[Power clamp]和 [Ramp]。当然对 于不同的Buffer可能不需要上面的全部的关键词来描述。如OC和漏极开路电路就不需要 [Pull-up] 关键词的数据信息。
IBIS模型简介
IBIS 模型简介
IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于 V/I 曲线的 对 I/O BUFFER 快速准确建模的方法,是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准,它提 供一种标准的文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数,非常适 合做振荡和串扰等高频效应的计算与仿真。
IBI驱动器 和接收器的不同参数,但并不说明这些被记录的参数如何使用,这些参数需要由使用 IBIS 模 型的仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际的仿真,需要先完成以下四件工作:
(1)获取有关芯片驱动器和接收器的原始信息源; (2)获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式的方法; (3)提供用于仿真的可被计算机识别的布局布线信息; (4)提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算的软件工具。
IBIS 模型的分析精度主要取决于 I/V 和 V/T 表的数据点数和数据的精确度。由于基于 IBIS 模型的 PCB 板级仿真采用查表计算,因而计算量较小,通常只有相应的 SPICE 模型的 1/10 到 1/100。
采用 SPICE,产品推向市场的时间取决于获得模型,得到仿真结果的时间;在 IBIS 中, 主要是从 SPICE 仿真界果中建立模型。换句话说, IBIS 模型能够很容易的验证产品测试结 果(并且,如果有必要产生新的模型)。如果同样进行测量和模型验证的话,IBIS 模型能够 同 SPICE 具有同样的精度。IBIS 模型提供的信息需要 I/O 传输特性、而不是内部电路的信息。 IBIS 是为了满足信号完整性(SI)仿真的需要,其结果是 IBIS 模型具有信号完整性(signal integrity)分析所需要的信息,如在不同的负载下信号上升/下降时间。由于提取的水平如 此之高,所以模型不能够很容易的调整大小,但是对于信号完整性(SI)的应用不成问题。
IBIS模型相关参数-个人整理
IBIS模型参数——个人整理输入的模型结构可以细化用图2表示。
图2:输入的模型电路图其中:C_pkg, R_pkg, L_pkg 为封装参数C_comp 为硅片上脚的压焊盘电容Power_Clamp 为低端ESD结构的V/I 曲线GND_Clamp 为低端ESD结构的V/I 曲线输出的模型结构可以细化用图3表示。
图3:输出的模型电路图其中:Pullup, Pulldown 为高电平和低电平状态的V/I曲线。
Ramp 为上升沿和下降沿的摆率(dv/dt)。
指的是输出电压从20%--80%的电压输出幅度所用的时间。
为了更加准确地描述上升沿和下降沿的过程,有上升沿和下降沿的V/T 曲线。
IBIS模型中包含了一些基本的参数,同时也给用户选择参数的机会。
C_pkg , R_pkg , L_pkg : 封装的RLC参数C_pin , R_pin , L_pin : 引脚的RLC参数C_comp :硅片上引脚的压焊盘电容——硅芯片电容[PullUp]:输出高电平状态的V/I曲线。
示例见图5。
——上拉曲线[PullDown]:输出低电平状态的V/I曲线。
示例见图6。
——下拉曲线[Power_Clamp]:高端ESD的V/I曲线。
示例见图7。
——电源箝位曲线[GND_Clamp]:低端ESD的V/I曲线。
示例见图8。
——GND箝位曲线[Rising Waveform]:输出上升沿的V/T曲线。
示例见图9。
[Falling Waveform]:输出下降沿的V/T曲线。
示例见图10。
dV/dT_r, dV/dT_f:输出上升沿和下降沿的摆率。
即:从20%~80%,或从80%~20% 电压输出幅度所需的时间。
在测定V/I曲线时,电压的扫描范围,见表1:表1:电压的扫描范围[PullUp],[Power_Clamp] 曲线中,电压是以VCC作为电压参考点。
所以在IBIS模型中相应的电压值要作以下调整:V table = VCC- V measured。
IBIS模型介绍
• Completes simulations faster than SPICE models, allowing solution space analysis through sweeps of multiple parameters in a timely manner
Technical Note
IBIS Behavioral Models
TN-00-07: IBIS Behavioral Models Introduction
Introduction
The Input/Output Buffer Information Specification (IBIS) is a standard for describing the analog behavior of a buffer. The specification provides a standard parsed file format consisting of current-voltage (I-V) characteristics, voltage-time (V-t) characteristics, device package parasitics, input capacitance, and timing measurement information for several types of I/O structures. IBIS models provide information that accurately models a buffer’s behavior without revealing proprietary information about the circuit’s structure or fabrication process. Systems designers use IBIS models to perform board level signal integrity simulations and timing analyses.
【转载】IBM模型学习总结
【转载】IBM模型学习总结1. 讲什么与不讲什么这篇⽂章主要讲述IBM 5个模型中的Model 1和2。
由于Model 3、4和5,还不是很熟悉,所以暂时就不详细讲了。
以后我会在理解它们后,补充这篇学习总结。
2. IBM模型概述IBM模型是份经典的研究⼯作,这5个模型既是当初基于词的统计机器翻译模型的基础,也是现在统计机器翻译中主流技术中的重要⼀步。
作为⼀个⽣成模型,IBM模型有着⾃⾝"严密"的模型演绎。
总的来说,Model 1和2是在⼀个展开公式下的建模,⽽Model 3、4和5则是在另⼀个展开公式下的建模。
当然,从模型的复杂程度上讲,这5个模型之间的关系是1<2<3<4<5,从模型的计算顺序来讲,是1->2 -> 3 -> 4 -> 5。
以法语(f)和英语(e)为例,如何对法语翻译为英语这项活动建模?从噪声信道模型的⾓度来讲(其实这最早是Weaver的独特见解),即从贝叶斯主义的⾓度来讲,我们可以有如下⼀个基本公式:P r (E|F)=P r (E)*P r (F|E) / P r (F) (1)说明:公式(1)中E和F分别表⽰英⽂端和法语端的句⼦。
那么问题求解就变为(2)到这⾥,⼤家都会,但是IBM的那⼏位研究员很厉害,他们体会到了更多的信息:1) Pr(E)和Pr(F|E)均有很好的物理解释。
Pr(E),通俗来讲,是表⽰句⼦是合法的英语句⼦的可能性,学术点讲,叫做语⾔模型;Pr(F|E),通俗来讲,是表⽰该翻译出的英⽂句⼦表达的意思与原来法语句⼦所表达的意思有多⼤的相似,或者说表达出多少法语句⼦中的意思,学术点讲,叫做翻译模型。
公式(2)就这样形式化地描述了整个翻译过程中的3个问题——语⾔模型、翻译模型以及解搜索。
2) 更重要地,他们还看到了翻译模型中的⼀个隐藏变量——句⼦间的词语对齐信息。
如果词语对齐⽤符号A表⽰(原论⽂中⽤印刷体a表⽰),则有:(3)这样,他们开始考虑如何对Pr(F,A|E)建模。
IBIS学习笔记
IBIS学习发布时间:2010-11-19 17:42:37 笔记技术类别:CPLD/FPGAIBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是基于V/I曲线的对I/O Buffer快速准确建模的方法,其目的是提供一种集成电路制造商与仿真软件供应商以及设计工程师之间相互交换电子元件仿真数据的标准方法。
IBIS是一种行为模型,它不是从要仿真的元件的结构出发定义的,而是从元件的行为出发定义的。
IBIS本身是一种标准的文本格式,它记录驱动器和接收器的不同参数,如驱动源输出阻抗、上升/下降时间以及输入负载等参数,但它不说明这些记录参数是如何使用的。
IBIS模型分为驱动器模型和接收器模型,如下图示:Pull up/pull down:标准输出缓冲器的上拉和下拉晶体管,用直流I/V数据表来描述它们的行为。
Power clamp/gnd clamp:静电放电和钳位二极管,用直流I/V数据表来描述它们的行为。
Ramp:表示输出从一个逻辑状态转换到另一个逻辑状态,用dV/dt来描述。
C_comp:硅晶圆电容,它是不包括封装参数的总输出电容。
R_pkg/L_pkg/C_pkg:封装带来的寄生电阻、电感和电容。
无论是驱动器模型还是接收器模型都是由两部分组成的:缓冲器结构模型([model] section)和封装因子([component]&[pin] section)。
IBIS文件结构IBIS文件包括了从行为上模拟一个器件的输入、输出和I/O缓冲器所需要的数据,它以ASCII的格式保存。
IBIS文件的格式如下图示:IBIS文件主要由三部分构成:1. 文件头描述:包括IBIS版本、文件名以及资料来源、修订等信息。
2. 元件描述:该部分包含从数据手册中得到的元件引脚、封装电特性等信息,用关键字[package]和[pin]说明。
3. 模型描述:该部分描述电流、电压曲线和开关特性,模型用[pull up]、[Pull down]、[gnd clamp]、[po wer clamp]和[ramp]等关键字说明,[model]后的参数定义了模型的类型(输入、输出、I/O、开漏极等)以及它的输入/输出电容。
三极管的ibis模型
三极管的ibis模型三极管是一种常见的电子器件,也被称为双极型晶体管。
它是一种半导体装置,由三个控制电极组成:发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector)。
三极管的工作原理基于控制电流的方式,其中基极电流(IB)是三极管工作的重要参数之一。
为了更好地理解三极管的工作原理和性能,我们可以使用IBIS (Input/Output Buffer Information Specification)模型进行仿真和分析。
IBIS模型是一种用于描述数字和模拟集成电路输入/输出(I/O)行为的标准格式。
在三极管的IBIS模型中,主要包含以下几个方面的信息。
IBIS模型给出了三极管的电气特性参数。
这些参数包括:极间电容(Cbe、Cbc)、极间电阻(Rbe、Rbc)、极间电感等。
通过这些参数,可以准确地描述三极管在不同工作条件下的电气特性。
IBIS模型还给出了三极管的输入/输出电流特性。
其中包括了基极电流与发射极电流的关系、集电极电流与发射极电流的关系等。
这些特性曲线能够帮助我们分析三极管在不同输入电流条件下的工作状态和输出特性。
IBIS模型还包含了三极管的传输特性信息。
这些信息描述了三极管在不同频率下的传输特性,如S参数(散射参数)和H参数(混合参数)。
通过这些参数,可以评估三极管的放大能力、频率响应等性能指标。
三极管的IBIS模型可以应用于电路设计和仿真中。
通过引入IBIS 模型,我们可以更准确地预测和评估三极管在不同电路中的性能。
例如,在放大电路中,我们可以使用IBIS模型来评估三极管的放大倍数和频率响应。
在数字电路中,IBIS模型可以帮助我们评估三极管的开关速度和功耗等参数。
除了电路设计和仿真,三极管的IBIS模型还可以用于信号完整性分析。
在高速信号传输中,信号完整性是一个非常重要的问题。
通过引入三极管的IBIS模型,我们可以模拟和分析信号在信号链路中的传输过程,了解信号的传输失真情况,从而优化系统设计。
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1、ZYNQ的IBIS转换,需要使用vivado的I/O Planning Project来做处理,步骤如下
选择“updated generic IBIS models file”时需要注意,[Component]的名称需要与Vivado软件内部的设置保持一致,所以存在两个问题:(1)新建工程时需要建立与要生成IBIS模型的器件型号一致,否则转换时会出错;(2)Vivado内部对每种器件型号有一个缩写,需要将generic IBIS模型内的component名称与之保持一致,ZYNQ7000对应的名称为“zynq”
2、转化成的模型存在一定的问题,无法直接使用,因为信号管脚基本都没有分配model,如下图,需要手动分配模型,同时设定diff pin
设定模型是需要注意,想要设置的模型参数是否已经包含在IBS文件中,如模型“SSTL15_S_PSDDR”,其参数已经包含在ibs文件中,如下,所以可以直接调用,如需要调用的模型不在文件中,需要手动将模型参数加到文件中
Ibis模型中,对于管脚的输入输出属性是通过分配的模型来判断的,模型有POWER、GND、I/O、Input、Output等,当一个管脚的输入和输出需要使用不同的模型时,如DDR_DQ,则采用[model selector]的方式,在管脚的model name处为[model selector]的名称,具体选择哪种模型,在使用时具体选择
差分对的添加按照以下格式,第一列为差分信号正,第二列为差分信号负,第三列为差分电平。