PVD设备及工艺简介
PVD镀膜产品及制备工艺
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富森钛金设备
迪通恒业科技
联合出品
④ 非平衡磁控溅射：
通过减小或增大靶中心的磁体体积，使 部分磁力线发散到距靶较远的衬底附近， 使等离子体扩展到衬底附近且部分等离 子体起轰击衬底作用。 •拓展等离子体区域； •增加离子比例； •增加沉积能量。
富森钛金设备
迪通恒业科技
联合出品
PLASMA
物質的第四態
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富森钛金设备
迪通恒业科技
联合出品
濺鍍製程技術的特點
• • • • • 成長速度快 大面積且均勻度高 附著性佳可改變薄膜應力 金屬或絕緣材料均可鍍製 適合鍍製合金材料
I-V characteristics of three different methods used for sputtering
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富森钛金设备
迪通恒业科技
联合出品
（１）磁控溅射：
① 传统溅射方法缺点：
•沉积速率低； •工作气压高； •气体分子对薄膜污染高
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富森钛金设备
迪通恒业科技
联合出品
装饰膜的复合膜层
间电货品：膜层与基体颜色相间；根据间电颜色生产难度而定； 复合膜层：在同一工件上实现两种或两种以上颜色的镀膜；货品交 期大约20天； 界面平整分明，森科专利技术。
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PVD基础介绍
磁控溅射镀模型
下图为Sputter溅镀模型（类似打台球模型）：
图一 Sputter溅镀模型
图中的母球代表被电离后的气体分子，而 红色各球则代表将被溅射的靶材 （AL，AZO等）
图二则代表溅镀后被溅射出的原子、分子等的运动情形；即当被加速的离子与
表面撞击后，通过能量与动量转移过程（如图三），低能离子碰撞靶时，不能从固体 表面直接溅射出原子，而是把动量转移给被碰撞的原子，引起晶格点阵上原子的链锁
第四部分：点检及保养
日常点检（4h/次）
1、在工艺自动时，记录“靶室真空度” 2、空跑白玻后，靶高功率溅射时，记录“低速”、“靶电压”、“靶电流”、 “靶功率”、“氩气流量”、“靶消耗”、“累计芯片数”
3、出料时，用万用表测量芯片半成品膜面电阻，测量点在电流边中间位置，点 间距大于1200mm。SPL1800PVD产线有专门的测电阻装置，无需人工测量。
第三部分：操作规范
一、开机规范
1、开启前，检查水电气是否正常供应
2、开启分子泵及腔室循环水，先逆时针打开总回水阀， 然后逆时针打开总进水阀，调节进水压力值为0.250.3MPa左右，然后用同样方法开启靶子循环水路，压力 值同分子泵一样；
3、开启压缩空气总进气阀，通过二联件上的空气压力调 节器设定进气压力为0.55MPa左右，开启氩气进气阀， 设定压力值为3Bar左右 ； 4、打开电控柜总电源开关，开启控制电脑，打开控制软 件，进入控制界面；
铝膜，导电率仅次于 银和铜，反射可见光 和紫外光；
掺铝氧化锌膜， 可见光透射率高，红 外光反射率高，电阻 率低，是一种透明导 电材料。 （如掺2%wt氧化 铝的AZO对可见光区平 均透过率86% ，红外 反射率大于80% ）
3、控制系统（让PVD实现自动化控制） • 控制系统是整个装置的灵魂，控制整个系统的工作， 包括软件操作系统、数据采集系统、数据分析系统和 执行传输系统等组成 • 数据收集系统：片位、流量（水气）、真空压力、电 机转速、阀位、
PVD制备TCO工艺总结
触控面板
TCO材料作为触控面板的导电膜层， 能够实现高灵敏度的触控响应。
显示器
TCO材料能够提高显示器的透光率 和色彩表现，广泛应用于液晶显示 器、OLED显示器等领域。
03 PVD制备TCO工艺流程
靶材选择
01
02
03
靶材纯度
选择高纯度靶材以保证薄 膜的纯净度，减少杂质和 缺陷。
靶材晶体结构
06 PVD制备TCO工艺未来展 望
技术发展趋势
1 2 3
高效能
随着科技的不断进步，PVD制备TCO工艺将朝着 更高效率和更低能耗的方向发展，提高生产效率 和降低成本。
智能化
智能化技术将应用于PVD制备TCO工艺中，实现 自动化控制和优化生产过程，提高产品质量和稳 定性。
环保化
环保法规日益严格，PVD制备TCO工艺将更加注 重环保和可持续发展，减少对环境的影响。
应用领域拓展
新材料领域
随着新材料技术的不断发展， PVD制备TCO工艺将应用于更多 新材料领域，如新型太阳能电池、 柔性电子等。
新能源领域
在新能源领域，PVD制备TCO工 艺将应用于太阳能电池、风力发 电等领域，推动可再生能源的发 展。
生物医疗领域
PVD制备TCO工艺在生物医疗领 域的应用也将逐渐增多，如生物 传感器、医疗设备等。
辉光放电产生等离子体
辉光放电原理
01
辉光放电是一种气体放电现象，通过高压电场使气体电离产生
等离子体。
辉光放电条件
02
控制放电电压、电流和气体流量等参数，以产生稳定和高效的
等离子体。
等离子体诊断
03
通过诊断工具对等离子体的性质进行监测，如电子温度、密度、
PVD技术制程介绍
*
第三步 反應成膜
Ar+ + N2 2N +Ar+ Ti + N TiN
基底材料
*
PVD技術應用于金屬外殼之優點
高金屬質感和艷麗飽滿的色彩效果 優異的功能性(與基材的良好結合﹐高的硬度和耐磨性等) 底材選擇的多樣化(如不鏽鋼﹐鈦合金﹐甚至鋁合金) 制程的良好的穩定性和再現性 適應現代環保潮流
耐刮測試（Rod-scratch Test）
1N or 2N No scratch
4
膜厚測試（Film Thickness Test）
通常要求1um~2um; 有的專案要求2.6um以上
5
鹽霧測試(Salt mist Test)
No change after test
*
7.1 震動研磨測試方法介紹
*
2.1 不銹鋼產品PVD清洗流程圖 SS Product Cleaning Flow Chart
上挂 Racking
除蠟 Dewax
氧化 Oxidation
烘烤 Baking
除蠟 Dewax
酸洗 Acid rinsing
下挂 Unracking
純水洗 Pure water cleaning
NLV-LH PVD廠 承制
新專案/新色需求 New Project/Color Demand
送候選金樣 Golden Sample
6. PVD新色開發流程 PVD Color Development Flowchart
*
PVD新色承認 PVD New Color Approval Items
PVD新色承認
樣品製作 Sample Preparation
pvd设备及工艺简介
脉冲激光沉积设备及工艺流程
• 高功率脉冲激光器：脉冲激光沉积设备中最重要的部分是高 功率脉冲激光器，用于产生高能脉冲激光。
• 靶材：靶材是放置在真空室中的，由要沉积的材料制成。 • 基板：基板是放置在真空室中的，用于接收激光束照射靶材
高精度控制
pvd技术对工艺参数的控制要求较高，如真空度、温度、电流等，需要精确控制这些参数 以确保薄膜的质量和稳定性。
薄膜性能的改善
尽管pvd技术在制备薄膜方面具有很多优点，但仍然需要不断提高薄膜的性能和稳定性， 以满足不同领域的应用需求。
设备成本与维护
pvd设备的前期投入和后期维护成本较高，成为制约其广泛应用的一个因素。需要降低设 备成本并提高设备的可靠性和稳定性，以推广pvd技术的应用范围。
作和维护。
适用范围有限
03
PVD技术对于一些特殊材料和复杂形状的制品加工有
一定的难度和限制。
06 pvd技术的发展 趋势与挑战
pvd技术的发展趋势
01 02
向高效节能方向发展
随着环保要求的提高，pvd设备正朝着更加节能、环保、高效的方向发 展，如采用新型电源技术、优化真空系统和控制系统等，以提高设备运 行效率和降低能源消耗。
，提高其性能和稳定性。
光学制造
PVD技术可用于制造高透光 率、高反射率的薄膜，如太阳
能电池、光学镜片等。
其他领域
PVD技术还可应用于航空航 天、汽车制造、医疗器械等领
域。
pvd技术的发展趋势
多元化应用
随着科技的不断进步，PVD技术的应用领域越来越广泛，未来将会有更多领域应用PVD技术。
高性能材料
【9】【PVD工艺介绍】
PVD工艺介绍报告人：文辉民邮箱: swen99@目录1PVD 簡介2真空概述3PVD 製程腔体結構4元素•靶材的分類•氣體的選擇5薄膜沉積機制6電漿7材質8表面缺陷的影響1.PVD 簡介1.1 物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition) 1.2 依蒸發源的不同分成：蒸鍍 濺鍍 電子束 離子束 陰極電弧1.PVD 簡介1.PVD 簡介1.PVD 簡介1.PVD 簡介1.PVD 簡介-12-2.真空概述2.1 真空的定義一個空間，其中的氣體壓力顯著小於其周圍的大氣壓力2.2 氣體分子的平均自由徑(λ，單位：cm)溫度為20℃的空氣，壓力Ｐ的單位為mbar2.真空概述3.腔体結構4.1 靶材的分類Ti Cr Zr TiAl W4.2 反應氣體的選擇Ar C 2H 2 N O CH 44.元素Cathodetraget plasma ‧‧Me ＋＋Me ‧Me ＋‧‧‧‧‧‧N ＋＋Me e -＋N N ＋‧Ar ＋-e 5.薄膜沉積機制5.薄膜沉積機制6.電漿Ø6.1 所謂「電漿」(又稱等離子體) 即是離子化氣體物質的第四態電中性等溫性7.材質Ø哪些材質可以PVD?1.不銹鋼、高速鋼、鎢鋼2.電鍍處理後的銅合金、鋅合金3.電鍍處理後的ABS、PC、ABS+PC8.表面缺陷的影響Ø金屬件砂孔、裂縫造成的吐氣表面氧化物、水痕造成的掉膜塑膠件耐溫性不足造成的軟化及雜質釋出引發吐氣表面氧化物、水痕造成的掉膜裂縫凸點凹點ox id e8.表面缺陷的影響裂縫凹點凸點砂孔8.表面缺陷的影響THE END, THANK YOU!。
是pvd处理工艺_概述说明
是pvd处理工艺概述说明1. 引言1.1 概述本文旨在对PVD处理工艺进行概述说明。
PVD，即物理气相沉积（Physical Vapor Deposition），是一种常用于材料表面涂层的工艺。
通过将固体材料加热至高温后，使其蒸发成气态，并在真空环境下沉积到待处理的基底表面上，形成均匀、致密的薄膜涂层。
1.2 文章结构本文按如下结构展开对PVD处理工艺的概述：首先引言部分给出了整个文章的概述和目标；然后介绍了PVD处理工艺的定义、背景和基本原理；接着详细描述了PVD处理工艺的工艺流程；随后讨论了PVD处理工艺在制造业、光电子学以及非金属材料涂层加工等领域的应用；之后列举了PVD处理工艺的优点和缺点；最后进行总结回顾并展望未来发展方向。
1.3 目的通过本文对PVD处理工艺进行全面而系统地介绍，旨在让读者对这一技术有一个清晰的认识。
同时，希望读者能够了解PVD处理工艺的基本原理和工艺流程，并认识到其在制造业、光电子学和非金属材料涂层加工等领域的广泛应用。
此外，我们也将分析和讨论PVD处理工艺的优点和缺点，以期为相关领域的研究人员和实践者提供参考，促进该技术的进一步发展。
以上是“1. 引言”部分内容的详细清晰撰写。
2. PVD处理工艺：PVD（物理气相沉积）是一种常用的表面涂层加工技术，它通过在真空环境中将固体材料蒸发或溅射成薄膜，将其沉积在待加工物体的表面上。
PVD处理工艺具有广泛的应用领域和重要的实际意义。
2.1 定义与背景：PVD处理工艺是一种以物理方式将材料从源头转移到待加工表面的技术。
其背景可以追溯到20世纪60年代，当时科学家们开始研究如何利用低压下的物理机制来制造具有优异性能和特殊功能的薄膜。
通过高纯度材料的蒸发和溅射过程，在无需化学反应的情况下形成薄膜沉积。
这种技术以其高效、环保等特点越来越受到关注。
2.2 基本原理：PVD处理工艺基于几种主要原理，包括热蒸发、电子束枪石墨棒石雾传输（EB-PVD）、直流磁控溅射（DC Sputtering）和射频磁控溅射（RF Sputtering）。
PVD工艺及设备简介
PVD工艺及设备简介2010/4/2/09:01 来源：《涂装指南》慧聪表面处理网：如今很多的塑料零件都穿上了漂亮的金属外衣，而实现这种功能的方法就是物理气相沉积金属化工艺，简称PVD。
简而言之，就是在真空室内，向塑料或金属基材表面喷涂一层特别薄的金属。
该金属层厚度仅有几个分子厚，测量单位是纳米。
基材通常是硅橡胶、热塑性弹性体TPE或热塑性塑料。
随着技术的发展，这项工艺能在较低的温底下，用很短时间完成。
PVD层一般沉积在基层表面，基层的作用是遮盖零件表面缺陷。
在汽车行业，塑料制品应用PVD法最常见的实例是灯光反射器。
如果反射器表面有缺陷会直接影响光线反射，因此为了在零件表面形成平整而光滑的表面来反射光线，就应用PVD技术来消除塑料件成型时出现的加工痕迹。
当然，对于一些家用把手来说，不使用基层是为了有意在制品表面形成图案。
一般来讲，为了保护零件外观质量，制造商还会在PVD层上面再喷涂一层保护层。
在基材上面喷涂一层金属PVD层会大大提高产品表面质量，表面将变得更加坚固、抗磨损，且耐化学药品性也得到了增强。
PVD涂层能起到电磁屏蔽而阻隔无线电波的作用。
PVD涂层还可以用在一些弹性零件上，如汽车安全气囊上的徽标，在这些零件发生弹性变形时，表面不会产生尖角或发生折断。
对于塑料零件来说，令人目不暇接的工艺变化为设计者和工程技术人员开创了一个前所未有的操作空间。
为了消除传统镀铬工艺对环境的破坏，技术人员也在研究用新方法代替电镀工艺。
于是，PVD这个利用100%固态紫外线进行干燥处理的工艺就应运而生了，目前该工艺对环境的破坏性为零。
实现金属化工艺的关键在于PVD设备。
PVD工艺过程包括汽化(激光、热、离子法、电子束、离子束)、阴极真空喷镀和离子电镀。
在高真空室里，等离子体撞击金属靶子，从而在真空室内产生金属蒸气，然后蒸气以纳米层形式沉积在零件表面。
生产周期是1min还是1h则取决于所要达到的沉积层厚度。
在真空室内旋转的夹具里有许多等待喷涂的零件，这种旋转能保证喷涂的PVD层均匀分布在零件表面。
PVD镀膜工艺简介
生物医疗
用于制造具有生物相容性和耐 腐蚀性能的医疗器械和人工关
节等。
02
PVD镀膜工艺流程
前处理
清洗
去除工件表面的污垢、油脂和杂 质，确保工件清洁，以便进行后 续镀膜。
干燥
将清洗后的工件进行干燥处理， 以去除残留的水分，避免对镀膜 效果产生影响。
真空镀膜
蒸发源选择
根据需要镀制的膜层材料，选择相应 的蒸发源，如电子束蒸发、激光脉冲 蒸发等。
PVD镀膜工艺简介
目 录
• PVD镀膜技术概述 • PVD镀膜工艺流程 • PVD镀膜材料 • PVD镀膜工艺的特点与优势 • PVD镀膜工艺的应用实例
Байду номын сангаас1
PVD镀膜技术概述
PVD镀膜技术的定义
物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，简称PVD）是一 种表面处理技术，利用物理方法将固体材料转化为气态原子或 分子，并将其沉积在基材表面形成薄膜。
类金刚石镀膜
具有极高的硬度和优良的 耐磨性，常用于机械零件、 光学元件、医疗器械等领 域的表面处理。
碳化物镀膜
具有高硬度、高耐磨性等 特点，常用于切削工具、 模具等领域的表面处理。
复合镀膜材料
氧化铝/氮化钛镀膜
氧化锆/类金刚石镀膜
具有高硬度、优良的耐磨性和耐腐蚀 性等特点，广泛用于切削工具、刀具 等领域的表面处理。
适用范围广
PVD镀膜工艺适用于各种金属材料， 如不锈钢、钛、铝、钴等，也可应用 于陶瓷、玻璃等非金属材料。
优良的结合力
PVD镀膜层与基材之间具有优良的结 合力，不易剥落，提高了产品的可靠 性和安全性。
长寿命
PVD镀膜层具有较长的使用寿命，可 大幅减少维修和更换的频率，降低生 产成本。
PVD设备及工艺简介
学习改变命运,知 识创造未来
PVD设备及工艺简介
抽空系统
1.2 设计特点: 1.2.1 送气方向垂直由上向下. 1.2.2 在较宽的压力范围内有较大的抽速. 1.2.3 起动快. 1.2.4 对被抽气体中含有粉尘和水蒸气不敏感. 1.2.5 泵腔内无油,可获得清洁真空. 1.2.6 驱动功率小,运转维护费用低.
学习改变命运,知 识创造未来
PVD设备及工艺简介
抽空系统 3.结构及说明:
学习改变命运,知 识创造未来
PVD设备及工艺简介
抽空系统
学习改变命运,知 识创造未来
PVD设备及工艺简介
抽空系统
注:
1.齿轮箱
2.端板
5.从动转子
6.支撑架
9.压盖
10.甩油盘
13.封套
14.减压阀
17.排气口托环 18.轴承1
如被抽除的气体中含有较高的蒸汽气体时,在气体受到压缩而其蒸汽的分压强超过此蒸 汽在泵内温度下的饱和压力时,此时蒸汽被压缩成为液体,真空泵无法排出而混在真空油 内,使泵的性能大大降低,如果掺入适量的空气,使蒸汽在受到压缩时其分压力也低于泵温 时的饱和压力,则蒸汽在变成液体前就能被排出泵外去,故本系列2X-1以上的泵都装有能 放入一定量气体的掺气阀11(见下图)。
识创造未来
PVD设备及工艺简介
抽空系统
（2）.涡轮分子泵
涡轮分子泵输送气体 应满足二个必要条件:
1）. 涡轮分子泵必须 在分子流状态下工作 。 2）. 分子泵的转子叶 片必须具有与气体分 子速度相近的线速度 。
学习改变命运,知 分子泵的转速越高
识创造未来
PVD设备及工艺简介
抽空系统
(3).复合分子泵
学习改变命运,知 识创造未来
PVD(物理气相沉积)简介
书山有路勤为径，学海无涯苦作舟
PVD(物理气相沉积)简介
1. PVD 简介PVD 是英文Physical Vapor Deposition（物理气相沉积）的缩写，是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放
电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被
蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。
2. PVD 技术的发展PVD 技术出现于二十世纪七十年代末，制备的薄膜具
有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。
最初在高速钢刀
具领域的成功应用引起了世界各国制造业的高度重视，人们在开发高性能、高
可靠性涂层设备的同时，也在硬质合金、陶瓷类刀具中进行了更加深入的涂层
应用研究。
与CVD 工艺相比，PVD 工艺处理温度低，在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度无影响；薄膜内部应力状态为压应力，更适于对硬质合金精密复
杂刀具的涂层；PVD 工艺对环境无不利影响，符合现代绿色制造的发展方向。
目前PVD 涂层技术已普遍应用于硬质合金立铣刀、钻头、阶梯钻、油孔钻、铰刀、丝锥、可转位铣刀片、异形刀具、焊接刀具等的涂层处理。
PVD 技术不仅提高了薄膜与刀具基体材料的结合强度，涂层成分也由第
一代的TiN 发展为TiC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN- AlN、CNx、DLC 和ta－C 等多元复合涂层。
3. 星弧涂层的PVD 技术增强型磁控阴极弧：阴极弧技术是在真空条件下，通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态，从而完成薄膜材料的沉积。
增强型磁控阴极弧利用电磁场的共同作用，将靶材表面的电弧加以有效地控
制，使材料的离化率更高，薄膜性能更加优异。
微纳制造导论-PVD工艺
PVD工艺培训MEMS PVD工艺薄膜制备工艺与设备◆薄膜制备概述◆PVD原理与工艺◆现有设备介绍薄膜制备概述01PVD 原理与工艺02现有设备介绍03主要内容PVD 工艺培训发展历程二次大战期间，德国为了适应当时战争的需求，在镜片和反光镜上镀制铝膜，真空蒸发镀膜开始进入实际应用。
20世纪80年代以来，以真空技术为基础利用物理化学方法等方面，并且吸收了等离子体、电子束、分子束、离子束等系列新技术，把原始单一的真空镀膜技术发展到包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜、化学气相沉积、分子束外延、离子束流沉积以及薄膜厚度的测量和监控，薄膜的结构、形态、成分、特性等诸多技术在内，被称为“薄膜科学与技术”的新学科领域。
目前，随着高新技术的发展，作为新技术革命的光导、能源、材料和信息科学等领域所要求的具有特殊形态材料的薄膜，已经成为光学、微电子、传感器、信息、能源等一系列先进技术的基础，并已广泛渗透到当代科学技术的各个领域中，而且，开发和应用这些具有特殊用途的薄膜材料本身就是高新技术的重要组成部分。
薄膜应用20世纪60年代，随着高真空、超高真空技术的发展，真空镀膜进入高速发展时期，各种功能薄膜的应用已经扩展到工业生产各个领域，归纳起来，主要有以下几个方面：●电子工业用薄膜●光学工业用薄膜●机械、化工、石油等工业用薄膜●民用与食品工业用薄膜薄膜应用●电子工业用薄膜半导体电子元件中的电极、绝缘层等方面，传感器中的压电材料等方面，太阳能电池中的薄膜材料等诸多方面的应用。
●光学工业用薄膜照相机、望远镜、放映机等光学设备需要的减反射膜、反射膜，分光镜与滤光片的薄膜涂层，照明光源中的冷光镜膜，集成光学元件中的半导体膜等方面的应用。
●机械、化工、石油等工业用薄膜刀具、模具上的硬质薄膜，化学容器表面的耐腐蚀薄膜，涡轮发动机表面的耐高温薄膜以及其他极端特殊场合需要的特质薄膜等方面的应用。
●民用与食品工业用薄膜汽车、玩具、家电、钟表、工艺美术品等需要的装饰与保护用薄膜，药品、化妆品、食品行业包装需要的薄膜等方面的应用。
PVD工艺
PVD工艺真空镀膜是在真空中将钛、金、石墨、水晶等金属或非金属、气体等材料利用溅射、蒸发或离子镀等技术，在基材上形成薄膜的一种表面处理过程。
与传统化学镀膜方法相比，真空镀膜有很多优点：如对环境无污染，是绿色环保工艺；对操作者无伤害；膜层牢固、致密性好、抗腐蚀性强，膜厚均匀。
真空镀膜技术中经常使用的方法主要有：蒸发镀膜（包括电弧蒸发、电子枪蒸发、电阻丝蒸发等技术）、溅射镀膜（包括直流磁控溅射、中频磁控溅射、射频溅射等技术），这些方法统称物理气相沉积（Physical Vapor Deposition），简称为PVD。
与之对应的化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）简称为CVD技术。
行业内通常所说的“IP”（ion plating）离子镀膜，是因为在PVD技术中各种气体离子和金属离子参与成膜过程并起到重要作用，为了强调离子的作用，而统称为离子镀膜。
在真空离子镀膜加工行业中，森科位居前列。
Vacuum plating is a surface treatment process where a coating is formed on a met alsubstrate. Coating can be metal (such as titanium or gold) or non-metallic material (graphite or crystal ) and is applied by sputtering, evaporation or ion-plating in a vacuum. Vacuumplating offers many advantages compared with traditional chemical pla ting. It isenvironmentally friendly, non polluting, and not hazardous to operators. Vacuum plated films are stable, dense, uniform, and corrosion resistant.There are two vacuum plating methods. One is CVD (Chemical Vapor Deposition). The other is PVD (Physical Vapor Deposition). PVD includes evaporation plating (arc, electronic gun and resistance wire) and sputtering plating (DC magnetron Mid-frequency and RF). Gas ions and metal ions play an important role in coating formation. In order to emphasize t he ion function, PVD is generally referred to as IP (Ion Plating).Tritree is one of the leaders in the IP industryPVD加工工艺流程一、前处理工艺:1.来料抽检2.电镀件过碱去油,清水清洗.4.过酸表面洁化,清水清洗5.丙酮+滑石粉清洗6.擦洗二、上挂三、PVD处理工艺: 1.烘烤:80摄食度 2.镀膜: 真空抽到4.5-2帕保持真空度2.8-1帕成膜四、出炉五、下挂六、全检PVD简介1. PVD的含义—PVD是英文Physical Vapor Deposition的缩写，中文意思是“物理气相沉积”，是指在真空条件下，用物理的方法使材料沉积在被镀工件上的薄膜制备技术。
pvd设备
PVD设备
简介
PVD（Physical Vapor Deposition）是一种常用的薄膜工艺，可以在材料表面形成均匀、致密、高质量的薄膜。
PVD设备是用于实施PVD工艺的设备，广泛应用于半导体、光伏、显示器等领域。
本文将介绍PVD设备的原理、应用以及未来发展趋势。
原理
PVD设备通过物理手段将固体材料蒸发或溅射到基板表面，形成薄膜。
常见的PVD方法包括蒸发、溅射和激光蒸发等。
在PVD过程中，材料被加热到高温，使其在真空或惰性气体环境下转变为气体或离子态，然后沉积在基板表面。
这种方法能够有效控制薄膜的成分、厚度和微观结构。
应用
PVD技术在半导体行业中被广泛应用，用于制备金属、氧化物和氮化物薄膜。
这些薄膜在电子器件中扮演着重要角色，例如金属互连、隔离层等。
此外，PVD
设备还在光伏和显示器行业中得到应用，用于制备透明导电膜、光学薄膜等。
发展趋势
随着新材料和新工艺的不断涌现，PVD设备也在不断升级。
未来的PVD设备将更加智能化、自动化，提高生产效率和薄膜质量。
同时，PVD技术还将继续拓展应用领域，如生物医学、汽车等领域。
结论
PVD设备作为一种重要的薄膜制备工艺设备，在现代工业生产中发挥着不可替代的作用。
随着科技的发展和需求的不断增长，PVD设备将持续发展，为各行业带来更多应用和创新。
PVD设备及工艺简介解析
抽空系统 4. 技术参数及性能:
型号 数值 项目 极限压力Pa 几何分压力 Pa ZJP-300
8×10-1
5×10-2 300 30 4×103 1×103 83 77 160 100 4 2890 3.5 280 2X-30
几何抽速 L/S
零流量压缩比 最大允许压差 Pa 起动压力 Pa 噪声 标准 实测 进气口通径mm 排气口通径 mm 电机功率 kw 电机转速 r/min 油量 L 重量 kg 推荐用前级泵
复合式分子泵的形式很多，按结构分，主要有两种： 一种是涡轮叶片与盘式牵引泵的串联组合。 一种是涡轮叶片与筒式牵引泵的串联组合。
溅射源
靶
溅射源 一、一般术语: 1. 靶材: 在真空溅射中用来溅射的镀膜材料. 2. 靶: 用粒子轰击的面,标准中靶的含义就是: 溅射装置中由溅射材料所组成的电极. 二、磁控溅射通常使用的靶材分类 1、矩形平面靶； 2、圆柱靶.
抽空系统 1.2 特点及其不适用范围: 真空泵是用黑色金属制造,属较精精密的设备,真空泵的主要工作部件浸在特制的真空泵 油中工作,因此不适用于抽含氧过高的、有毒的、有爆炸性的、对真空泵油起化学作用 或对黑色金属有腐蚀作用的气体,如必须使泵抽出前述情况的气体,应在进气管道上加装 中和、冷却、过滤等有关装置配合使用,否则将影响真空泵使用性能和寿命,也不能作为 压缩机和输送泵使用. 常用泵为2X-30、2X-70泵两种.
型号 项目 极限压 力 不掺气 分压力(Pa) 2X-30 6.0×10-2 2X-70 6.0×10-2
总压力(Pa)
1.3
1.3 30 82 1 ≦40 3 1430 B/1400 3 HFV-100
1.3
1.3 70 86
掺气 分压力(Pa) 抽气速率 L/S 噪音(声功率级) Db 抽大气不喷油时间 (min) 温升 ℃ 功率 kw 配用电机 转速 r/min 型号/长短 mm 三角皮带 配用 根数 用油 牌号 数量 L 泵主轴转速 r/min 进气口直径 mm 进气口连接方式 冷却方式 冷却水最小数量 L/h
PVD设备及工艺简介
PVD设备及工艺简介1. 引言物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）是一种常见的表面处理技术，广泛应用于不同领域的成膜和涂层制备。
PVD技术可以在材料表面形成不同性质的薄膜，具有较高的硬度、耐磨性和化学稳定性。
本文将对PVD设备和相关工艺进行简要介绍。
2. PVD设备分类根据不同的工艺需求，PVD设备可以分为以下几类：2.1 蒸发设备蒸发设备主要由蒸发源、基底（衬底）和真空系统组成。
常见的蒸发源包括电阻加热、电子束和激光蒸发源。
蒸发源加热后，材料开始蒸发并沉积在基底上形成薄膜。
2.2 磁控溅射设备磁控溅射设备利用磁场和高能离子束来溅射材料。
在真空室中，通过施加磁场和加速电压，使得离子在靶材表面打击，从而产生溅射材料沉积在基底上的效果。
磁控溅射设备一般包括靶材、基底和真空系统。
2.3 磁电控溅射设备磁电控溅射设备是磁控溅射设备的一种改进型，它通过进一步控制离子束的能量和磁场分布，提高了沉积薄膜的结构和性能。
磁电控溅射设备一般增加了靶材的偏转磁场和偏转电场控制装置。
2.4离子镀设备离子镀设备是一种利用离子束作用于基底表面的沉积方法。
离子束可以提高沉积速率和改善薄膜质量。
离子镀设备一般包括离子源、基底和真空系统。
3. PVD工艺3.1 清洗与预处理在PVD沉积之前，基底通常需要进行清洗和预处理，以去除表面的污染物和提高附着力。
清洗可以采用化学溶液浸泡、超声波清洗等方法，预处理包括亚洲台湾地区衬底表面活化和合适的基底温度控制等。
3.2 沉积PVD沉积是将材料以蒸发或溅射等方式沉积在基底上形成薄膜。
具体的沉积工艺参数需要根据材料的性质和需要的膜层特性进行调整，如溅射功率、工作气压、蒸发温度和沉积速率等。
3.3 后处理PVD沉积完成后，常常需要进行后处理步骤以改善薄膜的质量和性能。
后处理可以包括退火、离子束辐照等步骤，以优化薄膜的结构和性能。
4. 应用领域PVD技术广泛应用于不同领域，包括电子学、光学、航空航天、医疗器械等。
PVD(物理气相沉积)
PVD(物理气相沉积)简介1. PVD简介PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理气相沉积）的缩写，是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。
2. PVD技术的发展PVD技术出现于二十世纪七十年代末，制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。
最初在高速钢刀具领域的成功应用引起了世界各国制造业的高度重视，人们在开发高性能、高可靠性涂层设备的同时，也在硬质合金、陶瓷类刀具中进行了更加深入的涂层应用研究。
与CVD工艺相比，PVD工艺处理温度低，在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度无影响；薄膜内部应力状态为压应力，更适于对硬质合金精密复杂刀具的涂层；PVD工艺对环境无不利影响，符合现代绿色制造的发展方向。
目前PVD涂层技术已普遍应用于硬质合金立铣刀、钻头、阶梯钻、油孔钻、铰刀、丝锥、可转位铣刀片、异形刀具、焊接刀具等的涂层处理。
PVD技术不仅提高了薄膜与刀具基体材料的结合强度，涂层成分也由第一代的TiN发展为TiC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN-AlN、CNx、DLC和ta－C等多元复合涂层。
3. 星弧涂层的PVD技术增强型磁控阴极弧：阴极弧技术是在真空条件下，通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态，从而完成薄膜材料的沉积。
增强型磁控阴极弧利用电磁场的共同作用，将靶材表面的电弧加以有效地控制，使材料的离化率更高，薄膜性能更加优异。
过滤阴极弧：过滤阴极电弧(FCA)配有高效的电磁过滤系统，可将离子源产生的等离子体中的宏观粒子、离子团过滤干净，经过磁过滤后沉积粒子的离化率为100%，并且可以过滤掉大颗粒，因此制备的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蚀性能好，与机体的结合力很强。
磁控溅射：在真空环境下，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。
pvd设备原理
PVD（Physical Vapor Deposition）是一种常用的薄膜沉积技术，旨在通过物理手段将材料从固态直接转变为蒸汽或离子状态，并在基底表面形成薄膜。
PVD设备是用于执行PVD工艺的专用设备。
PVD设备的原理如下：1.蒸发源：PVD设备包含一个或多个蒸发源，通常是热丝、电子束或磁控溅射源。
这些蒸发源中的材料，例如金属或化合物，被加热到高温以产生蒸汽或离子。
2.气氛控制：PVD设备中的气氛控制系统用于维持特定的工作气氛，通常是真空环境。
通过降低背景压力，可以减少与大气中的气体相互作用，确保薄膜沉积的纯度和质量。
3.基底/靶材：需要被沉积薄膜的基底或靶材放置在设备中的夹具上。
基底通常是平坦的材料，如玻璃、金属或半导体衬底，而靶材则是用于溅射的材料。
4.沉积过程：在PVD设备中，蒸发源产生的蒸汽或离子沿着设备的导向路径朝向基底或靶材方向传输。
薄膜形成的过程可以通过以下两种主要方式之一实现：●热蒸发：蒸发源中的材料被加热到高温，使其转变为蒸汽状态，并然后在基底表面冷凝形成薄膜。
●溅射：通过施加电场或磁场，将靶材上的原子或离子从固态解离，并在真空环境中以快速而直线运动的方式击打基底表面，形成薄膜。
5.薄膜控制：通过控制PVD设备中的工艺参数，如温度、沉积时间和沉积速率等，可以调整薄膜的厚度、成分和结构。
此外，还可以使用控制技术，如旋转夹具或倾斜靶材，以均匀地沉积薄膜。
总之，PVD设备通过物理手段将材料从固态转变为蒸汽或离子状态，并沉积在基底表面，形成薄膜。
蒸发源、气氛控制、基底/靶材和沉积过程是PVD设备的关键组成部分，用于实现薄膜沉积的控制和精确性。
PVD设备构造 和工艺流程
1 / 65 TFT 的发展Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD2 / 65 SMD-950验收前报告2007. 7. 28金光燮PVD 设备构造和工艺流程Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD3 / 65 SMD-950验收前报告目 录1. 设备LAY OUT 的介绍.2. 溅射设备的构成.3. 原理&Process 介绍.4. 影响Process 的因素.5. 设备安全教育 多真空室设备Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD4 / 65 SMD-950 设备LAY OUT 的介绍设备LAY OUT各腔体详细介绍:GATE#1 GATE#2 S/DAl Mo Al Mo Mo2个 1个 2个 1个3个ITO ITO 4个 Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD5 / 65 SMD-950设备---------溅射设备构成1. 溅射镀膜的设备－SPUTTER溅射镀膜的设备由装卸片腔,传送腔,加热腔,贱射腔组成.装卸片腔:上/下料腔传送腔 :包括真空中的基板传送机械人 .加热腔 :包括多用电热板 .贱射腔 :包括溅射阴极，电热板 .(3个腔体)控制台 :对设备进行条件设定和运行控制的操作台 .Sputtering 设备总共由7个腔体构成.（2个上/下料腔，1个加热腔，3个溅射腔，1个传送腔）装载系统包括投入装置和上料部，完成从专用蓝具取出玻璃 基板，搬运并将基板装入专用托架，使托架处于待进入主体 状态的任务。
卸载系统包括下料部和取出装置，完成将基板 安全从专用托架上取出、搬运并装入专用蓝具的任务。
Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD6 / 65 PVD---Physical vapor depositionShanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD7 / 65 System structure of SMD-950Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD8 / 65 Loading/Unloading chamberShanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD9 / 65 Loading/Unloading chamberShanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD10 / 65 Heating chamberShanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD11 / 65 Heating chamberShanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD12 / 65 Transfer chamberShanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD13 / 65 Transfer chamberShanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD14 / 65 Sputtering chamberShanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD15 / 65 Sputtering chamberShanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD16 / 65 SMD-950 设备LAY OUT 的介绍Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD17 / 65 Sub floor systems of SMD-950Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD18 / 65 Sub floor systems of SMD-950Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD19 / 65 Sub floor systems of SMD-950Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD20 / 65 Sub floor systems of SMD-950Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD21 / 65 ＳＭＤ－９５０设备--------- Process 介绍原理&Process 介绍.Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD22 / 65 SPUTTERING 的原理SPUTTERING 的原理:具有100~1000eV 能量的粒子冲击到靶材时,入射粒子的运动量交换原理,从靶材释放出一定能量的粒子溅射到玻璃基板上面.特点：使用SPUTTERING 方法溅射出来的膜,一般膜的付着力强,应力也大.★入射粒子冲击的材料叫做 靶材.★释放到空间的原子的能量有1~100eV.Shanghai Tianma Micro-Electronics CO.,LTD23 / 65 RF 溅射与DC 溅射的特性RF 溅射与DC 溅射RF 溅射1.通常用13.56MHz 的高频电源。
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溅射源 圆柱靶磁铁布局及说明（图）：
a. 由于相对应靶材面不一样,圆柱靶磁铁布局相对平面靶磁铁布局要紧促的多,图中宽度 还不到平面靶的一半(50mm). b. 由于磁铁相对紧促,区域磁铁之间(之间)安装有导磁材料,既方便安装又可有效 的固定磁铁和磁路的控制. c. 圆柱靶磁铁也采用了强力磁铁(4.5Kgauss),中间区域的磁铁安装为尺寸较宽的规格,外 围区域的磁铁安装尺寸较窄的规格、区域之间磁铁极性必须保持相反,跟平面靶布局 同等原理.如图中区域磁铁磁极可为NSN,也可为SNS(根据工艺自行决定),检查时 跟平面靶一样,手持一块磁铁,根据磁铁同极相斥,异极相吸的原理,逐个单一的判定磁 铁极性是否安装错误. d. 相对圆柱靶靶材为管形,和平面靶材不一样,所以固定磁铁的磁铁座为凸形,如图中所 示.而平面靶磁座则为平面。
抽空系统 2. 技术要求: 2.1 品种规格及性能: （见右表） . 热偶计测量的是各种蒸汽 和永久气体的总压力,而麦化 计只能测出永久气体占的分 压力. . 几何抽速是根据几何尺寸 算出的抽速在大气压力时,实 际抽速与几何抽速基本相符 合,在各种不同的压力时,抽 速有一定下降. . 温升是指泵温稳定后,在 排气阀门处的油的温度与室 温之差.
溅射源 平面靶磁铁布局及说明（图）
安装磁铁过程中,外围区域的磁铁磁极必须保持一致.中间区域的磁铁磁极与外围区域磁 铁磁极必须保持相反.如图区磁铁磁极可为NSN,也可为SNS.可手挡一块磁铁,根据磁 铁同极相斥,异极相吸的原理,逐个单一的判定磁铁极性是否安装错误)。
溅射源 (二). 圆柱形磁控溅射靶 1、结构与说明（图）：
PVD设备及工艺简介
目 录
PVD设备简介 泵 靶 真空测量 真空检漏 PVD工艺简介 PVD相关概念定义 真空度量单位 磁控溅射 铂阳生产线相关工艺简介 合金靶的溅射 金属氧化物的溅射
PVD设备简介
铂阳生产线PVD真空设备布局图
抽空系统
抽空系统 一、2X泵
1. 概述: 1.1 用途: 2X型旋片式真空泵(以下简称真空泵)是用已抽除特定密封容器内的气体,使该容 器获得一定真空度的基本设备.可供电器、电真空、半导体、食品、原子能、编织 等科研机关、大专院校、工矿企业和生产与教学之用,真空泵可直接获得1.3×10Pa 以下的真空度,也可作为其它真空设备的前级使用.
抽空系统 4. 技术参数及性能:
型号 数值 项目 极限压力Pa ZJP-300 8×10-1 5×10-2 300 30 4×103 1×103
几何分压力 Pa
几何抽速 L/S 零流量压缩比 最大允许压差 Pa 起动压力 Pa 噪声 标准 实测 进气口通径mm
83 77
160 100 4 2890 3.5 280 2X-30
5. 前端板 10. 油密封室 15. 挡油网 20. 水接头 25. 视镜
抽空系统 3.2 工作原理: 图3是2X系列真空泵原理图,转子3及7与高真空室1及低真空室6相切,转子3与7沿箭头方向 旋转,带动转子槽内滑动的转片8旋转,由于弹簧9及离心力的作用,转片外端紧贴高低真空 室的内表面滑动,把转子与高低真空室所形成的洼形空间从进气嘴2到排气阀门5和从过 气管4到排气阀门10之间分隔开来,形成二或三个容积,并且周期性地大小变化,当在图标 位置继续旋转时,A及C容积逐渐增大,被抽容积气体沿气嘴进入泵内,同时B及D容积逐渐减 小,压力升高,随后冲开排气阀门5及10,将气体排出真空室外,气体经过油面而排于大气之 中,因为油是淹住排气门的,故能防止气体返回真空室,当抽气压力较高时,高低真空室的阀 门都排气,相当于单级泵;当真空度较高时,全部气体进入低真空室,再由排气阀门10排出, 此时二级串联即进入双级泵工作。
抽空系统 1.2 设计特点: 1.2.1 送气方向垂直由上向下. 1.2.2 在较宽的压力范围内有较大的抽速. 1.2.3 起动快. 1.2.4 对被抽气体中含有粉尘和水蒸气不敏感. 1.2.5 泵腔内无油,可获得清洁真空. 1.2.6 驱动功率小,运转维护费用低. 注意事项: 不可抽除液体介质. 不可抽除易燃、易爆气体. 须用前级泵. 被抽气体中含有固体颗粒时,进气口处应设有过滤装置.
抽空系统
图三 2X系列真空泵原理图
抽空系统 二.ZJP-300罗茨泵
1. 概述: 1.1 应用: 罗茨真空泵也称机械增压泵,它是快速抽除密封容器中气体的一种较为理想的真空获 得设备.它不能直接从大气压下抽气,须与各类前级泵(如旋片泵、液环泵、滑阀泵等) 配套组成真空系统.广泛应用于冶金、化工、电子、轻纺等领域。
抽空系统
1. 进气嘴 6. 高转片 11. 弹簧 16. 泵体 21. 键 27. 掺气阀 表示真空气格.
2. 密封圈 7. 高转子 12. 定位销 17. 中隔板 22. 低转片 27. 放油塞 表示低真空气路.
3. 过滤网 8. 轴承 13. 排气罩 18. 后端板 23. 水盖板
4. 皮带轮 9. 前轴 14. 排气垫 19. 低转子 24. 排气阀
复合式分子泵是涡轮分子泵与牵引分子泵的串联组合，集两种泵的 优点于一体。泵在很宽的压力范围内 ((10-6 ～ 1Pa) 具有较大的抽速和 较高的压缩比，大大提高了泵的出口压力。 涡轮级主要用来提高泵的抽速，一般采用有利于提高抽速的叶片形 状，级数在 l0 级以内。牵引级主要用来增加泵的压缩比，提高泵的出 口压力。
抽空系统 (1).牵引分子泵
分子泵的抽气机理与容积式 机械泵靠泵腔容积变化进行抽 气的机理不同，分子泵是在分 子流区域内靠高速运动的刚体 表面传递给气体分子以动量， 使气体分子在刚体表面的运动 方向上产生定向流动，从而达 到抽气的目的。通常把用高速 运动的刚体表面携带气体分子， 并使其按一定方向运动的现象 称为分子牵引现象。
型号 项目 不掺气 分压力(Pa) 总压力(Pa) 2X-30 6.0×10-2 1.3 1.3 30 82 1 ≦40 3 1430 B/1400 3 HFV-100 4.5 8 430 450 70 90 用法兰与泵体连接 水冷 480 5.5 1400 B/1600 4 2X-70 6.0×10-2 1.3 1.3 70 86
抽空系统
1. 皮带轮 6. 进气嘴 11. 低转子 16. 手柄 21. 挡板
2. 键 7. 密封圈 12. 弹簧 17. 放油塞 22. 视镜
3. 前端板 8. 排气罩 13. 低转片 18. 纸垫 23. 镜框
4. 高转子 9. 过滤网 14. 后端板 19. 阀座 24定位销钉
5. 高转片 10. 泵体 15. 密封圈 20. 阀片
极限压 力
掺气 分压力(Pa) 抽气速率 L/S 噪音(声功率级) Db 抽大气不喷油时间 (min) 温升 ℃ 功率 kw 配用电机 转速 r/min 型号/长短 mm 三角皮带 配用 根数 用油 牌号 数量 L 泵主轴转速 r/min 进气口直径 mm 进气口连接方式 冷却方式 冷却水最小数量 L/h
抽空系统 （2）.涡轮分子泵
涡轮分子泵输送气体应满足二 个必要条件：
1）. 涡轮分子泵必须在分子流状 态下工作。 2）. 分子泵的转子叶片必须具有 与气体分子速度相近的线速度。
分子泵的转速越高，对提高分 子泵的抽速越有利。实践表明， 对不同分子量的气体分子其速 度越大，泵抽除越困难。
抽空系统 (3).复合分子泵
抽空系统 2. 工作原理: 罗茨真空泵是一种旋转式变容真空泵,其泵腔内两个相互轭合的“8”字型转子,由一对 齿轮带动作反向同步高速旋转,使气体不断由位于上方的进气口传输到排气口,再由前级 真空泵抽走,达到抽气目的. (气体流程如下图所示).
抽空系统 3. 结构及说明:
抽空系统
抽空系统 注: 1. 齿轮箱 5. 从动转子 9. 压盖 13. 封套 17. 排气口托环 21. 油杯 2. 端板 6. 支撑架 10. 甩油盘 14. 减压阀 18. 轴承1 22. 电机 3. 泵壳 7. 主动齿轮 11. 活塞环 15. 减压阀盖 19.轴承2 4. 主动转子 8. 从动齿轮 12. 锁紧螺线 16. 进气口托环 20. 联轴节
复合式分子泵的形式很多，按结构分，主要有两种： 一种是涡轮叶片与盘式牵引泵的串联组合。 一种是涡轮叶片与筒式牵引泵的串联组合。
溅射源
靶
溅射源 一、一般术语: 1. 靶材: 在真空溅射中用来溅射的镀膜材料. 2. 靶: 用粒子轰击的面,标准中靶的含义就是: 溅射装置中由溅射材料所组成的电极. 二、磁控溅射通常使用的靶材分类 1、矩形平面靶； 2、圆柱靶.
溅射源 三、维护与保养: (一). 矩形平面磁控靶的维护与保养: 1、矩形平面磁控靶的日常维护与保养,其重点就是平面靶材更换作业的过程.其具体解释 为: 靶材寿命到期或工艺及质量要求等原因,将在用靶材拆下,安装上相同规格尺寸新靶材 的过程. 2、靶材安装前处理: 除油 → 喷砂 → 清洗 → 烘烤→ 入PVD备用 3、结构与说明:
如被抽除的气体中含有较高的蒸汽气体时,在气体受到压缩而其蒸汽的分压强超过此蒸 汽在泵内温度下的饱和压力时,此时蒸汽被压缩成为液体,真空泵无法排出而混在真空油 内,使泵的性能大大降低,如果掺入适量的空气,使蒸汽在受到压缩时其分压力也低于泵温 时的饱和压力,则蒸汽在变成液体前就能被排出泵外去,故本系列2X-1以上的泵都装有能 放入一定量真空测量 1. 薄膜真空规: 用金属弹片薄膜把规管分隔成两个小室,一侧接被测系统,另一侧作为参考压力室.当 压力变化时薄膜随之而变形,其变形量可用光学方法测量,也可转换为电容或电感量 的变化用电学方法来测,还可用薄膜上粘附的应度规来进行测量.
电容薄膜规分为两种类型: 一种将薄膜的一边密封为参考真空,成为“绝压式”电容 薄膜规;另一种是薄膜的两边均通入气体,成为“差压式”电容薄膜规.电容薄膜规具 有卓越的线性,较高的测量精度和分辨率.单个传感器的测量范围可覆盖5个数量级的 压力区间,短期稳定性优于0.1%,长期稳定性(一年)优于0.4%.电容薄膜规的灵敏度与气 体种类无关,可测蒸气和腐蚀性气体的压力,结构牢固,使用方便,还可作为粗低真空的 副标准和传递标准。