电力电子实验1(14级整理)
电力电子实验打印版
电力电子实验打印版第一章电力电子实验的基本要求及注意事项§1-1电力电子实验的重要性和基本要求电力电子实验是《电力电子技术》课程理论与实践相结合的重要环节，由于电力电子技术的广泛应用，其重要性愈加突出，目前，电力电子技术已成为一门基础性和支持性很强的技术。
电力电子技术是一门实用性很强的技术，因此实验环节就显得很重要。
电力电子实验的目的就在于培养学生掌握基本的实验方法与操作技能，因此同学们在实验前一定要认真复习电力电子技术的有关内容，对实验有一个全面的了解，诸如实验线路如何连接？实验有哪几个步骤？要测量哪些波形、数据等？做了这些必要的准备工作后，就能在实验中做到心中有数。
实验结束后通过对所得到波形、数据的整理、分析和计算，得出必要的结论，并写出完整的实验报告。
整个实验过程中必须严肃认真，集中精力，以严谨的科学态度做好实验，切实掌握好电力电子这门技术。
一、实验前的准备实验前，应全面复习电力电子技术的相关内容，认真阅读电力电子实验说明书，了解实验的目的、内容、方法和步骤，并写一份预览报告，包括实验名称、实验电路图、实验步骤、数据计算公式、，实验的进行１．每次实验以小组为单位，每组由2～3人组成并推选组长1人。
组长负责组织实验的进行，合理分配接线、调节、测量及记录等项工作。
２．实验接线前应首先熟悉各个组件。
3.接线应文明，即导线长度应选择适当。
在任何一个节点上，最好不要有超过两个导体，并且应尽量减少导体的交叉，以提高实验的安全性。
４．接线完毕后务必请实验指导教师检查线路，确认合格后方可合闸进行实验。
若实如果在检查过程中需要更换接线，则必须关闭电源，并由讲师进行检查。
５．在实验操作过程中，如发生故障，首先应立即切断电源，并请指导教师检查分析故障原因，待故障排除后再进行实验。
6.实验结束后，将数据提交给讲师审核，经讲师批准后方可拆除导线，然后将实验设备、导线和工具整理到位。
3、实验报告实验报告应根据实验目的、实测数据及在实验中观察和发现的问题，经分析研究得出结论，或通过分析讨论写出心得体会。
电力电子实验报告(最终).11页word文档
单相半控桥整流电路实验报告书2019年11月3日，我们小组在高压实验楼402实验室做了第一次电力电子实验——单相半控桥整流实验。
富有经验的肖勇老师用幽默的和启发式的方式给我们生动讲解了基本实验原理，然后仔细地介绍了实验设备的使用。
大家在听完讲解后，带着第一次的好奇和跃跃欲试的激动，亲手操作，观测到纯阻性负载、阻感负载和在失控情况下的波形图。
在这次实验中，让我们加深了对单相半控桥整流电路的认识，并体会到了对这个学科的趣味性和实用性。
以下是我们对这次实验的综合阐述。
一、实验的基本内容1、实验项目名称：单相半控桥整流电路实验2、实验完成目标：观察到预期情况下分别带阻性负载、阻感负载和失控条件下的电路波形二、实验条件描述1、主要设备名称及型号：MCL-Ⅲ型电力电子及电气传动教学实验台浙江大学求是公司，容量1.5kV，质量150kg 体积1.6×0.75×1.6m³TDS 1012型示波器Tektronix公司100MHz 1GS/sGDM-8145型数字万用表2、实验指导：肖勇老师3、小组人员分工：李世新：电路基本连接，示波器调节，实验报告主要撰写者张轩铭：实验数据记录及处理，数据检查段秦尉：实验波形记录（波形采集），电路连接田野：电路连接，电路校对，实验安全监督王乾：万用表调节及数据测量三、实验过程描述1、实验步骤及原理图每个导电回路中有一个晶闸管和二极管。
其中晶闸管共阴极，二极管共阳极。
VT1和VT2在一个周期中交错导通，触发脉冲相差180°。
在输入电压正半周触发角α给VT1加触发脉冲，输入电压经过VT1和VT4向负载供电，此时输出的电压波形与输入的电压波形相同，即U=U2。
当输入电压过零时VD3与VT1续流，在下一个VT2的触发脉冲之前输d出的电压为0.此时VT2承受正向电压，VT2触发导通以后VT1承受反向电压截止，VT2与VD3向负载供电，输出电压波形与输入电压波形相反，U d=-U2。
电力电子实验
实验一锯齿波同步移相触发电路实验一．实验目的1．加深理解锯齿波同步移相触发电路的工作原理及各元件的作用。
2．掌握锯齿波同步触发电路的调试方法。
二．实验内容1．锯齿波同步触发电路的调试。
2．锯齿波同步触发电路各点波形观察，分析。
三．实验线路及原理锯齿波同步移相触发电路主要由脉冲形成和放大，锯齿波形成，同步移相等环节组成，其工作原理可参见“电力电子技术”有关教材。
图3－1四．实验设备及仪器1．教学实验台主控制屏 2．触发电路及晶闸管主回路3．锯齿波触发电路 4．可调电阻5．二踪示波器（自备） 6．万用表（自备）五．实验方法1．将解决电路面板上左上角的同步电压输入接电源控制屏的U、V端。
2．合上电源控制屏主电路电源绿色开关。
用示波器观察各观察孔的电压波形，示波器的地线接于“7”端。
同时观察“1”、“2”孔的波形，了解锯齿波宽度和“1”点波形的关系。
观察“3”~“5”孔波形及输出电压U G1K1的波形，调整电位器RP1，使“3”的锯齿波刚出现平顶，记下各波形的幅值与宽度，比较“3”孔电压U3与U5的对应关系。
3．调节脉冲移相范围将低压单元的“G”输出电压调至0V，即将控制电压U ct调至零，用示波器观察U2电压（即“2”孔）及U5的波形，调节偏移电压U b（即调RP），使α=180O。
调节低压单元的给定电位器RP1，增加U ct，观察脉冲的移动情况，要求U ct=0时，α=180O，U ct=U max时，α=30O，以满足移相范围α=30O~180O的要求。
4．调节U ct，使α=60O，观察并记录U1~U5及输出脉冲电压U G1K1，U G2K2的波形，并标出其幅值与宽度。
六．实验报告1．整理，描绘实验中记录的各点波形，并标出幅值与宽度。
2．总结锯齿波同步触发电路移相范围的调试方法，移相范围的大小与哪些参数有关？3．如果要求U ct=0时，α=90O，应如何调整？4．讨论分析其它实验现象。
七．注意事项参见实验一的注意事项。
电力电子技术实验指导书(1).docx
《电力电子技术》实验指导书电力电子实验室编华北电力大学二00六年十月1. 实验总体目标《电力电子技术》是电气工程及其自动化专业必修的专业基础课。
本实验是《电力电子技术》课程内实验，实验的主要目的是使学生在学习的过程屮通过实验环节进一步加深对电力电子电路工作原理的认识和理解，掌握测试电力电子电路的技能和方法，为后续课程打好基础。
2. 适用专业电气工程及其自动化以及和关各专业本科3・先修课程模拟电子技术基础，数字电子技术基础4.实验课时分配5. 实验环境实验室要求配有电力电子专用实验台，示波器，万用表等实验设备。
6. 实验总体要求掌握电力电子电路的测试和实验方法，拿握双踪示波器的使用方法；通过对实验电路的波形分析加深对电力电子电路工作原理的理解，建立电力电子电路的整体概念。
7. 本实验的重点、难点及教学方法建议《电力电子技术》实验的重点是：熟悉各种电力电子器件的特性和使用方法；掌握常用电力电子电路的拓扑、工作原理、控制方法和实验方法。
《电力电子技术》实验的难点是：电力电子电路的工作原理的理解和示波器的使用方法。
教学方法建议：在开始实验之前，通过多媒体设备对实验原理及实验方法进行讲解，同时对示波器的使用方法进行详细的讲解，对以通过实验演示的形式加深学牛对于实验内容的理解。
实验一、电力电子器件特性实验 (4)实验二、整流电路实验 (8)实验三、直流斩波电路实验（一）11实验四、直流斩波电路实验（二）14实验五、SPWM逆变电路实验17实验一、电力电子器件特性实验一、实验目的1 •熟悉MOSFET主要参数与开关特性的测童方法2.熟悉IGBT主要参数与开关特性的测试方法。
二、实验类型（验证型）木实验为验证型实验，通过实验对MOSFET和IGBT的主要参数和特性的测量，验证其开关特性。
三、实验仪器1 • MCL-07电力电子实验箱中的MOSFET与IGBT器件及英驱动电路部分2.双踪示波器3.毫安表4.电流表5.电压表四.实验原理MOSFET主要参数的测量电路原理图如图所示。
电力电子实验内容
实验一 单相桥式全控整流电路实验一．实验目的1．了解单相桥式全控整流电路的工作原理。
2．研究单相桥式全控整流电路在电阻负载、阻—感性负载及反电势负载时的工作。
3．熟悉NMCL —05锯齿波触发电路的工作。
二．实验线路及原理1、参见图4-7。
2、晶闸管导通条件：承受正向电压、控制极有触发脉冲；3、电阻负载时，输出电压平均值为：21cos 0.9()2d U U θ+=，且0θπ≤≤； 阻感负载时，输出电压平均值为：20.9cos d U U θ=，且02πθ≤≤；4、阻感负载情况下，阻抗角==控制角的时候，负载电流临界连续；因此，调整负载R 的大小、控制角的大小，均可以改变负载电流的连续情况。
三．实验内容1．单相桥式全控整流电路供电给电阻负载。
2．单相桥式全控整流电路供电给电阻—电感性负载。
3．单相桥式全控整流电路供电给反电势负载。
四．实验设备及仪器1．NMCL 系列教学实验台主控制屏。
2．NMCL —18组件（适合NMCL —Ⅱ)或NMCL —31组件（适合NMCL —Ⅲ）。
3．NMCL —33组件或NMCL —53组件（适合NMCL —Ⅱ、Ⅲ、Ⅴ） 4．NMCL —05组件或NMCL —05A 组件5．NMEL —03三相可调电阻器或自配滑线变阻器。
6．NMCL-35三相变压器。
7．双踪示波器 (自备) 8．万用表 (自备)五．注意事项1．实验开始前，先将NMCL-33组件上脉冲开关关闭（按下去），以免引起误触发；2．调节电阻RP到最大值，以免电流过大烧坏晶闸管；3．电感的值可根据需要选择，需防止过大的电感造成可控硅不能导通。
4．NMCL-05面板的锯齿波触发脉冲需导线连到NMCL-33面板，应注意连线不可接错，否则易造成损坏可控硅。
同时，需要注意同步电压的相位，若出现可控硅移相范围太小（正常范围约30°～180°），可尝试改变同步电压极性。
5．逆变变压器采用NMCL-35三相变压器，原边线电压为220V，低压绕组为110V。
电力电子实验报告实验一
实验一、单相桥式全控整流电路
一、实验目的
1、掌握单相桥式全控整流电路的基本组成和工作原理。
2、熟悉单相桥式全控整流电路的基本特性。
二、实验操作步骤
1、打开SIMULINK仿真平台；
2、提取电路元件模块，组成单相桥式整流电路的主要元件有交流电源、晶闸管、RLC负载等；
3、参数设置
4、连接组成仿真电路
5、设置仿真参数
三、实验报告
1、通过实验，分析单相全控整流电路的工作特性及工作原理。
2、分析桥式全控整流较半波可控整流电路的优缺点。
3、观察并绘制有关实验波形。
（1）触发角为1200和600带电阻负载时的整流电路的输出电压、电流、输出电压平均值的波形，及晶闸管的电压、电流波形；
120度：
60度：
0度：
（2）触发角为300 和600带阻感负载时的整流电路的输出电压、电流、输出电压平均值的波形，及晶闸管的电压、电流波形。
30度：
60度：
0度：。
电力电子技术实验实验报告
电力电子技术实验实验报告一、实验目的电力电子技术实验是电气工程及其自动化专业的重要实践环节，通过实验，我们旨在深入理解电力电子器件的工作原理、特性以及电力电子电路的构成和工作过程。
具体目的包括：1、熟悉各类电力电子器件的特性和参数测试方法。
2、掌握基本电力电子电路的工作原理、分析方法和调试技巧。
3、培养实际动手能力和解决问题的能力，提高对电力电子技术在实际应用中的认识。
二、实验设备本次实验所使用的主要设备包括：1、电力电子实验台：提供电源、控制电路和测量仪表等。
2、示波器：用于观测电路中的电压、电流波形。
3、万用表：测量电路中的电压、电流、电阻等参数。
4、电力电子器件模块：如晶闸管、IGBT 等。
三、实验内容1、晶闸管特性测试（1）导通特性测试将晶闸管接入实验电路，逐渐增加阳极电压，观察并记录晶闸管导通时的电压和电流值。
（2）关断特性测试在晶闸管导通后，减小阳极电流至维持电流以下，观察并记录晶闸管关断时的电压和电流变化。
2、单相半波可控整流电路实验（1）搭建电路按照电路图连接好单相半波可控整流电路，包括电源、晶闸管、负载电阻等。
（2）调节触发角通过改变触发电路的参数，调节晶闸管的触发角，观察输出电压的变化。
（3）测量输出电压和电流使用示波器和万用表测量不同触发角下的输出电压和电流值，并记录数据。
3、三相桥式全控整流电路实验（1）电路连接仔细连接三相桥式全控整流电路，确保连接正确无误。
（2）触发脉冲调试调整触发脉冲的相位和宽度，保证晶闸管的正确导通和关断。
（3）性能测试测量不同负载条件下的输出电压、电流和功率因数等参数。
四、实验步骤1、实验前准备（1）熟悉实验设备的使用方法和注意事项。
（2）预习实验内容，理解实验原理和电路图。
2、进行实验（1）按照实验内容的要求，依次进行各项实验。
（2）在实验过程中，认真观察实验现象，准确记录实验数据。
3、实验结束（1）关闭实验设备的电源。
（2）整理实验仪器和设备，保持实验台的整洁。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。
A 、1B 、2C 、3D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。
A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 、有效值B 、最大值C 、平均值D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。
A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路）、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700V B、750V C、800V D、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V 才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
NMCL版电力电子技术实验一之MOSFET特性及驱动电路
示波器直流输入方式，1V/div量 程，探头衰减开关位于10X处。
示波器探头衰减开关位于10X处。
1.2
NMCL-07挂件主回路单元的“1”端与MOS 管的漏极“D”端之间串入万用表（漏极 电流ID测量）。 NMCL-31单元给定G部分输出“Ug”及地 端分别与MOS管的“G”、“S”端相连 。 示波器的测量输入接至MOS管的“G”、 “S”端（栅源极电压VGS测量）。
NMCL-07
主回路
R1 L1 R2 2 VD1 S1 3 1
功率器件
吸收电路 4 6
5
V+
7 RDC 1 RDC2
功率器件 C GTR GTO A MOSFET G S E D IGBT C
NMCL-07电
B G E GTR驱动电路 +15V 9 C2 VST C1 R3 8 10 R4 12 11 13 K
NMCL-Ⅲ电力电子技术实验台
NMCL-07
主回路
R1 L1 R2 2 VD1 S1 3 1
功率器件
吸收电路 4 6
5
V+
7 RDC 1 RDC2
功率器件 C GTR GTO A MOSFET G S E D IGBT C
NMCL-07
B G E GTR驱动电路 +15V 9 C2 VST C1 R3 8 10 R4 12 11 13 K
此时设备应有正常的控制电压LED指示。
NMCL-Ⅲ电力电子技术实验台
NMCL-32电源控制屏
FUSE
U
漏电断路器
FUSE
FUSE
V W
FUSE
电力电子实验
❖ 实验注意事项
LV
V2
~220V
~110Vu 2
N V'
V2'
1.电源部分切 记不能大意接 到两根火线上
16
-15V +15V
R1 RP2 RP1
1
R4
R3
QQΒιβλιοθήκη A_C1 - C2
VD
_
+
V_
M_
+
V P
+15V
15
13
R0
2
3
4
11 B
A 6
P
3.直流电机励磁回路 务必确定连接完好， 9 电流表指示不为零
实验注意事项
1．实验时必须接上晶闸管的g、k，否则不 到波形。
2．示波器用双探头时应共地连接。
思考与讨论
1．总结锯齿波同步移相触发电路移相范 围的调试方法。
2．说明移相范围与哪些量有关？
树立质量法制观念、提高全员质量意 识。20. 10.2120 .10.21 Wednes day , October 21, 2020
CK Q
触
发
器Q
1
& 1
8
& 1
9 11
10
GND
基准电压 12
12
3
15 16 7
14
5V
实验设备
1．TX-LN实验台； 2．灯板； 3．双踪示波器； 4．斩波电路板； 5．隔离变压器； 6．直流电动机； 7．转速转矩测量仪; 8．直流电压电流表
实验内容和步骤
1．控制电路测试
（1）对照电路图熟悉电路接线，在实验 装置中找出主电路和控制电路插板的 位置，熟悉电路接线，找出IGBT和 W494等主要元件。
电力电子技术试题及答案
36、双向晶闸管的四种触发方式中
（ ）电流并联 A、电感与电阻 B 、电感与负载 C、电容与电阻 D 电容与负载
（ ）触发灵敏度最高。
A、Ⅰ +
B 、Ⅰ -
C、
Ⅲ+ D 、 Ⅲ-
32、（ ）是依靠专门的换流回
37、晶闸管触发电路中，若改变
路使晶闸管在需要的时刻关断
（ ）的大小，则输出脉冲产生
A、负载振荡式换流 B 、强迫换 相位移动，达到移相控制的目的
高频
17、二极管两端加上正向电压时
13、要使绝缘栅双极型晶体管导通， （ ）
应（ ）
A、一定导通 B 、超过死区电压才
A、在栅极加正电压 B 、在集电极 导通 C 、超过才导通 D 、超过才
加正电压 C 、在栅极加负电压
导通
D、在集电极加负电压
18、下列电力半导体器件电路符号
14、电力晶体管的开关频率（ ） 中，表示 GTO器件电路符号的是（ ）
的，其外部有（ ）个电极。
D、 GTO
10、下列半导体器件中属于电流型
15、如晶闸管的正向阻断重复峰值
控制器件的是（ ）
电压为 745V，反向重复峰值电压为
A、IPM B 、MOSFET C、IGBT
825V，则该晶闸管的额定电压为
D、 GTO
（）
11、逆变电路输出频率较高时，电
A、700V B 、750V C 、800V
一、选择（每题分，共 60 分）
D、 GTO
1、 晶闸管内部有（ ）个 PN结。 7、比较而言，下列半导体器件中开
A、1 B 、2 C 、3 D 、4
关速度最慢的是（ ）
2、晶闸管在电路中的门极正向偏压
电力电子实验2013
将NMCL-31面板的G给定器输出Ug接至NMCL—33C面板的 Uct端，同时把NMCL-31面板上的S1开关拨向“正给定”， S2开关拨向“±给定”，调节G给定电压RP1电位器，在 Uct=0时，使α=150o。
A1
频率50HZ,一个周波20ms,30度 角，30/360=1/12,位置在 20/12ms处
三.实验设备及仪器
电力电子教学实验台主控制屏 MCL-16组件 MEL-03电阻箱(90Ω/1.3A)可调电阻盘 万用表 双踪示波器 2A直流安培表
四．实验步骤 SG3525的调试（PWM波形发生）
锯齿波，记录波形 的频率和幅值。
开关打错易烧 坏电路
四．实验方法 SG3525的调试（PWM波形发生）
阻感负载a=0的波形
阻感负载a=90的波形
3．三相桥式有源逆变电路接线
更改：使用 单个900欧 电阻
断开电源开关后，按图接线。检查接线无误后，合上主电源， 调节G 给定电压RP1电位器，改变Uct值，观察α=90O 、 120O 、150O时, 电路中ud、uVT的波形，并记录相应的Ud、U2 数值于下表中。
脉冲1
α
UCT
0° 30° 60 ° 90 ° 120 ° 150 °
0
2 三相桥式全控整流电路接线
按图接线，将RD 调至最大值450(注：将两个900Ω电阻并 联)。检查接线无误后，合上主电源，调节G给定电压RP1电 位器，改变Uct值，使在0o～90o范围内变化。 用示波器观察记录α=0o、30o、60o、90o时的整流电压ud 以 及晶闸管两端电压uVT 的波形，并记录相应的Ud和交流输入 电压U2 数值于下表中。
电力电子技术试题及标准答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷题号一二三四合计分数阅卷人得分一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。
A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。
A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。
A 、1B 、2C 、3D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。
A 、越大B 、越小C 、不变D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。
A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）、GTR D 、A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ）A 、IPMB 、MOSFETC 、IGBTD 、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过才导通D、超过才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区 B、负阻区 C、饱和区 D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。