常用三极管mos管
常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.
场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE IRF440500V8A125W**NMOS场效应MOS FET IRF9610 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF230200V9A79W**NMOS场效应MOS FET IRF9620 TO-220IRF130100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE BUZ20100V12A75W**NMOS场效应MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P BUZ11A50V25A75W**NMOS场效应DISCRETE BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P2SC4582600V15A75W**NPNDISCRETE2SC4517550V3A30W**NPNMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P2SC44291100V8A60W**NPNDISCRETE2SC4297500V12A75W**NPNMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK2SC42881400V12A200W**NPNDISCRETE2SC4242450V7A40W**NPNMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK2SC4231800V2A30W**NPNDISCRETE2SC41191500V15A250W**NPNMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK2SC41111500V10A250W**NPNDISCRETE2SC4106500V7A50W*20MHZNPNMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC4059600V15A130W**NPNMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK2SC403850V0.1A0.3W*180MHZNPN DISCRETE2SC4024100V10A35W**NPNMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK2SC39981500V25A250W**NPNDISCRETE2SC39971500V15A250W**NPNMOS FET IRFR9020TF D-PAK2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿DISCRETE2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPNMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F2SC3907180V12A130W*30MHZNPN DISCRETE2SC38931400V8A50W*8MHZNPNMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F2SC38861400V8A50W*8MHZNPN DISCRETE2SC3873500V12A75W*30MHZNPNMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F2SC3866900V3A40W**NPNDISCRETE2SC3858200V17A200W*20MHZNPNMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F2SC380730V2A1.2W*260MHZNPN DISCRETE2SC3783900V5A100W**NPNMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC37201200V10A200W**NPNMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F2SC3680900V7A120W**NPNDISCRETE2SC3679900V5A100W**NPNMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F2SC359530V0.5A1.2W90*NPNDISCRETE2SC3527500V15A100W13*NPNMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F2SC3505900V6A80W12*NPNDISCRETE2SC34601100V6A100W12*NPNMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F2SC34571100V3A50W12*NPNDISCRETE2SC335820V0.15A**7000MHZNPNMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F2SC335520V0.15A**6500MHZNPN DISCRETE2SC3320500V15A80W**NPNMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F2SC3310500V5A40W20*NPNDISCRETE2SC3300100V15A100W**NPNMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPNDISCRETE2SC1507300V0.2A15W**NPNMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC149436V6A40W*175MHZNPNMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN DISCRETE2SC116235V1.5A10W**NPNMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPN DISCRETE2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPNMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK2SC82845V0.05A0.25W**NPNDISCRETE2SC81560V0.2A0.25W**NPNMOS FET IRFU410A 500V I-PAK2SC38035V0.03A0.25W**NPNDISCRETE2SC10660V1.5A15W**NPNMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK2SB1494120V25A120W**PNP(达林顿DISCRETE2SB1429180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ20A TO-2202SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿DISCRETE2SB137560V3A2W**PNPMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-2202SB133580V4A30W**PNPDISCRETE2SB1317180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ30 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-2202SB124340V3A1W*70MHZPNPDISCRETE2SB124040V2A1W*100MHZPNPMOS FET IRFZ40 TO-2202SB123880V0.7A1W*100MHZPNPDISCRETE2SB118560V3A25W*75MHZPNPMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-2202SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿DISCRETE2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F2SB83460V3A30W**PNPDISCRETE2SB817160V12A100W**PNPMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F2SB77240V3A10W**PNPDISCRETE2SB74470V3A10W**PNPMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-2202SB73460V1A1W**PNPDISCRETE2SB688120V8A80W**PNPMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-2202SB67560V7A40W**PNP(达林顿DISCRETE2SB66970V4A40W**PNP(达林顿MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB649180V1.5A1W**PNPMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-2202SB647120V1A0.9W*140MHZPNPDISCRETE2SB44950V3.5A22W**PNPMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-2202SA1943230V15A150W**PNPDISCRETE2SA1785400V1A1W*140MHZPNPMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-2202SA1668200V2A25W*20MHZPNPDISCRETE2SA1516180V12A130W*25MHZPNPMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-2202SA1494200V17A200W*20MHZPNP DISCRETE2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-2202SA1358120V1A10W*120MHZPNPDISCRETE2SA1302200V15A150W**PNPMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK2SA1301200V10A100W**PNPDISCRETE2SA1295230V17A200W**PNP MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK2SA1265140V10A30W**PNP DISCRETE2SA1216180V17A200W**PNP MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK2SB649180V1.5A1W**PNPDISCRETE2SB647120V1A0.9W*140MHZPNP MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F2SB44950V3.5A22W**PNP DISCRETE2SA1943230V15A150W**PNP MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F2SA1785400V1A1W*140MHZPNPDISCRETE2SA1668200V2A25W*20MHZPNP MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK2SA1516180V12A130W*25MHZPNPDISCRETE2SA1494200V17A200W*20MHZPNP MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPDISCRETE2SA1358120V1A10W*120MHZPNP MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP2SA1302200V15A150W**PNP DISCRETE2SA1301200V10A100W**PNP MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP2SA1295230V17A200W**PNPDISCRETE2SA1265140V10A30W**PNP MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P2SA1216180V17A200W**PNP DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETE MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P如有出入请明示,争取完善、正确!功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型 *PNP(达林顿）功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型。
常用三极管mos管
2SC4231 800V 2A 2SC4119 1500V 15A 2SC4111 1500V 10A 2SC4106 | 500V 7A 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 2SC4059 600V 15A 30W 250W 250W 50W 20MHZ 功率Pcm 130W 放大系数 特征频率 NPN NPN NPN 2SC4038 50V 0.1A 0.3W 180MHZ 2SC4024 100 V 10A 35W 2SC3998 1500V 25A 2SC3997 1500V 15A 2SC3987 50V 3A 2SC3953 120V 0.2A 2SC3907 180V 12A 2SC3893 1400V 8A 2SC3886 1400V 8A 2SC3873 500V 12A 2SC3866 900V 3A 2SC3858 200V 17A 2SC3807 30V 2A 2SC3783 900V 5A 晶体管型号 压 Vbe0 电流Icm 2SC3720 1200V 10A 2SC3680 900V 7A 2SC3679 900V 5A 2SC3595 30V 0.5A 2SC3527 500V 15A 2SC3505 900V 6A 2SC3460 1100V 6A 2SC3457 1100V 3A 2SC3358 20V 0.15A NPN 管子类型 NPN NPN NPN 250W NPN 250W NPN NPN （达林顿）20W 1000 1.3W NPN 130W NPN 50W NPN 50W NPN 75W NPN 40W NPN 200W NPN 1.2W NPN 100W NPN |功率Pcm 管子类型 200W NPN 120W NPN 100W NPN 1.2W 90 NPN 100W 13 NPN 80W 12 NPN 100W 12 NPN 50W 12 NPN 7000MHZ NPN 400MHZ 30MHZ 8MHZ 8MHZ 30MHZ 放大系数 20MHZ 260MHZ 特征频率晶体管型号反压VbeO 电流Icm 2SDK55 400V 4A 2SD2445 1500V 12.5A 2SD2388 90V 3A 2SD2335 1500V 7A 2SD2334 1500V 5A放大系数功率Pcm 特征频率60W120W1.2W100W80W管子类型NPNNPNNPN（达林顿）NPNNPN2SD2156 120V 25A 125W 2000-20000 NPN（达林顿）2SD2155 180V 15A 150W 2SD2036 60V 1A 1.2W 2SD2012 60V 3A 2W 2SD2008 80V 1A 1.5W NPN NPN NPN NPN2SD1997 40V 3A 1.5W 100MHZ NPN 2SD1994 60V 1A 1W2SD1993 50V 0.1A 0.4W 2SD1980 100V2A 10W 2SD1978 120V 1.5A 1W 晶体管型号压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 2SD1975 180V 15A 150W 2SD1930 100V 2A 1.2WI| NPN达林顿）| 1000-10000| NPN达林顿j 30000放大系数管子类型NPN（达林顿）1000特征频率NPNNPNNPN2SD1847 50V 1A 1W NPN（氐噪）2SD1762 60V 3A 25W 90MHZ NPN2SD1718 180V 15A 3.2W 20MHZ NPN2SD1640 120V 2A 1.2W 4000-400002SD1590 150V 8A 25W 15000NPN（达林顿）NPN（达林顿）2SD1559 100V20A 20W 5000 NPN（达林顿）2SD1415 80V 7A 40W 6000 NPN（达林顿）2SD1416 80V 7A 2SD1302 25V 0.5A 2SD1273 80V 3A 2SD1163A 350V 7A 40W 60000.5W 200MHZ40W 50MHZ40W 60MHZNPN（达林顿）NPNNPNNPN1500V2SD1732 1500V 7A 120W NPN 2SD1731 1500V 6A 100W NPN 2SD1730 1500V 5A 100W NPN 2SD1729 NPN 2SD1711 1500V 7A 100W NPN 2SD1710 1500V 6A 100W NPN 2SD1656 1500V 6A 60W NPN 2SD1655 1500V 5A 60W NPN 2SD1654 1500V3.5A 50W NPN 2SD1653 1500V2.5A 50W NPN 2SD1652 1500V6A 60W NPN 2SD1651 1500V5A 60W NPN 晶体管型号电流Icm 功率Pcm 管子类型 反压Vbe0 2SD16501500V 3.5A 50W NPN 2SD1635 1500V 5A 100W NPN 2SD1632 1500V 4A 70W NPN 2SD1577 1500V 5A 80W NPN 2SD1554 1500V 3.5A 40W NPN 2SD1548 1500V 10A 50W NPN 2SD1547 1500V 7A 50W NPN 2SD1546 1500V 6A 50W NPN 2SD1545 1500V 5A 50W NPN 2SD1456 1500V 6A 50W NPN 2SD1455 NPN 2SD1454 1700V 4A 50W NPN 2SD14341700V 5A 80W NPN <="" div=""> 1500V 1500V 3.5A 60W 放大系数 特征频率 5A 50W。
三极管及MOS管的讲解.
特性曲线将向右稍微移动一些
。但UCE再增加时，曲线右移
很不明显。因为UCE＝1V时，
集电结已把绝大多数电子收集过去
，收集电子数量的比例不再明显增大。
工程实践上，
图02.05 共发射极接法输入特性曲线
就用UCE＝1V的输入特性曲线代替UCE >1V以后的输入特性曲 线。
2、输出特性曲线
。 共基极接法，基极作为公共电极
1) 共射接法中的电流传输方程式 通过改变IB可控制IC的变化。
IC≈ IE＝ (IC＋IB)＝ IC＋ IB
（1－ ）IC≈ IB
IC≈
1
IB＝ IB
控制系数（传输系数） ≈IC／IB
称为直流共射集-基电流比或直流电流放大倍 数。
1、晶体管中载流子的移动 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的
直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正 向电压，集电结加反向电压。现以 NPN型三极 管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关 系， 见图02.02。
图02.0Байду номын сангаас 双极型三极管的电流传输关系
1）发射区向基区发射电子
使集电结反偏电压较大时，运动到集电结的电子 基本上都可以被集电区收集，此后UCE再增加， 电流也没有明显的增加，特性曲线进入与UCE轴 基本平行的区域 (这与输入特性曲线随UCE增大 而右移的原因是一致的) ，此区域称为放大区。
图02.06 共发射极接法输出特性曲线
（1）截止区——IC接近零的区域，相当IB=0的 曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。
的变化值 △IB和△IC，可以估算出晶体管的另一
重要参数，即交流共射集-基电流比或交流电流 放大倍数，表示为 β＝△IC／△IB
常用近500个三极管(MOSFET)中文资料
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管85508550是一种常用的普通三极管。
单片机 驱动三极管 mos管
单片机驱动三极管 mos管单片机（Microcontroller Unit）是一种集成电路，内部包含了处理器核心、存储器以及各种外设接口，常用于控制和执行各种电子设备的任务。
单片机通过编程实现对外设的控制，其中包括对三极管和MOS管的驱动。
三极管是一种常用的电子元件，具有放大作用和开关作用。
它由三个掺杂不同材料的半导体材料片层叠而成，一般可以分为NPN型和PNP型。
三极管的驱动常用于信号放大、电路切换和逻辑门等应用中。
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种重要的电子器件，具有低功耗、高速度等优点。
它是由源、栅和漏三个电极组成，并通过改变栅电压来调节其导电性能。
MOS管的驱动在数字电路和模拟电路中广泛应用。
在单片机中，驱动三极管和MOS管的原理基本相似，都是通过输出电平来控制其导通和截断。
首先，驱动三极管的过程可以简单分为两个步骤：输入控制信号和输出驱动信号。
对于NPN型三极管，通过将控制信号接到基极，通过单片机输出接到集电极，将发射极接地，可以实现三极管的驱动。
当控制信号为高电平时，三极管处于导通状态，从而激活外部电路。
而当控制信号为低电平时，三极管处于截断状态，外部电路失活。
对于PNP型三极管，将控制信号接到基极，将集电极接到正极电源，而发射极接地。
当控制信号为低电平时，三极管处于导通状态；而当控制信号为高电平时，三极管处于截断状态。
对于MOS管的驱动，具体取决于其结构类型，常用的有NMOS和PMOS。
对于NMOS，在单片机中，通过将控制信号接到栅极，将源极接地，漏极作为输出端口，可以实现MOS管的驱动。
当控制信号为高电平时，MOS管处于导通状态，外部电路激活；而当控制信号为低电平时，MOS管处于截断状态，外部电路失活。
对于PMOS，在单片机中，通过将控制信号接到栅极，将源极接到正极电源，漏极作为输出端口，来实现驱动。
当控制信号为低电平时，MOS管处于导通状态，外部电路激活；而当控制信号为高电平时，MOS管处于截断状态，外部电路失活。
三极管型号
FU9024（直55V 11A P沟道
CT15Q101 1200V 15A 150W N
CT25Q101 1200V 25A 200W N
GT80J101 600V 80A 200W
IRF540 100V 28A 150W N
IRF620 200V 5A 40W N
FS3KM16 800V 3A 30W N
FS3KM18 900V 3A 30W N
FS5ASJ-3 150V 5A
FS7KM12 600 7A 40W N
FS7KM14 700V 7A 30W N
FS7KM16 800V 7A 40W N
FS7KM18 7A 900V
FS7TM12 600V 7A N
沟道场效应
,8
脚
A04410 30V 18A
单
N
沟道
8
脚贴片
A04411 30V 8A 3W P
沟道场效应
,8
脚
A04413 30V 15A 3W
单
P
沟道
,8
脚贴片
A04413 30V 15A 3W
单
P
沟道
,8
脚贴片
A04414 30V,8.5A,3WM
单
N
沟道，
8
脚
A04418 30V 11.5A N
10N60 10A 600V
11N80 11A 800V 156W
11P06 60V 9.4A P沟道直插
13N60 13A 600V N沟道
15N03L 30V 42A 83W N
2N7000 60V 0.2A 0.35W N
三极管和MOS管驱动电路的正确用法
1三极管和MOS 管的基本特性三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。
有NPN 型三极管和PNP 型三极管两种,符号如下:MOS 管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。
有P 沟道MOS 管（简称PMOS ）和N 沟道MoS 管（简称NMOS ）,符号如下（此处只讨论常用的增强型MOS 管）：2三极管和MOS 管的正确应用（1）NPN 型三极管适合射极接GND 集电极接负载到VCC 的情况。
只要基极电压高于射极电压（此处为GND ）0.7V,即发射结正偏（VBE 为正），NPN 型三极管即可开始导通。
基极用高电平驱动NPN 型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-2Ok 到GND ；（a ） N 沟道增强型MoS 管结构（b ） N 沟通增强型MOS （C ） P 沟道增强型 示意图 省代表符号 MOS 管代表符号优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的低电平。
（2） PNP型三极管（3）适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。
只要基极电压低于射极电压（此处为VCe）0.7V,即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管即可开始导通。
基极用低电平驱动PNP型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC；（4）优点是：①使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，PNP型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的高电平。
（5）所以，如上所述：对NPN三极管来说，最优的设计是，负载R12接在集电极和VCC之间。
不够周到的设计是，负载R12接在射极和GND之间。
对PNP三极管来说，最优的设计是，负载R14接在集电极和GND之间。
不够周到的设计是，负载R14接在发射极和VCC之间。
三极管 mos管 驱动led
三极管 mos管驱动led
三极管和MOS管都是常用的半导体器件，它们在电子电路中具有广泛的应用。
三极管是一种双极型器件，主要用于放大和开关电路；而MOS管是一种电压控制型器件，广泛应用于电源管理、电机控制等领域。
在驱动LED电路方面，这两种器件各有优势。
三极管驱动LED电路：
三极管驱动LED电路时，通常采用开关方式。
三极管的电流控制特性使得它能够在低电流下工作，且具有较小的导通电阻。
驱动LED时，三极管的基极电流控制端接入控制信号，集电极输出端连接LED。
当基极电流增大时，集电极电流也随之增大，从而点亮LED。
然而，三极管的开关速度相对较慢，驱动高频率电路时，性能受限。
MOS管驱动LED电路：
MOS管驱动LED电路具有以下优势：
1. 开关速度快：MOS管的电压控制特性使其能够在高速开关电路中表现优异，驱动LED时，栅极电压控制MOS 管的导通与关断。
2. 节能：MOS管的导通电阻小，发热量低，且能在低
电压、低电流条件下工作。
这使得MOS管在驱动LED时，具有较高的能效。
3. 栅极输入阻抗高：MOS管的栅极输入阻抗高，对电压敏感，只需较小的驱动电流即可启动。
这使得MOS管在驱动LED电路时，能够减少驱动电路的复杂性和功耗。
综上所述，在驱动LED电路方面，MOS管相较于三极管具有更高的速度、更低的发热和更大的节能优势。
因此，在一些对性能要求较高的应用场景，如LED照明、显示器背光等，通常采用MOS管进行驱动。
而在一些低频、低功耗的应用场合，三极管仍具有较好的应用价值。
三极管与mos管
三极管与mos管(2009-06-08 14:20:21)标签：pn结?表笔?三极管?沟道?德弗雷斯特?美国?it? 晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为 e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
1_rYCnUs8dBvZH.jpg (12.95 KB)2007-12-7 09:30目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。
三极管和MOS管的区别在哪
在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制，那就少不了三极管的帮助。
我们俗称的三极管其全称为半导体三极管，它的主要作用就是将微小的信号中止放大。
MOS管与三极管有着许多相近的地方，这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别，本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同。
关于三极管和MOS管的区别，我们简单总结了几句话便当大家理解。
从性质上来说：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。
从本钱上来说：三极管低价，MOS管贵。
关于功耗问题：三极管损耗大。
驱动能力上的的不同：MOS管常用于电源开关以及大电流地方开关电路。
理论上，就是三极管操作便当且价钱低廉，经常用于数字电路的开关控制当中。
而MOS 管用于高频高速电路，大电流场所，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的中央。
所以普通来说低本钱场所，普通应用的先思索用三极管，不行的话建议用MOS管。
理论上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。
要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才干明白。
三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴，发射区为电子)的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场)，当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正导游通电压(工程上普通以为0.7v)。
但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时假设集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动(理论上都是电子的反方向运动)，由于基区宽度很小，电子很容易越过基区抵达集电区，并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极)，为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。
集电极的电子经过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。
常用大小功率三极管参数表
65/105 130/260 420/700 55/260 195/1030 125/340 65/120 350/1100 60/100 180/250 335/850 65/145 240/590 120/210 50/105 90/230
2.5Ω 1.7Ω 0.085Ω 0.055Ω 0.18Ω 0.085Ω 0.085Ω 0.3Ω 0.2Ω 0.028Ω 0.6Ω 0.4Ω 0.27Ω 1Ω 2Ω 0.55Ω 0.2Ω 0.25Ω 2.2Ω 2.8Ω 1.8.Ω 0.055Ω 0.055Ω 1.25Ω 0.35Ω 0.016Ω 4Ω 0.03Ω 2.8Ω 1.4Ω 0.026Ω 1Ω 0.27Ω 0.11Ω 3Ω 0.2Ω 0.36Ω 2.8Ω 1.2Ω 0.055Ω 0.055Ω 0.055Ω 1.4Ω 0.7Ω 0.24Ω
160
N-FET MOS-enh,S-L N-FET MOS-enh,S-L N-FET MOS-enh,S-L N-FET MOS-enh,S-L N-FET MOS-enh,S-L N-FET MOS-enh,S-L N-FET MOS-enh,S-L N-FET MOS-enh,S-L N-FET MOS-enh,S-L N-FET MOS-enh,S-L P-FET MOS-enh,S-L N-FET mos
用途 MOS-enh,SS-L MOS-enh,S-L MOS-enh,S/D-L MOS-enh,D/SS-L MOS-enh,S-Tr/L MOS-enh,S-Tr/L MOS-enh,S-L MOS-enh MOS-enh,D/SS-L MOS-enh,D/SS-L MOS-enh,D/S-L MOS-enh,D/S-L MOS-enh,D/S-L
三极管和MOS管做开关管时，一般怎么选择？
三极管和MOS管做开关管时，一般怎么选择？电子元器件都有电气参数，在选型时要给电子元器件留够余量才能保证电子元器件稳定、长久的工作。
借助这个题目简单介绍一下三极管和MOS管的选型方法。
三极管是流控型器件，MOS管是压控型器件，两者存在相似之处，在选型时需要考虑耐压、电流等参数。
1.根据最大耐压选型三极管的集电极C和发射极E之间所能承受的最大电压参数为V(BR)CEO，工作时CE之间的电压不能超过规定的数值，否则三极管会永久性损坏，以9013为例VCEO为25V，即CE之间最大不能超过25V。
MOS管在使用时漏极D和源极S之间也存在最大电压，MOS管在工作时DS两端的电压不能超过规定值。
一般而言MOS管的耐压值比三极管的耐压值高很多。
从工作稳定性考虑，一般要留有30%-50%，甚至更多的余量。
2.最大过电流能力三极管有ICM参数，即集电极的过电流能力，MOS管的过电流能力用ID来表示。
电流工作时流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值，否则器件被烧坏。
从工作稳定性考虑，一般要留有30%-50%，甚至更多的余量。
3.工作温度任何芯片都有工作温度这个参数，按照工作温度一般可以分为三类：•商业级芯片：一般范围为0至+70℃；•工业级芯片：一般范围为-40至+85℃；•军工级芯片：一般范围为-55℃至+150℃；要根据产品的使用场合选择合适的芯片。
4.根据开关频率选择三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数，如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。
5.其他选型条件如MOS管的导通电阻Ron参数，MOS管的VTH开启电压等。
MOS管与三极管的区别 作用 特性 参数 选用注意与事项
MOS管与TVS管综合信息三极管和MOS管的区别MOS管的特性、工作原理，与真空电子管类似：栅极没有电流，即没有输入电流，具有高输入阻抗；漏极电流由栅极电压控制，是电压控制器件……半导体三极管是两个P-N结组成，由基极电流来控制集电极电流，是一个电流控制器件；基极输入的是电流，输入阻抗低，需要输入功率……工作性质：1、三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大。
4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管四、场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输进阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输进阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输进级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应留意以下规则：（1）. MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。
也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。
（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子往碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上往。
（7）. MOS场效应晶体管的栅极在答应条件下，最好接进保护二极管。
在检验电路时应留意查证原有的保护二极管是否损坏实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。
三极管控制mos
三极管控制mos三极管控制MOS引言：在现代电子电路中，三极管和MOS管是非常重要的电子器件。
它们不仅可以单独使用，还可以相互结合使用，实现更为复杂的电路功能。
本文将重点介绍三极管如何控制MOS管的工作。
一、三极管的基本原理：三极管是一种三端器件，由发射极、基极和集电极组成。
它的工作原理是通过控制基极电流来控制集电极电流。
当基极电流为零时，三极管截止，集电极电流为零；当基极电流增大时，三极管导通，集电极电流随之增大。
二、MOS管的基本原理：MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一种以金属-氧化物-半导体结构为基础的电子器件。
它由栅极、漏极和源极组成。
当栅极电压为零时，MOS管处于截止状态；当栅极电压大于阈值电压时，MOS管导通，漏极和源极之间形成导通通道。
三、三极管控制MOS的基本原理：在电路中，我们可以将MOS管的栅极连接到三极管的集电极，将MOS管的漏极连接到三极管的发射极或基极。
通过控制三极管的基极电流，可以改变MOS管的栅极电压，从而控制MOS管的导通和截止。
四、三极管控制MOS的应用：1. 信号放大：将输入信号接到三极管的基极，将MOS管作为输出端，通过控制三极管的基极电流，可以实现信号的放大。
这种应用常见于音频放大器、射频放大器等电路中。
2. 开关控制：将三极管配置为开关电路，用于控制MOS管的导通和截止。
当三极管导通时，MOS管导通；当三极管截止时，MOS 管截止。
这种应用常见于逻辑门电路、计时电路等中。
3. 温度补偿：在一些需要稳定工作温度的电路中，可以利用三极管来对MOS管的栅极电压进行补偿。
通过测量环境温度，控制三极管的基极电流，可以实现对MOS管工作电压的精确控制，从而提高电路的稳定性。
五、三极管控制MOS的优缺点：1. 优点：三极管可以提供较大的电流和较高的电压，能够满足一些特殊应用的需求；三极管的控制电路相对简单，容易实现。
2. 缺点：三极管的功耗相对较大，会产生较多的热量；由于三极管的开关速度相对较慢，不能满足一些高速应用的需求。
常见三极管参数
常见的小功率管有：2SC9011～2SC9018这一系列8个；2SA1015和2SC1815配对管；2N5551 和2N5401 配对管；2SC8550和2SC8050配对管；2SA9014和2SC9015配对管；2SC945，2SA92，2SA94。
中功率13001～13007，TIP41和TIP42；一般情况下三极管标示型号只标为C9014，或S9014等！2SC9011～9018系列：9011/9016/9017/9018为高频管，其他为低频管，用于常见电路；2SC945(可用于高频)，2SC92，2SA94：C92/94电话中较常见；2SC8050，2SC8550：小功率放大电路中配对管，小电子产品、高频电路和电话中常见；2SC1815，2SA1015：小功率放大电路中配对管；2N5551，2N5401：高耐压管，用于放大电路前级，电话电路等；MJE13001～13007系列，节能灯中常见。
下列元件不是三极管：TL431，7879L05(79L05)等，MCR100-6，BT169等等！TL431是精密稳压源；78(79)L05(06/07/08/09/12/15/24)为三端稳压电路，稳定电压为后两位数，78系列为正压，79系列为负压；MCR100-6，BT169等是可控硅，即晶闸管。
BC557B还有。
2N3904,2N3906ksk ksk BC817 BC8078550和80502sc3356,2sc90182N2222 2N29078050，8850，9012，9013，9015，9018，2907，222a 1623/1123 9014/9013 2n2222 8050B772,D882中功率管中的便宜货.TIP122,127达林顿功率管中的便宜货.怎么不见 2N5551和2N5401呢最早的当然就是3DG6了，然后是3AX31B,还用它做过推挽放大器，升压电源，然后是3DA87C,高频中功率管。
mos管 适用三极管关断泄放 -回复
mos管适用三极管关断泄放-回复使用MOS管进行三极管的关断和泄放操作是电子电路设计和应用中常见的技术。
MOS管是一种特殊的场效应管，它可以通过控制栅极电压来调整其导通和截止状态。
本文将一步一步详细介绍如何使用MOS管来实现三极管的关断和泄放操作，并对其应用进行分析和讨论。
首先，我们需要了解MOS(Metal Oxide Semiconductor)管的基本工作原理。
MOS管由金属-氧化物-半导体材料构成，主要有两个结：栅极与源极之间的栅极结和漏极与源极之间的漏极结。
MOS管通过控制栅极电压来改变栅极结的电场强度，从而调整漏极结的电场分布，进而改变MOS 管的导通状况。
关于三极管的关断操作，以NPN型三极管为例。
三极管由发射极、基极和集电极组成。
在导通状态下，当电流流过基极，进而从发射极流出，集电极会有一个较大的输出电流。
而在关断状态下，基极电流为零，三极管处于截止状态，集电极电流几乎为零。
为了使用MOS管来实现三极管的关断，我们需要将MOS管连接到三极管的基极电路上。
首先，将MOS管的源极与三极管的基极连接在一起。
接下来，将MOS管的漏极连接到三极管的集电极。
最后，将MOS管的栅极电压控制器连接到一个适当的信号源。
在进行关断操作时，我们需要使MOS管的栅极电压为零，即截止状态。
为了实现这一点，我们可以通过一个电阻将栅极连接到地，或者通过一个电平转换器（level translator）将逻辑控制信号转换为适合MOS管栅极的电压范围。
一旦MOS管的栅极电压为零，MOS管将进入截止状态。
因为MOS管的漏极与三极管的集电极相连，所以三极管的集电极电压也会变为零，从而实现了关断操作。
此时，三极管的基极电流几乎为零，没有电流通过三极管，电路中的负载将不会得到驱动。
下面，我们来讨论如何使用MOS管进行三极管的泄放操作。
在泄放操作中，我们希望通过控制MOS管来使三极管进入导通状态，从而驱动电路中的负载。
为了实现这一点，我们可以将MOS管的栅极电压设为适当的电平，使得MOS管处于导通状态。
三极管MOS管原理很详细
双极型晶体管双极型晶体管又称三极管。
电路表示符号： ＢＪＴ。
根据功率的不同具有不同的外形结构。
双极型晶体管的几种常见外形（ａ）小功率管 （ｂ）小功率管 （ｃ）中功率管 （ｄ）大功率管1一. 基本结构由两个掺杂浓度不同且背靠背排列的PN结组成， 根据排列方式的不同可分为NPN型和PNP型两种,每个 PN结所对应区域分别称为发射区、基区和集电区。
C 集电极集电极 CNPN型NBP基极NB基极P PNP型 NPE 发射极发射极 E2C IC BIB EIENPN型三极管C IC BIB EIEPNP型三极管制成晶体管的材料可以为Si或Ge。
3集电区： 面积较大B基极C 集电极N P NE发射极基区：较薄， 掺杂浓度低发射区：掺 杂浓度较高4C 集电极集电结NＢＪＴ是非线性元 件，其工作特性与其 工作模式有关：BP基极N当ＥＢ结加正偏，ＣＢ结 发射结 加反偏时，ＢＪＴ处于放E 发射极大模式；当ＥＢ结和ＣＢ结均加正偏时，ＢＪＴ处于饱和模式； 当ＥＢ结加零偏或反偏、ＣＢ结加反偏时，ＢＪＴ处于截止 模式。
ＢＪＴ主要用途是对变化的电流、电压信号进行放大， 饱和模式和截止模式主要用于数字电路中。
5二. 电流放大原理•以NPN型BJT为例讨论•，其结论同样适用于•PNP型BJT，不同的是•外加电压与前者相反。
•输入回路 •输出回路 •共射极放大电路•工作的基本条件： •EB结正偏； •CB结反偏。
•VCC>VBB >VEE6 BJT的放大作用可表现为：用较小的 基极电流控制较大的集电极电流，或将较 小的电压按比例放大为较大的电压。
１．BJT内部载流子运动 •a)．EB结加正偏,扩散运动形成IE。
b)．扩散到基区的自由电子与空穴复合 形成IB。
•c)．CB结加反偏,漂移运动形成IC。
7基区空穴向发射区的扩散可忽略。
BRB进入P区的电子少部分合与，基形区成的电E空流B穴IBE复，多数扩散到集电结。
CNPIBENE IERCEC发射结正 偏，发射 区电子不 断向基区 扩散，形 成发射极 电流IE。
三极管和mos符号
三极管和mos符号
三极管和MOS（金属氧化物半导体）是电子领域中常见的两种元件。
它们在
许多电路和应用中扮演着重要的角色。
本文将介绍三极管和MOS符号的含义和用途。
首先，让我们来了解三极管的符号。
三极管是一种半导体器件，通常由三个区
域组成：发射区、基极区和集电区。
在电路图中，三极管的符号由三个箭头表示，它们代表了电流的流动方向。
其中，箭头指向发射区的端子为发射极，箭头指向基极区的端子为基极，箭头指向集电区的端子为集电极。
三极管可用于放大信号、开关和稳压等应用。
接下来，我们来了解MOS的符号。
MOS是一种利用金属氧化物半导体结构制
造的器件。
MOS的符号由一个带有箭头的直线和一个平行的直线组成。
直线部分
代表了金属极板，箭头指向平行线的一侧表示了N型金属氧化物半导体（NMOS），箭头指向平行线的另一侧表示了P型金属氧化物半导体（PMOS）。
MOS常用于数字电路中的开关和放大器等应用。
三极管和MOS作为常见的电子元件，它们的符号在电路设计中至关重要。
符
号的正确使用可以方便工程师理解和分析电路，从而更好地理解电子设备的工作原理。
综上所述，三极管和MOS的符号代表了不同类型的半导体器件，并在电子领
域中发挥着重要作用。
了解和正确使用这些符号对于设计和理解电子电路至关重要。
三极管及MOS管的讲解.
特性曲线将向右略微移动一图些02.05 共放射极接法输入特性曲线
。但UCE再增加时，曲线右移
2、输出特性曲线
输出特性曲线—— IC＝f〔UCE〕 I B＝常数
共放射极接法的输出特性曲线如图02.06所示， 它是以IB为参变量的一族特性曲线。输出特性曲 线可以分为三个区域。现以其中任何一条加以说 明，当UCE =0 V时，因集电极无收集作用， IC=0。当UCE微微增大时，放射结虽处于正向 电压之下，但集电结反偏电压〔UCB =UCE— UBE〕很小，收集电子的力量很弱，IC主要由 UCE打算，此区域称为饱和区。当UCE增加到 使集电结反偏电压较大时，运动到集电结的电子 根本上都可以被集电区收集，此后UCE再增加， 电流也没有明显的增加，特性曲线进入与UCE轴 根本平行的区域 (这与输入特性曲线随UCE增大 而右移的缘由是全都的) ，此区域称为放大区。
图02.06 共放射极接法输出特性曲线
〔1〕截止区——IC接近零的区域，相当IB=0的 曲线的下方。此时，放射结反偏，集电结反偏。
〔2〕放大区——IC平行于UCE轴的区域，曲线 根本平行等距。此时，放射结正偏，集电结反偏。
实际上，大约在UCE>1V和IB>0的区域是输出特 性曲线族上的放大区。此区为放大电路中晶体管 应处的工作区域。
1、晶体管中载流子的移动 双极型半导体三极管在工作时肯定要加上适当的
直流偏置电压。假设在放大工作状态：放射结加 正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN型三 极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流 关系， 见图02.02。
图02.02 双极型三极管的电流传输关系
1〕放射区向基区放射电子 放射结加正偏时，从放射区将有大量的电子向基区集中，
放大区与饱和区的分界限集电结零偏〔UCE =UBE〕时 对应曲线。
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反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
IRFU020
50V
15A
42W
*
*
NMO场效应
IRFPG42
1000V
4A150W*来自*NMO场效应
IRFPF40
900V
4.7A
150W
*
*
NMO场效应
IRFP9240
200V
12A
150W
*
*
PMO场效应
IRFP9140
100V
12A
130W
*
30MHZ
NPN
2SC3893
1400V
8A
50W
*
8MHZ
NPN
2SC3886
1400V
8A
50W
*
8MHZ
NPN
2SC3873
500V
12A
75W
*
30MHZ
NPN
2SC3866
900V
3A
40W
*
*
NPN
2SC3858
200V
17A
200W
*
20MHZ
NPN
2SC3807
30V
400V
10A
150W
*
*
NMO场效应
IRFP250
200V
33A
180W
*
*
NMO场效应
IRFP240
200V
19A
150W
*
*
NMO场效应
IRFP150
100V
40A
180W
*
*
NMO场效应
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
NMO场效应
IRFP140
100V
30A
2A
30W
*
*
NPN
2SC4119
1500V
15A
250W
*
*
NPN
2SC4111
1500V
10A
250W
*
*
NPN
2SC4106
500V
7A
50W
*
20MHZ
NPN
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
2SC4059
600V
15A
130W
*
*
NPN
2SC4038
50V
0.1A
0.3W
*
180MHZ
NPN
2SC4024
100V
10A
35W
*
*
NPN
2SC3998
1500V
25A
250W
*
*
NPN
2SC3997
1500V
15A
250W
*
*
NPN
2SC3987
50V
3A
20W
1000
*
NPN达林顿）
2SC3953
120V
0.2A
1.3W
*
400MHZ
NPN
2SC3907
180V
150W
*
*
IRFP054
60V
65A
180W
*
*
NMO场效应
IRFI744
400V
4A
32W
1*J
L*」
NMO场效应
IRFI730
400V
4A
32W
*
*
NMO场效应
IRFD9120
100V
1A
1W
*
*
NMO场效应
IRFD123
80V
1.1A
1W
*
*
NMO场效应
IRFD120
100V
1.3A
1W
*
*
19A
150W
*
*
PMO场效应
IRFP460
500V
20A
250W
*
*J
NMO场效应
IRFP450
500V
14A
180W
*
*
NMO场效应
IRFP440
500V
8A
150W
*
*
NMO场效应
IRFP353
350V
14A
180W
*
*
NMO场效应
IRFP350
400V
16A
180W
*
*
NMO场效应
IRFP340
NMO场效应
IRFD113
60V
0.8A
1W
*
*
NMO场效应
IRFBE30
800V
2.8A
75W
*
*
NMO场效应
IRFBC40
600V
6.2A
125W
*
*
NMO场效应
IRFBC30
600V
3.6A
74W
*
*
NMO场效应
IRFBC20
600V
2.5A
50W
*
*
NMO场效应
IRFS9630
200V
6.5A
*
*
NMO场效应
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
IRF230
200V
9A
79W
*
*
NMO场效应
IRF130
100V
14A
79W
*
*
NMO场效应
BUZ20
100V
12A
75W
*
*
NMO场效应
BUZ11A
50V
25A
75W
*
*
NMO场效应
BS170
60V
0.3A
0.63W
75W
*
*
PMO场效应
IRF9630
200V
6.5A
75W
*
*
PMO场效应
IRF9610
200V
1A
20W
*
*
PMO场效应
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
IRF9541
60V
19A
125W
*
*
PMO场效应
IRF9531
60V
12A
75W
*
*
PMO场效应
IRF9530
18A
125W
*
*
NMO场效应
IRF630
200V
9A
75W
*
*
NMO场效应
IRF610
200V
3.3A
43W
*
*
NMO场效应
IRF541
80V
28A
150W
*
*
NMO场效应
IRF540
100V
28A
150W
*
*
NMO场效应
IRF530
100V
14A
79W
*
*
NMO场效应
IRF440
500V
8A
125W
2A
1.2W
*
260MHZ
NPN
2SC3783
900V
5A
100W
*
*
NPN
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm功率Pcm
放大系数特征频率
管子类型
2SC3720
1200V
10A
200W
*
*
NPN
2SC3680
900V
7A
120W
*
*
NPN
2SC3679
900V
5A
100W
*
*
NPN
2SC3595
30V
0.5A
1.2W
90
*
NPN
2SC3527
500V
15A
100W
13
*
NPN
2SC3505
900V
6A
80W
12
*
NPN
2SC3460
1100V
6A
100W
12
*
NPN
2SC3457
1100V
3A
50W
12
*
NPN
2SC3358
20V
0.15A
*
*
7000MHZ
NPN
2SC3355
20V
0.15A
*
*
6500MHZ
100V
12A
75W
*
*
PMO场效应
IRF840
500V
8A
125W
*
*
NMO场效应
IRF830
500V
4.5A
75W
*
*
NMO场效应
IRF740
400V
10A
125W
*
*
NMO场效应
IRF730
400V
5.5A
75W
*
*
NMO场效应
IRF720
400V