129956034381250000第四章光电发射器件.ppt

合集下载

《光电发射器》课件

《光电发射器》课件

04
光电发射器的设计与优化
光源的选择与设计
总结词
光源的选择与设计是光电发射器性能的关键因素之一,直接影响到光电发射器的输出功 率、光束质量、稳定性等。
详细描述
在光源的选择上,需要根据光电发射器的应用需求和工作环境,选择合适的光谱范围、 功率、寿命等参数的光源。同时,还需要考虑光源的稳定性、抗干扰能力等因素。在光 源的设计上,需要采用先进的光学设计理论和技术,优化光源的光束质量、光强分布等
光电发射器的分类与特点
分类
根据光敏材料的种类,光电发射器可 分为硅基光电发射器、锗基光电发射 器、化合物半导体光电发射器等。
特点
光电发射器具有高灵敏度、快速响应 、低噪声等优点,广泛应用于光通信 、光检测、光传感等领域。
光电发射器的应用领域
光通信
光电发射器作为光信号发射端, 可将高速数字信号转换为光信号 ,实现高速、大容量信息传输。
光检测
光电发射器可用于各种光检测系统 中,如光谱分析、光学干涉、光学 成像等,提高检测精度和灵敏度。
光传感Байду номын сангаас
光电发射器可用于环境光传感、生 物传感等领域,实现非接触式测量 和实时监控。
02
光电发射器的基本结构
光源
01
02
03
光源类型
包括LED、激光、氙灯等 ,根据应用需求选择合适 的光源。
光谱特性
《光电发射器》课件
目录
• 光电发射器概述 • 光电发射器的基本结构 • 光电发射器的性能参数 • 光电发射器的设计与优化 • 光电发射器的应用实例
01
光电发射器概述
光电发射器的定义与工作原理
定义
光电发射器是一种能够将光信号 转换为电信号的器件,通常由光 敏材料和电路组成。

光电发射器件

光电发射器件
形成充气型的光电管。
无论真空型还是充气型均属于 光电发射型器件,简称为光电管。
工作原理电路如图4-2所示,在 阴极和阳极之间加有一定的电压, 建立电场。
1、真空型光电管的工作原理 光透过真空光电管的入射到光电阴极面上,产生光电子发射, 在阴极和阳极之间的电场作用下,光电子作加速运动,被高电位
阳极收集,形成光电流,其大小取决于阴极灵敏度和辐射强度。
2、充气型光电管的工作原理 光生电子在电场的作用下运动途中与惰性气体原子碰撞而 电离,电离又产生新的电子,它与光电子一起都被阳极收集, 形成数倍于真空型光电管的光电流 。
• 4.2.2 光电倍增管的原理
光电倍增管(Photo-multiple tube简称为PMT)主要由光入 射窗、光电阴极、电子光学系统、倍增极和阳极等组成。
• 4.1.2 光电阴极材料
1. 单碱与多碱锑化物光阴极
锑铯(Cs3Sb)光电阴极 是最常用的,量子效率很 高。长波限约为650nm,对 红外不灵敏。
锑铯阴极峰值量子效 率较高,常达20%~30%, 比银氧铯阴极高30多倍。
两种或三种碱金属与锑 化合形成多碱锑化物光阴 极。其量子效率峰值可高 达30% 。
如图4-3所示为光电倍增管原理示意图。
• 4.2.3 光电倍增管的结构 1. PMT的入射窗结构 2. 倍增极结构 1)倍增极材料
锑化铯(CsSb)具有很好的二次电子发射功能,可以在较低
电压下产生较高的发射系数,电压高于400V,δ值可高达10倍。
氧化的银镁合金也具有二次电子发射功能,它与锑化铯相比 二次电子发射能力稍差,可以工作在较强电流和较高温度 (150℃)。
铜-铍合金也具有二次电子发射功能,不过它的发射系数δ 比银镁合金低。

光纤通信第四章光发射机课件.共43页

光纤通信第四章光发射机课件.共43页
光纤通信第四章光发射机课件.
11、获得的成功越大,就越令人高兴 。野心 是使人 勤奋的 原因, 节制使 人枯萎 。 12、不问收获,只问耕耘。如同种树 ,先有 根茎, 再有枝 叶,尔 后花实 ,好好 劳动, 不要想 太多, 那样只 会使人 胆孝懒 惰,因 为不实 践,甚 至不接 触社会 ,难道 你是野 人。(名 言网) 13、不怕,不悔(虽然只有四个字,但 常看常 新。 14、我在心里默默地为每一个人祝福 。我爱 自己, 我用清 洁与节 制来珍 惜我的 身体, 我用智 慧和知 识充实 我的头 脑。 15、这世上的一切都借希望而完成。 农夫不 会播下 一粒玉 米,如 果他不 曾希望 它长成 种籽; 单身汉 不会娶 妻,如 果他不 曾希望 有小孩 ;商人 或手艺 人不会 工作, 如果他 不曾希 望因此 而有收 益。-- 马钉路 德。

66、节制使快乐增加并使享受加强。 ——德 谟克利 特 67、今天应做的事没有做,明天再早也 是耽误 了。——裴斯 泰洛齐 68、决定一个人的一生,以及整个命运 的,只 是一瞬 之间。 ——歌 德 69、懒人无法享受休息之乐。——拉布 克 70、浪费时间是一桩大罪过。——卢梭

第4章光源和光发射机电子通信专业优秀课件

第4章光源和光发射机电子通信专业优秀课件

4.1 光源
4.1.2 PN结 同质结 异质结
3. 外加正向电场的PN结
图解1: 外接电源
4.1 光源
4.1.2 PN结 同质结 异质结
图解2: 接通电源, 内电场被削弱,耗尽层变窄
外加正向电场的PN结
4.1 光源
4.1.2 PN结 同质结 异质结
图解3: 能带发生移动, 产生激活区
激活区电子-空穴复合发光是LED,LD产生辐射的 “源”!
4.1 光源
4.1.2 PN结 同质结 异质结
2. PN结 P型和N型半导体接触,在接触面附近形成PN结.
P区 N区 I1
P区 N区 I2
正向
I1>> I2
反向
外电场方向不同, 导电性大不相同.
4.1 光源
4.1.2 PN结 同质结 异质结
PN结形成图解:
图解1: P,N半导体接触前
4.1 光源

ni=2.62*106cm-3
4.1 光源
4.1.1 半导体的能带理论
2. N型和P型半导体
向本征半导体中掺杂V族元素(P,As,Sb), 导带中的电子浓 度增加,电子为多数载流子. 电子-负电荷-Negative-N型
向本征半导体中掺杂III族元素(B,Al,Ga,In), 价带中的空穴浓 度增加,空穴为多数载流子. 空穴-正电荷-Positive-P型
第4章光源和光发射机电子通信 专业
光纤通信系统的组成
驱动电路
光源
调制器
光发射机
光纤
中继器
光纤
光电二 极管
放大器 判决器
光接收机
组成基本单元: 光发射机、光纤光缆、中继器与光接收机。
互连与光信号处理器件: 光纤连接器、隔离器、调制器、滤波 器、光开关及路由器、分插复用器ADM等。

光电发射器件课件

光电发射器件课件

感谢观看
THANKS
THE FIRST LESSON OF THE SCHOOL YEAR
阳极
通常采用导电材料,收集产生的 电子并传导至外部电路。
光电发射器件的材料
硅材料
最常见的光电发射器件材 料,具有优良的光电性能 和稳定性。
化合物半导体材料
如砷化镓、磷化铟等,具 有较高的光电转换效率和 较宽的响应光谱范围。
宽禁带半导体材料
如氮化镓、碳化硅等,具 有高击穿电场和高温稳定 性,适用于高功率和高频 率应用。
军事领域
光电发射器件在激光雷达 、导弹制导、夜视仪等领 域有广泛应用。
01
光电发射器件的结 构与特性
光电发射器件的结构光窗阴极通常采用金属材料,负责收集光 子并将其转换为电子。
透明材料,允许光线进入光敏层 。
光敏层
光电发射器件的核心部分,负责 吸收光子并产生电子-空穴对。
光电发射器件的基本结构
包括阴极、光窗、光敏层和阳极 等部分。
倍增
在光电发射器件中,由于碰撞电离等过程,光生载流子数量 不断增加,形成倍增效应。
光电流的产生与
光电流
在电极上收集到的光生载流子形成的光电流。
输出
通过电路将光电流输出,实现光电转换。
01
光电发射器件的制 备工艺
材料制备
材料选择
选择具有高光电转换效率的材料 ,如硅、锗、硫化铅等。
材料纯化
通过提纯技术将材料中的杂质和缺 陷降低到最低限度,以提高器件性 能。
光电发射器件的性 能测试与表征
光电转换效率的测试与表征
光电转换效率
描述光电发射器件将光能转换为电能的效率,通常以电流或电压输 出与输入光功率的比值表示。

第4章光源和光发射机电子通信专业

第4章光源和光发射机电子通信专业

第4章光源和光发射机电子通信专业
第四章 光源和光发射机
在光纤通信中,将电信号转变为光信号是 由光发射机来完成的。
光发射机的关键器件是光源: LED(Light Emission Diode) LD (Laser Diode)
第4章光源和光发射机电子通信专业
第四章 光源和光发射机
4.1 光源 4.2 光发射机
第4章光源和光发射机电子通信专业
•4.1 光源
4.1.2 PN结 同质结 异质结
•1. 半导体导电性
•无论本征半导体,还是掺杂的N型,P型半导体,在外加 电场下均可导电,导电性介于导体和绝缘体之间.
•外电场方向不 影响导电性.
第4章光源和光发射机电子通信专业
•4.1 光源
4.1.2 PN结 同质结 异质结
•导带: •由于热或光的激发,价带中的部分电子挣脱原子束缚
成为自由电子进入价带上面空着的能带,这些电子是 能参与导电的,故称价带上面的能带为导带.
第4章光源和光发射机电子通信专业
•4.1 光源
4.1.1 半导体的能带理论
•电子 •空穴
•激发 •复合
•--导带底能级
•--价带顶能级
•--禁带宽度,能隙
第4章光源和光发射机电子通信专业
•4.1 光源
4.1.1 半导体的能带理论
•1. 能带 •在半导体中,由于邻近原子的作用,电子所处的
能态扩展成能级连续分布的能带。
第4章光源和光发射机电子通信专业
•4.1 光源
4.1.1 半导体的能带理论
•价带: •与原子价电子相应的能带.接近绝对0K时电子均束
缚于价带中,价带以上的能带是空的.
•Donor level

《光电器件》幻灯片

《光电器件》幻灯片
在可见光或探测赤热状态物体时,一般都用硅管。但对 红外线探测时,锗管较为适宜。
伏安特性 当光照时,反向电流随着光照强度的增大而 增大。 频率特性 光敏管的频率特性是指光敏管的输出电流 (或相对灵敏度)随频率变化的关系。 温度特性 光敏管的温度特性是指光敏管的暗电流及光 电流与温度的关系。
光电池
光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”。它实质上 是一个大面积的PN结,当光照射在PN结的一个面,在 结电场的作用下,最后建立一个与光照强度有关的电动 势。
光电耦合器的发光和接收元件都封装在一个外壳内, 一般有金属封装和塑料封装两种。 耦合器常见的组 合形式如下图
图(a)所示的组合形式结构简单、成本较低, 且输出电流较大, 可达100 mA, 响应时间为3~4μs。 图(b)形式结构简单, 成 本较低、 响应时间快, 约为1μs, 但输出电流小, 在50~300 μA之间。图(c)形式传输效率高, 但只适用于较低频率的 装置中。 图(d)是一种高速、高传输效率的新颖器件。对 图中所示无论何种形式, 为保证其有较佳的灵敏度, 都考虑了 发光与接收波长的匹配。
基本特性
光谱特性 光电池对不同波长的光灵敏度是不同的。 光照特性 光电池在不同光照度下,其光电流和光生 电动势是不同的 。
频率特性 硅光电池有较好的频率响应 。
温度特性 光电池的温度特性是描述光电池的开路电压 和短路电流随温度变化的情况。
光电耦合器件
光电耦合器件是由发光元件(如发光二极管)和光电 接收元件合并使用, 以光作为媒介传递信号的光电器件。 光电耦合器中的发光元件通常是半导体的发光二极管, 光电接收元件有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管 或光可控硅等。根据其结构和用途不同,又可分为用 于实现电隔离的光电耦合器和用于检测有无物体的光 电开关。

第4章光通信器件PPT课件

第4章光通信器件PPT课件
Eg Eg
不同的半导体材料有不同的禁带宽度,因而有不同的发射波长
镓铝砷-镓砷(GaAlAs-GaAs)----0.85 μm 铟镓砷磷-铟磷(InGaAsP-InP)----1.3~1.55 μm
It称为阈值电流
32
F-P谐振腔
谐振腔中的电磁场呈驻波分布,谐振腔中的谐振模式分 为纵模和横模
纵模
光波在两个镜面之间来回反射,入射波和反射波叠加会 形成稳定的驻波分布。
轴向形成稳定驻波的条件是两个反射镜之间的距离即腔 体的长度L是腔体中电磁波半波长的整数倍
33
F-P谐振腔
激光振荡的相L位 q条 件 q c:
➢ q:纵模序数(一般不写) ➢ m和n:横模序数
基横模状态TEM00q ,对于一个确定的纵模序数q,谐振 频率是确定的,即每一个纵模序数q对应一条谱线。
多横模条件下,对应确定的纵模序数,谱线将被展宽。
35
F-P谐振腔的损耗
腔内的光强在 数轴 衰向 减 Iz呈 : I0e指 az
腔内能量按指W 数 t衰 W0减 et/: Q
8
半导体晶体的能带
在热平衡状态,能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布
PE
1
1exp
EEf kT
材料的费米能级 Ef 是一个参考能级,E>Ef 的能级,被电子占据
的可能性小于1/2,而对于 E<Ef 的能级,被电子占据的可能性
大于1/2。
能量
导带
Ec Eg/2
Eg
Ef
Eg
Eg/2
Ev
价带
Ec
益大于损耗,此时才能产生激光。因此,LD是一种阈值器件
26
4.4.1 LD的结构
27

第四章光源与光发射机 122页PPT文档

第四章光源与光发射机 122页PPT文档

Ef
价带
(a) 本征半导体
(b) 兼并型P型半导体
Ef
对于重掺杂兼并型N型半导体,由Efc于施主
杂质的掺入(五价元素的杂质),多数
载流子是电子,费米能级进入半导体的
导带。
EEf fv
(c) 兼并型N型半导体
(d) 双兼并型半导体
17.08.2019
广东海洋大学理学院 · 光纤通信
21
§4-2 半导体光源的工作原理
1. 平均发送功率及其稳定度
平均发送功率是指光源尾纤的平均输出光功率, 是在“0”、 “1”码等概率调制的情况下,光发送 机输出的光功率值,单位为dBm。
2. 消光比
消光比定义为全“1”码的输出功率与全“0”码 的输出功率之比,取常用对数,通常用符号EXT表 示:
17.08.2019
广东海洋大学理学院 · 光纤通信
广东海洋大学理学院 · 光纤通信
11
§4-2 半导体光源的工作原理
受激吸收/跃迁:处于低能级上的电子在感应光场的作用 下(感应光子能量为hυ= E2- E1 ),吸收一个光子从低 能级E1跃迁到高能级E2上。
当某物质与外界处在热平衡状态下,低能级的 粒子(电子)数N1总是大于高能级的粒子(电子) 数N2,在这种状态下,有感应光场时,必然是受激 吸收占主要地位,不会出现发光现象,光波经过该 物质时强度按指数规律衰减,光波被吸收。
17.08.2019
广东海洋大学理学院 · 光纤通信
20
§4-2 半导体光源的工作原理
根据费米统计规律,可得各种半导体中电子的统计
分布:
导带
对的穴于掺,禁带重入费掺(米杂三能兼价级并元进型素入的半P型杂导半质体导)的体,价,多带E由f数。低费心于载温米位受流下能置主子,级。杂是本的质空征禁半带导的体中
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

Sv
Ik
780
量纲为mA/lm。
380 Φv,λd
§4.1 光电发射阴极
一、光电发射阴极的主要特性参数
2、量子效率
一定波长的光子入射到光电阴极时,该光电阴极单位时间发
射出去的光电子数Ne,λ,与入射的光子数Np,λ之比为光电阴极的量 子效率ηλ(或称量子产额)。
N e, λ N p, λ
λΦIeλk, //h qSeλ,qhc1
光电发射阴极的灵敏度包括光谱灵敏度与积分灵敏度两类。
(1) 光谱灵敏度
在单一波长辐射作用于光电阴极时,光电阴极输出电流Ik与单色 辐射通量φe,λ之比为光电阴极的光谱灵敏度Se,λ。即
其量纲为µA/W或A/W。S e,
Ik Φ e, λ
§4.1 光电发射阴极
一、光电发射阴极的主要特性参数
1、灵敏度
光电发射阴极的主要作用是吸收光子能量发射光 电子,是我们光电效应发生的区域。
常将半导体发射材料涂于玻壳 内壁,构成光电阴极; 而阳极是金属环或者金属网, 在其对面。 光电阴极是完成光电转换的重要部件,其性能 好坏直接影响整个光电发射器件的性能!!!
§4.1 光电发射阴极
一、光电发射阴极的主要特性参数 1、灵敏度
(2)电子光学系统
电子光学系统是指光电阴极至第一倍增极之间的区域。电子 光学系统在结构上主要由聚焦电极和偏转电极组成。
电子光学系统的作用: (1)使光电阴极发射的光电子尽可能多的会聚到第一倍增极上,
而将其他部分的杂散热电子散射掉,提高信噪比; (2)光电阴极各部分发射的光电子到达第一倍增极所经历的时
侧窗式光电倍增管一般使用反射式光电阴极,而且大多数采 用鼠笼式倍增极结构。
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube) 2、光电倍增管的结构 (1)入射窗结构 ②端窗式光电倍增管
端窗式光电倍增管通常使用半透明光电阴极,光电阴极材料 沉积在入射窗的内侧面。一般半透明光电阴极的灵敏度、均匀性 比反射式阴极好,而且阴极面可以做成各种大小。
瓦片静电聚焦型
K
D2 D4 D6 D8
D10
A
D1 D 3 D 5 D 7 D 9
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube)
2、光电倍增管的结构 (3)电子倍增极
盒栅式
K
D2 D3
D6 D7
D10 D11
D1
D4 D5
A D8 D2
§4.1 光电发射阴极
二、光电发射阴极材料
1、单碱或多碱锑化物光电阴极 (2) 多碱锑化物
②Na2KSb(Cs):锑钾钠铯阴极是三碱阴极中最有实用价值的 一种。它从紫外到近红外的光谱区都具有较高的量子效率,典型 光照灵敏度为150μA/lm;长波限850nm;热电子发射1014~10-16A/cm2,工作稳定性好。
§4.1 光电发射阴极
一、光电发射阴极的主要特性参数
4、暗电流
光电发射阴极中少数处于较高能级的电子在室温下获得了热能 产生热电子发射,形成暗电流。光电发射阴极的暗电流与材料的 光电发射阈值有关。一般光电发射阴极的暗电流极低,其强度相 当于10-16~10-18A/cm-2的电流密度。
§4.1 光电发射阴极
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube) 2、光电倍增管的结构 (3)电子倍增极 ②倍增极结构
根据电子倍增极的结构形式,目前光电倍增管的倍增极分为 六种形式:鼠笼式、瓦片静电聚焦型、盒栅式、百叶窗式、近贴 栅式和微通道板式。
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
2S4eλ,0
量子效率和光谱灵敏度是一个物理量的两种表示方法。
§4.1 光电发射阴极
一、光电发射阴极的主要特性参数
3、光谱响应
光电阴极的光谱灵敏度或量子效率与入射辐射波长的关系曲线 称为光谱响应曲线。
真空光电器件中长波灵敏度极限,主要由光电阴极材料(nm) Eth
二、光电发射阴极材料
1、单碱或多碱锑化物光电阴极 (1) 单碱锑化物 金属锑与碱金属锂、钠、钾、铷、铯中的一种化合,形成具有 稳定光电发射的发射物LiSb、KSb、RbSb、CsSb,其中,以 CsSb阴极的灵敏度最高,是最具有实用价值的光电发射材料。
锑化铯阴极在可见光的短波长和近紫外区(0.3~0.45μm)响 应率最高,长波限在0.65μm附近;光照灵敏度60μA/lx,量子 效率30%,暗电流10-16A/cm2
3)熔融石英:透紫外波长可达160nm,只能做管子的头;
4)蓝宝石;5)氟化镁。
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube) 2、光电倍增管的结构 (2)电子光学系统
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube) 2、光电倍增管的结构
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube)
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube) 2、光电倍增管的结构 (3)电子倍增极 ①倍增极材料
常用的倍增极材料有: 锑化铯:在较低的电压下产生较高的发射系数; 氧化银镁合金(AgMgO[Cs]):可在较强的电流和较高的温度
(150度)下工作
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
一、真空光电管 真空光电管主要由光电阴极和阳极两部分组成,因管内常被
抽成真空而称为真空光电管。
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
一、真空光电管 2、充气型光电管的工作原理
有时为了使某种性能提高,在管壳内也充入某些低气压惰性 气体形成充气型的光电管。
义为倍增极材料的发射系数
N2 N1
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube)
2、光电倍增管的结构 (3)电子倍增极
二次电子发射步骤: 材料吸收一次电子的能量,激发体内电子到高能态,这些被激发 电子称为内二次电子; 内二次电子中初速度指向表面的那一部分向表面运动,在运动过 程中因散射而损失能量; 如果达到界面的内二次电子仍有足以克服表面势垒的能量,即逸 出表面成为二次电子。
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube) 2、光电倍增管的结构 (3)电子倍增极 ②倍增极结构
光电倍增管中倍增极一般由几级到十五级组成,根据电子轨迹 的形式可分为两类:聚焦型和非聚焦型。
凡是由前一倍增极来的电子被加速和会聚在下一倍增极上,在 两个倍增极之间可能发生电子束交叉的结构称为聚焦型;非聚焦 型形成的电场只能使电子加速,电子轨迹是平行的。
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube)
1、光电倍增管的工作原理 光电倍增管主要由光入射窗、光电阴极、电子光学系统、倍
增极和阳极等部分组成。
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube) 2、光电倍增管的结构 (1)入射窗结构
金属导 电层
带孔膜片
第一倍增极
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube)
2、光电倍增管的结构 (3)电子倍增极
①倍增极材料
二次电子发射:具有足够动能的电子轰击某些材料时,材料 表面将发射新的电子,这种现象称为二次电子发射。
通常把二次发射的电子数N2与入射的一次电子数N1的比值定
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube) 2、光电倍增管的结构 (3)电子倍增极 ①倍增极材料
二次电子发射与光电发射的区别:二次发射电子的过程由高 能电子的激发材料产生电子发射,而不是光子激发所致。一般光 电发射性能好的材料也具有二次电子发射功能。
这类管子体积较大,工作电压高达百伏到数百伏,玻 璃外壳容易破碎,它的一般应用目前已基本被半导体 光电器件代替。
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube)
光电倍增管是一种建立在光电效应、二次电子发射和电子 光学理论基础上的,把微弱入射光转换成光电子,并获得倍增 的重要的真空光电发射器件。
§4.1 光电发射阴极
二、光电发射阴极材料
2、银氧铯(Ag-O-Cs)阴极
1934年研制的第一支红外变象 管就采用这种阴极,是最早出现 的实用光电阴极。它的特点是对 近红外辐射灵敏。 银氧铯光电阴极的相对光谱响应曲线有两个峰值,一个在350 nm处,一个在800nm处。光谱范围在300nm到1200nm之间。 量子效率不高,峰值处约0.5%~1%左右。银氧铯使用温度可达 100℃,但暗电流较大,且随温度变化较快。
光电管→被半导体器件取代 光电倍增管
特点:灵敏度高、稳定性好、响应速度快和噪声小 在探测微弱光信号及快速脉冲光信号方面应用很多。
缺点:结构复杂,工作电压高,体积大
本章内容
4.1 光电阴极 4.2 光电管和光电倍增管结构原理 4.3 光电倍增管的主要特性参数 4.4 光电倍增管的工作电路
§4.1 光电发射阴极
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube) 2、光电倍增管的结构 (1)入射窗结构 ③常用窗口材料 1)硼硅玻璃:透射光谱范围从300nm到红外,不适合作紫外辐 射窗口材料,能较好地应用于闪烁计数;
相关文档
最新文档