场效应晶体管放大电路
场效应管原理及放大电路
图6-47 分压式偏置电路
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场效应管原理及放大电路
图6-47为分压式偏置电路,RG1和RG2为分压电阻。 栅-源电压为(电阻RG中并无电流通过) (6-24) 式中,UG为栅极电位。对N沟道耗尽型场效应管,UGS为负值,所以RSID>UG;对N沟道增强型场效应管,UGS为正值,所以RSID<UG。 当有信号输入时,我们对放大电路进行动态分析,主要是分析它的电压放大倍数及输入电阻与输出电阻。图6-48是图6-47所示分压式偏置放大电路的交流通 路,设输入信号为正弦量。 在图6-47的分压式偏置电路中,假如RG= 0,则放大电路的输入电阻为
故其输出电阻是很高的。在共源极放大电路中,漏极电阻RD和场效应管的输出电阻rDS是并联的,所以当rDS ro≈RD (6-26)
RD时,放大电路的输出电阻
这点和晶体管共发射极放大电路是类似的。 输出电压为 (6-27) 式中 ,由式(6-23)得出 。
电压放大倍数为
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场效应管原理及放大电路
图6-43 N沟道耗尽型场效应管的输出特性曲线
图6-44 N沟道耗尽型场效应管的转移特性曲线 以上介绍了N沟道绝缘栅场效应增强型和耗尽型管,实际上P沟道也有增强型和耗尽型,其符号如图6-45所示。
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场效应管原理及放大电路
(6-28) 式中的负号表示输出电压和输入电压反相。 【例6-7】 在图6-47所示的放大电路中,已知UDD=20 V,RD=10 kΩ,RS=10 kΩ,RG1=100 kΩ,RG2=51 kΩ,RG=1 MΩ,输出电阻为RL=10 kΩ。场效应管的 参数为IDSS=0.9 mA,UP= 4 V,gm=1.5 mA。试求:(1)静态值;(2)电压放大倍数。 解:(1) 由电路图可知
场效应晶体管放大电路的分析方法
VDD
R g1
Rd
VT + C2
C1 +
U i Rg2
R
RL
+
Uo
CS
VDD
Rd
VT
+ C2
C1 +
U i RG2
R
RL
+
Uo
CS
图02.05.02 分压偏置
图02.05.03 自给偏压
HIT基础电子技术电子教案----场效应晶体管放大电路的分析方法
2006.06
图02.05.04是N沟道FET的转移特性曲线,对于图(a)耗尽
对图02.05.07的放大电路可根据下列方程式进行图解
iD f (uGS)
uGS iDR
ID
Q
UGS (off)
O
UGSQ
I DSS
IDQ
UGS
直线方程 uGS =- iDR 与输入特性曲线的交点即 是工作点Q。
由工作点Q,即可确 定UGSQ 和IDQ。
图02.05.07 在输入特性曲线上图解
HIT基础电子技术电子教案----场效应晶体管放大电路的分析方法
型FET应偏置在负栅区,对于图(b)增强型FET应偏置在正栅
区。N沟道耗尽型FET放大电路,可采用分压偏置外,也可采
用自给偏压。采用自给偏压时,Rg2中无电流,所以UG=0。在 负栅区因IDSS>0,故US>0,于是UGS=UG-US = - ID R,可满 足负偏压的要求。对于增强型管,因UGS=0时,ID=0 ,故不能 采用自给偏压。
Rs Us
U i
如果放大电路采用增强型场效应管,则栅源电压
VDD
R g1
Rd
场效应晶体管及其放大电路
场 效 应 管 放 大
➢结型场效应管为
反极性偏置
电 路
C1 vI RG
TRL vO
➢耗尽型MOS场效
应管两者均可 自给偏压适用于结 型或耗尽型管
自给偏压式偏置(二)
VDD
C1
RD RCD 2 DT
vI RG RGS vs VGSO
B SCS
RL
VDD 在本集级成放大电电路RD中路的,VDD
截止区:vGS VGS (off )
第 一
可变电阻区:
节 :
vGS VGS (off )
场
0 vDS (vGS VGS (off ) )
饱和(恒流)区:
效 应 管
vGS VGS (off ) vDS (vGS VGS (off ) )
iD
kp 2
W L
(vGS
VGS (off ) )2
饱和漏极电流
iD / mA
节 :
结
变 I DSS 电
vGS 0V
恒 1 击
I DSS
型
场
效
阻 区
流 区
2 3
穿 夹断电压 区
应 管
4 vDS /V
VGS (off )
vGS /V 0
场效应管的微变信号模型
源极 栅极 漏极
SGD
g
SiO2
耗尽层
Vgs
N
N
P型衬底 B
g
Vgs
Cgb
s
gmVgs
sb
输入端直流偏置
vO vo
通的必电常要输平CGR由时出移1 G提 动前 加DS供 单级 入B 电 直元,路 流vo v称i 这R种2 偏置RS方式
mosfet差分放大电路 跨导
篇首1. 概述MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)差分放大电路是一种常用的电子器件,在各种电路中广泛应用。
其跨导是衡量MOSFET差分放大电路性能的重要参数之一。
本文将对MOSFET差分放大电路和跨导进行详细讨论。
2. MOSFET差分放大电路的基本原理MOSFET差分放大电路是由MOSFET管构成的,其基本原理是利用MOSFET的场效应实现放大作用。
该电路包含两个输入端和一个输出端,输入信号通过两个输入端分别输入到两个MOSFET管中,经过放大处理后输出到输出端。
具体的放大原理将在下文详细阐述。
3. MOSFET差分放大电路的结构MOSFET差分放大电路的结构包括两个MOSFET管和若干电阻、电容等元件构成。
其中,两个MOSFET管分别作为放大器的输入端,承担信号的放大工作。
各种元器件之间通过电路连接在一起,构成完整的差分放大电路。
下文将对具体的结构进行详细介绍。
4. MOSFET差分放大电路的工作原理MOSFET差分放大电路的工作原理是利用MOSFET管的场效应特性进行信号放大。
当输入信号作用在MOSFET管上时,根据场效应的不同,MOSFET管的导通特性发生相应的改变,导致输出信号的放大。
具体的工作原理将在下文中解释。
5. 跨导的概念及其在MOSFET差分放大电路中的应用跨导是指输出电流与输入电压之间的增益关系。
在MOSFET差分放大电路中,跨导是衡量其放大性能的重要参数。
通过对跨导的计算和分析,可以评估MOSFET差分放大电路的放大能力和稳定性。
下文将对跨导的概念和在MOSFET差分放大电路中的应用进行详细介绍和分析。
6. MOSFET差分放大电路的性能分析MOSFET差分放大电路的性能分析是对其跨导、增益、输入阻抗等性能指标进行评估和测试。
通过对性能的分析,可以了解MOSFET 差分放大电路的优缺点,为其在实际应用中的选择和优化提供参考。
下文将对MOSFET差分放大电路的性能分析进行详细阐述。
场效应晶体管及其放大电路PPT
(3) 在N沟道JFET中,uGS和UGS(off)均为负值。
在P沟道JFET中,uGS和UGS(off)均为正值。
3.1.3
结型场效应管的伏安特性
+ + – –
在正常情况下,iG =0,管子无输入特性。
1.输出特性(漏极特性)
+ +
6
4
2
可 变 电 阻 区
–
–
放大区
特性曲线
0
10
20
截止区
6
(2)当管子工作于恒流区时,转移特性曲线基本重合。
I DSS
当管子工作于恒流区时
uGS 2 iD I DSS (1 ) U GS(off)
I DSS iD uGS 0 V
uDS U GS(off)
称为零偏漏极电流
3.1.4
结型场效应管的主要电参数
1.直流参数
(1) 夹断电压UGS(off)
=0
G D
+ + P P
UGS(off)——
栅源截止电压 或夹断电压
N型导电沟
N
道
P+
当uDS=0时,uGS对沟道的控制作用动画演示
2.当uGS =0时,uDS对沟道的控制作用 – S =0 G + D
P+
N型导电沟
N
道
P+
a.0<uDS<|UGS(off)|
(a) 漏极电流iD≠0 uDS增大,iD增大。 (b) 沿沟道有电位梯度 (c)沿沟道PN结 反偏电压不同
– S =0 G
+ D
P+
N型导电沟
uDS 道
N
晶体管及其小信号放大-场效应管放大电路
传感器信号的特点
传感器输出的信号通常比较微弱,容易受到噪声干扰的影响 。为了准确获取传感器数据,需要使用晶体管和场效应管放 大电路对信号进行放大和噪声抑制。
放大电路的作用
通过适当的信号放大,可以增强传感器信号的强度,降低噪 声干扰的影响,提高信号的信噪比,从而获得更准确、可靠 的传感器数据。
THANKS
3
图解分析法
通过图形直观地分析晶体管的工作状态和性能指 标。
03
场效应管放大电路
BIG DATA EMPOWERS TO CREATE A NEW
ERA
场效应管放大原理
场效应管通过改变输入电压来控 制输出电流,从而实现放大功能。
场效应管具有输入阻抗高、噪声 低、热稳定性好等优点,适用于
小信号放大。
无线通信系统中的信号放大
无线通信系统
在无线通信系统中,信号传输距离较 远,信号强度会逐渐减弱。为了确保 信号的稳定传输,需要使用晶体管和 场效应管放大电路对信号进行放大。
信号质量与可靠性
通过适当的信号放大,可以增强无线 信号的强度,提高信号传输的可靠性 和稳定性,确保通信系统的正常运行 。
传感器信号的放大处理
输出级
负责将放大的信号进行功率放 大,提供足够的输出功率。
电压放大级
位于输入级和输出级之间,对 信号进行进一步放大。
偏置电路
为晶体管提供合适的静态工作 点,确保放大器正常工作。
晶体管放大电路的分析方法
1 2
直流通路分析法
在静态工作点下分析电路的直流工作状态和性能 指标。
交流通路分析法
在动态工作状态下分析电路的交流工作状态和性 能指标。
场效应管放大电路的放大倍数由 场效应管的跨导和电阻决定。
MOS管放大电路
同相放大器的特点是输入阻抗低、输出阻抗高,因此具有良好的驱动能力。它通 常由一个运算放大器和两个电阻构成,其输出电压与输入电压成比例,且放大倍 数由两个电阻的比值决定。
差分放大器
总结词
差分放大器是一种用于放大差分信号的电路,其输出信号与两个输入信号之差成正比。
详细描述
差分放大器的特点是抑制共模信号、放大差分信号,因此具有较高的抗干扰性能。它通 常由两个对称的放大电路组成,分别对两个输入信号进行放大,然后通过减法器得到差
易于集成
由于MOSFET是平面结构,易 于集成到集成电路中,有利于 减小放大电路的体积和重量。
MOS管放大电路的应用场景
音频放大
用于放大音频信号,如扬声器、 耳机等。
电源管理
用于调整和放大电源电压,如直流 /直流转换器等。
信号放大
用于放大各种传感器输出的微弱信 号,如压力、温度、光等传感器。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
02
输出阻抗匹配的目的是使放大电路的输出信号能够有效地传输到负载,同时避免信号的损失或失真。通过选择适 当的输出阻抗元件,可以使得放大电路的输出阻抗与负载阻抗相匹配。
带宽与增益的权衡
带宽
带宽是指放大电路能够处理的信号频 率范围。在设计和优化MOS管放大电 路时,需要考虑所需的带宽,并选择 适当的元件和电路拓扑以实现所需的 频率响应。
的调节。
电容器
01
电容器是一种储能元件, 由两个平行板中间填充 绝缘介质构成。
02
它具有隔直流通交流的 特性,常用于滤波、耦 合、旁路等电路中。
03
根据介质类型和结构, 电容器可分为固定电容 器和可变电容器两大类。
04
在MOS管放大电路中, 主要使用固定电容器, 用于实现信号耦合和滤 波等功能。
场效应晶体管放大电路
• 类似的电路也可用于机床的安全保护,如果人手伸入了危险部位, 挡断了光源,控制电路就马上动作,切断电源,保护操作人员。形形 色色的半导体敏感器件配合晶体管的放大作用,构成了电工设备中各 种各样的控制电路。
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第一节 放大器的基本概念
• 图7一2所示的电路接有12V电源,放大器接电源才能工作。电路中 的硅光电池只提供了微小的晶体管基极电流,使继电器动作所需的较 大电流即晶体管集电极电流不是硅光电池提供的,而是从电源供给发 射极,从发射极流到集电极再流过继电器的。使继电器动作的输出功 率比硅光电池输入的功率大得多,它是从电源所提供的电能中转化来 的。由于基极电流对集电极电流有控制作用,所以硅光电池能以微小 的功率变化来控制由电源提供给继电器的较大功率变化。
• 放大电路的核心是晶体管,晶体管的三个电极可分别作为输入信号 和输出信号的公共端,所以就有共发射极、共集电极和共基极三种接 法,如图7一3所示。本章主要讨论共发射极和共集电极两种放大电路。
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第一节 放大器的基本概念
• 二、放大电路的要求 • 1.有一定的输出功率 • 在路灯自动开关的实例中,当光照很弱时,电路的输出功率不足以
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第一节 放大器的基本概念
• 3.失真要Biblioteka • 凡包含放大器的仪器设备,如示波器、扩音机等,都要求输出信号
电子电工学——模拟电子技术 第五章 场效应管放大电路
场效应管正常工作时漏极电流的上限值。
2. 最大耗散功率PDM
由场效应管允许的温升决定。
3. 最大漏源电压V(BR)DS 当漏极电流ID 急剧上升产生雪崩击穿时的vDS值。
4. 最大栅源电压V(BR)GS
是指栅源间反向电流开始急剧上升时的vGS值。
5.2 MOSFET放大电路
场效应管是电压控制器件,改变栅源电压vGS的大小,就可以控制漏极 电流iD,因此,场效应管和BJT一样能实现信号的控制用场效应管也 可以组成放大电路。
场效应管放大电路也有三种组态,即共源极、共栅极和共漏极电路。
由于场效应管具有输入阻抗高等特点,其电路的某些性能指标优于三极 管放大电路。最后我们可以通过比较来总结如何根据需要来选择BJT还
vGS<0沟道变窄,在vDS作用下,iD 减小。vGS=VP(夹断电压,截止电 压)时,iD=0 。
可以在正或负的栅源电压下工作,
基本无栅流。
2.特性曲线与特性方程
在可变电阻区 iD
Kn
2vGS
VP vDS
v
2 DS
在饱和区iD
I DSS 1
vGS VP
2
I DSS KnVP2称为饱和漏极电流
4. 直流输入电阻RGS
输入电阻很高。一般在107以上。
二、交流参数
1. 低频互导gm 用以描述栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用。
gm
iD vGS
VDS 常数
2. 输出电阻 rds 说明VDS对ID的影响。
rds
vDS iD
VGS 常数
3. 极间电容
极间电容愈小,则管子的高频性能愈好。
三、极限参数
D iD = 0
晶体管及其小信号放大-场效应管放大电路
22
几种常用的场效应三极管的主要参数
参 数 PDM
IDSS
型号
mW mA
VRDS VRGS VV
VP gm
fM
V mA/ V MHz
3DJ2D 100 <0.35 >20 >20 -4 ≥2 300
场效应晶体管(FET)
• 电压控制器件 • 多子导电 • 输入阻抗高,噪声低,热稳定好,抗辐射,工
艺简单,便于集成,…应用广泛
1
§4 场效应晶体管及场效应管放大电路
§4.1 场效应晶体管(FET)
FET 场效应管
JFET 结型
IGFET
N沟道 (耗尽型)
P沟道
增强型
N沟道 P沟道
绝缘栅型
耗尽型
N沟道 P沟道
7
三、特性曲线和电流方程
1. 输出特性 2. 转移特性
iD f (v ) DS vGSconst.
iD f (v ) GS vDS const.
iD
I
DSS
(1
vGS VGS(off)
)2
(VGS(off) vGS 0)
U UGD GS (off ) =
(饱和区)
夹断区
U GS (off )
输出特性曲线
ID=f(VDS)VGS=const
VGD=VGS(th)
(饱和区)
夹断区
14
转移特性曲线
ID=f(VGS)VDS=const
iD
I
DO
( vGS VGS(th)
场效应管放大电路
场效应管放大电路场效应管放大电路与双极型晶体管放大电路类似,也有与之对应的三种基本组态:共源(共射)、共漏(共集)和共栅极(共基极)。
1.直流偏置及静态分析场效应管放大电路有两种常用的直流偏置方式:自给偏压和分压式偏置。
由于耗尽型(包括结型)管子在时就有漏极电流,利用这一电流在源极电阻上产生的电压给管子供应直流偏置,因此自给偏压仅适合于耗尽型管子。
分压式偏置方式,利用分压电阻供应的栅极直流电位和源极电阻上产生的直流压降共同建立栅源间极的直流偏置。
调整分压比可以使偏置电压为正或为负,使用敏捷,适合于各种场效应管。
场效应管放大电路的静态分析有图解法和解析法两种。
图解法与双极型晶体管放大电路的图解法类似,读者可对比学习。
解析法是依据直流偏置电路分别列出输入、输出回路电压电流关系式,并与场效应管工作在恒流区(放大区)漏极电流和的关系联立求解获得静态工作点。
2.动态分析场效应管放大电路的动态分析也有图解法和微变等效电路法两种。
它与双极型晶体管放大电路的分析法类似,读者可对比学习。
在双极型晶体管放大电路动态分析中,通常给出了管子的β值,而在场效应管放大电路分析中则需要利用解析法计算跨导gm。
例如耗尽型管子的由下式求得:上式表明gm与IDQ有关,IDQ越大,gm也就越大。
3.三种基本放大电路的特点场效应管放大电路的组态判别与双极型晶体管放大电路类似此处不再赘述。
三种基本放大电路的性能特点如表1所示。
表1 场效应管三种基本放大电路的性能特点共源极共漏极共栅极输入电阻大大小输出电阻较大小较大电压放大倍数大小于等于1大uo与ui的相位关系反相同相同相。
场效应晶体管放大电路
N
N
G
P+ P+
UDS G
P+ P+
UDS
UGS
S
S
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Sect
3.1.2 JFET特性曲线
1. 输出特性曲线:
iD f (U DS )∣ UGS const
可变电阻区 线性放大区 ID=gm UGS 击穿区
2. 转移特性曲线:
ID
I
DSS
(1
U GS UP
)
2
IDSS:饱和栅极漏极电流,
着源极、栅极的次序焊在电路上; • 电烙铁或测试仪表与场效应晶体管接触时,均
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各种场效应管所加偏压极性小结
结型
N沟道(uGS<0) P沟道(uGS>0)
场效应管
绝缘栅型
增强型
耗尽型
PN沟沟道道((uuGGSS<>00)) N沟道(uGS极性任意) P沟道(uGS极性任意)
uo
u gs
g m u gs
u ds
S
GD
Id
RG
Ui
Ugs
gm Ugs RD
RL
Uo
R2
R1
S
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动态分析:
G
电压放大倍数
Id
RL
D
RG
Ugs
Ui R2R1RD g源自 UgsRL Uo•
•
Ui Ugs
S
ri
•
ro
Au gm R'L
•
•
Uo gm Ugs (RD // RL )
ID(mA)
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UGS=6V
场效应管结合晶体管前置放大电路_概述及解释说明
场效应管结合晶体管前置放大电路概述及解释说明1. 引言1.1 概述场效应管和晶体管是电子学中常用的两种器件,它们在现代电路设计中起着重要的作用。
场效应管通过调控栅极电压来控制源极与漏极之间的导通状态,而晶体管则利用控制基极-发射极电压来控制集电极-发射极之间的导通状态。
这两种器件有着不同的工作原理和特性,但都可以被用来实现放大功能。
1.2 文章结构本文将围绕场效应管结合晶体管前置放大电路展开讨论。
首先,我们会介绍场效应管和晶体管的基本原理,包括它们的工作原理、特点和应用领域。
接下来,我们会概述前置放大电路的定义、用途以及常见分类及特点。
最后,我们会详细解析场效应管结合晶体管前置放大电路,包括其结合原理与优势、电路示意图及元件选型说明以及工作过程和信号增益分析。
1.3 目的本文旨在介绍场效应管结合晶体管前置放大电路,并对其原理和特点进行详细说明。
通过阅读本文,读者将能够了解场效应管和晶体管的基本原理、前置放大电路的概述,以及如何设计和分析场效应管结合晶体管前置放大电路。
同时,我们也希望能够展望该技术在未来的发展方向,为读者提供对电子学领域中这一重要电路的深入理解和应用的启示。
2. 场效应管和晶体管的基本原理:2.1 场效应管的工作原理:场效应管,也称为晶体管场效应管(FET),是一种三极电子器件。
它由沟道、栅极和漏源组成。
在工作时,栅极施加的电压可以控制沟道中电子的浓度,从而改变漏源之间的电流流动情况。
场效应管有两种主要类型:增强型(n通道与p通道)和耗尽型(n通道与p通道)。
增强型FET的工作原理如下:当栅极电压低于临界值时,沟道中存在很少数量的载流子;而当栅极电压高于临界值时,会形成一个导电通路并产生大量的载流子。
因此,在增强型FET中,栅极电压对沟道中载流子浓度和导电性能起到关键影响。
2.2 晶体管的工作原理:晶体管是一种用于放大信号和控制电流流动的半导体器件。
它由三个区域组成:发射区(Emitter)、基区(Base)和集电区(Collector)。
mosfet的放大电路工作原理
mosfet的放大电路工作原理
一、mosfet放大电路的基本原理
mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)放大电路是一种常见的电子设备,其工作原理基于半导体材料的特性。
在mosfet放大电路中,输入信号通过栅极控制源极和漏极之间的电流,从而实现信号的放大。
二、mosfet放大电路的组成
mosfet放大电路通常由电源、输入信号源、mosfet管、负载和反馈电路等部分组成。
电源为mosfet提供工作电压,输入信号源产生需要放大的信号,mosfet管作为放大器件,负载将放大的信号输出,反馈电路则用于稳定输出信号。
三、mosfet放大电路的工作过程
mosfet放大电路的工作过程可以分为三个阶段:静态工作状态、动态工作状态和反馈控制。
在静态工作状态下,电源为mosfet提供合适的偏置电压,使管子处于预定的导通状态。
在动态工作状态下,输入信号通过栅极控制源极和漏极之间的电流,产生放大的输出信号。
反馈控制则通过反馈电路对输出信号进行检测和调整,以保证输出信号的稳定性和准确性。
四、mosfet放大电路的特点
mosfet放大电路具有高输入阻抗、低噪声、宽频带和高效能等特点。
高输入阻抗可以减小信号源的负担,提高信号传输质量。
低噪声
和宽频带特性使得mosfet放大电路在通信、雷达和音频等领域有广泛应用。
而高效能则有助于降低设备的能耗和发热量,提高设备的使用寿命和稳定性。
总结:本文详细介绍了mosfet放大电路的工作原理、组成、工作过程和特点。
通过深入理解这些内容,有助于更好地应用mosfet 放大电路,提高电子设备的性能和稳定性。
场效应管放大电路及多级放大电路
展望
随着电子技术的不断发展,场效应管放大电路和多级放大电路的性能将不 断提升,应用领域也将不断扩大。
未来研究将更加注重电路的集成化、小型化和智能化,以提高系统的可靠 性和稳定性。
在实际应用中,需要不断优化电路设计,提高放大倍数、降低噪声、减小 失真等性能指标,以满足不断增长的技术需求。
THANKS
高增益
多级放大电路具有较高的电压和 功率放大倍数,能够实现较大的 信号增强。
复杂性高
多级放大电路结构复杂,设计和 调试难度较大,同时对元件性能 要求较高。
稳定性好
通过负反馈和动态平衡机制,多 级放大电路具有较好的稳定性。
适应性强
多级放大电路可以根据实际需求 灵活设计各级的组成和参数,以 适应不同应用场景。
放大电路的重要性
放大电路是电子系统中的重要组成部 分,用于将微弱的信号放大到足够的 幅度,以满足各种应用需求。
在通信、音频处理、自动控制系统等 领域,放大电路发挥着至关重要的作 用。
Part
02
场效应管放大电路
场效应管的工作原理
电压控制器件
场效应管依靠电场效应控 制半导体导电能力,输入 电压控制输出电流。
STEP 03
偏置电路
为场效应管提供合适的偏 置电压,以调整放大电路 的性能。
将放大的信号从漏极输出, 通过负载电阻转换成电压 信号。
场效应管放大电路的特点
高输入阻抗
场效应管具有很高的输入阻抗, 减小了信号源的负担。
易于集成
场效应管易于集成在集成电路中, 减小了电路体积并提高了稳定性。
低噪声性能
场效应管内部热噪声较低,提高 了放大电路的信噪比。
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场效应管放大电路
第4章 场效应管放大电路
淮阴师范学院物理与电子电气工程学院
4.1 场效应管
4.1.1 4.1.2 4.1.3 4.1.4 4.1.5 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 结型场效应管 场效应管的主要参数 各种场效应管的特性比较 场效应管使用注意事项
退出
淮阴师范学院物理与电子电气工程学院
4.1 场效应管
场效应管的分类:
N沟道
P沟道
FET 场效应管
耗尽型 N沟道
N沟道
P沟道
(耗尽型)
P沟道
增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道 耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在
退出
淮阴师范学院物理与电子电气工程学院
4.1.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET),是由金属(铝)、 氧化物(二氧化硅)及半导体材料构成的,简称MOS管,又称绝 缘栅场效应管 (IGFET)。 1. N沟道增强型MOS场效应管 (1) 结构 漏极 d 源极 S 栅极 g
1)输出特性 ② 可变电阻区 图4.1.3中的虚线为预夹断 临界点轨迹,它是各条曲 线上 vDS vGS VT 的点连 接而成的。 在此区域内,漏、源之间 可看成受vGS控制的可变电阻, 故称为可变电阻区。
图4.1.3 N沟道增强型MOS管的输出特性
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1)输出特性 ② 可变电阻区
•耗尽型MOS管特性曲线分为截止区、可变电阻区 和饱和区。 •N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为负值。 •N沟道增强型MOS管的开启电压VT为正值。
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耗尽型MOSFET的电流方程:
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2.7.2 共漏极放大电路
• 晶体管放大电路不能放大十分微弱且内阻又较大的信号, 这是因为晶体管本身的输入电阻很小。 • 场效应晶体管的输入电阻极高(最高可以1015Ω),几乎 不吸取信号源电流,而且也具有放大作用。所以,场效应 晶体管组成放大电路能很好的解决上述问题。 场效应晶体管特点: 输入电阻极高, 功耗低,温度稳定性好、噪声低、 抗辐射能力强、制造工艺简单、便于集成。 场效应晶体管放大电路三种组态:
漏极负载电阻 RD 的作用:
把 iD 的变化变为 uDS 的变化
相当于晶体管放大电路中的RC 。
栅极电阻 RG 的作用:
提供负的栅极偏置电压。
源极电阻 RS 的作用:
提供负栅偏压。
(2)电路分析
1)静态分析
U GQ 0V
U SQ I DQ RS
U GSQ U GQ U SQ 0 I DQ RS I DQ RS
模拟电子技术
吴晓燕
项目描述
助听器是针对耳聋患者或上了年纪的老人设计的 一种提高声音强度的装置,它可以帮助听力障碍患者
充分利用残余听力,进而补偿听力损失。助听器主要
由三个部分组成:传声器、放大器和耳机。
任务2-7 场效应管放大电路的设计
任务引入
• 简易助听器能对输入信号进行放大,用三极管可以 构成基本放大电路,场效应管能代替电路中的三极 管吗?它是怎样工作的?
1 gm
1 Ro RS // gm
特别强调
场效应晶体管的放大能力比晶体管差,共源放大电 路的电压放大倍数的数值只有几到十几,而共射放大电 路电压放大倍数的数值可达百倍以上。另外,由于场效 应晶体管栅源之间的等效电容只有几皮法到几十皮法, 而栅源电阻又很大,若有感应电荷则不易释放,从而形 成高电压,以至于将栅源间的绝缘层击穿,造成管子永 久性损坏。因此,使用时应注意保护。目前很多场效应 晶体管在制作时已在栅源之间并联了一个二极管以限制 栅-源电压的幅值,防止击穿。
Ri RG RG1 // RG2 10 0.2 // 0.3 10.12MΩ
Ro RD 5kΩ
2.7.2 共漏极放大电路
C1
R1
D
+VDD S C2 + RS
+ ui
G RG
R2
RL
+ uo
共漏放大电路(源极跟 随器)特点: 输入阻抗高、输出电阻 低,放大倍数小于并且 接近l。
知识目标
• 理解共源极放大电路的结构与工作原理; • 熟悉共漏极放大电路的结构与工作原理; • 了解共栅极放大电路的特点。
能力目标
• 会画场效应管放大电路。 • 能画场效应管放大电路的交直流通路并 分析计算静态工作点、交流参数。 • 会测量共源极放大电路、共漏极放大电 路的电压、电流波形。
素质目标
(1)静态分析 +VDD R2
D S G
R2 U GSQ R R VDD I DQ RS 1 2 U GSQ 2 I DQ I DO ( 1) U GS (th)
RG R1
RS
U DSQ VDD I DQ RS
解上述方程便可求出静态工作点。
(2)动态分析
I DQ U GSQ I DSS 1 U GS(off)
2
由方程组求得:
U DSQ VDD I DQ RD RS
自给偏压电路仅适用于耗尽型场效应晶体管
I DQ
、U GSQ
2)场效应晶体管的微变等效电路
从输入端口看入,相当于电阻 rgs()。
从输出端口看入为受ugs 控制的电流源。
3)动态分析
Uo Au Ui
' g mU gs RD
U gs
' D
' g m RD
R RD // RL
Ri RG
R o RD
2.分压式共源极放大电路
(1)电路组成
1)静态分析
U SQ I DQ RS
U GSQ
I DQ
2
R1 U GQ VDD R1 R2
• 培养学生应用理论知识分析和解决实际问题的能 力; • 具有良好的团队意识和处理人际关系的能力; • 具有良好的沟通和交流能力; • 具有良好的资料整理能力。
相)场效应管的输入输出特性。
3)场效应管与晶体三极管的区别。
2.7 场效应晶体管放大电路
2.7.1 共源极放大电路
Ri
Ro Ro
gmugs ( RS // RL ) uo gm RS Au 1 ui ugs gmugs ( RS // RL ) 1 gm RS
Ri RG R1 // R2
U o Ro Io
U i 0 RL
U gs g mU gs
Uo Au g m RL Ui
Ro RD
Ri RG R1 // R2
例2-4 已知UGS(th)=2V, IDO=1.9mA,gm=1.38ms求: (1)估算静态工作点Q。 (2)求Au、Ri、Ro。 解:(1)静态工作点:
RG2 U VDD I DQ RS GSQ RG1 RG2 200 ( 15) 2.5k I DQ 300 200 6 2.5k I DQ V I I ( U GSQ 1) 2 1.9 (U GSQ - 1)2 mA D0 DQ U GS (th) 2V
共源、共漏、共栅
2.7.1 共源极放大电路
场效应晶体管放大电路的分析方法与晶体管放大电路相同。 常用的共源极放大电路有两种: 自给偏压式共源放大电路、分压式共源放大电路。 1. 自给偏压式共源放大电路
(1)电路组成
+VDD ID D C1 + . Ui - G S RG RS CS - T + . Uo RL RD C2
解联立方程得:
U GSQ 3.5V
I DQ 1mA
UDSQ VDD IDQ (RD RS ) 15 1 (5 2.5) 7.5V
(2)交流参数
RD // RL 5 // 5 2.5k RL
1.38 2.5 3.45 Au gm RL
R1 VDD I DQ RS R1 R2
U GSQ I DO 1 U GS (th)
U DSQ VDD I DQ RD RS
由方程组求得:
I DQ
、U GSQ
2)动态分析
U gs U i
g mUi RL U o I D ( RD // RL ) g mU gs RL