《数字集成电路基础》13 TTL

⑤平均传输延迟时间tpd ⑥ 导通延迟时间tpHL：Vi上升沿的中点到VO 下降沿的中点
⑦ 截止延迟时间tpLH：Vi下降沿中点到VO上 升沿中点
td＝t1－t0，即T2开始导通所需的时间。
② 下降时间tf：
③ VO从高电平下降 到低电平所需要的 时间。即T2从开始 导通到达到饱和所 需的时间。
④
tf＝t2－t1
③ 存贮时间ts：
④
VI下跳到VO开始上升所需的时间：ts=t4-t3
④ 上升时间tr：
⑤
VO从低电平上升到高电平所需的时间：tr=t5-t4
各工作区中结的偏置情况和电流关系
发射结偏置 集电结偏置 电流关系
正向放大区 VBE>0（正偏）
工作区
反向放大区
饱和区
VBE<=0(反偏） VBE>0（正偏）
截止区 VBE<0(反偏)
VBC<=0(反偏） VBC>0(正偏） VBC>=0（正偏） VBC<0（反偏）
IC＝βIb
IC＝βRIb
IC<=βIb
1、“关 态”：
2、“开 态”：
二、电压传输特性
表示输出电压Vo和输入电压 Vi之间的关系 当Vi<ViL时，Vo＝VOH 关态 当Vi>ViH时，Vo＝VOL 开态 当ViL<Vi<ViH时，输出不稳 定 VL 逻辑摆幅 VW 过渡区宽度
三、TTL门电路的主要参数
除了上面介绍的VOH、VOL、 ViL、ViH外，主要还有IiL、 IiH、VN、NO、PC及tpd 1、IiL－－输入短路电流 IiH－－输入漏电流（又称为 高电平输入电流） IiH由三个部分组成 ① Ipn ② IcL ③ Icv
这时输出为高电平，带多了高电平会不合格
VOH=VCC － IOHR2 =VCC－NOHIIHR2
NOH= (VCC －VOH)/IIHR2
IIH较小， NOH一般可以
达几十。
NOL：开态时的扇出系数,受VOL的限制 VOL=VCES2=VCES20+IC2RCS2
VCES20=0.1-0.3V,可忽略
VOL=IC2RCS2 IC2＝IR2+NOLIIL 改善途径：
4、静态功耗：反映了电路自身消耗的电功率。由于VCC一 般是固定的，所以可以用电源电流来表征功耗的大小
① 空载导通电源电流ICCL： ② 空载截止电源电流ICCH： ③ 平均静态功耗 Pc：
5、瞬态特性 ① 延迟时间td：Vi开始上跳到Vo开始下降的时间，即
IBS
IB
VCC
RL
饱和深度S IB IB
I BS Icsa
② 截止区：IB＝IEBO＋ICBO
2-2 TTL门电路的工作原理和基本参数
一、简易TTL门的工作原理
多发射结晶体管：
• 约定（记住）：
(1)晶体管正向工作，发射结正向压降：Vbef=0.7V 饱和：Vbes=0.7 0.8V, IB ,Vbes (2)集电结正向压降：Vbcf=0.6 0.7V (3)取VCES1=0.1V，其余各管VCES=0.3V
第二章 双极型逻辑门电路
双极型逻辑门电｛路 TTL (Transistor-Transistor Logic) ECL(Emmitor Coupled Logic) I2L (Integred-Injection Logic)
二、晶体管的工作状态
晶体管的工作状态完全由 直流偏置情况决定，如图 可分为三个区。当晶体管 处于反向运用状态时，也 同样存在以上三个区，但 截止区和饱和区是一样的。 只讨论反向放大区即可。
IC=ICE≈0
① 饱和区： ② Vi>VBB时，IC随着IB的增大而上升，VCE随着IC的增大而下降。 ③ 当VCE=VCC-IC·RL=VBE时，进入临界饱和状态：
I csa
VCC
临界饱和压降 RL
VCC RL
临界饱和电流I BS
④
Icsa
VCC
RL
若I B
IBS，则过驱动电流IBX
IB
2、噪容：VN，表示抗干扰能力 VN＝min｛VNML，VNMH｝ VNML：电路输入为低电平时， 干扰信号的最大幅度 VNMH：电路输出为低电平时， 输入端干扰信号的最大幅度
电பைடு நூலகம்平移
3、扇出系数NO：表示电路的负载能力，即推动同类门 的能力：
NO=min｛NOL,NOH｝ NOH：关态时的扇出系数