模拟电子技术基础试卷1答案
福建省中等职业学校学业水平考试《电子技术基础》等级性考试模拟试卷1(附答案)
福建省中等职业学校学业水平考试《电子技术基础》等级性考试模拟试卷1一、单项选择题1. 二极管的反向饱和电流大小主要取决于:A. 温度B. 材料C. 结构D. 电压2. 以下哪种二极管适用于高频率电路?A. 整流二极管B. 稳压二极管C. 发光二极管D. 检波二极管3. 三极管的放大作用主要是利用其哪个区域的放大效应?A. 发射结B. 基区C. 集电结D. 饱和区4. 在共射放大电路中,若集电极电压增加,则集电极电流将如何变化?A. 减少B. 增加C. 不变D. 先减少后增加5. 集成运算放大器的开环增益大约是:A. 10^3B. 10^4C. 10^5D. 10^66. 数字电路中,二进制数1100转换为十进制数是:A. 12B. 13C. 14D. 157. 以下哪个不是触发器的基本类型?A. RS触发器B. JK触发器C. D触发器D. T触发器8. 时序逻辑电路与组合逻辑电路的主要区别在于:A. 输出信号的稳定性B. 输出状态的可预测性C. 输出状态的时序性D. 输入信号的类型9. 在数字电路中,一个4位二进制计数器可以表示的状态总数是:A. 4B. 8C. 16D. 3210. 以下哪个逻辑门可以实现“与非”逻辑功能?A. 与门(AND)B. 或门(OR)C. 非门(NOT)D. 与非门(NAND)二、判断题11. 二极管的反向击穿电压与正向导通电压成正比。
()12. 发光二极管(LED)的亮度取决于通过的电流大小。
()13. 共射放大电路的输入电阻等于三极管的基极-发射极电阻。
()14. 集成运放的输出阻抗很高,不适合直接驱动负载。
()15. 数字信号的频率越高,其传输速率越快。
()16. 触发器的输出状态仅由当前的输入决定。
()17. 时序逻辑电路的输出状态与之前的输入状态有关。
()18. 编码器可以将多个输入信号编码为二进制输出。
()19. 同步二进制计数器的计数状态是由时钟信号的频率决定的。
电子技术基础(模拟部分)习题答案
一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β,衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds>U GS(OFF)__,它的截止条件为__ u Gs≤U GS(OFF)__。
6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻R L=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是抑制0点漂移。
9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_,相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中,主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外,利用这种反馈,还可增加增益的恒定性,减少非线性失真,抑制噪声,扩展频带以及控制输入和输出阻抗,所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.N型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V,14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_;共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入电压负反馈;若要稳定输出电流,应引入电流负反馈;若要增加输入电阻,应引入串联负反馈。
模拟电子技术基础期末模拟试卷一(答案)(1)
期末模拟试卷一答案课程名称:模拟电子技术基础一、选择题1. 在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____。
A 、增大 ,B 、减小,C 、不变 答案:A2. 在N 型半导体中,空穴浓度____电子浓度。
A 、大于,B 、小于 ,C 、等于 答案:B3. 直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是⎽⎽⎽⎽。
A 、所放大的信号不同,B 、交流通路不同,C 、直流通路不同 答案:C4. 在长尾式的差分放大电路中,Re 对__有负反馈作用。
A 、差模信号,B 、共模信号,C 、任意信号 答案:B5. 用直流电压表测出UCE ≈VCC ,可能是因为_____。
A 、CC V 过大 , B 、c R 开路, C 、b R 开路, D 、β 过大答案:C6. 已知图中二极管的反向击穿电压为100V ,测得I =1μA 。
当R 从10Ωk 减小至5Ωk 时,I 将____。
A 、 为2μA 左右,B 、为0.5μA 左右,C 、变化不大,D 、远大于2μA 答案:C7.测得某NPN型晶体管3个电极的电位分别为UB=1V,UE=0.3V,UC=3V,则此晶体管工作在____状态。
A.截止B.饱和C.放大 D. 开关答案:C8. 差动放大电路的主要特点是____。
A. 放大差模信号,抑制共模信号;B. 既放大差模信号,又放大共模信号;C. 放大共模信号,抑制差模信号;D. 既抑制差模信号,又抑制共模信号。
答案:A9.互补输出级采用射极输出方式是为了使____。
A. 电压放大倍数高B. 输出电流小C. 输出电阻增大D. 带负载能力强答案:D10.集成运放电路采用直接耦合方式是因为____。
A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻答案:C11、利用正反馈产生正弦波振荡的电路,其组成主要是____。
A、放大电路、反馈网络B、放大电路、反馈网络、选频网络C、放大电路、反馈网络、稳频网络答案:B13、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路(A、低通,B、高通,C、带通,D、带阻,E、全通)。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
模拟电子技术基础期末考试试题及答案《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
217、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
模拟电子技术考试试题汇总及答案
参考答案
一、1.C 2.D 3.B 4.A 5.图1(C) B 6.C 7.C 8.A
二、1.-Rf/R12.虚短和虚断 3.反馈网络、选频网络 4.方波
5.单向导电性。6. 石英晶体
如何调整?⑶若 , 和 的 , ,
,假设 、 、 中任意一个开路,将会产生什么后果?
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值),RL=20Ω, C=2000µF。试问:①正常时 ?②如果电路中有一个二极管开路, 是否为正常值的一半?③如果 为下列数值,可能出了什么故障?
(a) (b) (c)
(5)假设图a放大电路的输入电阻和输出电阻均为4k ,图d的输入电阻为60k ,输出电阻为50 ,当用图a和d构成两级放大电路,其输入信号取自内阻为200 的电压源信号,输出端带4k 负载时,试问:由图a作为第一级、图d为第二级时电压增益的值大,还是图d为第一级、图a为第二级时电压增益的值大?
图3
三、(1)(a) CE (b) CB (c) CS (d) CC
(2)c
(3)d
(4)b
(5)a—d
四、(10分)
电路如图4所示。
(1)R5、R6和T4构成的电路有什么作用?
(2)希望在不增加其它任何元器件情况下,通过图中反馈电阻Rf引入负反馈,以稳定输出电压 。试画出反馈通路的连线,并说明该反馈是什么组态;
(3)假设引入的负反馈为深度负反馈,可忽略T2、T3的饱和管压降。当电路输入幅值为300mV的正弦波信号时,若要求负载电阻RL上得到最大不失真输出电压,反馈电阻Rf应取多大?此时负载获得的功率有多大?
模拟电子技术试题(含答案)
模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空(20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。
A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。
A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。
A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。
A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a .不用输出变压器b .不用输出端大电容c .效率高d .无交越失真 8.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。
a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点:( B )。
A. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0,差模输入电阻R id =∞,输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下,若引入反馈后( D ) ,则说明引入的是负反馈。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。
答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。
(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。
(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。
(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ,正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ,3V ,6V ,9V 和14V 几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。
解:各电路图如图所示。
(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?U图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。
1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。
1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。
模拟电子技术基础-自测题答案
第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2.本征半导体中,假设掺入微量的五价元素,则形成N 型半导体,其多数载流子是电子;假设掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。
3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。
4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。
5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于26 Ω。
1.2 单项选择题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而(B )。
A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。
A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3 是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
(√)2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
(×)3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)第2章半导体三极管及其基本应用2.1 填空题1.晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN两种类型,它工作时有2种载流子参与导电。
2.晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。
3.晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是放大、饱和、截止。
4.当温度升高时,晶体管的参数β增大,I CBO增大,导通电压U BE 减小。
模拟电子技术试题1答案及评分标准
模拟电子技术试卷1答案及评分标准一、判断题(每题1分,共10分)1.半导体是指导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。
(对)2.三极管共集电极电路的发射极电阻R e可以稳定静态工作点。
(对)3.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。
(对)4.差分放大电路采用双端输出时,在理想对称情况下其共模抑制比为无穷大。
(对)5.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
(错 )6.可以用电子电压表测量三极管放大电路的静态工作电压。
(错)7.共集电极电路的输入阻抗高,输出阻抗低,电压放大倍数大。
(错)8.过零比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。
(错)9.互补输出级应采用共集或共漏接法。
( 对)10.乙类功率放大电路的效率最高,理论上可达78.5%,但存在交越失真。
(对)二、填空题(每空1分,共28分)1.当 PN 结正向偏置时,扩散电流大于_漂移电流,耗尽层变窄。
当 PN 结反向偏置时,扩散电流_小于_漂移电流。
(填大于、小于、等于、不变、变宽、变窄)2.三极管的外加偏置满足发射结正偏和集电结反偏时,工作在放大区。
3.当温度升高时,晶体三极管的U BE将_减小,I CEO增大,β_ 增大。
(增大或减小)4.场效应管是通过改变电压来改变电流的,所以它是一个电压控制器件;根据结构的不同,场效应管可分为结型和绝缘栅型两种类型。
5.集成运放的输入级一般采用高性能的恒流源差分放大电路,其目的是克服零点漂移。
6.在差分放大电路中,两输入端获得的一对大小相等,极性相反的信号称差模信号;而大小相等,极性相同的信号称为共模信号。
7.已知某深度负反馈电路开环增益A Ud=100,反馈系数F=0.1,则闭环增益A Uf=9.09 。
8.正弦波振荡电路一般由放大电路、反馈环路、选频网络和稳幅环节等四个环节组成,而且缺一不可。
9.正弦波振荡电路产生自激振荡的两个条件是:振幅条件和相位条件。
模拟电子技术基础样卷讲解
《模拟电子技术基础》样卷一一、判断题(每题1 分,共 10分。
若提法正确,在括号内打√;提法错误,在括号内打×。
)1.外加反向电压,PN结中的耗尽层宽度将变宽。
()2.当二极管的外加反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增加(反向击穿),所以二极管不能工作在反向击穿区。
()3.在H参数中,h ie为基极—发射极间的直流输入电阻。
()4.场效应管是利用一种多子导电,其受温度的影响很小。
()5.三种组态中,共基电路输入电阻最大。
()6.为改善放大器的高频响应,应该增大三极管的结电容CπCμ。
()7.两发射极之间串电阻后,可以扩大差分放大的线性范围。
()8.设反馈系数为F ,电流负反馈时放大器输入阻抗上升1+F A 倍。
()9.振荡器具有较稳定振荡的原因,是振荡系统中具有选频网络。
()10.全波整流电路有4个整流管,所以流过每个整流管的电流为负载电流的四分之一。
()二、填空题(每空1 分,共 10分)1.三极管的发射结,集电结时,三极管工作在饱和区。
2.已知一个场效应管的输出特性曲线,试判别:管型,U GS(off)或U GS(th)。
3.在交流放大电路中,若静态工作点选得太高,则容易产生失真,若静态工作点选得太低,则容易产生失真。
4.大信号差分放大器差模传输特性为函数。
5.电流负反馈放大器的输出电阻较。
6.运算放大器引入相位补偿的目的是为了。
7.管子的导通周期为称乙类。
8.同相比例运算电路的输入电阻为,输出电阻为零。
9.在理想情况下,当f→∞时的电压增益就是它的通带电压增益,这种电路属于滤波电路。
10.文氏电桥振荡器的振荡频率f0= 。
三、选择题(每题2分,共 10分。
在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将其字母标号写在题后的括号内。
)1.如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接,则该管()A、击穿B、电流为0C、电流过大使管子烧坏D、正常导通2.差分放大器左管输入电压+100mV,右管输入-300mV,其共模输入()A、100mVB、-100mVC、200mVD、-200mV3.电流串联负反馈电路的放大参量为()A、电压放大倍数B、电流放大倍数C、转移电阻D、转移电导4.希望单级运算电路的函数关系是y=a1x1+a2x2—a3x3(其中a1、a2、a3是常数,且为正值)应选用()A、比例电路B、反相求和电路C、双端求和运算电路D、带通滤波电路5.在全波整流电容滤波电路中,如果有一个二极管开路,则输出电压()A、极性改变B、等于零C、下降一半D、稍有下降四、分析计算题(共 70分)1.设图示电路中的二极管是理想的,输入电压为u i=5sinωt,画出输出电压的波形和该电路的电压传输特性曲线。
模拟电子技术基础试卷及其参考答案.
模拟电子技术基础试卷及其参考答案.模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一(总分150分)(成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一)一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。
在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。
)1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R ×1k 档,测量同一二极管,则其正向电阻值()a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管()a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ,当接入2k Ω负载后,其输出电压降为4V ,这表明该放大电路的输出电阻为()a. 10k Ωb. 2k Ωc. 1k Ωd. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0,则在静态时该三极管处于() a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态,设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为()a.Lm R g ' b.s m Lm 1R g R g +'-C.L m R g '- d.m L /g R '-图56. 图5中电路的输入电阻R i 为()a. R g +(R g1//R g2)b. R g //(R g1+R g2)c. R g //R g1//R g2d.[R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S7. 直流负反馈是指() a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是() a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为()a. -2.5V b. -5V c. -6.5V d. -7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为()a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题(本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。
《模拟电子技术》及《数字电路》试题及答案
模拟电子技术基础试卷一附答案一.(10分)设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通,并求出图(a)电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图(b)电路的输出电压V o1。
(a)(b)二.(10分)放大电路如图所示。
已知:R b1=62K,R b2=15K,R s=10K,R c=3K,R e=1K,R L=3K,C1=C2=10μ,C e=220μ,V CC=+15V,β=80,V BE=0.7V。
1.说明电路属于何种组态,画出该电路的直流通路;(5分)2.计算该电路的静态工作点。
(5分)3.画小信号等效电路,求电压放大倍数,输入电阻,输出电阻。
4.说明电路属于何种组态,三.(18分)放大电路如图所示。
已知C足够大,场效应管的参数g m=0.8ms,R2=6.8KΩ,三极管的参数β=50,r be=0.5K,R3=90KΩ,R4=10KΩ,R5=4KΩ,R6=1.5KΩ,R L=4KΩ。
1.画出其小信号模型等效电路。
(4分)2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。
(10分)3.若R s=10K时,计算源电压放大倍数A vs,说明R6对电路频率响应的影响。
(4分)四.(12分)反馈放大电路如图示。
1.判断各电路中级间交流反馈的极性(要求在图上标出反馈极性)。
(4分)2.对于级间交流反馈为负反馈的电路,进一步判断反馈的类型,同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益(写出表达式)。
并简单说明电路对输入电阻,输出电阻的影响,对信号源内阻有什么要求?(8分)(a)(b)五.(10分)集成运算放大器构成的运算电路如图示,求电路的输出电压。
1.求出电路(a)的输出电压。
(4分)2.在电路(b)中,设t=0时v c=0,此时加入v i=1V,求t=40ms时v o=?(6分)(a)(b)六.(10分)电路如图所示,试用相位平衡条件判断哪个能振荡,哪个不能振荡(要求在电路中应标出i V ,o V ,fV 以及它们的瞬时极性)?对能振荡的电路写出振荡频率的表达式。
模拟电子技术基础-作业答案1
模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压,则空间电荷区将( b )。
(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点sdf 是具有( b )。
(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。
(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4电路如图1所示,设D 1,D 2均为理想元件,已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示,试画出电压u O 的波形。
20V100V 0u Iu i V/ωtD 2D 140k Ω40k Ω150u O+- 图1+-图2+-+-答案u i V /ωt150ωt 10060u i V /0100605电路如图1所示,设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压u O 的波形,并说明t 1,t 2时间内二极管D 1,D 2的工作状态。
u I2R Lu Ot 1t 2tt2D 1D 2图1图2u I1+-u I1/ V-22-2u I2/ V答案t 1t 2tu O /V -2t 1:D 1导通,D 2截止t 2:D 2导通,D 1截止第2章 基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。
++++++++U CCu oU CCU CCU CC()a ()b (c)(d)+-+-+-+-+-+-+-+-u iu iu ou ou iu ou i++++2图示电路,已知晶体管β=60,U BE .V =07,R C k =2 Ω,忽略U BE ,如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ,R B 应取( a )。
(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω++C 2C 1R BR C u ou i+-+-+12V3固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。
1模拟电子技术基础(附答案)
第一章半导体二极管和三极管第一部分客观题1、正偏二极管端电压增加5%,通过二极管的电流()。
A 增大约5%B 增大小于5%C 增大大于5%D 基本不变。
图1-12、图1-1可用于测量二极管的直流电阻RD 。
当图中电源电压E加倍时,RD会()。
A 加倍B 变大C 不变D 变小3、工作在放大区的某三极管,如果当从12增大到22时,从1变为2,那么它的约为()。
A 70B 83C 91D 1004、在本征半导体中加入()元素可以形成N型半导体。
A 五价B 四价C 三价D 二价5、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A 前者正偏、后者正偏B 前者正偏、后者反偏C 前者反偏、后者正偏D 前者反偏、后者反偏6、稳压管的稳压区是其工作在()A 正向导通B 方向截止C 反向击穿7、关于晶体管特性曲线的用途,下述说法中的()不正确。
A. 判断BJT的质量B. 估算BJT的一些参数C. 计算放大电路的一些指标D.分析放大器的频率特性8、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()9、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
()10、若耗尽层N沟道MOS管的大于零,则其输入电阻会明显变小。
()11、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()12、若测得一支BJT 的电流IB=50uA,IC=2.5 mA ,则该管的≈IC/IB=50。
()13、工作点是指BJT 的电流和电压在其特性曲线上对应的点。
()14、放大区IC IB。
因>>1, 故BJT适于电流放大,不适于作电压放大。
()15、放大管集电结反向电压增大,会使集电极电流iC 增大,这是因为此时集电结对从基区扩散过来的载流子吸引力增大的结果。
()16、PNP和NPN是一种对称结构。
因此将发射极与集电极对调使用,BJT仍然能正常放大信号。
()17、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=( 1/F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=( 1+AF )BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
院(系)_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________……………………密………………………封……………………线…………………………《模拟电子技术基础》试卷1 答案一、填空题(请将答案填在相应的答题线上。
每空2分,共22分)1.在本征半导体中加入五价元素可以形成 N 型半导体。
2.当温度升高时晶体管的反向饱和电流CBO I 将 增大 。
(填“增大”或者“减小”或者“不变”)。
3.电路如图1-1所示,设二极管导通电压D 0.7U =V ,则该电路的输出电压值U = V 。
4.电路如图1-2所回示,则该电路输出电压O u 与输入电压I u 的关系为 IO-du u RCdt= 。
5.已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示,则其中频电压放大倍数um ||A •为 100,电路的下限频率L f = 10 Hz 。
I•图1-1 图1-2 图1-36.按照滤波电路的工作频率,通过某一频率范围的信号,频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均被阻止的滤波器称为 带通 滤波器。
7.正弦波振荡电路的平衡条件为 1A F ••= 。
8.正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为RC 、RL 和石英晶体三种电路,其中 石英晶体 振荡电路的振荡频率最为稳定。
9.直流稳压电源由 整流 电路、滤波电路和稳压电路组成。
10.在串联型线性稳压电源中,调整管、基准电压电路、输出电压采样电路和 比较放大 电路是基本组成部分。
院(系)_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________……………………密………………………封……………………线…………………………二、单项选择题(从下列各小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将其代号填在答题线上。
每小题3分,共18分)1.工作在放大区的某三极管,如果当B I 从12μA 增大到22μA 时,C I 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 B 。
A .109B .100C .91D .832.两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 C 。
A .β B .2β C .2β D .ββ 3.集成运放的互补输出级采用共集接法的原因是 D 。
A .频带宽B .放大电压的能力强C .输入电阻大D .带负载能力强4.放大电路中引入交流负反馈后,其性能会地得到多方面的改善,下列表述中不正确的是 C 。
A .可以稳定放大倍数 B .可以改变输入电阻和输出电阻 C .使频带变窄 D .可以减小非线性失真 5. LC正弦波振荡电路中选频网络在0f f ==时呈 A 。
A .阻性B .感性C .容性D .无法确定6.在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器副边电压有效值2U 为10V ,测得输出电压平均值O(AV)U 可能的数值为 B 。
A .14VB .12VC .9VD .三、判断题(判断以下论述的正误,认为正确的就在相应答题位置打“√”,错误的打“×”。
每小题1分,共10分)1.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
( √ )2.只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
( × )3.处于放大状态的晶体管,其发射极电流是多子扩散运动形成的。
( √ )4.场效应管是由电压即电场来控制电流的器件。
( √ )5.功率放大电路中,输出功率越大,功放管的功耗越大。
( × )6.电压反馈能稳定输出电压,电流反馈能稳定输出电流。
( × )7.阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后越容易产生低频自激振荡。
( √ )8.只要满足正弦波振荡的相位条件,电路就一定能振荡。
( × )9.放大电路产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
( √ )10.在滞回比较器中,当输入信号变化方向不同时其阈值将不同。
( √ )院(系)_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________……………………密………………………封……………………线…………………………四、计算题(写出主要计算步骤及结果。
第1,5小题12分,第2小题10分,第3,4小题各8分,共50分)1. 电路如图4-1所示,晶体管的100β=,BE 0.7U =V ,bb'100r = Ω,CC 12V =V ,B 565R = k Ω,C 3R =k Ω。
(1) 计算电路的静态工作点;(2) 若负载电阻L R =∞,晶体管饱和压降CES 0.6U =V ,试计算电路的最大不失真输出电压的有效值。
(3) 若负载电阻L 3R =k Ω,求u A •、i R 和o R 。
解:(1)电路的静态工作点CC BEQBQ C120.7mA 20μA 565V U I R --===,CQ BQ 20mA I I β== CEQ CC CQ C (1223)V 6V U V I R =-=-⨯=------------------------------------(3分)(2)当负载电阻L R =∞时,因CC CEQ CEQ CES ||||V U U U ->-,所以电路的最大不失真输出电压的有效值为||3.82V U U -=≈--------------------(3分)(3)若L 3R =k Ω,电路的交流等效电路如图所示,(图略) 图4-1则T be bb'EQ (1) 1.41k ΩU r r I β=++≈,C L u be(//)106R R A r β•=-≈-,i B be // 1.41k ΩR R r =≈,o C 3k R R ==Ω。
-------(6分)2.在如图4-2所示的电路参数理想对称,晶体管的100=β,bb'100r =Ω,BEQ 0.7U =V ,c 10R =kΩ,e 5.1R =kΩ,W 100R =Ω,CC 12V =V ,EE 6V =V ,试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ ,以及动态参数A d 和R i 。
解:R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ 如下:WBEQ EQEQ e EE 22R U I I R V ++= EE BEQEQWe 0.517mA 22V U I R R -=≈+----------------------------(4分)A d 和R i 分析如下:Tbe bb'EQ(1)5.18k ΩU r r I β=++≈ cd Wbe 97.75(1)2R A Rr ββ=-≈++i be W 2(1)20.5k ΩR r R β=++≈----------------------------(6分)图4-2院(系)_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________……………………密………………………封……………………线…………………………3.电路如图4-3所示。
(1) 判断电路中引入了哪种组态的交流负反馈; (2) 求出在深度负反馈条件下的f A •和uf A •。
解:(1)电压串联负反馈;-------------------------------------------(3分) (2)因为1f o 12R U U R R ••=+,则f 1uu 12o U R F R R U •••==+在深度负反馈条件下,o 2uf u 1uui11RU A A R U F •••••==≈=+--------(5分)图4-34.电路如图4-4所示,试求输出电压与输入电压的运算关系式。
解:第一级电路为同相比例运算电路,因而o1I1I110(1) 1.520u u u =+=-----------(3分)利用叠加定理,第二级电路的输出为o o1I2I2I12020(1)3()1010u u u u u =-++=- -------------(5分)图4-45.OCL 功率放大电路如图4-5所示。
(1)静态时,输出电压o U 应是多少调整哪个电阻能满足这一要求 (2)动态时,若输出电压波形出现交越失真,应调整哪个电阻如何调整 (3)设 CC 15V =V ,输入电压为正弦波,晶体管的饱和管压降CES 3U =V ,负载电阻L 4R =Ω。
试求负载上可能获得的最大功率om P 和效率η。
解: (1)静态时,输出电压o 0U =,调整1R 或3R 可满足要求。
------(3分)(2)应调整2R ,增大2R 即可。
---------------------------------------------(3分) (3)负载上可能获得的最大功率为22CC CES o L ()(153)W 18W 224V U P R --===⨯效率为CC CESCC12378.5%62.8%412V U V πη--=≈⨯=---------------------(6分)图4-5。