元器件名词解释(基本都有)

1.形状记忆合金

具有形状记忆效应的合金材料即称为形状记忆合金。其中形状记忆效应是指具有一定形状的固体材料，在某种条件下经过一定的塑性变形后，加热到一定温度时，材料又完全恢复到变形前原来形状的现象。即它能记忆母相的形状。

2.热弹性马氏体相变

在某些合金材料中会出现一种叫做热弹性马氏体的晶相组织，这种组织的特点是：它的相变驱动力很小，容易发生相变。它能随着温度的升高而弹性地缩小或长大，故称其为“热弹性马氏体”。

3.约瑟夫逊效应

直流约瑟夫逊效应：对于超导体-势垒-超导体体系，在势垒两边的电压为零的情况下，电子能以隧道效应穿过势垒层，产生直流超导电流；

交流约瑟夫逊效应：超导隧道结能在在直流电压作用下，产生超导交流电流，从而辐射电磁波。

4.迈斯纳效应

也称为完全抗磁性，即处于超导状态的超导体内部磁感应强度为零。

5.超晶格

由两种或两种以上性质不同、厚度极小的薄膜交替生长而形成的多层结构的晶体。由于厚度比各薄膜单晶的晶格常数大几倍或更长，故取名“超晶格”。

6.组分超晶格

超晶格材料的一个重复单元由两种不同材料（电子亲和势和禁带宽度均不同）组成。

7.掺杂超晶格

在同一种半导体中，用交替改变掺杂类型的方法形成的超晶格。

8.应变超晶格

通过弹性应变调节两种材料的晶格失配来消除界面缺陷而形成的超晶格。

9.压电效应

当对某些晶体在特定方向上施加力时，在与施力方向垂直的平面上出现正、负束缚电荷，这种现象称为压电效应。

10.正压电效应

当晶体受到机械力作用时，在一定方向的表面上产生束缚电荷，电荷密度大小与所加应力大小成线性关系，这种由机械效应转换为电效应的过程称为正压电效应。

11.负压电效应

当某些晶体在外电场激励下，会使晶体在某些方向上产生形变（谐振）现象，且形变大小与外电场大小成线性关系，这种由电效应转换为机械效应的过程称为逆压电效应。

12.热释电效应

晶体由于温度作用而产生极化的现象。（产生热释电效应的条件：（1）具有自发极化的晶体；（2）晶体结构的极轴与结晶学的单向重合的晶体）

13.铁电体

有些热释电晶体不但在某些温度范围内能够自发极化，而且其自发极化强度可以因外电场的作用而重新取向。由于其极化强度与电场的关系曲线同铁磁体具有的磁滞回线形状相似，而且有某些对应的类似性质，故称之为铁电体。（铁电体的主要特征：极化强度P表现为电场E的双值函数）

14.跳跃导电模型

跳跃导电模型是一种局部电子传导机构，局限在一个原子（或离子）周围的电子可以通过隧道效应或热激发跳跃到邻近原子（或离子）周围。（可以用跳跃导电模型来解释迁移率

随温度呈指数变化的一些具有尖晶石结构的半导体陶瓷的电导率随温度的变化）

15.缺陷的三种扩散机构

空格点机构（原子或离子向空格点转移，相应可看成是空格点在晶体中向相反的方向移动）、填隙原子机构（填隙原子在填隙位置进行转移）和推填机构（处在填隙位置的原子因热振动与正常格点上的原子碰撞，使之离开正常格点，形成填隙原子，而其本身则进入正常格点位置）。

16.绝对湿度

单位体积内，空气中所含水蒸气的质量。

17.相对湿度

在某一温度下，混合气体所含水蒸气压同其饱和蒸气压的比值。其中饱和蒸气压是指在某一温度下，混合气体所含水蒸气压的最大值。

18.本征吸收

当光照射到半导体时，价带中的电子吸收足够能量的光子后被激发到导带成为自由电子，同时在价带中留下自由空穴，从而产生了电子-空穴对，即光生载流子。

19.杂质吸收

当光照射到半导体时，束缚在杂质能级上的电子或空穴吸收光子而跃迁到导带或价带成为自由电子或空穴的过程。

20.内光电效应

入射光子被半导体吸收后产生电子或空穴等光生载流子参与导电，从而引起半导体的电性质发生变化，这种现象称为内光电效应。

21.外光电效应

入射光子的能量被半导体表面所吸收，并从半导体表面向外发射电子，这种现象称为外光电效应，又称光电发射效应。

22.光电导效应

高阻半导体受光照时，由于产生光生载流子而使半导体电导增大的现象。

23.光伏效应

光照射半导体PN结时，会在PN结处产生电子-空穴对，在PN结内建电场的作用下，空穴被扫向P区，电子被扫向N区，从而在PN结两侧产生光生电动势，这一现象称为光生伏特效应，简称光伏效应。

24.数值孔径

保证光能在光纤中传播的最大入射角（半孔径角）的正弦值，用NA表示，即NA = sinθc。数值孔径反应了光纤的集光能力，纤芯与包层的折射率差越大，数值孔径就越大，光纤的集光能力就越强。

25.压阻效应

对半导体施加应力时，除了产生形变外，同时也改变了半导体载流子的分布和运动状态，导致材料宏观电阻率发生变化。这种由外力作用引起材料电阻率变化的现象称为压阻效应。

26.磁阻效应

若给通以电流的金属或半导体材料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，则其电阻值就增加。这种现象称为磁滞电阻变化效应，简称磁阻效应。

27.物理磁阻效应

不考虑半导体样片形状和结构的影响。将通电的半导体置于均匀磁场中，导致沿外电场方向的电流密度减小，电阻率增加，这种现象称为物理磁阻效应。

28.横向磁阻效应

当电流和磁场方向垂直时，所产生的物理磁阻效应称为横向磁阻效应。

29.纵向磁阻效应

当电流和磁场方向平行时，所产生的物理磁阻效应称为纵向磁阻效应。

30.几何磁阻效应

在相同磁场作用下，由于半导体样片几何形状的不同而出现电阻值不同的现象称为几何磁阻效应。

31.光弹效应

在垂直与光传播方向上施加应力时，材料将产生双折射，其强度正比于应力，这一现象称为光弹效应。

32.法拉第磁光效应

平面偏振光通过带磁性物体时，顺光方向加一磁场，偏振面将发生偏转，这一现象称为法拉第磁光效应，简称磁光效应。

33.极化

电介质在外电场作用下，其正负电荷中心不再重合，而是发生了分离,即产生了极化现象，形成了电偶极子。

34.极化的类型

电子位移极化（无外电场时，正负电荷中心重合，介质不带电，加外加电场时，产生感生电偶极距）、离子位移极化（离子晶体在电场作用下离子键合被拉长）、取向极化（无外电场时，固有电偶极距热运动，混乱分布，介质不带电，而施加外电场时，外场取向与热混乱运动达到平衡）和空间电荷极化

35.热电效应

对于由两种不同的导体材料两端相互紧密连接在一起而组成的闭合回路，当两接点温度不等时，回路中就会产生电势（此电势称为热电势），从而形成电流，这一现象称为热电效应。

36.湿滞特性

湿敏器件在由低湿到高湿的吸湿过程中和由高湿到低湿的脱湿过程中，不仅响应时间不同，而且感湿特性曲线不能重合而构成一闭合廻线，把器件的这一特征称为湿滞特性。37.湿滞廻线

把吸湿过程与脱湿过程的感湿特性曲线构成的廻线称为湿滞廻线。

38.湿滞廻差

器件在吸湿和脱湿两种过程中，感湿特征量数值相同时所指示的环境相对湿度的最大差值。常用湿滞廻差来表示器件的湿滞特性。

39.传输模

可以沿着光纤的轴向持续传播的模式，也叫波导模。多模光纤能传播一定数量的传输模，单模光纤只能传播一种传输模。