华东理工大学电工学第7章半导体器件

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第7章(214)

第7章(214)

故称为双极型晶体管。三极管三个电极电流满足如下关系式:
IE=IB+IC
(7-1)
第7章 半导体器件基础
2. 各电极之间的关系 三极管制成以后,复合和漂移所占的比例就确定了,也 就是说IC与IB的比值也确定了,这个比值就称为共发射极直 流电流放大系数,即
IC
IB
集电极电流的变化量与基极电流的变化量的比值称为共 发射极交流电流放大系数β,即
iC
(7-3)
iB
第7章 半导体器件基础
7.3.3 三极管的共射特性曲线
1. 输入特性曲线 图7-14中给出了UCE在两种不同取值情况下的输入特性。
图7-14 三极管的输入特性
第7章 半导体器件基础
2. 输出特性是指当IB不变时,集电极电流IC与电压UCE之 间的关系曲线,即
IB f UBE UCE 常数
第7章 半导体器件基础
图7-19 N沟道增强型MOS (a) ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ构;(b) 电路符号
第7章 半导体器件基础
N沟道耗尽型MOS管、P沟道增强型MOS管和P沟道耗 尽型MOS管的电路符号分别如图7-20、图7-21、图7-22所示。
图7-20 N沟道耗尽型MOS (a) 结构;(b) 电路符号
第7章 半导体器件基础
第7章 半导体器件基础
例7-1 如图7-7所示,二极管为理想二极管,判断图中 二极管的工作状态,并求UAO
解 在图(a)电路中,两个电压源叠加相减,二极管VD反 偏,相当于开路,所以UAO=-10 V
在图(b)电路中,两个电压源叠加相加,二极管VD正偏, 忽略二极管的管压降,相当于短路,所以UAO=6 V。
(7-4)
3. 极限参数

电工学第一二节

电工学第一二节

二极管旳电路符号: P
N
伏安特征曲线:
I
死区电压 硅管 0.6V,锗管0.2V。
反向击穿
电压UBR
反向
反向截止
正向
导通压降: 硅管 0.6~0.7V,锗管 0.2~0.3V。
U
四、主要参数
1. 最大整流电流 IOM
二极管长久使用时,允许流过二极管旳最大正 向平均电流。
2. 反向击穿电压UBR
二极管反向击穿时旳电压值。手册上给出旳最
所以,在输出端得到比较平滑旳直流电压。
Uo=0.9U2
u1
u2
L
RL
uo
二、电感滤波旳特点
整流管导电角较大,峰值电流很小,输出特
征比较平坦,合用于低电压大电流(RL较小)旳场
合。缺陷是电感铁芯笨重,体积大,易引起电磁 干扰。
7.2 稳压二极管
稳压二极管(工作在反向击穿区)
-
i
稳定
+
电压
UZ
当稳压二极管工作在 反向击穿状态下,工
ui<0V,二极管导通uo=0V
ui
12v
6v
0 -12v
uo
12v
6v
0 -12v
+
+
=6v DZ UZ
Uo
_
_
t
t
1. 在杂质半导体中多子旳数量与 a (a. 掺杂浓度、b.温度)有关。
2. 在杂质半导体中少子旳数量与 b (a. 掺杂浓度、b.温度)有关。
3. 当温度升高时,少子旳数量 c (a. 降低、b. 不变、c. 增多)。
uD3,uD1
RL uo
t t
u2>0 时

【电工学与电子学课件】半导体二极管与整流滤波电路(可编辑)

【电工学与电子学课件】半导体二极管与整流滤波电路(可编辑)

【电工学与电子学课件】半导体二极管与整流滤波电路(可编辑)第 7 章半导体二极管与整流滤波电路图 7-2硅和锗的共价键结构a 硅Sib 锗Ge图 7 - 3电子-空穴对图 7 4 P型半导体的共价键结构图 7 -5 P型半导体平面模型图 7- 6 N型半导体的共价键结构图 7 -7 N 型半导体平面模型72 PN结及其特性图 7- 8 PN结的形成图 7- 9 PN 结的单向导电性 73 半导体二极管图 7- 10半导体二极管结构和符号图 7 –11 二极管伏安特性测试电路图 7- 12 二极管的伏安特性图 7 -13例 71 电路a 电路b 波形74 特殊二极管图 7 -14稳压管符号及伏安特性曲线a 符号b 伏安特性曲线图 7 -15光电二极管结构图 7-16 光电二极管的外形及符号图 7 –17 发光二极管的外形及符号75 整流电路图 7- 18 桥式整流电路图 7- 19电压电流波形图76 滤波电路图 7 –20 电容滤波电路图 7- 21电容滤波电路电流电压波形图图 7- 22 桥式整流电容滤波电路的外特性图 7 –23 桥式整流电感滤波电路图 7 –24 复式滤波电路图 7- 25 例 73 电路图 7- 26 例 74 电路 77 硅稳压管稳压电路图 7 27稳压管稳压电路a 电路b 伏安特性解整流电流的平均值为流过每个二极管的平均电流值为变压器副边电压有效值为考虑到变压器副绕组及二极管上的压降变压器副边电压一般应高出5,,10,即每只二极管截止时承受的最高反向电压为为使整流电路工作安全在选择二极管时二极管的最大整流电流IFM应大于二极管中流过的电流平均值IF二极管的最高反向工作电压峰值URM应比二极管在电路中承受的最大反向电压UVM高出一倍左右因此可以选用场2CZ12D二极管其最大整流电流为3A反向工作电压峰值为300V变压器的变比为变压器副绕组电流有效值为I2,111× ,111×2 , 222 A 变压器的容量为S,U2×I2 ,122×222 ,27084V?A 为了减小整流后电压的脉动常采用滤波电路把交流分量滤去使负载两端得到脉动较小的直流电滤波电路一般由电容电感电阻等元件组成滤波电路对直流和交流反映出不同的阻抗电感L对直流阻抗为零线圈电阻忽略不计对于交流却呈现较大的阻抗XL,ωL若把电感L与负载RL串联则整流后的直流分量几乎无衰减地传到负载交流分量却大部分降落在电感上负载上的交流分量很小因此负载上的电压接近于直流电容器C对于直流相当于开路对于交流却呈现较小的阻抗XC, 1ωC若将电容C与负载电阻并联则整流后的整流分量全部流过负载而交流分量则被电容器旁路因此在负载上只有直流电压其波形平滑常用的滤波电路有电容滤波电感滤波复式滤波等一电容滤波电路图 7 20 为单相桥式整流电容滤波电路在分析电容滤波电路时要特别注意电容器两端电压UC对整流组件导电的影响整流组件只有受正向电压作用时才导通否则便截止 1 工作原理 1 负载RL未接入时的情况设电容器两端初始电压为零接入交流电源后当u2为正半周时u2通过V1V2向电容器C充电u2为负半周时经V3V4向电容器C充电充电时间常数为τCRnC其中 Rn包括变压器副绕组的电阻和二极管V的正向电阻由于Rint一般很小电容器很快就充电到交流电压u2的最大值 U2极性如图 7 -20 所示由于电容器无放电回路故输出电压即电容器C两端的电压UC保持在U2输出为一个恒定的直流如图7 -21 中ωt,0即纵坐标左边部分所示 2 接入负载RL的情况设变压器副边电压u2从0开始上升即正半周开始时接入负载RL由于电容器中负载未接入前充了电故刚接入负载时u2,uC 二极管受反向电压作用而截止电容器C经RL放电电容器放电过程的快慢取决于RL与C的乘积即电路时间常数τdτd越大放电过程越慢输出电压越平稳一般地RLC,357- 6 其中 T为电源交流电压周期 2 电容滤波电路特性 1 在电容滤波电路中整流二极管的导电时间缩短了导电角小于180?且放电时间常数愈大导电角愈小由于电容滤波后输出直流的平均值提高了而导电角却减小故整流二极管在短暂的导电时间内将流过一个很大的冲击电流易损坏整流管所以选择整流二极管时管子的最大整流电流应留有充分的裕量 2负载直流电压随负载电流增加而减小UL随IL的变化关系称为输出特性或外特性如图 7- 22 所示 C值一定当RL,?即空载时输出电压平均值为在整流电路的内阻不太大几欧姆和放电时间常数满足式7- 6的关系时电容滤波电路负载电压平均值L与U2的关系为总之电容滤波电路简单负载直流电压UL 较高纹波也较小它的缺点是输出特性较差故适用于负载电压较高负载变动不大的场合二电感滤波电路在桥式整流电路和负载电阻RL之间串入一个电感L如图 7 -23 所示就组成了一个电感滤波电路利用电感的储能作用可以减小输出电压的纹波从而得到比较平滑的直流当忽略电感L的电阻时负载上输出的电压平均值和纯电阻不加电感负载基本相同即 ?09U2 电感滤波的特点是整流管的导电角较大电感L 的反电势使整流管导电角增大峰值电流很小输出特性比较平坦其缺点是体积大易引起电磁干扰因此电感滤波一般只适用于低电压大电流场合此外为了进一步减小负载电压中的纹波在电感L后再接一电容构成Γ型滤波电路或?型RC滤波电路如图7- 24所示其性能和应用场合分别与电感滤波电路及电容滤波电路相似例 73一个桥式整流电容滤波电路如图 7 25 所示电源由220 V50Hz的交流电压经变压器降压供电要求输出直流电压为30V电流为500mA试选择整流二极管的型号和滤波电容规格解 1 选择整流二极管通过每只二极管的平均电流为有负载时的直流输出电压为 ,12U2 故变压器次级电压有效值为每只二极管承受的最大反向电压为 URMU2 ×25?35V 根据IV和URM选择二极管查手册或本书附录?选取2CZ54B二极管4只其最大整流电流IFM,05A 最高反向工作电压URM, 50V 2 选择滤波电容器取标称值1000μF电容器耐压为15,2U2 15,2×25375,50V最后确定选1000μF,50V的电解电容器1只例 74 在图 7 -26 所示桥式整流电容滤波电路中U2,20有效值RL,40 ΩC,1000μF试问 1 正常时 ,2 如果测得为下列数值可能出了什么故障 ? ,18V? ,28V? , 9 V 解 1 正常时的值应为,12U2,12×20 V,24 V 2 为下列数值时 ? 当 ,18V时UL,09U2成为桥式整流不加电容滤波的情况故可判定电容C开路 ? 当 ,28V时UL,14U2属于RL,?时的情况故可判定是负载电阻开路 ? 当 ,9V时UL,045U2成为半波整流不加电容滤波的情况故可判定是4只二极管中有1只开路同时电容器C也开路 1 正向特性 1 起始段OA 当二极管为正向接法时正向电压由0开始增大由于外加电压较小外电场还不足以克服PN结的内电场对载流子扩散运动的阻力所以二极管呈现很大的正向电阻正向电流很小几乎等于0当正向电压超过一定数值后内电场大为削弱电流迅速增长这个一定数值的正向电压称为死区电压其大小与管子的材料及环境温度有关一般硅管的死区电压为05 V锗管约为02 V 2 导通段AB 如图 7- 12 所示在特性曲线B点以后二极管在电路中相当于一个开关的导通状态在正常使用条件下二极管的正向电流在相当大的范围内变化而二极管两端电压的变化却不大小功率管的导通压降约为0607V锗管约为0203V 2 反向特性当二极管两端加反向电压时反向电流很小近乎于截止状态且基本上不随外加电压而变化如图7- 12的OC段所示对二极管来说反向电流越小表明反向特性越好反向电流越大表明反向特性越差一般硅管的反向电流要比锗管小得多 3 反向击穿特性当反向电压增加到一定数值时如图 7- 12 所示的反向电压由C继续增大到D点时电流突然剧增这种现象称为反向击穿发生击穿所需的反向电压称为反向击穿电压之所以产生击穿是因为加在PN结中很强的外电场可以把价电子直接从共价键中拉出来成为载流子这叫做齐纳击穿此外强电场使PN结中的少数载流子获得足够的动能去撞击其它原子把更多的价电子从共价键中拉出来这些撞击出来的载流子又去撞击更多的原子如同雪崩一样这叫做雪崩击穿上述两种击穿效应能产生大量的电子-空穴对从而使反向电流剧增无论是齐纳击穿还是雪崩击穿如果去掉反向电压二极管仍能恢复工作这就属于电击穿如果去掉反向电压二极管不能恢复工作说明发生了热击穿二极管已损坏热击穿是应该避免的一般二极管正常工作时是不允许反向击穿的而有一些特殊的二极管如后面要学到的稳压管却常常工作在反向击穿状态温度对二极管的特性影响较大当温度升高时正反向电流都随着增大特别是反向电流急剧增大而反向击穿电压则要下降二极管的导通压降则要降低三二极管的主要参数晶体二极管的参数规定了二极管的适用范围它是合理选用二极管的依据晶体二极管的主要参数有最大整流电流高反向工作电压反向电流 1 最大整流电流IFM IFM是指长期工作时二极管能允许通。

电工与电子技术基础第七章课件

电工与电子技术基础第七章课件

第七章
二、晶闸管的工作原理 三、晶闸管的主要参数 四、晶闸管型号 五、晶闸管使用注意事项 六、晶闸管电极的判定和简单测试 一、单相半波可控整流电路 二、单相半控桥式整流电路 一、对触发电路的要求 二、单结晶体管触发电路 三、应用实例 一、实验目的 二、实验电路(见实验图7-1) 三、实验器材
第七章
一、晶闸管的结构和符号
图7-2 晶闸管的外形 a)螺栓式 b)平板式 c)塑封管式 d)一些常见晶闸管
一、晶闸管的结构和符号
图7-3 调光台灯及其电路原理图 a)调光台灯 b)电路原理图
二、晶闸管的工作原理
1.晶闸管的导通原理
图7-4 晶闸管的内部结构与导通原理 a)内部结构 b)导通原理
1)只要β1β2>1,便可维持正反馈放大,使晶闸管导通。 2)一旦导通,门极就失去控制作用,门极的触发电压便可撤消。
二、单结晶体管触发电路
1.单结晶体管的结构、符号和特性
图7-8 单结晶体管的结构、符号和等效电路 a)结构 b)符号 c)等效电路
二、单结晶体管触发电路
图7-9 单结晶体管的电压电流特性
2.单结晶体管触发电路
二、单结晶体管触发电路
图7-10 单结晶体管触发电路 a)电路 b)波形
3.单结晶体管的简单测试
2.4.5V/30V直流稳压电源(双踪)1台 四、实验内容和步骤 五、实验结果 六、实验注意事项 七、实验报告要求 一、日本产半导体器件命名方法 二、美国半导体分立器件型号命名方法 一、基本信息 二、您对本书的意见及建议 三、您近期的著书计划
4.会对晶闸管、单结晶体管进行简单测试。
图7-1 晶闸管的结构、符号 a)结构 b)符号
七、实验报告要求
1.总结晶闸管导通的条件和晶闸管关断条件。 2.总结简易判断晶闸管好坏的方法。

电工学7.1

电工学7.1

9
1.外加正电压: 外加正电压: 外加正电压 耗尽层变窄 形成较大正 向电流 PN结导通且 结导通且PN 结导通且 结电压较小 (硅0.7V,锗0.3V) 硅 锗
内电场
外电场
10
2 .外加反向电压 外加反向电压
内电场
耗尽层变宽 形成很小反 向饱和电流
PN结截止 结截止 外电场 反向饱和电 流由少数载 流由少数载 流子形成 流子形成
集成硅整流桥: 集成硅整流桥:
∼ + ∼ – u2 ~ + ~ – ∼
∼ + uo
21
3. 含二极管电路的分析方法
关键是判断二极管 是导通还是截止
(1)理想二极管: 定向开关 理想二极管: 理想二极管 ,u=0 R= i> 0,u= (R=0) ,u= R=0 u < 0,i= (R= ,i=0 R=∞) ,i= R=
第七章 半导体器件
根据物体导电能力(电阻率)的不同,可分为导体、 根据物体导电能力(电阻率)的不同,可分为导体、 绝缘体和半导体。 绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅 和 以及砷化镓 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓 以及砷化镓GaAs等。 等 §7.1半导体二极管 一.本征半导体及其导电性 (1)本征半导体的共价键结构 本征半导体: 本征半导体: 纯净且原子排列整齐的半导体 如硅( ) 如硅(Si)锗(Ge)等 ) 价电子: 价电子: 在原子最外层轨道上的电子 硅和锗是四价元素, 硅和锗是四价元素,
总结: PN结正偏导通 总结: PN结正偏导通 PN结反偏截止 PN结反偏截止
11
五 半导体二极管的伏安特性曲线
1.伏安特性曲线 伏安特性曲线
(1) 正向特性 当0<u<Uth 时,I =0 当u>Uth 时,I 较大 Uth:死区电压 (2) 反向特性 当UBR<u<0 时,I很小 I:反向饱和电流 I:反向饱和电流

电工学课件:半导体基础知识

电工学课件:半导体基础知识

掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器 件,如二极管、三极管等)。
二. 本征半导体
完全纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半 导体。
制作半导体器件的主要材料是硅和锗,它们 的最外层电子(价电子)都是四个。
Ge
Si
1. 内部结构 硅 或 锗 的 共 价 键 结 构
外+
-
电+ 场+
-
+
-
+
-
+
-
在外电场作用下,空穴的定向移动形成电流
注意:
电子电流和空穴电流相等,它们之和为总的导电 电流。
(1) 本征半导体中载流子为电子和空穴;
(2) 电子和空穴成对出现,浓度相等; (3) 由于热激发可产生电子和空穴,因此本征半 导体的导电特性和温度有关,对温度很敏感。
三.杂质半导体 1. N型半导体
(1) 由于扩散运动形成空间电荷区和内电场; (2) 内电场阻碍多子扩散,有利于少子漂移;
(3) 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时, 形成PN结。
二. PN结的单向导电性 1.外加正向电压 P区接电源正极,N区接电源负极,又称正向偏置。
U
外电场
内电场
U
外电场削弱内电场,多子的扩散加 强,使耗尽层变窄,形成较大的扩散 电流,PN结导通。
(1) 在杂质半导体中多子的数量与 a (a. 掺杂浓度、b.温度)有关。
(2) 在杂质半导体中少子的数量与 b (a. 掺杂浓度、b.温度)有关。
(3) 当温度升高时,少子的数量 c (a. 减少、b. 不变、c. 增多)。
(4) 在外加电压的作用下,P 型半导体中的 电流主要是 b ,N 型半导体中的电流主要 是 a。

电工学第七章

电工学第七章
R 10k
R 10k
C 0.01u R3 A R2 RP R1 DZ VZ= 6V vO
vP +
C 0.01u

vN
VRP
幅度较小时, AV 3
V o
幅度增大到稳压管击穿时,
RP和R1的电流、 R2的压降不变
AV
V o
V N 负反馈系数 F V
o
稳幅时 VN VP 1 Vom 3
VN VRp VZ Vom VR p
VN RP R1
例1:试用相位平衡条件判断下图电路能否产生自 激振荡 +UCC
正反馈
RB1 C1 RB2 - RE CE
L

C

注意:用瞬时极性法判断反馈的极性时, 耦合电容、旁路电容两端的极性相同, 属于选频网络的电容,其两端的极性相反。
频率响应
VCC M vo Rb1
(+) (+)
VCC Rb1
(-) (+) b
M (-) L c
C
(+) b
L c (-) T e
C
(+)
T e
(-)
Rb2 C1
C1
Ce
Rb2
Re
Re
反馈 反馈
满足相位平衡条件 满足相位平衡条件
首端
三点式LC并联电路
L1 中间端 L2 尾端 C
仍然由LC并联谐振电路构成选频网络
一般有 R L 则
Z L 1 R j(L ) C
1 LC
C
当 0 谐振时
1 LC
时, 电路谐振。 0
为谐振频率

电工学(第7章-半导体器件)

电工学(第7章-半导体器件)
不同二极管的伏安特性曲线 有差别,但形状相似: -50
特点:非线性
I mA
80 60 40 20 -25
0.4 -20 -40 -60
I A
0.8 U(V)
I mA
当二极管正向偏置:
80
60 40 死区 20 电压 -50 -25
死区: 当正向电压低于某一值,
硅管约0.5V,锗管约0.1V,正向 电流非常小,这一电压称死区电压Βιβλιοθήκη aDuo 无电容滤波
+
+
u2
+ C
RL
uo
-
-
0 D导通 D截止 D导通 t 电容滤波
uo
b
当u2由峰值下降:
0
D
D
t
截导
止通
电容较慢放电 (放电回路时间常数大)
u2按正弦规律较快下降
当u2<uC,D截止
uc继续对R放电直至u2到达另一正半周的u2>uC,
D重新导通
加入滤波后, 负载上得到的直流电压的脉动情况改善,
例1: D
A +
3k
6V
UAB
12V

B
电路如图,求:UAB
取 B 点作参考点, 断开二极管,分析二 极管阳极和阴极的电 位。
V阳 =-6 V V阴 =-12 V V阳>V阴 二极管导通 若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB =- 6V 否则, UAB低于-6V一个管压降,为-6.3V或-6.7V
二极管的命名规则: 2 C P 10
2: 二极管 C: N型硅材料, A: P型锗材料 P: 普通型,K: 开关管,Z:整流管,W:稳压管 10: 序号

电工学第7章-课件

电工学第7章-课件
3. 晶闸管导通条件 导通条件:
除阳极加正向电压,必须同时在门极与阴极之间加 一定的门极电压,有足够的门极电流。
关断条件:
阳极电流小于维持电流IH
/webnew/
7.2.3 晶闸管的伏安特性和 主要参数
1. 晶闸管的伏安特性 晶闸管的伏安特性是指阳极与阴极间的电
二极管等效电路
/webnew/
7.2.1 晶闸管的结构
2. 晶闸管的等效模型和符号
➢ 三极管等效电路 A
P1
J1
N1 J2
G
P2
J3
N2
K
/webnew/
三极管等效电路
A A
P1
J1 N1 N1
J2
7.1.1电力电子技术的发展
1. 电力电子器件 1957年第一只晶闸管出现 ; 衍生器件:快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、不对称晶闸管 全控型电力电子器件 :可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 大功率场效应晶体管(MOSFET)
2. 电力电子电路 (1)可控整流电路 (2)逆变电路 (3)直流斩波电路 (4)交流调压电路
/webnew/
7.2.2 晶闸管的工作原理
2. 晶闸管工作过程--------正反馈
Eg →Ig →Ib2 ↑→Ic2 ↑(= βIb2)=Ib1↑→Ic1 ↑(=βIb1 )
/webnew/
7.2.2 晶闸管的工作原理
7.2 晶闸管的结构和工作原理
7.2.1 晶闸管的结构 7.2.2 晶闸管的工作原理 7.2.3 晶闸管的伏安特性和主要参数
/webnew/
7.2.1 晶闸管的结构
1. 晶闸管的外形结构
➢ 四层半导体:P1N1P2N2

电工与电子技术基础 - 第7章

电工与电子技术基础 - 第7章

放大区工作的特征:
发射结正向偏置,集电结反向偏置。
NPN:U C
c b
0.7V 0V 6V
c
-7V
V e NPN型 (b)
b
-2V
V
-1.6V
Ub Ue
Ub Ue
I C I B
U CE 1 U CC 2
e PNP型
PNP: U C
②截止区:当IB=0时,IC=ICEO,穿透电流ICEO很小, 输出特性曲线是一条几乎与横轴重合的直线。
截止区工作的特征:
发射结反向偏置,集电结反向偏置
NPN:U C PNP:U C
c
6V
c
-12V
Ub Ue
Ub Ue
I C I ceo
b
1.3V
V
2V
b
0.3V
ห้องสมุดไป่ตู้
V
0V
U CE U CC
e NPN型 (b)
e PNP型
③饱和区:当uCE<uBE时,IC与IB不成比例, IC随uCE的增 大而迅速上升,这一区域称为饱和区,uCE=uBE称为临界饱和。
称为集电极反向饱和电流。
ICEO为基极开路时,集—射极间的反向电流,称为集电极
穿透电流。
(3).极限参数(反向击穿电压)
U(BR)CBO 指发射极开路时,集—基极间的反向击穿. ★U(BR)CEO指基极开路时,集—射极间的反向击穿电压。 U(BR)CEO < U(BR)CBO
U(BR)EBO指集电极开路时,射—基极间的反向击穿电压。
※ 放大电路中变量表示的符号规则
(1).直流分量 用大写字母和大写下标表示。如IB表示基极的直流电流。 (2).交流分量 用小写字母和小写下标表示。如ib表示基极的交流电流。 (3).总变化量 是直流分量和交流分量之和,即交流叠加在直流上,用小写 字母和大写下标表示。如iB表示基极电流总的瞬时值,其数值 为iB=IB+ib。 (4).交流有效值 用大写字母和小写下标表示。如Ib表示基极的正弦交流电 流的有效值。

电工学第七章

电工学第七章

§7-2 集成运算放大器
一、集成运算放大器的结构、外形及符号
集成运算放大器(简称集成运放)相当于一个 高性能的多级放大器。集成运放的图形符号如图 所示。图中输入端标“+”或(P者)为同相输入端, 输出端信号与该端输入信号同相。标“-”(或N) 者为反相输入端。输出端信号与该端输入信号反 相。
1.组成框图 2.图形符号
iB经三极管的电流放大,这时集电极总电流为:
=iC ICQ + ic
iC在集电极电阻RC上产生电压降iCRC(为了便于分析,假设放大电路为 空载),使集电极电压
经变换得
uCE =VCC − iCRC =VCC − ICQRC − icRC u=CE UCEQ + (−icRC)
即 = uCE UCEQ + uce
这时两输入端电压相等,即UP=UN0。这一特性称为 虚短;
如果有一输入端接地,则另一输入端也非常接近地 电位,称为虚地;
同时,两个输入端口输入电流也均为零,即iP=iN=0 , 这一特性称为虚断。
三、集成运放的基本应用
1.基本运算电路(线性应用)
(1)反相比例运算电路
Rf if
i1 R1 ui
iN _ ∞ N
2.电压传输特性
集成运放的电压传输特性
如果不引入负反馈,集成运 放就工作于非线性状态,这时输 出电压只有两种可能,即
当输入电压Up>UN时, Uo=+Uom(正向电压最大值,又称 高电平)
当输入电压Up<UN时,Uo=Uom (负向电压最大值,又称低电 平)
由于理想运放的开环电压放大倍数趋于无穷大,因此 电路中必须引入负反馈才能保证集成运放工作在线性区。
多级放大电路是由若干个单级放大电路组成的,多 级放大电路的组成如图所示。

电工电子学第二版第七章

电工电子学第二版第七章
IBE IB ICBO IB
C IC
IB ICBO ICE
N
P
EC
B
RB IBE N
EB
E IE
IC IB (1 )ICBO IB ICEO
若IB =0, 则 IC ICE0 集-射极穿透电流, 温度ICEO
忽略ICEO ,有 IC IB (常用公式)
12 1.5 4V 6V
注意:电路中IB 和 IC 的数量级不同
例2:用估算法计算图示电路的静态工作点。
+UCC 由KVL可得:
RB
RC IB IC
+
UCC IB RB UBE IERE
IBRB UBE (1β )IBRE
U+BE–TU–CE
IE
IB

UCC UBE RB (1 β )RE
2) 3)
IC
IB IC
, IC IB
I
E

I
___


IC
IB
C 40
I B

37.5
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变
化的特性称为三极管的电流放大作用。
上节复习
1、三极管三个电极的电流是什么关系?
2、三极管的发射极与集电极是否可以调 换使用?为什么?
耦合电容C1 、C2
--隔离输入、输出 与放大电路直流的 联系,同时使信号 顺利输入、输出。
三极管放大电路工作原理
RB C1
+ + ui –
+UCC
RC iB iC
+C2 ++
交直量:uBE、iB、iC、uCE
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二极管的伏安特性曲线
二极管的伏安特性曲线指流过 二极管的电流与二极管两端的 电压之间的关系。 不同二极管的伏安特性曲线 有差别,但形状相似: -50 特点:非线性
I (mA
80 60 40 -25 20 0.4 -20 -40 -60 0.8
)
U ( V)
I (μ A )
I (mA
80 60 40 -50 -25 20 死区 电压
U0=0.9U2 U2=40/0.9=44V
例2:试分析图示桥式整流电路中的二极管D2 或D4 断开时负 载电压的波形。如果D2 或D4 接反,后果如何?如果D2 或D4因 击穿或烧坏而短路,后果又如何?
D2 D1
u
+ o RL uo _ uo o
π
2π 3π
~
+ u _

ωt ωt
D3
D4
π

+
u0
b

u2 -
-
在u的负半周: b→D2→RL→D4→a
iD2= iD4 =iR uD2= uD4 =0 uD1= uD3 = -u2 u O= u 2
u
2. 波形图
π
2π 3π 4π

u2
D4 D3 b a
a
D1 i 1 RL D2 i2
+ u0 -
0
ωt
uo,io uo i1 0 i2 i1 i2
N型半导体
半导体
P型半导体 通过一定的工艺,使半导体一部分是P型, 一部分N型,则中间交接面形成PN结。
PN结 P N
实验
PN结的单向导电性
P
I
N
P R
I≈0
N
+
+
R
PN结正向偏置时,导通电流大,电阻小,称导通 PN结反向偏置时,导通电流小,电阻大,称截止
二极管由PN结加上引出线和壳体构成, P极引出线称正极,N极引出线称负极。符号为: +
二极管承受的最高反向电压 = 二极管截止时端电压最大值
a
+ u2 b
D1 i 1 D4 D3 D2 i2 RL
+ u0 -
5. 桥式整流的其它画法
+ u RL
+ u0 -
举例
有一负载需直流电压U0=40V,I0=4A,计算采用半波和全波整流电 路时,整流二极管的电流ID和最高反向电压UDRM及电源变压器次级 电压U2 D i0
3)二极管的选择(考虑UDRM): a.对单相半波带有电容滤波的整流电路,当负载开路时 在交流电压正半周, 电容器上电压充至交流电压最大值√2U2,由于负载开路, 电容器不能放电,该电压一直维持。
在交流电压的负半周, 截止二极管上承受的反向电压为交流电压的 最大值√2U2 与电容器上电压√2U2之和,即2 √2U2
I (mA )
80 60 40 -50 -25 20 0.4
反向击穿电 -20 压U(BR)
当二极管反向偏置 关断: 当二极管反向偏置,反向 电流很小,锗管约几十μA, 小功率硅管小于1μA
0.8
U(V) 击
-40 -60
穿: 当反向电压加大到某一值, 反向电流突然急剧增大, 二极管击穿烧坏。
I (μ A )
D1 i 1 D4 D3 D2 i2 RL
u2
+ u0 -
π
2π 3π 4πω t
b

无论u正/负半周,负载上均有方向相同的电流通过,称:全波整流
3. 负载上电压电流的计算 u 全波整流时,负载上的电压是半波时的两倍 1.全波整流电压的平均值为: 0
π
2π 3π 4π
ωt
U o = 2 × 0.45U 2 = 0.9U 2
电路 单相半波整流 单相桥式整流 无电容滤波 有电容滤波
2U 2U 2 2U 2U
负载上的直流电压 接入滤波电容后,负载直流电压升高,通常取:
π
U 2 = 0.45U 2
u
2U
0
T
ωt
5 整流二极管的选择 二极管最大整流电流 IOM : I OM ≥ I D = I R
(流过二极管的电流与负载电流相等)
反向工作峰值电压URWM : D i 0 + Tr u2 RL
U DRM = 2U
(二极管承受的最高反向电压 = 二极管截止时端电压最大值)
UAB – B
V阳 =-6 V V阴 =-12 V V阳>V阴 二极管导通 若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB =- 6V 否则, UAB低于-6V一个管压降,为-6.3V或-6.7V 在这里,二极管起钳位作用。
例 2:
+ ui –
R D 8V + uo –
已知:ui = 18sinω t V 二极管是理想的,试画 出 uo 波形。

用万用表判别二极管的正负极 黑 ∞ Ω
0

黑 ∞
Ω
0

+


+
半导体二极管基本结构
(a) 点接触型 结面积小、 结电容小、正 向电流小。用 于检波和变频 等高频电路。 (b)面接触型 结面积大、 正向电流大、 结电容大,用 于工频大电流 整流电路。
(c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可 小,用于高频整流和开关电路中。
2.全波整流电流的平均值为: uo,io
Uo U2 Io = = 0.9 RL RL
uo i1 i2 i1

i2
4π ω t
0
π

4. 整流二极管的选择 1 I OM ≥ I D = I R 二极管最大整流电流: 2
由于D1~D4轮流导通,流过每个二极管的电流平均值只有负载电流的一半
反向工作峰值电压: U DRM = 2U
加入滤波后, 负载上得到的直流电压的脉动情况改善, 输出电压的平均值提高 u
2U
O
uo
2U
O
ωt
ωt
电路元器件的选择
1 ) 滤波电容的选择 a. 电容值的选择 滤波电容越大,负载电阻R越大,放电时间常数τ=RC越 大,输出电压越平滑,直流电压越高。 半波整流:RLC>=(3~5)T 全波整流:RLC>=(3~5)T/2
下篇
电子技术
二极管及整流电路 三极管及放大电路 晶闸管及其应用 集成运算放大器
半导体二极管及整流电路
半 导 体
导电能力介于导体和绝缘体之间。
硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物均为半导体。 纯净半导体导电能力不强,加入杂质后,导电能力 增强。利用该特性,制成半导体二极管、三极管、 晶闸管等。
PN结
+
Tr u2
RL
+ -
u0
半波 ID=I0=4A U0=0.45U2 U2=40/0.45=89V UDRM=√2U2=126V 全波
-
选择时,可选其最大整流电流5A,反向工作峰值电压200V
ID=(1/2)I0=2A UDRM=√2U2=63V
选择时,可选其最大整流电流3A,反向工作峰值电压100V
二极管的用途
整流、检波、限幅、 钳位、开关、 元件保护、 温度补偿等。
二极管整流电路
将交流电变为脉动的直流电的过程,称整流 利用二极管的单向导电性可实现整流 变压
u 0 t
整流
u 0 t
分析时可把二极管当作理想元件处理: 二极管的正向导通电阻为零,反向电阻为无穷大。
单相半波整流电路
1. 电路结构 D i 0 u1 + Tr u2 RL + u0 元器件: u2 为正弦交流电源, D 为二极管 R 为负载电阻 Tr 为变压器
4 负载上电压电流的计算
通过半波整流,负载上得到大小变化的单极性电压,称脉动电 压,常用一个周期内脉动电压的平均值来描述脉动电压的大小
1.半波整流电压的 平均值为:
1 Uo = 2π = 2
2.半波整流电流的 平均值为:
Uo U2 Io = = 0.45 RL RL

π
0
2U 2 sin ωtd (ωt )
V1阳 =-6 V,V2阳=0 V,V1阴 = V2阴= -12 V UD1 = 6V,UD2 =12V ∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通, D1截止。 若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB = 0 V 流过 D2 的电流为 I D 2
12 = = 4mA 3
D1承受反向电压为-6 V
在这里, D2 起 钳位作用, D1起 隔离作用。
D 导 通
ωt
→(忽略二极管压降)→uC(u0)跟随u2变化→ u2达最大, uC (u0)也达最大
a + u2 b
D + u0 -
u0
无电容滤波
ωt
0 D导通 D截止 D导通
u0
+ R L C
电容滤波
ωt
当u2由峰值下降:
0
D 截 止
D 导 通
电容较慢放电 (放电回路时间常数大) u2按正弦规律较快下降 当u2<uC,D截止 → uc继续对R放电→直至u2到达另一正半周的u2>uC, D重新导通
ui 18V 8V
参考点
ωt
二极管阴极电位为 8 V ui > 8V,二极管导通,可看作短路 uo = 8V ui < 8V,二极管截止,可看作开路 uo = ui
例3:
D2 D1 6V 3kΩ 12V
求:UAB 两个二极管的阴极接在一起 A + 取 B 点作参考点,断开二极 UAB 管,分析二极管阳极和阴极 – B 的电位。
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