从芯片上看内存大小
cpu-z是怎么看内存颗粒的
cpu-z是怎么看内存颗粒的如何用cpu-z看内存，怎么看?下面店铺整理了有关cpuz的知识，希望对你有帮助。
电脑cpu怎么看查看cpu的方法有很多，也非常的简单，最直接的方法是进入-- 我的电脑 -在空白区域右键单击鼠标选择-- 属性即可看到电脑最重要的硬件部分CPU和内存的一些参数，如下图。
从上图中可以看出使用cpu-z软件查看cpu的信息比较全面，比较推荐新手朋友们使用。
怎么看cpu好坏关于cpu性能主要看以下参数CPU系列如早期的赛扬，到奔腾双核再到酷睿(core)双核，目前主流处理器有corei3与i5，i7以及AMD四核处理器CPU内核 CPU内核 PreslerCPU架构 64位【32位和64位的区别】核心数量双核心四核心，甚至更高的核心，核心越高性能越好。
内核电压(V) 1.25-1.4V 电压越低，功耗越低。
制作工艺(微米) 0.065 微米目前多数处理器为45nm技术，高端处理器目前采用32nm,越低工艺越高，相对档次就越高。
CPU频率主频(MHz) 2800MHz 主频越高，处理器速度越快总线频率(MHz) 800MHz附上为大家之作的cpu性能分布图：下面进行决定cpu性能的决定参数性能指标主频主频也叫时钟频率，单位是兆赫(MHz)或千兆赫(GHz)，用来表示CPU的运算、处理数据的速度。
CPU的主频=外频×倍频系数。
很多人认为主频就决定着CPU的运行速度，这不仅是片面的，而且对于服务器来讲，这个认识也出现了偏差。
至今，没有一条确定的公式能够实现主频和实际的运算速度两者之间的数值关系，即使是两大处理器厂家Intel(英特尔)和AMD，在这点上也存在着很大的争议，从Intel的产品的发展趋势，可以看出Intel很注重加强自身主频的发展。
像其他的处理器厂家，有人曾经拿过一块1GHz的全美达处理器来做比较，它的运行效率相当于2GHz 的Intel处理器。
主频和实际的运算速度存在一定的关系，但并不是一个简单的线性关系. 所以，CPU的主频与CPU实际的运算能力是没有直接关系的，主频表示在CPU内数字脉冲信号震荡的速度。
内存芯片的解读
7.5ns @CL=2(PC133)
刷新 8,192/64ms
MT48LC16M16A2 封装与引脚
TSOP2-54, FBGA60, VFBGA54
• BA[1:0] select the bank; • A[RAM 2^13 = 8192
据．
只需给出块的起始地址，然后对固定块长度的数据一个接一个地读出或写入。对于CPU（主方） 存储器（从方）而言的块传送， 常称为猝发式传送，其块长一般固定为数据线宽度（存储器字长）的 4 倍。例如一个 64 位数据线的总线，一次猝发式传送可达 256 位。这在超标量流水中十分有用
MT48LC16M16A2 概述
I：首先，我们知道内存控制器要先确定选择系统使用的两个 SDRAM 芯片的哪一个，然后才能对被选定的芯片进行寻址操作。因此要有一个片选的信号，它一次选 择一个 SDRAM 芯片。 II：接下来就是对所选择的芯片进行 bank 的寻址，目前 SDRAM 中 bank 的数量最高为 4 个，所以需要两个 bank 的地址信号。 III：然后就是要对被选择的 bank 进行行和列(存储单元)寻址，其中所需要的地址线数量根据 SDRAM 芯片容量大小及组织结构分别设计了，但在相同容量下，行数 不变，只有列数会根据位宽的变化而变化，位宽越大，列数越小，因为所需的存储单元减少了。 IV：找到存储单元后，就要把这个单元的数据读出或者写入，那么肯定要有与位宽相同的数据 I/O 通道才行，所以要有相应数量的数据引线。 2.1 K4M51163PG-BG75 的功能结构图 2.2 K4M51163PG-BG75 的引脚 引脚图如下 下面详细描述这些 pin CLK 系统时钟，S3C2443 的 mobile 控制器的 SDRAM 时钟引脚连接这个引脚，这个 clock 引脚的作用就是用于同步数据传输，就是以这个时钟信号作为数据传输的触 发参考。K4M51163PG-BG75 关于 CLK 周期时间的要求如下图所示 又结合下图 而 S3C2443 是通过 HCLK 给 SDRAM 芯片提供时钟信号的，见下图 我们系统 HCLK=400Mhz/3=133Mhz，所以应该去 CAS latency=3，从而知道对一个 CLK 周期时间的要求就是>=7.5ns，有 HCLK=133Mhz，可以算出 HCL K 的一个时钟周期时间=1/133Mhz=7.5188ns>7.5ns，可知当前的 HCLK 可以提供满足 K4M51163PG-BG7 的 CLK。 /CS 片选信号，在使用多个 SDRAM 芯片时使用，用于选择某个时间哪个 SDRAM 芯片工作，S3C2443 的 nSCS0 和这个引脚连接，mobie 控制器功过控制这根信号线 来选择我们系统采用两片 SDRAM 中的任何一片。 CKE 时钟有效信号线，和 S3C2443 的 SCKE 连接，mobile 控制器功过这个信号线来使 CLK 有效。 A0~A12 行地址线，用于选择每个 bank 的行，也即行激活。 A0~A9 列地址线，用于选择每个 bank 的列，也即选择存储单元格，行和列地址是复用的。 BA0~BA1 Bank 的选择地址，因为此 SDRAM 芯片有 4 个 bank，所以需要两位的 bank 地址线才能选择到这 4 个 bank。 /RAS 行地址选通，在这个信号线为低电平时，地址线 A0~A12 送出来的具体的行地址才有实际的意义，也就是才能选通具体的行 /CAS
查看内存条参数
查看内存条参数你们知道怎么查看内存条参数信息吗?跟着店铺一起学习怎么查看内存条参数信息吧。
·查看内存条参数信息的方法[内存标贴]如下图，观察内存条外观时看到的标贴。
标贴上一般会告诉我们品牌、参数、料号(P/N)、产品编号(S/N)等信息。
在选购内存时可以通过标贴得到内存基本信息。
[P/N与S/N]P/N又叫料号，宇瞻、金士顿等这些内存模组厂商生产内存时，如果生产内存选用的内存颗粒、PCB(印刷电路板)等原料一致，那么厂商就会为这些内存印上相同的P/N;也就是说，只要两条内存的P/N一致，那么这两条内存出现不兼容问题的几率非常非常低。
S/N称为产品编号，因为S/N都是唯一的，所以它对检查内存防伪有帮助。
[标贴表达方式1]内存标贴涵盖了上述几方面的内容，下面来研究标贴上最重要的部分—内存参数。
标贴上内存参数表达方式分了好几种，但几种表达方式所指的信息都基本一致，比如容量、带宽、延迟、频率等参数。
如下图标贴直接表达了内存的参数-内存代数(PC3=DDR3)、内存容量(4GB)、内存带宽(10600MB/S)全部标记在了上面，并可以计算出频率(1333MHz)。
[标贴表达方式2]下图红色方框里的内容，是目前金士顿内存比较常见的标注方式，可以从“KVR1333D3S9/1G”中的“1333”、“D3”、“1GB”这几个字样知道这条内存是DDR3 1333 1GB的内存。
如果觉得这种方法获取内存信息比较困难，可以注意之下的“1GB PC3-10600 CL9 204-Pin SDDIMM”的字样。
“1GB”、“CL9”、“204-Pin”分别告诉我们内存容量是1GB、延迟是9、金手指为204Pin(也就是指内存边缘的针脚两面加起来有204片)。
解释一下“PC3-10600”的含义，“PC3-10600”是内存模组厂商比较通用的一种用内存带宽表示内存参数的方法，虽然没有谁制定这种标法的标准，但很多厂商都依循着下面这种方法标示内存信息：PC3表示DDR3的意思，如果是PC则表示DDR，PC后面的数字代表内存是第几代;10600就是指的内存带宽为10.6GB/s，按照计算前端总线带宽的公式(带宽=位宽×频率÷8)，这个公式对于计算内存带宽同样适用。
从内存条芯片编号看内存条的大小
从内存条芯片编号看内存条的大小(2009-11-22 08:12:39)转载▼标签：刷新速度tsop封装字段ddr266台湾itSDRAM 内存芯片的新编号HY XX X XX XX X X XX X X X-XX XA B C D E F G H I J K L MA字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。
57代表SDRAM内存。
C字段表示工作电压。
V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/ D字段表示密度与刷新速度。
16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。
4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。
1代表2Bank；2代表4Bank。
G字段表示电气接口。
0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
H字段表示内存芯片的修正版本。
空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。
也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。
I字段表示功率消耗能力。
空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。
04关于内存的性能指标
存储速度
内存的存储速度用存取一次数据的时间来表示， 单位为纳秒，记为ns， =10亿纳秒，即1 单位为纳秒，记为ns，1秒=10亿纳秒，即1纳秒 =10¯9秒。Ns值越小，表明存取时间越短，速度就 =10¯9秒。Ns值越小，表明存取时间越短，速度就 越快。目前，DDR内存的存取时间一般为6ns，而 越快。目前，DDR内存的存取时间一般为6ns，而 更快的存储器多用在显卡的显存上，如：5ns、 更快的存储器多用在显卡的显存上，如：5ns、 4ns、 3.6ns、 3.3ns、 2.8ns、 等。 4ns、 3.6ns、 3.3ns、 2.8ns、 注意：内存条的生产厂家非常多，目前还没有形 成一个统一的标注规范，所以内存的性能指标不 可简单地从内存芯片标注上读出来，但可了解其 速度如何，如－70或－60等数字，就表示此内存 速度如何，如－70或－60等数字，就表示此内存 芯片的速度为70ns或60ns。 芯片的速度为70ns或60ns。
SPD芯片 SPD芯片
SPD是一个8 256字节的EERROM(可电擦 SPD是一个8针256字节的EERROM(可电擦 写可编程只读存储器) 芯片. 写可编程只读存储器) 芯片.位置一般处在内 存条正面的右侧, 存条正面的右侧, 里面记录了诸如内存的速 度、容量、电压与行、列地址、带宽等参 数信息。当开机时，计算机的BIOS将自动 数信息。当开机时，计算机的BIOS将自动 读取SPD中记录的信息。 读取SPD中记录的信息。
内存的电压
FPM内存和EDO内存均使用5V电压，而 FPM内存和EDO内存均使用5V电压，而 SDRAM则使用3.3V电压，在使用中注意主 SDRAM则使用3.3V电压，在使用中注意主 板上的跳线不能设错。
从芯片上看内存大小
从芯片上看内存大小HY（现代HYNIX）现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大.HY的编码规则：HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代.2、一般是57，代表SDRAM.3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V.4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新.5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白则为普通，L为低功耗.10、封装：一般为TC（TSOP）11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS 金士顿KVR *** X ** * C* / ***1 2 3 4 5 6 7 81.KVR代表kingston value RAM2.外频速度3.一般为X4.64为没有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存6.3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM外频400MHZ 不带有ECC校验的CAS=2.5的256M内存LGS(LG Semicon)LGS的内存编码规则：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司.2、72代表SDRAM.3、V代表3V电压.4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F.9、功耗：空白则是普通，L是低功10、封装模式：一般为T（TSOP）11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66），12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）SEC（三星SAMSUNG）做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.SEC编码规则：KM4 XX S XX 0 X X XT－XX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.3、一般均为S4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK7、I／O界面：一般为08、版本号9、封装模式：一般为T：TSOP10、功耗：F低耗，G普通11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS.Micron（美光）以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.含义：MT——Micron的厂商名称.48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度.A2——内存内核版本号.TG——封装方式，TG即TSOP封装.-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）.Winbond（华邦）含义说明：WXXXXXXXX123451、W代表内存颗粒是由Winbond生产2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZMosel（台湾茂矽）台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.Kingmax(胜创)Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP 封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）.Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表芯片类型GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号.以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP II封装，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度.MT（MICRON美凯龙）美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.MT48 XX XX M XX AX TG－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM.3、一般为LC：普通SDRAM4、此数与M后位数相乘即为容量.5、一般为M6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk8、TG代表TSOP封装模式.9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS10、如有L则为低功耗，空白则为普通.HITACHI（日立HITACHI）日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM代表日立.2、52代表SDRAM，51则为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：A－F7、功耗：L为低耗，空白则为普通8、TT为TSOP封装模式9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）SIEMENS（西门子）西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错.HYB39S XX XX 0 X T X －X1 2 3 4 5 6 7 8 91、HYB代表西门子2、39S代表SDRAM3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为06、产品系列7、一般为T8、L为低耗，空白为普通9、速度：6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NSFUJITSU（富士通FUJITSU）富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品.MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN1 2 3 4 5 6 7 8 91、MB81代表富士通的SDRAM2、PC100标准的多为F，普通的内存为13、容量4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK6、产品系列7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS （CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84：12NS，67：15NSTOSHIBA（东芝）东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.TC59S XX XX X FT X－XX1 2 3 4 5 6 7 81、TC代表东芝2、59S代表普通SDRAM3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位5、产品系列：A－B6、FT为TSOP封装模式7、空白为普通，L为低功耗8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）MITSUBISHI（三菱）三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见.M2 V XX S X 0 X TP－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、M2代表三菱产品2、I／O界面.一般为V3、容量4、一般为S，说明是SDRAM5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位6、一般为07、产品系列8、TP代表TSOP封装9、速度：8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS.10、空白为普通，L为低耗.。
cpu-z如何查看内存ddr1
cpu-z如何查看内存ddr1CPU-Z 是一款著名的免费硬件信息检测软件，可以了解到全面的CPU 和内存信息，以及部分主板信息。
，那你知道如何查看内存ddr1吗，下面是店铺为你整理关于的内容，希望大家喜欢!在 CPU 信息标签页中，比较重要的几个数值如下：名称：处理器名称;代号：处理器厂商对该处理器的内部代号;封装：处理器接口类型;工艺：生产该处理器的生产工艺，以微米为单位，在图1 中为0.13 微米;电压：处理器工作电压;指令集：该处理器所支持的指令集，如x86-64 表示可以支持64 位运算。
CPU 缓存信息可以在“缓存” 标签页来查看 CPU 的缓存信息，2: 缓存信息标签页在缓存信息标签页中，比较重要的信息有：L1 数据缓存为 64KB ，L1 指令缓存为 64KB;L2 缓存为 512KB。
主板信息可以在“主板” 标签页来查看主板相关的信息，如图 3 主板信息标签页所示：3: 主板信息标签页在主板信息标签页中，比较重要的信息有：制造商：主板所记录的制造商信息，在本例中，制造商为ASUSTek (华硕);型号：该主板在HP的代号，本例中为 Salmon;芯片组：主板芯片组的型号，本例中为 SiS 760;南桥：主板南桥芯片的型号，本例中为 SiS 964;BIOS 版本：该主板的 BIOS 版本，在本例中为 3.12;BIOS 日期：该主板 BIOS 的发布日期，在本例中为 2005 年 4 月20 日。
内存信息可以在“内存” 标签页中查看内存的速度信息，在内存信息标签页中，比较重要的信息有：类型：当前使用的内存类型，本例中为 DDR-SDRAM;大小：当前使用的内存容量，本例中为 512MB;通道数：当前内存的工作模式，单通道模式或者双通道模式。
本例中为单通道模式;频率：内存芯片当前的工作频率，本例中为 200.9MHz。
内存规格信息(SPD)每个内存模块上都有一个芯片，记录着该内存模块所能运行的速度，以及该内存的生产厂商、内存颗粒编号、序列号等，这些记录在内存上的信息通常称为SPD 信息。
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2.查看显卡信息
在“DirectX诊断工具”窗口中点击“显示”选项卡，在这里我们可以看到显卡的制造商、显示芯片类型、显存容量、显卡驱动版本、监视器等常规信息。
3.查看音频信息
音频设备往往为人所忽视，但缺了它又不行，单击“声音”选项卡，对其做一番了解吧!同样在出现的窗口中能看到设备的名称、制造商及其驱动程序等等极为详细的资料。不同的是我们还可以点击右下角的“测试DirectSound(T)”对声卡进行一下简单的测试。
硬盘速度又因接口不同，速率不同，一般而言，分IDE和SATA（也就是常说的串口）接口，早前的硬盘多是IDE接口，相比之下，存取速度比SATA接口的要慢些。
硬盘也随着市场的发展，缓存由以前的2M升到了8M或更大，就像CPU一样，缓存越大，速度会快些。
5、显卡：这项对运行超大程序软件的响应速度有着直接联系，如运行CAD2007，3DStudio、3DMAX等图形软件。显卡除了硬件级别上的区分外，也有“共享显存”技术的存在，和一般自带显存
所以，这里特别强调是原版的系统，也就是没有精简过的系统。同理，精简过的Windows XP一般来说，会比原版的XP速度快些，因为精简掉一些不常用的程序，占用的系统资源少了，所以速度有明显提升。
2、软件（包括硬件）都可以适当优化，以适合使用者，如：一般办公文员，配置一般的电脑，装个精简版的XP和精简版的Office 2003就足以应付日常使用了。但如果是图形设计人员，就需要专业的配置，尤其对显卡的要求，所以，升级软件：Microsoft DirectX 9.0 或以上版本是很有必要的
芯片的不同，就是该“共享显存”技术，需要从内存读取显存，以处理相应程序的需要。或有人称之为：动态显存。这种技术更多用在笔记本电脑中。
内存芯片的BANK参数说明
内存芯片的BANK一．内存芯片的逻辑BANK在芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。
这个阵列我们就称为内存芯片的BANK，也称之为逻辑BANK（Logical BANK）。
由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2个逻辑BANK的设计，譬如三星的两种16MB芯片：K4S161622D （512K x 16Bit x 2 BANK）和K4S160822DT（1M x 8Bit x 2 BANK）。
芯片组本身设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑BANK进行操作（实际上芯片的位宽就是逻辑BANK的位宽），而不是芯片组对内存芯片内所有逻辑BANK同时操作。
逻辑BANK的地址线是通用的，只要再有一个逻辑BANK编号加以区别就可以了（BANK0到BANK3）。
但是这个芯片的位宽决定了一次能从它那里读出多少数据，并不是内存芯片里所有单元的数据一次全部能够读出每个逻辑BANK有8M个单元格（CELL），一些厂商（比如现代/三星）就把每个逻辑BANK的单元格数称为数据深度（Data Depth），每个单元由8bit组成，那么一个逻辑BANK的总容量就是64Mbit（8M×8bit），4个逻辑BANK就是256Mbit，因此这颗芯片的总容量就是256Mbit（32MB）。
内存芯片的容量是一般以bit为单位的。
比如说32Mbit的芯片，就是说它的容量是32Mb（b=bit=位），注意位（bit）与字节（Byte）区别,这个芯片换算成字节就是4MB（B=Byte=字节=8个bit）,一般内存芯片厂家在芯片上是标明容量的，我们可以芯片上的标识知道，这个芯片有几个逻辑BANK，每个逻辑bank的位宽是多少，每个逻辑BANK内有多少单元格（CELL），比如64MB和128MB内存条常用的64Mbit的芯片就有如下三种结构形式：①16 Meg x 4 (4 Meg x 4 x 4 banks) [16M╳4]②8 Meg x 8 (2 Meg x 8 x 4 banks) [8M╳8]③4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks) [4M╳16]表示方法是：每个逻辑BANK的单元格数×逻辑BANK数量×每个单元格的位数（芯片的位宽）。
带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别
带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别【武汉电脑维修培训】课前热身图1就是三代内存的全家照，从上到下分别是DDR3、DDR2、DDR。
大家牢牢记住它们的样子，因为后面的内容会提到这幅图。
(图1)DDR3,DDR2,DDR外观区别防呆缺口：位置不同防插错图1红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口，目的是让我们安装内存时以免插错。
我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口，大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片，就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。
比如DDR 内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，缺口右边为40个针脚；DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。
芯片封装：浓缩是精华在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。
同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。
一般来说，DDR内存采用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）封装技术，又长又大。
而DDR2和DDR3内存均采用FBGA（底部球形引脚封装）封装技术，与TSOP相比，内存颗粒就小巧很多，FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。
TSOP是内存颗粒通过引脚（图2黄色框）焊接在内存PCB上的，引脚由颗粒向四周引出，所以肉眼可以看到颗粒与内存PCB接口处有很多金属柱状触点，并且颗粒封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，但焊点和PCB的接触面积较小，使得DDR内存的传导效果较差，容易受干扰，散热也不够理想。
(图2)一颗DDR现代内存芯片焊接细节-黄色部分为焊接引脚FBGA封装把DDR2和DDR3内存的颗粒做成了正方形（图3），而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，内存PCB上也看不到DDR内存芯片上的柱状金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被“包裹”起来了，外面自然看不到。
内存编号
内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。
现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。
其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low V oltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
内存上面的标识解读
内存上面的标识解读（Memory Rank Single Rankx4）2011-10-28 17:29:11| 分类：技巧整合 | 标签：memory rank single r |字号订阅一组或几组Memory chips,Chips分为两种4Bits与8Bits, 由于CPU处理能力为64Bits, 如果内存要达到CPU处理能力, 就把Chips组成了Rank; 简单理解就是64Bits为1 Rank.Single Rank:1组Memory chipDual Rank: 2 组Memory chip ,one rank per sideQuad Rank: 4 组Memory chip ,two rank per sideRank并不是同时间读写, 而是使用了Memory interleaving进行读写, 这样提高了总线利用效率!解读内存中的Bank两种内存Bank的区别内存Bank分为物理Bank和逻辑Bank。
1.物理Bank传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。
而CPU在一个传输周期能接收的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。
内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥芯片进行，内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，简称P-Bank）的位宽。
以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit 的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条Bank。
不过以前有不少朋友都认为，内存的物理Bank是由面数决定的：即单面内存条则包含一个物理Bank，双面内存则包含两个。
其实这个看法是错误的!一条内存条的物理Bank是由所采用的内存颗粒的位宽决定的，各个芯片位宽之和为64bit就是单物理Bank；如果是128bit 就是双物理Bank。
怎样从内存芯片上识别DDR400-1G的内存条
内存条芯片参数整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
如何看电脑内存条大小
如何看电脑内存条大小
查看电脑内存条大小方法：
从中我们可以看出内存最重要的一项性能参数：内存容量，如上图电脑内存的容量是1.87GB，目前内存标配的都是1.87GB，比较够用，容量越大一般来说内存越好，对电脑性能提升越大。
如果需要查看电脑内存的详细信息大家可以直接拆开电脑主机机箱，拿出内
存条，查看内存条上的铭牌标识，或者看购买内存的说明书。
最简单有效的方法是大家可
以借用第3方软件查看内存详细信息。
从以上资料中我们可以看出电脑内存的类型是：“DDR2” 主频是：“667MHZ”相对
与目前主流2G内存来说该内存比较差。
从以上资料中我们可以看出电脑内存的品牌是“海力士” 电脑内存的类型是：
“DDR2” 主频是：“667MHZ”相对与目前主流2G内存来说该内存比较差。
如何看电脑内存档次怎么样
看电脑内存档次与性能主要看的是内存参数中的，容量，品牌，类型，主频等参数。
容量是电脑内存中决定档次与性能中最重要的一项参数之一，一般容量越大内存越好。
类型方面，主要是内存版本了，比如目前主流是DDR3内存，DDR2是以前内存版本，
内存版本越高，说明内存是新版本的，相对性能上也更出色。
主频方面，主频越大内存的读取速度也越快，目前主流内存主频是1333MHZ，更高端
些达到了1600MHZ，多数使用在4GB或更高容量内存中。
最后需要说明一点，决定电脑内存性能主要取决于以上内存参数，只有各项参数优秀，电脑内存才是真正的好内存，否则一个参数好，另外一个差会形成头重脚轻现象，影响内
存整体性能。
感谢您的阅读，祝您生活愉快。
ROM、PROM、EPROM、EEPROM、RAM、SRAM、DRAM的区别
平时对于这些个相近的名词一看到就头疼，看了这篇文章后豁然开朗！！！在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。
ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。
ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。
由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。
最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。
PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。
EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。
EPROM 内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12—24V，随不同的芯片型号而定）。
EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。
EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。
鉴于EPROM操作的不便，后来出的主板上的BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM （Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）。
如何看懂内存条上的型
如何看懂内存条上的型 The manuscript was revised on the evening of 2021如何看懂内存条上的型号参数内存条都是以（厂家名）（容量）（容量系数）（类型）（速度）的形式来表示的。
中间可能夹着电压（5V）特殊标识在里面。
要知道它是什麽内存，只要从“-”标记往前数，第一个数字就是内存类型标识，0是普通FP，单数是EDO，双数是SDRAM。
以064v160j10-10为例。
就是厂家；64=64Mbit容量（是bit，不是Byte）；v表示的内存；16是跟容量相关的系数。
表示这块小芯片的位数是16，所以64位总线的Pentium机至少要用4片这样的小芯片才能构成可用的SIMM内存条。
这时候这条由4片小芯片构成的SIMM内存条容量是64bit*4/8=32MB （也就是我们所说的32M一条的内存）。
如果SIMM内存条上有16片这样的小芯片，就是128M一条的内存条。
另一方面，如果SIMM内存条上只有2片这样的小芯片，就必须两条SIMM内存条同时使用才能满足总线宽度。
16bit*2片*两条=64bit（总线宽度）。
而32bit总线的486，只要有两片这样的小芯片就可以构成完整可用的SIMM内存组了。
这时候SIMM的容量是64bit*2/8=16MB。
0j是厂家的内部标识，没有固定的判别方法。
10是双数，所以这是一条SDRAM。
再举一个实例：我的一条内存上印着HY57V168010ATC-10。
HY是指由韩国现代生产；V是表示工作电压；16表示容量是16Mbit；8表示小芯片是16/8=2M*8bit；10表示是SDRAM；-10表示速度为10ns；57和ATC都是厂家的内部标识，通常包括内存的封装方式、内存刷新时块的大小等等。
据此，大家可以算出：如果SIMM条上只有4片这样的小芯片，就只有8bit*4=32bit宽度，486上可以单用一条，容量是16Mbit*4/8=8MB；而586上必须用两条，容量是16Mbit*8/8=16MB；如果SIMM条上有16片这样的小芯片，就是一条可以在586上单用的32M条。
从内存条芯片编号看内存条的大小
从内存条芯片编号看内存条的大小(2009-11-22 08:12:39)标签：SDRAM 内存芯片的新编号A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。
57代表SDRAM内存。
C字段表示工作电压。
V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/D字段表示密度与刷新速度。
16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。
4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。
1代表2Bank；2代表4Bank。
G字段表示电气接口。
0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
H字段表示内存芯片的修正版本。
空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。
也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。
I字段表示功率消耗能力。
空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。
T代表TSOP封装；K代表Stack封装(Type1)；J代表Stack封装(Type2)。
K字段表示内存芯片的封装材料。
空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。
怎么才能知道自己的内存
怎么才能知道自己的内存朋友是电脑小白，知道内存的大小会关系到电脑的运行。
但是不知道怎么查看电脑内存，这里给大家分享一些关于怎么才能知道自己的内存，希望对大家能有所帮助。
内存就是内存条吗内存和内存条的区别：内存内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。
计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。
内存Memory也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。
只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。
内存是由内存芯片、电路板、金手指等局部组成的。
在计算机的组成结构中，有一个很重要的局部，就是存储器。
存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。
存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器简称内存，港台称之为记忆体。
内存又称主存，是CPU能直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。
内存的特点是存取速率快。
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。
我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。
就好比在一个书房里，存放书籍的书架和书柜相当于电脑的外存，而我们工作的办公桌就是内存。
通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上，当然内存的好坏会直接影响电脑的运行速度。
内存就是暂时存储程序以及数据的地方，比方当我们在使用WPS处理文稿时，当你在键盘上敲入字符时，它就被存入内存中，当你选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬磁盘。
芯片有多大
芯片有多大
芯片大小是指芯片内部的存储容量，通常以字节（Byte）为单位表示。
一个字节等于8位，每位能存储一个二进制位（0或1）。
现代芯片的大小可以非常大，从几千字节到数兆字节不等。
芯片的大小是由其设计和用途决定的。
最早的集成电路芯片（IC）容量非常小，通常只有几百个字节。
这些芯片主要用于一些简单的计算和逻辑运算。
随着技术的进步，芯片的容量不断增加。
目前最常用的芯片是存储器芯片，如随机存储器（RAM）和
只读存储器（ROM）。
RAM芯片用于临时存储数据，容量通
常以千字节（KB）或兆字节（MB）来计量。
一般来说，台式电脑的RAM芯片容量从几GB到几十GB不等。
ROM芯片用于存储软件和固件，容量通常以几十MB到几GB来计量。
此外，计算机处理器的内部缓存也是一种芯片，其容量通常以几十KB到几百KB来计量。
这些芯片用于存储处理器需要经
常使用的数据和指令，以提高处理速度。
除了存储器芯片外，还有一些其他类型的芯片，如图形处理器（GPU）、声卡、网络接口卡等。
这些芯片的大小取决于其
功能和复杂性，容量可以从几百KB到几百MB不等。
需要注意的是，芯片大小不仅仅取决于其存储容量，还取决于
其制造工艺和性能要求。
制造工艺的发展可以实现更高的集成度和更小的芯片尺寸，同时提供更高的性能和更低的功耗。
总之，芯片的大小可以非常大，从几千字节到数兆字节不等，取决于其设计和用途。
随着技术的不断进步，芯片的容量将继续增加。
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Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：
FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；
-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；
AMIR是内部标识号.
红色金条是PC133内存；
金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；
绿色金条是PC100内存；
蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；
蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；
银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.
金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
HITACHI（日立HITACHI）
日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！
HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HM代表日立.
2、52代表SDRAM，51则为EDO
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.
LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度.
A2——内存内核版本号.
TG——封装方式，TG即TSOP封装.
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.
FUJITSU（富士通FUJITSU）
富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品.
MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、MB81代表富士通的SDRAM
2、PC100标准的多为F，普通的内存为1
HYB39S XX XX 0 X T X －X
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HYB代表西门子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为0
6、产品系列
76NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.
Kingmax(胜创)
Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.
Mosel（台湾茂矽）
台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新.
5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.
6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；
7、I／O界面：一般为0
实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.
其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）.
Winbond（华邦）
含义说明：
WXXXXXXXX
12345
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；
8 = 基粒数目；
M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；
4表示版本；
TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13
SEC（三星SAMSUNG）
做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.
SEC编码规则：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
5、一般为5
6、产品系列：A－F
7、功耗：L为低耗，空白则为普通
8、TT为TSOP封装模式
9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）
SIEMENS（西门子）
西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错.
其中GL2000代表芯片类型
GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；
GP代表金邦科技的产品；
6代表产品家族（6=SDRAM）；
LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；
8.内存的容量
我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM外频400MHZ不带有ECC校验的CAS=2.5的256M内存
LGS(LG Semicon)
LGS的内存编码规则：
GM 72 X XX XX X X X X X XXX
MT48 XX XX M XX AX TG－XX X
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1、MT代表美凯龙MICRON
2、48代表SDRAM.
3、一般为LC：普通SDRAM
4、此数与M后位数相乘即为容量.
5、一般为M
6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位
8、产品线：从A－D系列
9、功率：空白则为普通，L为低功耗.
10、封装：一般为TC（TSOP）
11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS
金士顿
KVR *** X ** * C* / ***
3、容量
4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位
1 2 3 4 5 6 7 8
1.KVR代表kingston value RAM
2.外频速度
3.一般为X 4.64为没有ECC；72代表有ECC
5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存
6.3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=2
7.分隔符号
8、版本号
9、封装模式：一般为T：TSOP
10、功耗：F低耗，G普通
11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS.
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.
含义：
MT——Micron的厂商名称.
以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP II封装，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度.
MT（MICRON美凯龙）
美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.
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定义：
1、GM代表LGS公司.
2、72代表SDRAM.
3、V代表3V电压.
4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.