半导体激光器实验报告
半导体激光器实验报告
半导体激光器实验报告摘要：本文旨在通过对半导体激光器的实验研究，探索其基本原理、结构和性能，并分析实验结果。
通过实验，我们了解了激光器的工作原理、调制和控制技术以及其应用领域。
在实验过程中，我们测量了激光器的输出功率、光谱特性和波长调制特性等参数，并对实验结果进行了分析和讨论。
1.引言半导体激光器是一种利用半导体材料作为活性介质来产生激光的器件。
由于其小尺寸、高效率和低成本等优点，半导体激光器被广泛应用于通信、光存储、医学和科学研究等领域。
本实验旨在研究不同结构和参数的半导体激光器的性能差异，并通过实验数据验证理论模型。
2.实验原理2.1 半导体激光器的基本结构半导体激光器由活性层、波导结构和光学耦合结构组成。
活性层是激光器的关键部分，其中通过注入电流来激发电子和空穴复合形成激光。
波导结构用于限制光的传播方向，并提供反射面以形成光腔。
光学耦合结构用于引导激光光束从激光器中输出。
2.2 半导体激光器的工作原理半导体激光器利用注入电流激发活性层中的电子和空穴，使其发生复合并产生激光。
通过适当选择材料和结构参数，使波导结构中的光在垂直方向形成反射，从而形成光腔。
当光经过活性层时，激发的电子和空穴产生辐射跃迁，并在激光器中形成激光。
随着光的多次反射和放大，激光逐渐增强，最终从光学耦合结构中输出。
3.实验步骤3.1 实验器材本实验使用的主要器材有半导体激光器装置、电源、光功率计、多道光谱仪等。
3.2 实验过程首先，将半导体激光器装置与电源连接，并通过电源控制激光器的注入电流。
然后，使用光功率计测量激光器的输出功率，并记录相关数据。
接下来，使用多道光谱仪测量激光器的光谱特性，并记录各个波长的输出光功率。
最后，调节激光器的注入电流，并测量波长调制特性。
完成实验后，对实验数据进行分析和讨论。
4.实验结果与分析通过实验测量，我们得到了半导体激光器的输出功率、光谱特性和波长调制特性等数据，并对其进行了分析。
实验结果显示，随着注入电流的增加，激光器的输出功率呈现出递增趋势，但当电流达到一定值后，增长速度逐渐减慢。
半导体激光器PI特性测试实验
6.连接好实验箱电源，先开交流电源开关，再开直流电源开关，即按下K01，K02 (电源模块)，并打开光发模块（K10）和数字信号源（K50）的直流电源。
7.用万用表测量R110两端电压（红表笔插T103，黑表笔插T104）。
8.慢慢调节电位器W101，使所测得的电压为下表中数值，依次测量对应的光功率值，并将测得的数据填入下表。
2.根据所画的P-I特性曲线，找出半导体激光器阈值电流Ith的大小。
3.根据P-I特性曲线，求出半导体激光器的斜率效率。
七、注意事项
1.半导体激光器驱动电流不可超过40mA，否则有烧毁激光器的危险。
2.由于光功率计，光跳线等光学器件的插头属易损件，使用时应轻拿轻放，切忌
用力过大。
八、思考题
1.试说明半导体激光器发光工作原理。
太原理工大学学生实验报告
学院名称
信息工程学院
专业班级
信息0802
实验成绩
学生姓名
学号
实验日期
2011.12
课程名称
光纤通信
实验题目
半导体激光器P-I特性测试实验
实验记录：
一、实验目的
1.学习半导体激光器发光原理和光纤通信中激光光源工作原理
2.了解半导体激光器平均输出光功率与注入驱动电流的关系
半导体激光器实验报告
半导体激光器实验报告半导体激光器实验报告引言：半导体激光器是一种重要的光电子器件，具有广泛的应用领域，如通信、医疗、工业等。
本实验旨在通过搭建实验装置，研究半导体激光器的工作原理和性能特点，并探索其在光通信领域的应用。
实验一：激光器的工作原理激光器的工作原理是基于光放大和光反馈的原理。
在实验中，我们使用一台半导体激光器，通过电流注入激发半导体材料，产生光子。
这些光子在激光腔中来回反射，不断受到增益介质的放大，最终形成激光束。
实验装置中的关键组件包括半导体激光器、激光腔、准直器和光探测器。
半导体激光器通过电流注入，激发载流子跃迁，产生光子。
光子在激光腔中来回反射，经过准直器调整光束的方向，最后被光探测器接收。
实验二：激光器的性能特点在实验中，我们测试了激光器的输出功率、波长和光谱宽度等性能指标。
通过改变注入电流和温度等参数，我们研究了激光器的输出特性。
首先，我们测试了激光器的输出功率。
通过改变注入电流，我们观察到激光器输出功率随电流增加而增加的趋势。
然而，当电流达到一定值后，激光器的输出功率不再增加，甚至出现下降。
这是由于激光器的光子数饱和效应和损耗机制导致的。
其次，我们测量了激光器的波长。
通过调节激光腔的长度，我们观察到激光器的波长随腔长的变化而变化。
这是由于激光腔的谐振条件决定了激光器的输出波长。
最后，我们研究了激光器的光谱宽度。
通过光谱仪测量激光器的光谱分布，我们发现激光器的光谱宽度与注入电流和温度有关。
随着注入电流的增加和温度的降低，激光器的光谱宽度变窄，光纤通信系统中要求的窄光谱宽度可以通过适当的调节实现。
实验三：半导体激光器在光通信中的应用半导体激光器在光通信领域有着重要的应用。
我们通过实验研究了激光器在光纤通信中的应用。
首先，我们将激光器的输出光束通过光纤传输。
通过调节激光器的输出功率和波长，我们实现了光纤通信中的光信号传输。
通过光探测器接收光信号，并通过示波器观察到了传输过程中的光信号波形。
半导体激光器实验
实验十五半导体激光器实验一、实验目的1．了解半导体激光器的基本原理和基本特性；2．掌握半导体激光器的使用方法。
二、实验原理半导体激光器之所以受到重视，是因为它既有激光单色性好、相干性好、方向性好、亮度高等特点，又具有半导体器件的体积小、重量轻、结构简单、使用方便、效率高和工作寿命长等优点。
半导体激光器能直接利用电源对输出激光进行调制，而且发射波长恰好与光纤传输损耗最低的波段相匹配，因此，可成为光通信的理想光源。
同时在CD、DVD、激光打印机、激光全息照相、光信息处理、激光高速印刷、数码显示、激光测距、激光准直、激光雷达、激光大气污染测试、光谱分析、航标、泵浦能源等领域也有广泛的应用前景。
和其他激光器一样，要使半导体发射激光，必须具备三个基本条件：（1）建立粒子数反转分布，以产生受激辐射；（2）建立一个能起到光反馈作用的谐振腔，以产生激光振荡；（3）满足一定的阈值条件，使得光增益大于损耗。
在简单的两能级系统中，高能级的载流子数大于低能级的载流子数就实现了载流子的反转分布，受激辐射将大于受激吸收而产生光学增益。
在半导体激光器中受激跃迁发生在被占据的导带电子态和价带空穴态之间，其跃迁发生在能量分布较广的能级之间，这时载流子反转分布的条件有所不同。
图15—1（a）表示T≈0K时直接带隙半导体中载流子的填充情况，能量大于带隙能量E g的入射光子将被吸收发生吸收跃迁。
假若用某种激励方式使电子受激从价带跃迁到导带，经一段很短驰豫时间后，电子填充情况如图14—1（b）所示。
在一定温度T时，电子占据导带和价带中某一能级E的几率f C（E）和f v （E）满足费米-狄拉克分布，分别为⎪⎪⎪⎭⎪⎪⎪⎬⎫⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎨⎧-+=-+=)exp(1)()exp(1)(T E E a E f T E E a E f FV v FC e κκ 式中E FC 、E FV 分别是导带和价带的准费米能级，R 是玻尔兹曼常数。
若用能量为h ν的光子束照射半导体系统，必然要引起光的受激辐射和吸收。
半导体激光器_实验报告
半导体激光器_实验报告【标题】半导体激光器实验报告【摘要】本实验主要通过实际操作和测量，研究半导体激光器的工作原理和性能特点。
通过改变电流和温度等参数，观察激光器的输出功率和波长、发散角度等特性的变化，并分析其与激光器内部结构和材料特性之间的关系。
【引言】半导体激光器具有体积小、功耗低、效率高等优点，在光通信、激光加工、医疗等领域有广泛应用。
了解半导体激光器的工作原理和特性对于深入理解其应用具有重要意义。
【实验内容】1. 实验器材与仪器准备：准备半导体激光器、电源、温度控制器、功率测量仪等实验设备。
2. 实验步骤：a. 连接电源和温度控制器，调节温度至设定值。
b. 调节电流，记录相应的激光器输出功率。
c. 测量激光器的输出波长和发散角度。
d. 分析激光器输出功率、波长和发散角度等特性随电流和温度变化的规律。
【实验结果】1. 实验数据记录：记录不同电流和温度下的激光器输出功率、波长和发散角度数据。
2. 实验结果分析：a. 输出功率与电流和温度的关系。
b. 输出波长与电流和温度的关系。
c. 发散角度与电流和温度的关系。
【讨论】根据实验结果，结合半导体激光器的内部结构和材料特性，讨论激光器输出功率、波长和发散角度等特性与电流和温度的关系。
分析激光器的工作原理和性能特点，并讨论其在实际应用中的优缺点。
【结论】通过实验，我们深入了解了半导体激光器的工作原理和性能特点。
通过调节电流和温度等参数，可以控制激光器的输出功率、波长和发散角度等特性。
半导体激光器具有体积小、功耗低、效率高等优点，但也存在一些限制，如温度敏感性较强。
最后，我们对半导体激光器的应用前景进行了展望。
半导体激光器_实验报告
P(uW)
800 700 600 500 400 300 200 100 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
从拟合图中找出阈值以上的直线部分，单独拟合如下图 2，利用拟合公式求得阈 值电流为 11.73mA；斜率效率为 0.10084W/A.
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半导体激光器
图 2
阈值以上的直线部分
10
误差产生的原因可能是读数时示数不稳定所带来的偏差，也有可能是测量光 功率时存在一些额外的损耗而没有很好的避免。 通过对表格 4、表格 5 的直观分析，可以看出：当电流一定时，随着温度的增 加，DFB 光谱的中心波长增加，功率谱密度减小；当温度一定时，随着电流 的增加，DFB 的中心波长增加，功率谱密度也增加。
功率谱密度/dBm -2.642 -0.963 0.381 1.168 1.925 2.621
中心波长 1546.139nm
功率谱密度 -0.154dBm
纵模间隔 1.374nm
-20dB 单模带宽 0.174nm
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半导体激光器
二、 实验结果分析
当温度为 20.1℃时，通过对 DFB 的 P-I 曲线拟合（图 1 图 2） ，得到的阈值 电流为 11.73mA， 当温度为 24.9℃时 （图 3 图 4） ， 得到的阈值电流为 12.15mA. 通过对 F-P 的 P-I 曲线拟合（图 5 图 6）,得到的阈值电流为 9.19mA,与理论 值的相对误差为 ε=| 9.19 10 | 100 % 8.1%
功率谱密度/dBm -2.642 -2.834 -2.936 -3.129 -3.283 -3.334
固定温度改变电流(t=20℃)
表格 5
半导体激光器实验报告
实验13半导体激光器实验【实验目的】1.通过实验熟悉半导体激光器的电学特性、光学特性。
2.掌握半导体激光器耦合、准直等光路的调节。
3.根据半导体激光器的光学特性考察其在光电子技术方面的应用。
4.掌握WGD-6光学多道分析器的使用【仪器用具】半导体激光器及可调电源、WGD-6型光学多道分析器、可旋转偏振片、旋转台、多功能光学升降台、光功率指示仪【实验原理】1、半导体激光器的基本结构半导体激光器的全称为半导体结型二极管激光器，也称激光二极管，激光二极管的英文名称为laser diode，缩写为LD。
大多数半导体激光器用的是GaAs或GaAlAs材料。
P-N结激光器的基本结构和基本原理如图13-1所示，P-N结通常在N型衬底上生长P型层而形成。
在P区和N区都要制作欧姆接触，使激励电流能够通过，这电流使得附近的有源区内产生粒子数反转（载流子反转），还需要制成两个平行的端面起镜面作用，为形成激光模提供必需的光反馈。
图13-1（a）半导体激光器结构图13-1（b ） 半导体激光器工作原理图2、半导体激光器的阈值条件阈值电流作为各种材料和结构参数的函数的一个表达式：)]1ln(21[8202R a Den J Q th +∆=ληγπ这里， Q η是内量子效率，0λ是发射光的真空波长，n 是折射率， γ∆是自发辐射线宽，e 是电子电荷，D 是光发射层的厚度， α是行波的损耗系数，L 是腔长，R 为功率反射系数。
图13-2半导体激光器的P-I特性图13-3 不同温度下半导体激光器的发光特性3、伏安特性伏安特性描述的是半导体激光器的纯电学性质，通常用V-I曲线表示。
V-I曲线的变化反映了激光器结特性的优劣。
与伏安特性相关联的一个参数是LD的串联电阻。
对V-I曲线进行一次微商即可确定工作电流（I）处的串联电阻（dV/dI）。
对LD而言总是希望存在较小的串联电阻。
图13-4典型的V-I曲线和相应的dV/dI曲线3、横模特性半导体激光器的共振腔具有介质波导的结构，所以在共振腔中传播光以模的形式存在。
半导体激光器光学特性测量实验报告
半导体激光器光学特性测量实验学号：姓名：班级：日期：【摘要】激光器的三个基本组成部分是：增益介质、谐振腔、激励能源。
本实验通过测量半导体激光器的输出特性、偏振度和光谱特性，进一步了解半导体激光器的发光原理，并掌握半导体激光器性能的测试方法。
【关键词】半导体激光器、偏振度、阈值、光谱特性一、实验背景激光是在有理论准备和实际需要的背景下应运而生的。
光电子器件和技术是当今和未来高技术的基础之一。
受激辐射的概念是爱因斯坦于1916年在推导普朗克的黑体辐射公式时提出来的, 从理论上预言了原子发生受激辐射的可能性，这是激光的理论基础。
直到1960年激光才被首次成功制造（红宝石激光器）。
半导体激光（Semiconductor laser）在1962年被成功发明，在1970年实现室温下连续输出。
半导体激光器的结构从同质结发展成单异质结、双异质结、量子阱（单、多量子阱）等多种形式，制作方法从扩散法发展到液相外延(LPE)、气相外延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机化合物气相淀积(MOCVD)、化学束外延(CBE) 等多种工艺。
由于半导体激光器的体积小、结构简单、输入能量低、寿命较长、易于调制及价格低廉等优点, 使得它目前在各个领域中应用非常广泛。
半导体激光器已经成功地用于光通讯和光学唱片系统，还可以作为红外高分辨率光谱仪光源，用于大气检测和同位素分离等；同时半导体激光器成为雷达，测距，全息照相和再现、射击模拟器、红外夜视仪、报警器等的光源。
半导体激光器与调频器、放大器集成在一起的集成光路将进一步促进光通讯和光计算机的发展。
半导体激光器主要发展方向有两类，一类是以传递信息为目的的信息型激光器，另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器。
本实验旨在使学生掌握半导体激光器的基本原理和光学特性，利用光功率探测仪和CCD光学多道分析器，测量可见光半导体激光器输出特性、不同方向的发散角、偏振度，以及光谱特性，并熟悉光路的耦合调节及CCD光学多道分析器等现代光学分析仪器的使用，同时进一步了解半导体激光器在光电子领域的广泛应用。
实验报告半导体激光实验
一、实验目的1. 了解半导体激光器的基本原理和光学特性；2. 掌握半导体激光器耦合、准直等光路的调节；3. 根据半导体激光器的光学特性考察其在光电子技术方面的应用；4. 熟悉WGD6光学多道分析器的使用。
二、实验原理1. 半导体激光器的基本结构半导体激光器，全称为半导体结型二极管激光器，是一种利用半导体材料作为工作物质的激光器。
其基本结构包括工作物质、谐振腔和激励能源。
工作物质通常采用V族化合物半导体，如GaAs、MoSb等；谐振腔由两个平行端面构成，起到反射镜的作用；激励能源有电注入、光激励、高能电子束激励和碰撞电离激励等。
2. 半导体激光器的阈值条件半导体激光器的阈值电流是各种材料和结构参数的函数。
在满足阈值条件时，半导体激光器才能产生激光。
阈值电流表达式为：\[ I_{th} = \frac{L}{\eta} \frac{P}{h\nu} \]其中，\( I_{th} \) 为阈值电流，\( L \) 为有源层长度，\( \eta \) 为内量子效率，\( P \) 为注入功率，\( h \) 为普朗克常数，\( \nu \) 为发射光的真空波长。
3. 半导体激光器的光学特性半导体激光器的光学特性主要包括单色性好、高亮度、体积小、重量轻、结构简单、效率高、寿命长等。
三、实验仪器与设备1. 半导体激光器及可调电源；2. WGD6型光学多道分析器；3. 可旋转偏振片；4. 旋转台；5. 多功能光学升降台；6. 光功率指示仪。
四、实验步骤1. 搭建实验系统，连接各仪器设备；2. 调节可旋转偏振片，观察偏振光的变化；3. 调节旋转台，观察光斑在屏幕上的变化；4. 调节多功能光学升降台，观察光功率指示仪的读数；5. 使用WGD6型光学多道分析器，对半导体激光器的光谱进行测量；6. 记录实验数据，分析实验结果。
五、实验结果与分析1. 通过调节可旋转偏振片，观察到偏振光的变化，验证了半导体激光器的偏振特性；2. 通过调节旋转台，观察到光斑在屏幕上的变化，验证了半导体激光器的准直特性；3. 通过调节多功能光学升降台，观察到光功率指示仪的读数变化，验证了半导体激光器的功率特性；4. 使用WGD6型光学多道分析器，对半导体激光器的光谱进行测量，得到激光波长、线宽等参数，进一步验证了半导体激光器的光学特性。
激光技术系列实验-实验报告
（1）按装置图连接好实验线路并检查，待检查无误后接通电源。 （2）打开激光器，调整光路是激光准直。 ①首先使激光束从光阑小孔通过，调整扫描干涉仪上下.左右位置，使光束正入射孔中 ②细调干涉仪板架上的两个方位螺丝， 以便使从干涉仪腔镜反射的最高的光点回到光阑 小孔的中心附近，此时表明入射光束和扫描干涉仪的光轴基本重合。 （3）将放大器的接收部位对准扫描干涉仪的输出端。 （4）连接好放大器、锯齿波发生器、示波器的的相应端口，并打开电源开关。 （5）观察使波器上频谱图，进一步细调干涉仪的两个方位螺丝，使谱线尽量强。 （6）分辨共焦腔球面扫描干涉仪的自由光谱区，确定示波器横轴上每 cm 所对应的频率数。 （7）观察多模激光器的模谱，记下波形及光斑图形（可在远场直接观察），同时 ①测出纵模间隔 ②由干涉仪的自由光谱区计算激光器相邻纵模间隔 ，并与理论值相比较 ③测出纵模个数，由纵模个数及相邻纵模间隔计算出激光器工作物质的增益线宽 四、实验结果与分析 1、氦氖激光器功率稳定性的测量 时间 规律 P（mw） 2:26 0.319 2:28 0.341 2:30 0.345 2:32 0.346 2:34 0.348 2:36 0.350
W =1.4826(2ep) D1/2 = 1.7456(2ep)
（2）实验步骤
(5)
如下图所示， 将刀口位于激光光斑边缘位置， 并将功率计置于刀口后面来测量未被刀口挡住 的激光光功率。
实验装置 1 为激光器，2 为装有螺旋测微器的刀口，3 为功率计。 测量此时激光的输出功率 （此时激光全部未进入功率计） 。 缓慢旋转螺旋测微器， 拉出刀口， 每 0.1mm（也可取最小精度 0.02mm）测一对应的激光功率 P，记录在设计的表格中。重复以 上动作，直到光斑全部进入光功率计，即功率计显示最大值，由此建立 P－x 曲线。数据拟 合及处理得出光斑尺寸及基横模的判断结果。 4、激光器的模式分析 He-Ne 激光器、激光电源、小孔光阑、共焦球面扫描干涉仪、锯齿波发生器、放大器、示波 器等。实验装置如下图
实验报告——半导体激光器输出光谱测量
实验报告——半导体激光器输出光谱测量实验时间：2017.03.04一、实验目的1、了解半导体激光器的基本原理及基本参数；2、测量半导体激光器的输出特性和光谱特性；3、了解外腔选模的机理，熟悉光栅外腔选模技术；4、熟悉压窄谱线宽度的方法。
二、实验原理1.半导体激光器激光（LASER）的全称 light amplification by stimulated emission of radiation 意为通过受激发射实现光放大。
激光器的基本组成如下图：必要组成部分无外乎：谐振腔、增益介质、泵浦源。
在此基础上，激光产生的条件有二：1）粒子数反转通过外界向工作物质输入能量，使粒子大部分处于高能态，而非基态。
2）跃迁选择定则粒子能够从基态跃迁到高能态，需要两个能级之间满足跃迁选择定则，电子相差 的奇数倍角动量差。
世界上第一台激光器是1960年7月8日，美国科学家梅曼发明的红宝石激光器。
1962年世界上第一台半导体激光器发明问世。
2.半导体激光器的基本原理半导体激光器工作原理是激励方式，利用半导体物质(既利用电子)在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈、产生光的辐射放大，输出激光。
没有杂质的纯净半导体，称为本征半导体。
如果在本征半导体中掺入杂质原子，则在导带之下和价带之上形成了杂质能级，分别称为施主能级和受主能级。
有施主能级的半导体称为n型半导体；有受主能级的半导体称这p型半导体。
在常温下，热能使n型半导体的大部分施主原子被离化，其中电子被激发到导带上，成为自由电子。
而p型半导体的大部分受主原子则俘获了价带中的电子，在价带中形成空穴。
因此，n 型半导体主要由导带中的电子导电；p型半导体主要由价带中的空穴导电。
若在形成了p-n结的半导体材料上加上正向偏压，p区接正极，n区接负极。
正向电压的电场与p-n结的自建电场方向相反，它削弱了自建电场对晶体中电子扩散运动的阻碍作用，使n区中的自由电子在正向电压的作用下，源源不断地通过p-n结向p区扩散，在结区内同时存在着大量导带中的电子和价带中的空穴时，它们将在注入区产生复合，当导带中的电子跃迁到价带时，多余的能量就以光的形式发射出来。
半导体激光器实验报告
一、实验目的1. 熟悉半导体激光器的基本结构和工作原理。
2. 掌握半导体激光器的电学特性、光学特性及其调节方法。
3. 通过实验了解半导体激光器在光电子技术方面的应用。
4. 学习使用WGD6光学多道分析器等实验仪器。
二、实验原理半导体激光器是一种基于半导体的电致发光效应的激光器。
当电流通过p型和n型半导体材料形成的pn结时，电子和空穴在pn结的活性区内复合，释放出能量，产生光子。
这些光子在谐振腔中多次反射和放大，最终形成具有特定波长、相位和方向性的激光输出。
半导体激光器的主要结构包括：半导体材料、pn结、谐振腔、光学元件等。
其中，半导体材料是激光器的核心部分，决定了激光器的波长、功率和效率。
pn结是半导体激光器的能量源，谐振腔是激光器的放大器，光学元件则用于调节激光器的光路。
三、实验仪器与材料1. 半导体激光器及可调电源2. WGD6型光学多道分析器3. 可旋转偏振片4. 旋转台5. 多功能光学升降台6. 光功率指示仪四、实验步骤1. 连接仪器：将半导体激光器、可调电源、WGD6型光学多道分析器、可旋转偏振片、旋转台、多功能光学升降台和光功率指示仪连接好。
2. 调节激光器：调整可调电源，使激光器工作在阈值电流附近。
观察激光器输出光斑，调整激光器的光路，使光斑最小化。
3. 测量电学特性：记录激光器在不同电流下的输出功率，分析激光器的电学特性。
4. 测量光学特性：使用WGD6型光学多道分析器测量激光器的光谱特性，分析激光器的光学特性。
5. 调节光路：通过旋转偏振片和旋转台，观察激光器的输出光斑，调整光路，使光斑最小化。
6. 观察应用：观察激光器在光电子技术方面的应用，如光纤通信、激光雷达等。
五、实验结果与分析1. 电学特性：实验结果显示，随着电流的增加，激光器的输出功率逐渐增加，但在阈值电流附近，输出功率增加速率最快。
这表明半导体激光器具有饱和特性。
2. 光学特性：实验结果显示，激光器的光谱线为单色线，且光斑最小化。
半导体激光器实习报告(2篇)
第1篇一、实习背景与目的随着科技的飞速发展，半导体激光器在通信、医疗、工业加工等领域发挥着越来越重要的作用。
为了更好地了解半导体激光器的工作原理、结构特点及其在各个领域的应用，我们选择了半导体激光器作为实习课题。
本次实习旨在通过实际操作和理论学习，加深对半导体激光器的基本原理、结构、性能和应用的理解，提高自己的动手能力和科研素养。
二、实习内容本次实习主要分为以下几个部分：1. 半导体激光器基础知识学习：了解半导体激光器的发展历程、工作原理、结构特点等基本知识。
2. 实验室设备操作：熟悉实验室环境，掌握实验室设备的操作方法，如光谱分析仪、光功率计等。
3. 半导体激光器样品测试：对实验室提供的半导体激光器样品进行性能测试，包括输出功率、光谱特性、温度特性等。
4. 实验数据分析与处理：对测试数据进行整理、分析，运用相关理论进行解释。
5. 撰写实习报告：总结实习过程中的收获和体会，提出改进建议。
三、实习过程1. 理论学习：在实习开始前，我们通过查阅资料、课堂讲解等方式，对半导体激光器的基本原理、结构特点等进行了系统的学习。
2. 实验室设备操作：在导师的指导下，我们熟悉了实验室的设备，掌握了光谱分析仪、光功率计等仪器的操作方法。
3. 样品测试：我们选取了实验室提供的几种不同类型的半导体激光器样品，对其输出功率、光谱特性、温度特性等进行了测试。
4. 数据分析与处理：将测试数据整理成表格，运用相关理论进行分析，对样品的性能进行评估。
5. 撰写实习报告：在实习过程中，我们及时记录实习心得和体会，最后整理成实习报告。
四、实习成果1. 加深了对半导体激光器基本原理和结构特点的理解：通过实习，我们对半导体激光器的工作原理、结构特点等有了更加深入的认识。
2. 提高了动手能力和实验技能：在实验室设备操作和样品测试过程中，我们提高了自己的动手能力和实验技能。
3. 培养了科研素养：通过实习，我们学会了如何分析实验数据，运用理论进行解释，培养了科研素养。
半导体激光器实验报告
半导体激光器实验报告课程：_____光电子实验_____学号：姓名：专业：信息工程南京大学工程管理学院半导体激光器一．实验目的（1）通过实验熟悉半导体激光器的光学特性（2）掌握半导体激光器耦合、准直等光路的调节（3）根据半导体激光器的光学特性考察其在光电技术方面的应用二．实验原理1.半导体激光器的基本结构半导体激光器大多数用的是GaAs或Gal-xAlxAs材料。
P-n结通常在n 型衬底上生长p型层而形成，在p区和n区都要制作欧姆接触，使激励电流能够通过，电流使结区附近的有源区产生粒子数反转。
2.半导体激光器的阈值条件当半导体激光器加正向偏置并导通时，器件不会立刻出现激光震荡，小电流时发射光大都来自自发辐射，随着激励电流的增大，结区大量粒子数反转，发射更多的光子，当电流超过阈值时，会出现从非受激发射到受激发射的突变。
这是由于激光作用过程的本身具有较高量子效率的缘故，激光的阈值对应于：由受激发射所增加的激光模光子数（每秒）正好等于平面散射，吸收激光器的发射所损耗的光子数（每秒）。
3.横模和偏振态半导体激光器的共振腔具有介质波导的结构，所以在共振腔中传播光以模的形式存在。
每个模都由固有的传播常数和横向电场分布，这些模就构成了激光器中的横模。
横模经端面射出后形成辐射场，辐射场的角分布沿平行于结面方向和垂直于结面方向分别成为侧横场和正横场。
共振腔横向尺寸越小，辐射场发射角越大，由于共振腔平行于结面方向的宽度大于垂直于结面方向的厚度，所以侧横场小于正横场的发散角。
激光器的GaAs晶面对TE模的反射率大于对TM模的反射率，因而TE模需要的阈值增益低，TE模首先产生受激发射，反过来又抑制了TM模，另一方面形成半导体激光器共振腔的波导层一般都很薄，这一层越薄对偏振方向垂直于波导层的TM模吸收越大，这就使得TE模增益大，更容易产生受激发射，因此半导体激光器输出的激光偏振度很高。
4．纵模特性激光器二极管端面部分的反射的反馈导致建立单个或多个纵模特性。
半导体泵浦激光器实验报告
半导体泵浦激光器实验报告一、实验目的本次实验的主要目的是深入了解半导体泵浦激光器的工作原理、结构特点以及性能参数，并通过实际操作和测量，掌握其调试和应用方法。
二、实验原理半导体泵浦激光器（Diode Pumped Solid State Laser，简称 DPSSL）是一种以半导体激光器作为泵浦源的固体激光器。
其工作原理基于光的受激辐射。
半导体激光器发出的泵浦光被聚焦到激光晶体上，使得激光晶体中的粒子数反转分布。
当处于高能级的粒子数多于低能级时，在一定的条件下，受激辐射会超过受激吸收，从而产生激光。
在半导体泵浦激光器中，常用的激光晶体有 Nd:YAG（掺钕钇铝石榴石）、Nd:YVO₄（掺钕钒酸钇）等。
这些晶体具有良好的光学性能和较高的增益系数。
三、实验设备与材料1、半导体泵浦激光器系统，包括半导体泵浦源、激光晶体、谐振腔等部件。
2、光学平台及调整架，用于安装和调整实验装置。
3、激光功率计，用于测量激光输出功率。
4、光谱仪，用于测量激光的波长和光谱特性。
5、示波器，用于观测激光的脉冲特性。
四、实验步骤1、搭建实验装置将半导体泵浦源、激光晶体和谐振腔等部件安装在光学平台上，并使用调整架进行初步调整，使光路大致准直。
2、泵浦源调试开启半导体泵浦源，调节其工作电流和温度，使其输出稳定的泵浦光。
3、谐振腔调整通过微调谐振腔的反射镜，观察激光输出功率的变化，找到最佳的谐振状态。
4、功率测量使用激光功率计测量激光的输出功率，并记录不同泵浦电流下的功率值。
5、光谱测量利用光谱仪测量激光的波长和光谱宽度。
将激光输出接入示波器，观察激光的脉冲形状和重复频率。
五、实验数据与结果1、功率特性随着泵浦电流的增加，激光输出功率逐渐增大，但并非呈线性关系。
在达到一定电流值后，功率增长趋于平缓，甚至可能出现饱和现象。
2、光谱特性测量得到的激光波长与所选激光晶体的特性相符，光谱宽度较窄，表明激光具有较好的单色性。
3、脉冲特性观察到的激光脉冲形状较为规整，重复频率稳定。
半导体激光器实习报告
一、实习背景随着科技的飞速发展，半导体激光器作为光电子技术领域的重要器件，在通信、医疗、工业加工等领域发挥着越来越重要的作用。
为了更好地了解半导体激光器的工作原理和应用，提高自身的实践能力，我于近期在XX公司进行了为期一个月的半导体激光器实习。
二、实习目的1. 熟悉半导体激光器的基本结构、工作原理和特性；2. 掌握半导体激光器的制备、调试和应用技术；3. 提高动手操作能力，为今后的工作打下坚实基础。
三、实习内容1. 实习单位简介XX公司成立于2005年，是一家专注于光电子技术研发、生产和销售的高新技术企业。
公司拥有一支高素质的研发团队，具备完善的实验室设施和生产线，产品广泛应用于通信、医疗、工业等领域。
2. 实习过程（1）学习半导体激光器基础知识实习期间，我首先学习了半导体激光器的基本结构、工作原理和特性。
在导师的指导下，我了解了激光产生的条件、半导体激光器的材料选择、结构设计以及阈值条件等知识。
（2）参观生产线在实习过程中，我参观了公司的生产线，了解了半导体激光器的制备过程。
从原材料的选择、制备工艺、封装测试等环节，我对半导体激光器的生产过程有了全面的认识。
（3）实际操作在导师的带领下，我进行了半导体激光器的调试和测试。
通过实际操作，我掌握了激光器的调试方法、参数调整技巧以及故障排除方法。
（4）项目参与在实习期间，我参与了公司一项关于半导体激光器在医疗领域的应用项目。
在导师的指导下，我负责部分实验数据的整理和分析，为项目提供了有力支持。
3. 实习收获（1）提高了理论知识水平通过实习，我对半导体激光器的基本知识有了更深入的了解，为今后的工作打下了坚实的基础。
（2）提升了动手操作能力在实习过程中，我学会了半导体激光器的调试和测试方法，提高了自己的动手操作能力。
（3）积累了实践经验通过参与项目，我积累了实践经验，为今后的工作积累了宝贵经验。
四、实习总结本次实习让我对半导体激光器有了更加全面的认识，提高了我的理论水平和实践能力。
半导体激光器件研究报告
半导体激光器件研究报告半导体激光器件研究报告一、研究背景半导体激光器件是一种利用半导体材料产生激光的器件，其具有小体积、高效率、低成本等优点，因此在光通信、光存储、激光医疗等领域有广泛应用。
随着光通信领域的快速发展，对半导体激光器件的需求也日益增加，因此对半导体激光器件的研究变得尤为重要。
二、研究目的本研究旨在通过对半导体激光器件的研究，提高其性能并探索新的应用领域。
具体目标包括：1. 研究各类半导体材料的激光器件制备方法，探索制备工艺的优化。
2. 提高半导体激光器件的光电转换效率，降低能量损耗。
3. 针对特定应用场景，设计新型的半导体激光器件结构，提高其功率输出和稳定性。
4. 综合考虑半导体激光器件的电性能、光学性能和热性能，优化器件的整体性能。
5. 探索半导体激光器件在光通信、光存储、激光医疗等领域的应用。
三、研究方法本研究将采用实验室研究与理论分析相结合的方法，具体包括：1. 实验室研究：通过搭建半导体激光器件制备实验平台，研究不同材料的激光器件制备方法，并对制备工艺进行优化。
同时，通过实验测试，评估不同器件的性能。
2. 理论分析：通过理论模拟和数值计算，分析半导体激光器件的光学特性、电学特性和热学特性，优化器件的设计与结构。
3. 综合分析：将实验结果与理论分析相结合，对半导体激光器件进行综合分析和评价。
四、研究预期成果通过本研究，我们预期能够获得以下成果：1. 对不同材料的半导体激光器件制备方法进行研究，探索制备工艺的优化方案。
2. 提高半导体激光器件的光电转换效率，降低能量损耗。
3. 设计新型的半导体激光器件结构，提高器件的功率输出和稳定性。
4. 优化器件的电性能、光学性能和热性能，提高整体性能。
5. 探索半导体激光器件在光通信、光存储、激光医疗等领域的应用。
以上为半导体激光器件研究报告的基本内容，具体研究细节将根据实际情况进行调整和补充。
半导体激光器实习报告
半导体激光器实习报告在过去的一个月里，我有幸在一家半导体激光器公司进行实习。
这次实习让我对半导体激光器的生产和研发过程有了更深入的了解，也让我收获了许多实践经验。
在实习的第一周，我主要了解了半导体激光器的基本原理和生产流程。
半导体激光器是一种利用半导体材料产生的激光，它通过PN结的特性，在注入电流的作用下产生激光。
半导体激光器具有体积小、重量轻、功耗低、工作频率高等优点，因此在光电子技术、光纤通信、激光打印等领域得到广泛应用。
在实习的第二周，我参观了公司的生产线，并参与了半导体激光器的组装过程。
我学习了如何正确安装激光器芯片、如何搭建电路板、如何进行光纤耦合等操作。
在实践中，我深刻体会到了每一个环节的重要性，任何一个步骤的失误都可能导致激光器的性能下降。
在实习的第三周，我开始参与公司的研发项目。
我们团队主要研究如何提高半导体激光器的输出功率和稳定性。
通过实验和数据分析，我们发现通过优化芯片结构和提高封装质量可以有效提高激光器的性能。
在这个过程中，我学到了如何进行实验设计、如何处理实验数据、如何撰写实验报告等科研技能。
在实习的第四周，我有机会参观了一些半导体激光器的应用场景。
我们参观了激光打印机、激光切割机等设备的现场演示，看到了半导体激光器在这些领域的重要作用。
这让我更加深刻地认识到半导体激光器技术的价值和潜力。
通过这次实习，我不仅学到了半导体激光器的相关知识和技能，还锻炼了自己的团队合作和沟通能力。
在实习期间，我与团队成员密切合作，共同解决问题，取得了良好的成果。
同时，我也向公司的技术人员请教了许多问题，他们的热情指导和耐心解答让我受益匪浅。
总之，这次实习让我对半导体激光器行业有了更深入的了解，也为我未来的学习和工作打下了坚实的基础。
我相信，在今后的学习和工作中，我会不断运用和提升这次实习所学的知识和技能，为我国半导体激光器行业的发展贡献自己的力量。
半导体泵浦激光器实验报告
半导体泵浦激光器实验报告一、实验目的半导体泵浦激光器在现代光学领域有着相当重要的地位呢。
咱们做这个实验呀，就是为了深入了解半导体泵浦激光器的工作原理，还有它的一些基本特性，像输出功率呀，波长范围之类的。
通过这个实验，希望大家能够亲手操作相关设备，提高自己的实验技能，并且学会对实验数据进行分析处理。
二、实验设备1. 半导体泵浦激光器。
这可是实验的主角呢，就像舞台上的明星，它的性能直接决定了实验的结果。
这个激光器呀，有着独特的结构，内部的半导体材料是关键，它能够产生泵浦光，为激光的产生提供能量。
2. 功率计。
这就像是一个小裁判，专门用来测量激光器输出的功率。
它很灵敏，能够精确地告诉我们激光器到底有多“大力气”，能输出多少功率。
3. 波长计。
它的任务呢，是测量激光器输出光的波长。
就好比给光做个身份鉴定，确定它的波长到底是多少，是属于哪个波段的。
三、实验步骤1. 首先把半导体泵浦激光器连接好电源。
这一步可不能马虎，就像给汽车加油一样，要确保电源连接稳固，不然激光器可没法好好工作。
然后打开激光器的开关，这时候呀，激光器就开始工作了，就像一个小引擎启动了。
2. 接着，用功率计来测量激光器的输出功率。
把功率计的探头对准激光器的输出端口，就像眼睛盯着目标一样，然后读取功率计上显示的数值。
这个数值可能会因为各种因素而有波动，比如环境温度呀，激光器的工作状态呀。
3. 再用波长计测量输出光的波长。
把波长计调整到合适的测量模式，然后让激光器的光进入波长计，就像送客人进门一样。
波长计就会告诉我们光的波长是多少，这可是很重要的一个参数呢。
四、实验数据记录与分析1. 在实验过程中，要认真记录每次测量得到的数据。
比如说，不同的工作电流下，激光器的输出功率是多少，对应的波长又是多少。
这些数据就像是宝藏一样，是我们分析实验结果的依据。
2. 对数据进行分析的时候呀，可以画一些图表。
比如，以工作电流为横坐标，输出功率为纵坐标，画一个功率 - 电流曲线。
半导体激光器特性测量实验报告
半导体激光器特性测量一、实验目的：1.通过本实验学习半导体激光器原理。
2.测量半导体激光器的几个主要特性。
3.掌握半导体激光器性能的测试方法。
二、实验仪器：半导体激光器装置、WGD-6型光学多道分析器、电脑等。
三、实验原理：WGD-6 型光学多道分析器，由光栅单色仪，CCD 接收单元，扫描系统，电子放大器，A/D 采集单元，计算机组成。
该设备集光学、精密机械、电子学、计算机技术于一体。
光学系统采用C－T 型，如图M1 反射镜、M2 准光镜、M3 物镜、M4 转镜、G 平面衍射光栅、S1 入射狭缝、S2 光电倍增管接收、S3 CCD 接收。
入射狭缝、出射狭缝均为直狭缝，宽度范围0－2mm 连续可调，光源发出的光束进入入射狭缝S1、S1 位于反射式准光镜M2 的焦面上，通过S1 射入的光束经M2 反射成平行光束投向平面光栅G 上，衍射后的平行光束经物镜 M3 成像在S2 上。
四、实验内容及数据分析1.半导体激光器输出特性的测量：a)将各仪器按照要求连接好；b)打开直流稳压电源，打开光多用仪；c) 将激光器的偏置电流输入插头接于稳压电源的电流输出端；d) 将激光器与光多用仪的输入端相连并使探头正好对激光器输出端，打开光多用仪； e) 缓慢增加激光器输入电流（0mA~36mA ），注意电流不要超过ＬＤ的最大限定电流（实验中不超过38mA ）。
从功率计观察输出大小随电流变化的情况； f) 记录数据； g) 绘图绘成曲线。
实验数据及结果分析： I （mA ） 1.02.03.04.05.06.07.0 8.09.010.011.0 12.0 P (uW) 0.40 0.80 1.25 1.75 2.25 2.85 3.54.255.05 5.956.98.0I （mA ） 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0 21.0 22.0 23.0 24.0 P (uW) 9.310.7512.4514.5517.8522.941.0311.5753.51179.51594.51845.0根据以上实验数据绘制I —P 曲线:半导体激光器输出特性2004006008001000120014001600180020000510152025I(mA)P(uW)实验结果分析：通过半导体激光器的控制电源改变它的工作电流I ，测量对应的发光功率P ，以P 为纵轴，I 为横轴作图，描成曲线。
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实验13半导体激光器实验
【实验目的】
1.通过实验熟悉半导体激光器的电学特性、光学特性。
2.掌握半导体激光器耦合、准直等光路的调节。
3.根据半导体激光器的光学特性考察其在光电子技术方面的应用。
4.掌握WGD-6光学多道分析器的使用
【仪器用具】
半导体激光器及可调电源、WGD-6型光学多道分析器、可旋转偏振片、旋转台、多功能光学升降台、光功率指示仪
【实验原理】
1、半导体激光器的基本结构
半导体激光器的全称为半导体结型二极管激光器，也称激光二极管，激光二极管的英文名称为laser diode，缩写为LD。
大多数半导体激光器用的是GaAs或GaAlAs材料。
P-N结激光器的基本结构和基本原理如图13-1所示，P-N结通常在N型衬底上生长P型层而形成。
在P区和N区都要制作欧姆接触，使激励电流能够通过，这电流使得附近的有源区内产生粒子数反转（载流子反转），还需要制成两个平行的端面起镜面作用，为形成激光模提供必需的光反馈。
图13-1（a）半导体激光器结构
图13-1（b ） 半导体激光器工作原理图
2、半导体激光器的阈值条件
阈值电流作为各种材料和结构参数的函数的一个表达式：
)]1ln(21[8202R a D
en J Q th +∆=ληγπ
这里， Q
η是内量子效率，0λ是发射光的真空波长，n 是折射率， γ∆是自发辐射线宽，
e 是电子电荷，D 是光发射层的厚度， α是行波的损耗系数，L 是腔长，R 为功率反射系数。
图13-2半导体激光器的P-I特性
图13-3 不同温度下半导体激光器的发光特性
3、伏安特性
伏安特性描述的是半导体激光器的纯电学性质，通常用V-I曲线表示。
V-I曲线的变化反映了激光器结特性的优劣。
与伏安特性相关联的一个参数是LD的串联电阻。
对V-I曲线进行一次微商即可确定工作电流（I）处的串联电阻（dV/dI）。
对LD而言总是希望存在较小的串联电阻。
图13-4典型的V-I曲线和相应的dV/dI曲线
3、横模特性
半导体激光器的共振腔具有介质波导的结构，所以在共振腔中传播光以模的形式存在。
每个模都由自己的传播系数β和横向电场分布，这些模就构成了半导体激光器中的横模。
横模经端面出射后形成辐射场。
辐射场的角分布沿平行于结面方向和垂直结面方向分别成为正横场和侧横场。
辐射场的角分布和共振腔的几何尺寸密切相关，共振腔横向尺寸越小，辐射场发射角越大。
由于共振腔平行于结面方向的宽带大于垂直于结面方向的厚度。
所以侧横场小于正横场
θ=，d表示共振腔宽度。
共振发射角，如图13-5所示；侧横场发射角可近似表示为：d/λ
腔的厚度通常只有1μm左右，和波长同量级，所以正横场发射角较大，一般为30°~40°。
辐射场的发射角还和共振腔长度成反比，而半导体激光器共振腔一般只有几百微米，所以其远场发射角远远大于气体激光器的远场发射角。
图13-5 半导体激光器的远场辐射特性
图13-5（c）半导体激光器的远场辐射特性
4、纵模特性
激光器二极管端面部分的反射的反馈导致建立单个或多个纵模特性。
由于通常同时存在几个纵模，半导体激光器的典型光谱如图13-6所示，其波长接近自发辐射峰值波长，因此，为了实现单模工作须改进激光器的结构，抑制主模以外的所有其他模。
图13-6 半导体激光器的光谱图
5、偏振特性
因为半导体激光器共振腔面一般是晶体的解里面，对常用的GaAs 异质结激光器的GaAs 晶面对TE 模的反射率大于对偏振方向垂直于波导层的TM 模的反射率，因此，半导体激光器输出的激光偏振度很高，一般是9.0////≥+-=⊥
⊥I I I I P 。
【仪器介绍】
半导体激光器实验装置如图13-7所示。
图13-7 实验装置图
1、光学多道分析器：由光栅单色仪，CCD 接收单元，扫描系统，电子放大器，A/D 采集单元，计算机组成，如图13-7所示。
WGD-6型光学多道分析器波长测量范围是300-900nm ，CCD 接收单元为2048个
图13-8 光学原理图
M1：反射镜、M2：反射式准光镜、M3：物镜、M4：转镜、G：平面衍射光栅、
S1：入射狭缝、P：观察窗（或出射狭缝）
入射狭缝、出射狭缝均为直狭缝，宽度范围0－2mm连续可调，光源发出的光束进入入射狭缝S1、S1位于反射式准光镜M2的焦面上，通过S1射入的光束经M2反射成平行光束投向平面光栅G上，衍射后的平行光束经物镜M3成像在CCD上。
其中M2、M3的焦距为302.5mm；光栅G每毫米刻线600条，闪耀波长550nm。
2、WGD-6软件：其工作界面主要由菜单栏、主工具栏、辅工具栏、工作区、状态栏、参数设置区以及存储器信息提示区等组成，如图13-9和图13-10所示。
3、半导体激光器及可调电源：中心波长650nm，＜5mW，电流0～40mA连续可调。
4、光功率指示仪:2μW～200mW,6挡调节。
5、光学升降台：升降范围>40mm。
6、旋转台：0～360°最小刻度值1°。
图13-9 WGD-6软件工作界面
图13-10 WGD-6软件测量光谱图
【实验内容与要求】
1.半导体激光器的伏安特性和P-I特性
打开半导体激光器LD电源，调节半导体激光器的准直透镜把光耦合进光功率指示仪的接收器，用光功率指示仪读出半导体激光的输出功率。
调节半导体激光器注入电流I令其从0逐渐增加到40mA，观察半导体激光器输出功率P的变化和LD电源电压表V的变化，重复2次，将实验数据列表，并作出V-I、P-I曲线，V、P为平均功率，并找出阈值电流。
2.半导体激光器的发散角
将半导体激光器置于旋转台中心，去掉激光器的准直透镜，使半导体激光器的光发散，并让发散角最大的一面平行于旋转台面。
旋转探测器测量不同角度的光功率，记录光功率指示仪所测得的输出值，作出在不同的注入电流时，其输出值随角度的变化曲线，得到正横场发散角分布特点。
将半导体激光器旋转90°再测量侧横场发散角，绘制半导体激光器的远场辐射特性。
3.半导体激光器的偏振度测量
在探测器前加入偏振片，将偏振片从0°旋转到180°，每隔5°记录记录输出功率，计算偏振度P。
4.半导体激光器的光谱特性测试
将半导体激光器LD（650nm,<5mW）的光信号通过透镜L耦合进WGD-6光学多道分析器的输入狭缝S1，让光学多道分析器与计算机相连，从光栅单色仪输出的光信号通过CCD 接受放大输出到计算机，通过控制软件的设置就绘出半导体激光器的谱线。
分析半导体激光器的输入功率对光谱的影响。
半导体的激光器的输入功率对光谱的影响在这个实验中可以看作半导体激光的注入电流对光谱的影响！
半导体激光器在不同注入电流下会进入不同的模式，一定的电流范围内可能单模工作，电流变化后可能多模工作，单模的光谱集中于一个波长附近呈现单峰，多模的光谱呈现多峰。
误差分析：（1）容易收到外界电信号等得干扰，导致实验数据有偏差。
【思考问题】
1.半导体激光器为什么存在阈值电流？阈值电流与那些因素有关？
半导体激光器又称激光二极管，二极管的PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称PN结导通；PN结导通了二极管才开始工作，因此存在阈值电流。
与二极管的材料、温度有关。
2.与气体激光器相比，半导体激光器具有那些优缺点？
优：价格便宜
体积小
可以做高速调制
功率可以很方便的进行各种调制
缺：半导体激光管（LD）的激光输出功率会随其壳体的温度变化而有较大变化。
半导体激光器的中心波长的一致性比较差，不同批次的半导体激光管的中心波长一般来说都会略有差别。
半导体激光管（LD）的发出的激光束的发散角非常大，且两个方向的发散角不同，所以绝大多数半导体激光模块都要对半导体激光管发出的激光进行光束整形。