《霍尔元件测磁场》PPT课件
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霍尔效应ppt
（厘米3／库仑）：
（4）
2．霍尔系数与其它参数间的关系
根据 可进一步确定以下参数：
（1）由 的符号（或霍尔电压的正负）判断样品的导电类型。判别的
方法是按图1所示的 和 的方向，若测得的
即 点电位高于
点的电位，则 为负，样品属N型；反之则为P型。
1
（２）由RH求载流子浓度n。即 n RH e 。应该指出，这个关系式是假定 所有载流子都具有相同的漂移速度得到的，严格一点，如果考虑载流子
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用
而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这
种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形
成附加的横向电场，即霍尔电场 EH 。
霍尔电场 是阻止载流子
继续向侧面偏移，当载流子所受 的横向电场力 与洛仑兹力
相等，样品两侧电荷的积累就达 到动态平衡，故有
的输出电压较片状要高得多。
4．实验方法
（1）霍尔电压 的测量方法
值得注意的是，在产生霍尔效应的同时，因伴随着各种副效应，以致 实验测得的 、 两极间的电压并不等于真实的霍尔电压 值，而是包含 着各种副效应所引起的附加电压，因此必须设法消除。根据副效应产生 的机理可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上能把副效应的 影响从测量结果中消除。即在规定了电流和磁场正、反方向后，分别测 量由下列四组不同方向的 和 组合的 （ 、 两点的电位差）即：
（1）
（a）
（b）
设试样的宽为b，厚度为d，
图1 霍尔效应实验原理示意图
载流子浓度为n ，则
（a）载流子为电子（N型）；（b）载流子为空穴（P型）
（2）
由（1）、（2）两式可得：
《霍尔传感器》课件
优点
• 非接触式测量 • 高精度和稳定性 • 快速响应
缺点
• 受外部磁场影响 • 价格相对较高 • 对温度变化敏感
霍尔传感器与其他传感器的比较
光电传感器
可感知光强，但受环境光影响。
电阻式传感器Biblioteka 测量电阻值，受温度和湿度影响。
温度传感器
用于测量温度变化，但无法测量磁场。
霍尔传感器在智能家居中的应 用
霍尔传感器可用于智能门窗、智能家电等设备的开关和状态监测，提高家居 安全和便利性。
霍尔传感器在汽车行业中的应用
霍尔传感器广泛应用于转向传感、刹车传感和座椅安全传感等汽车系统中，提升驾驶体验和安全 性。
具有灵敏度高、响应速 度快等特点。
效应霍尔元件
可测量磁场的强度和方 向。
开关型霍尔元件
用于检测接近或远离磁 场的开关状态。
霍尔元件的特点
1 非接触式测量
不受物体表面状态和材料的影响。
3 快速响应
适用于高速测量和控制应用。
2 高精度和稳定性
能够实时准确测量磁场强度。
4 广泛的工作温度范围
可在极端环境下工作。
《霍尔传感器》PPT课件
本课件将为您介绍霍尔传感器的原理、种类及其在各个领域的广泛应用。通 过清晰的图示和丰富的案例，带您深入了解霍尔传感器的优点、发展历程以 及未来的挑战。
概述
霍尔传感器利用霍尔效应测量磁场，有广泛的应用领域。本节将介绍霍尔传 感器的定义、原理以及与其他传感器的比较。
霍尔元件
线性霍尔元件
基于霍尔元件的测量电路
电压输出型
输出电压随磁场强度变化。
电流输出型
输出电流随磁场强度变化。
开关输出型
检测物体是否接近或远离磁 场。
霍尔法测磁场.ppt
A’
实验原理
采用对称测量法消除可以消除副效应， 即分别测量四组不同方向的Is和B组合的VAA’，然后求平均。
+B，+I -B，+I -B，-I
+B，-I
VAA’=V1 VAA’=-V2 VAA’=V3
VAA’=V4
VH
V1V2V3V4 4
实验仪器
组合仪器分为实验台和测试仪两部分。 实验台有电磁铁、样品、接线柱和三个双刀双置开关（为
3.B=0， Is =0.15mA，测VAC。
4.求RH、n、σ、μ
要求
写出公式、代入数据、算出正确结果。 用毫米格坐标纸画图！
注意事项
❖切不可将IM 电流接到样品电流上， 否则将烧坏样品！
❖关机前将Is 、IM 调节旋钮逆时针转 到底，使Is 、IM 输出为 000，且每
次开机前检查。
Is、VH、Vσ及激励电流换向用）。 测试仪IM输出、Is输出、数字毫伏表（显示VH、Vσ输入测
量值）和数字电流表（根据“测量选择”分别显示IM 和Is）。
实验内容与数据处理
1.保持IM 不变（ IM =0.45A），测VH -Is 曲线。
2.保持Is 不变（ Is =4.50mA），测VH -IM 曲线。
由计算结果RH，可以
✓判断半导体类型 VH 0 RH 0 为P型，为 VH 0
✓求出载流子浓度n ✓求出载流子迁移率
n 3 1 (修正后）
8 RH e
ne
RH
RH 0 N型。 A
2. 副效应及其消除方法：
由于霍耳电压的电极A、A’难得做在
一个理想的等势面上，故当有电流通过时
就会产生一个附加电压V0=Isr 式中r为A、A’间的电阻
《霍尔传感器 》课件
防电击
确保传感器外壳接地良好，避免因漏电等原因造成电 击危险。
操作规范
遵循安全操作规范，避免在未经授权的情况下擅自拆 卸、改装传感器。
04
霍尔传感器的发展趋势与未来 展望
技术创新与改进
微型化
多功能化
随着微电子技术的不断发展，霍尔传 感器的尺寸逐渐减小，性能不断提高 ，应用范围更加广泛。
未来霍尔传感器将逐渐实现多功能化 ，能够同时检测多种物理量，满足不 同领域的需求。
《霍尔传感器》PPT课件
目录
• 霍尔传感器简介 • 霍尔传感器的类型与特点 • 霍尔传感器的使用与注意事项 • 霍尔传感器的发展趋势与未来展望 • 案例分析与实践应用
01
霍尔传感器简介
霍尔传感器的定义
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁 感应传感器，能够检测磁场变化并转 换为电信号输出。
它利用霍尔效应原理，通过测量磁场 中导体或半导体的电压或电流变化来 检测磁场。
开关型霍尔传感器具有低功耗、高可靠性、快速响应等优点，广泛应用于无刷电机 、电磁阀等电子设备的控制系统中。
开关型霍尔传感器通常由霍尔元件、放大器和比较器等组成，具有较小的体积和重 量。
温度补偿型霍尔传感器
温度补偿型霍尔传感器主要用 于消除温度对霍尔元件的影响 ，提高测量精度和稳定性。
温度补偿型霍尔传感器通常 采用热敏电阻或集成温度传 感器来实现温度补偿功能。
物联网
随着物联网技术的不断发展，霍 尔传感器在智能家居、智能农业 、智能安防等领域的应用前景广 阔。
市场前景与展望
全球霍尔传感器市场规模不断扩大，预计未来几年将继续保持增长态势。
随着技术的不断创新和应用的不断拓展，霍尔传感器的应用领域将越来越 广泛，市场前景十分看好。
确保传感器外壳接地良好，避免因漏电等原因造成电 击危险。
操作规范
遵循安全操作规范，避免在未经授权的情况下擅自拆 卸、改装传感器。
04
霍尔传感器的发展趋势与未来 展望
技术创新与改进
微型化
多功能化
随着微电子技术的不断发展，霍尔传 感器的尺寸逐渐减小，性能不断提高 ，应用范围更加广泛。
未来霍尔传感器将逐渐实现多功能化 ，能够同时检测多种物理量，满足不 同领域的需求。
《霍尔传感器》PPT课件
目录
• 霍尔传感器简介 • 霍尔传感器的类型与特点 • 霍尔传感器的使用与注意事项 • 霍尔传感器的发展趋势与未来展望 • 案例分析与实践应用
01
霍尔传感器简介
霍尔传感器的定义
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁 感应传感器，能够检测磁场变化并转 换为电信号输出。
它利用霍尔效应原理，通过测量磁场 中导体或半导体的电压或电流变化来 检测磁场。
开关型霍尔传感器具有低功耗、高可靠性、快速响应等优点，广泛应用于无刷电机 、电磁阀等电子设备的控制系统中。
开关型霍尔传感器通常由霍尔元件、放大器和比较器等组成，具有较小的体积和重 量。
温度补偿型霍尔传感器
温度补偿型霍尔传感器主要用 于消除温度对霍尔元件的影响 ，提高测量精度和稳定性。
温度补偿型霍尔传感器通常 采用热敏电阻或集成温度传 感器来实现温度补偿功能。
物联网
随着物联网技术的不断发展，霍 尔传感器在智能家居、智能农业 、智能安防等领域的应用前景广 阔。
市场前景与展望
全球霍尔传感器市场规模不断扩大，预计未来几年将继续保持增长态势。
随着技术的不断创新和应用的不断拓展，霍尔传感器的应用领域将越来越 广泛，市场前景十分看好。
《霍尔效应测量磁场》课件
洛伦兹力
洛伦兹力是带电粒子在磁场中受到的力，其方向 与磁场方向和带电粒子运动方向均垂直。
洛伦兹力的大小与带电粒子的电荷量和速度成正 比，与磁感应强度成正比。
在霍尔效应中，洛伦兹力导致电子在磁场中偏转 ，从而产生霍尔电压。
霍尔电压的产生
01 当电流通过半导体材料时，电子在磁场中 受到洛伦兹力的作用，产生偏转。
数据处理能力需提
高
在分析实验数据时，我们发现数 据处理的技巧和统计学知识有所 欠缺，建议加强相关方面的培训 。
仪器使用需规范
在操作过程中，部分同学对仪器 的使用不够规范，导致测量结果 存在误差，建议加强仪器使用的 培训和指导。
对未来研究的展望
探索更多应用场景
希望未来能够将霍尔效应测量磁场技术应用于更多领域， 如生物学、医学等，为相关领域的研究提供新的方法和思 路。
霍尔元件
利用霍尔效应制成的测量磁场的 器件称为霍尔元件。
霍尔效应的发现历史
1879年，美国物理学家E.H.霍尔在实 验中发现，当电流垂直于外磁场通过 导体时，导体中产生横向电势差。
1881年，德国物理学家C.F.高斯在实 验中发现，当电流垂直于外磁场通过 导体时，导体中产生横向磁通量。
1880年，法国物理学家J.E.贝脱勒在 实验中发现，当电流垂直于外磁场通 过导体时，导体中产生横向磁通量。
提高实验技能
实验过程中，我们学会了使用精密的测量仪器， 如电压表、电流表等，以及如何调整实验参数， 提高了实验操作技能。
培养探究精神
实验中遇到问题时，我们学会了独立思考、团队 协作，积极寻找解决问题的方法，培养了科学探 究的精神。
本实验的不足与改进建议
实验时间紧张
由于实验操作较为复杂，我们在 规定的时间内未能完成所有步骤 ，建议增加实验时间或优化实验 流程。
《霍尔传感器测速》课件
ERA
霍尔传感器的定义与工作原理
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁感应传感器，能够检测磁场强度的变化，并 将磁场变化转换为电信号输出。
工作原理：当电流通过霍尔元件时，磁场作用于霍尔元件，使其产生电压差，这 个电压差与磁场强度成正比，通过测量这个电压差即可得知磁场强度的大小。
霍尔传感器的应用领域
01
BIG DATA EMPOWERS TO CREATE A NEW ERA
《霍尔传感器测速》PPT课
件
• 霍尔传感器简介 • 霍尔传感器测速原理 • 霍尔传感器测速系统设计 • 实验结果与分析 • 结论与展望
目录
CONTENTS
01
霍尔传感器简介
BIG DATA EMPOWERS TO CREATE A NEW
02
03
工业自动化
用于测量电机、发电机、 减速机等设备的转速、角 度和位置。
汽车电子
用于检测车速、发动机转 速、ABS轮速等。
智能家居
用于智能门锁、智能照明 、智能空调等设备的控制 和监测。
霍尔传感器的优缺点
优点
结构简单、体积小、重量轻、响 应速度快、测量精度高、可靠性 高、寿命长等。
缺点
对外界磁场干扰敏感，需要使用 磁屏蔽措施来减小干扰；同时价 格较高，不适合大规模应用。
当磁场随时间变化时，由于霍尔元件的磁阻效应，会产生一 个与磁场变化率成正比的电压输出。
霍尔传感器测速的数学模型
01
霍尔元件输出的电压信号与磁场 变化率成正比，因此可以通过测 量霍尔元件的输出电压来计算速 度。
02
数学模型通常采用一阶微分方程 或二阶微分方程来描述速度与电 压信号之间的关系。
测速的精度和误差分析
霍尔传感器的定义与工作原理
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁感应传感器，能够检测磁场强度的变化，并 将磁场变化转换为电信号输出。
工作原理：当电流通过霍尔元件时，磁场作用于霍尔元件，使其产生电压差，这 个电压差与磁场强度成正比，通过测量这个电压差即可得知磁场强度的大小。
霍尔传感器的应用领域
01
BIG DATA EMPOWERS TO CREATE A NEW ERA
《霍尔传感器测速》PPT课
件
• 霍尔传感器简介 • 霍尔传感器测速原理 • 霍尔传感器测速系统设计 • 实验结果与分析 • 结论与展望
目录
CONTENTS
01
霍尔传感器简介
BIG DATA EMPOWERS TO CREATE A NEW
02
03
工业自动化
用于测量电机、发电机、 减速机等设备的转速、角 度和位置。
汽车电子
用于检测车速、发动机转 速、ABS轮速等。
智能家居
用于智能门锁、智能照明 、智能空调等设备的控制 和监测。
霍尔传感器的优缺点
优点
结构简单、体积小、重量轻、响 应速度快、测量精度高、可靠性 高、寿命长等。
缺点
对外界磁场干扰敏感，需要使用 磁屏蔽措施来减小干扰；同时价 格较高，不适合大规模应用。
当磁场随时间变化时，由于霍尔元件的磁阻效应，会产生一 个与磁场变化率成正比的电压输出。
霍尔传感器测速的数学模型
01
霍尔元件输出的电压信号与磁场 变化率成正比，因此可以通过测 量霍尔元件的输出电压来计算速 度。
02
数学模型通常采用一阶微分方程 或二阶微分方程来描述速度与电 压信号之间的关系。
测速的精度和误差分析
霍尔效应测量磁场PPT课件
整流电路（rectifying circuit）把交流电转换 为直流电的电路。电源电路中的整流电路主要有 半波整流电路、全波整流电路和桥式整流三种。 大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波电 路等组成。整流以后的电压是一种含有直流电压 和交流电压的混合电压，称单向脉动性直流电压。 再经滤波电路，将大部分高频交流成分滤去，得 到较为稳定的直流电。
（TA－TB）。因为霍尔电极和元件两者材料不同，电 极和元件之间形成温差电偶，这一温差在A、B间产生 温差电动势VE，VE∝IB。
称爱廷豪森效应，VE的大小与正负符号与I、B的大 小和方向有关，跟VH与I、B的关系相同，不能在测量 中消除
. PHYSICS LABORATORY
正电子运动平均速度（ 图中V’<V V”>V）
-120 -110 -100 -90 ……
0 10 20 …… 50 60
V3(mV) -Is、-IM
V4(mV) -Is、+IM
VHV1V2V3V4 (mV) 4
. PHYSICS LABORATORY
B1(mT)
2. 测量单个载流圆线圈B轴线上(X向)磁场B2 的分布
(1) 用连接线将励磁电流IM输出端连接到圆线圈B，霍尔传感 器的信号连接线连接到面板的对应插座。
. PHYSICS LABORATORY
表2 Ｂ2~X
IS =5.00mA IM =0.5A
X（mm）
-60
V1(mV) +Is、+IM
V2(mV) +Is、-IM
-50
……
V3(mV) -Is、-IM
-20
-10
0 10 20 …… 110 120
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
【全版】集成霍尔传感器测螺线管磁场推荐PPT
B ( U 2 .5)0 K 0 U H 'Kห้องสมุดไป่ตู้
V+
HALL SENSOR
AMPLIFER
OUT(O) V-
图 3 95A 型集成霍尔传感器
U(V) 4.5V
2.5V
0.5V
B(mT)
-64 -32 0 32 64
图 4 输出灵敏度
实验仪器
IVU500 螺 线 管 实 验 电 源
250 mA
励磁恒流输出
测量集成霍尔传感器的输出电压U与IM的关系。
虽然从理论上说在无磁场作用（B=0）时，UH=0，但在实际上往往能测得UH 0，这是由于伴随着霍尔效应产生的各种副效应，以及
N 电极安装的不对称，半导体材料结晶不均匀等引起的电势差。
B L D I 在测标量准 通状电态螺下线管(磁内感不应同强位度置为的零传时感，器调的节输电出源电电压压UV1+（-V通-，正使向输0励出磁电电压2流为）2、. U22（通M反向励磁电流）。
虽然从理论上说在无磁场作用（B=0）时，UH=0，但在实际上往往能测得UH
起的电势差。该电势差U 称为剩余电压。在实际应用中，一 电极安装的不对称，半导体材料结晶不均匀等引起的电势差0。
测量集成霍尔传感器的输出电压U与IM的关系。
般是采用电压补偿法消除剩余电压U ，如图2所示。 该电势差U0称为剩余电压。
度），查验螺线管边缘处的磁感应强度是否等于螺线管中央 处的一半。
注意事项
▪ 集成霍尔元件的V+和V-极性不能接反，否则将损坏元件。 ▪ 拆除连接线前应先关闭电源。 ▪ 仪器应预热10分钟后才能开始测量数据。
测量通电螺线管内不同位置的传感器的输出电压U1（通正向励磁电流）、U2（通反向励磁电流）。
V+
HALL SENSOR
AMPLIFER
OUT(O) V-
图 3 95A 型集成霍尔传感器
U(V) 4.5V
2.5V
0.5V
B(mT)
-64 -32 0 32 64
图 4 输出灵敏度
实验仪器
IVU500 螺 线 管 实 验 电 源
250 mA
励磁恒流输出
测量集成霍尔传感器的输出电压U与IM的关系。
虽然从理论上说在无磁场作用（B=0）时，UH=0，但在实际上往往能测得UH 0，这是由于伴随着霍尔效应产生的各种副效应，以及
N 电极安装的不对称，半导体材料结晶不均匀等引起的电势差。
B L D I 在测标量准 通状电态螺下线管(磁内感不应同强位度置为的零传时感，器调的节输电出源电电压压UV1+（-V通-，正使向输0励出磁电电压2流为）2、. U22（通M反向励磁电流）。
虽然从理论上说在无磁场作用（B=0）时，UH=0，但在实际上往往能测得UH
起的电势差。该电势差U 称为剩余电压。在实际应用中，一 电极安装的不对称，半导体材料结晶不均匀等引起的电势差0。
测量集成霍尔传感器的输出电压U与IM的关系。
般是采用电压补偿法消除剩余电压U ，如图2所示。 该电势差U0称为剩余电压。
度），查验螺线管边缘处的磁感应强度是否等于螺线管中央 处的一半。
注意事项
▪ 集成霍尔元件的V+和V-极性不能接反，否则将损坏元件。 ▪ 拆除连接线前应先关闭电源。 ▪ 仪器应预热10分钟后才能开始测量数据。
测量通电螺线管内不同位置的传感器的输出电压U1（通正向励磁电流）、U2（通反向励磁电流）。
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电场对载流子的作用力大小为：fE qE
平衡时，载流子所受的电场力和洛伦兹力相等。
即：
fE fB
两侧面的霍尔电压UH 也到一稳定值：
UHEbBb
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6
设n为半导体片中载流子浓度，则电流（x方向）
IS
dQnqbd
dt
IS nqbd
经代换得：
KH
1 UH nqd ISB
KH称为霍尔元件的灵敏度，其单位是毫伏/ 毫 安·千高斯(mV/mA ·kGS) 。
法。 5. (选做) 测霍尔元件的电导率 的值。
精选课件ppt
12
精选课件ppt
3
实验原理
精选课件ppt
4
z
B
霍
Hd
耳
fE
x元
UH
v
IS
件
fB
b
原
理
y
C
图
L
A
霍耳元件是一块矩型半导体薄片，设其长为L 宽为b，
厚为 d，放入磁场中，使磁场方向 (z方向）与薄片
垂直 。
精选课件ppt
5
洛伦兹力的大小及方向用 fBqB 加
以确定。
电场强度为E，方向由C 指向H（-y 方向) ，此
R 1L
S
L1 LIS
S R SU
精选课件ppt
9
霍尔效应实验仪
IS是给霍尔片加电流的换精向选开课件关ppt，IM是励磁电流的换向 10 开关。
霍尔效应测试仪
精选课件ppt
11
实验内容与步骤
1.测霍耳元件的UH—IS曲线。 2.测电磁铁的励磁特性B—IM曲线。 3.测电磁铁的磁场分布B—x 曲线。 4.改变IS 和IM的方向,消除附加电压的方
1）厄廷豪森（Etinghausen）效应（温差电效 应）UE
2）能斯脱（Nernst）效应（热磁效应）UN 3）里纪-勒杜克（Righi-Leduc）效应（热磁效
应产生的温差）UR 上述四种附加电压，除UE 外其余都可以通过 改变IS 或B的方向来消除。
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8
本实验还可以测量霍耳元件的电导率 。
霍尔元件测磁场
郑州大学物理实验中心
精选课件ppt
1
实验目的
了解霍尔元件测磁场的原理。 学会测量各种曲线及样品的电导率。 学习用“对称测量法”消除附加效应Leabharlann 影响。精选课件ppt2
背景介绍
1879年美国霍普金斯大学研究院二 年级学生霍尔在研究载流导体在磁场中受 力的性质时发现：处在磁场中的载流导体， 如果磁场方向和电流方向垂直，则在与磁 场和电流都垂直的方向上出现横向电场， 这就是霍尔效应。所产生的电场称霍尔电 场，相应的电位差称霍尔电压。产生霍尔 效应的载流导体、半导体、离子晶体称霍 尔元件。
如果霍尔元件的灵敏度已测定，可以用上式计算磁
感应强度B，即： B U H
KH Is
其中 ，IS、UH需用仪表分别测量。
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7
❖ 实际测量时测得的值并不只是UH，还包括了 其它因素带来的附加电压，主要的附加电压有：
1.由于电极位置不对称产生的电势差（不等位电 势）U0
2.霍耳元件伴随霍耳效应还存在几种附加效应：
平衡时，载流子所受的电场力和洛伦兹力相等。
即：
fE fB
两侧面的霍尔电压UH 也到一稳定值：
UHEbBb
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6
设n为半导体片中载流子浓度，则电流（x方向）
IS
dQnqbd
dt
IS nqbd
经代换得：
KH
1 UH nqd ISB
KH称为霍尔元件的灵敏度，其单位是毫伏/ 毫 安·千高斯(mV/mA ·kGS) 。
法。 5. (选做) 测霍尔元件的电导率 的值。
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12
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3
实验原理
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4
z
B
霍
Hd
耳
fE
x元
UH
v
IS
件
fB
b
原
理
y
C
图
L
A
霍耳元件是一块矩型半导体薄片，设其长为L 宽为b，
厚为 d，放入磁场中，使磁场方向 (z方向）与薄片
垂直 。
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5
洛伦兹力的大小及方向用 fBqB 加
以确定。
电场强度为E，方向由C 指向H（-y 方向) ，此
R 1L
S
L1 LIS
S R SU
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9
霍尔效应实验仪
IS是给霍尔片加电流的换精向选开课件关ppt，IM是励磁电流的换向 10 开关。
霍尔效应测试仪
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11
实验内容与步骤
1.测霍耳元件的UH—IS曲线。 2.测电磁铁的励磁特性B—IM曲线。 3.测电磁铁的磁场分布B—x 曲线。 4.改变IS 和IM的方向,消除附加电压的方
1）厄廷豪森（Etinghausen）效应（温差电效 应）UE
2）能斯脱（Nernst）效应（热磁效应）UN 3）里纪-勒杜克（Righi-Leduc）效应（热磁效
应产生的温差）UR 上述四种附加电压，除UE 外其余都可以通过 改变IS 或B的方向来消除。
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8
本实验还可以测量霍耳元件的电导率 。
霍尔元件测磁场
郑州大学物理实验中心
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1
实验目的
了解霍尔元件测磁场的原理。 学会测量各种曲线及样品的电导率。 学习用“对称测量法”消除附加效应Leabharlann 影响。精选课件ppt2
背景介绍
1879年美国霍普金斯大学研究院二 年级学生霍尔在研究载流导体在磁场中受 力的性质时发现：处在磁场中的载流导体， 如果磁场方向和电流方向垂直，则在与磁 场和电流都垂直的方向上出现横向电场， 这就是霍尔效应。所产生的电场称霍尔电 场，相应的电位差称霍尔电压。产生霍尔 效应的载流导体、半导体、离子晶体称霍 尔元件。
如果霍尔元件的灵敏度已测定，可以用上式计算磁
感应强度B，即： B U H
KH Is
其中 ，IS、UH需用仪表分别测量。
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7
❖ 实际测量时测得的值并不只是UH，还包括了 其它因素带来的附加电压，主要的附加电压有：
1.由于电极位置不对称产生的电势差（不等位电 势）U0
2.霍耳元件伴随霍耳效应还存在几种附加效应：