射频实验报告
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射频电路实验报告12/13 学年第1学期
学院:信息与通信工程学院
专业:电子信息科学与技术
学生姓名:学号:
指导教师:李永红
日期: 2012 年10月28日
实验一滤波器设计
一、实验目的
(1) 掌握基本的低通和带通滤波器的设计方法。
(2) 学会使用微波软件对低通和高通滤波器进行设计和仿真,并分析结果。
二、预习内容
(1) 滤波器的相关原理。
(2) 滤波器的设计方法。
三、实验设备
Microwave Office软件
四、理论分析
滤波器的种类:
(1) 按通带特性分为低通、高通、带通及带阻四种。
(2) 按频率响应分为巴特沃斯、切比雪夫及椭圆函数等。
(3) 按使用原件又可分为L-C性和传输线型。
五、软件仿真
设计一个衰减为3dB,截止频率为75MHz的[切比雪夫型1dB 纹波LC 低通滤波器(Zo=50ohm),并且要求该滤波器在100MHz至少有20dB 的衰减。
图1-1切比雪夫型1dB 纹波LC低通滤波器电路图
图1-2 模拟仿真结果
六、结果分析
经过仿真,得到了两种滤波器的频率特性的到了结果。红色的曲线为低通滤波器,蓝色的为带通滤波器,两种滤波器的特性可以鲜明地在图上看出差别。低通滤波器在低频区域,是通带,通带非常的平缓,纹波较低,但是截至段不是很陡。带通滤波器具有较好的陡峭特性,但是相对而言,通带比较窄而且纹波较大。
实验二放大器设计
一、实验目的
(1) 掌握射频放大器的基本原理与设计方法。
(2) 学会使用微波软件对射频放大器进行设计和仿真,并分析结果。
二、预习内容
(1) 放大器的基本原理。
(2) 放大器的设计方法。
三、实验设备
Microwave Office软件
四、理论分析
射频晶体管放大器常用器件为BJT、FET、MMIC。
放大器电路的设计主要是输入/输出匹配网络。输入匹配网络可按低噪声或高增益设计,输出匹配网络要考虑尽可能高的增益。
五、软件仿真
设计一900MHz放大器。其中电源为12VDC,输出入阻抗为50Ω。AT4151之S参表(V CE=8V,I C=25mA,Zo=50Ω,T A=25℃)如下列
图2-1 900MHz放大器电路图
图2-2 模拟仿真结果
六、结果分析:
本设计是设计一个放大器,其通频段是0到900MHz,然后根据图上的蓝色和红色曲线可见LC组成的网络的幅频特性曲线,可见这个网络在900MHz左右会对信号有一个比较大的衰减,因此必须对输出网络进行阻抗匹配,而且匹配网络的中心频率在900MHz左右,才可以做好阻抗匹配。
实验三振荡器设计
一、实验目的
(1) 掌握射频振荡器的基本原理与设计方法。
(2) 学会使用微波软件对射频放大器进行设计和仿真,并分析结果。
二、预习内容
(1) 振荡器的基本原理。
(2) 振荡器的设计方法。
三、实验设备
Microwave Office软件
四、理论分析
射频晶体管振荡器电路可分为三大部分:二端口有源电路、谐振电路及输出负载匹配电路。
五、软件仿真
设计一800MHz振荡器。其中电源为12VDC,负载阻抗为50Ω。AT41511之S参表(V CE=8V,I C=25mA,Zo=50Ω,T A=25℃)如下列。
表4.1 AT41511之S参表
图3-1 800MHz振荡器电路图
图3-2 模拟仿真结果
六、结果分析:
有仿真结果可以看出,设计的振荡器的中心频率在800MHz左右,具有较好的矩形窗,在整个频段内,只有290MHz左右有一个非常微小的噪声,在整个频段内,振荡信号还是频谱很集中的,具有较好的频率特性。整个振荡信号的频谱宽度有100MHz,但中心频率的增益有15.8dB,相比较而言,这个振荡器还是很好的。
实验四射频前端发射机与接收机
一、实验目的
1.了解[射频前端发射器]之基本架构与主要设计参数。
2.利用实验模组的实际测量得以了解[射频前端发射器]之特性。
二、预习内容
(1) 振荡器的基本原理。
(2) 振荡器的设计方法。
三、实验设备
四、理论分析
发射器:
在无线通讯中,发射机担任着重要的角色,无论是话音还是数据信号要利用电磁波传送到远端,都必需使用射频前端发射机。一个典型的发射机电路如图5.1所示,可分成九个部分:中频放大器(IF Amplifier),中频滤波器(IF Bnadpass Filter),上变频混频器(Up-Mixer; Up Converter),射频滤波器(RFBandpass Filter),射频驱动放大器(RF Driver Amplifier),射频功率放大器(RF Power Amplifier),载波振荡器(Carrier Oscillator; Local Oscillator),载波滤波器(LO BPF),发射天线(Antenna)。本单元中将就上变频混频器部分的基本原理做一说明,并介绍发射器的几个重要设计参数.
图4-1基本射频前端发射器结构图
(一)
[ 升频混频器]的基本原理
[升频混频器]的基本电路结构图如图11-2所示.在二极管上的电流可以(11-1)表示.()[]
∑
∞
=⋅+⋅⋅+=1
)2sin()2sin(!
)(n n
LO LO IF IF
n nkT e IF O t f V t f V
n I I v i ππ其中
I S = 二极管的饱和电流 V IF = 中频信号的振幅大小 f IF = 中频信号的频率大小 V LO = 载波信号的振幅大小 F LO = 载波信号的频率大小 [混频]后的输出射频频率为
LO IF RF f n f m f ⋅+⋅= 其中 m ,n 可为任一正负整数
在绝大多数的应用上,RF 频率应是载波及IF 频率的和或差,即是
IF LO RF f f f ±=.至于取[和频]或[差频]则根据发射器射频规格及系统参数,
利用射频输出端的滤波器可以阻隔三端间的互相干扰( ISOLATION),以避免其他不必要的混频信号[漏](LEAKAGE)到输出端造成的噪声(SPURIOUS). 主要的噪声信号,有下列几种: (假设
IF LO RF f f f ±=)
1. 镜频信号 ( IMAGE FREQUENCY ):
IF LO im f f f ⋅+=2
Antenna
Signal From Unit