常用的元器件半导体三极管
三极管的作用
以下为三极管的介绍及用途，随小编一起来了解一下吧。
三极管的介绍：三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
（图一）图一三极管主要用途:1.放大，（工作时，三极管工作在放大区）用来组成放大电路。
图二2.电子开关，（工作时，三极管工作在饱和区和截止区），用来控制电路通断。
三极管的特殊用途：半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外，还能够做成一些可独立使用的两端或三端器件。
1. 扩流。
把一只小功率可控硅（晶闸管）和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其最大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图1。
图2为电容容量扩大电路。
利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。
这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。
用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点，但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安，因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。
图3可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展，稳定性能可得到较大的改善。
2. 代换。
图4中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管；图5中的三极管可代用8V左右的稳压管。
图6中的三极管可代用30V左右的稳压管。
上述应用时，三极管的基极均不使用。
3. 模拟。
用三极管够成的电路还可以模拟其它元器件。
大功率可变电阻价贵难觅，用图7电路可作模拟品，调节510电阻的阻值，即可调节三极管C、E两极之间的阻抗，此阻抗变化即可代替可变电阻使用。
图8为用三极管模拟的稳压管。
三极管元器件符号
三极管元器件的符号表示如下：
1. 二极管表示符号：D。
2. 变容二极管表示符号：D。
3. 双向触发二极管表示符号：D。
4. 稳压二极管表示符号：ZD，D。
5. 桥式整流二极管表示符号：D。
6. 肖特基二极管、隧道二极管、光敏二极管或光电接收二极管表示符号：LED。
7. 双色发光二极管表示符号：LED。
8. 光敏三极管或光电接收三极管表示符号：Q，VT。
9. 单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q，VT。
10. 复合三极管表示符号：Q，VT。
11. NPN型三极管表示符号：Q，VT。
12. PNP型三极管表示符号：Q，VT。
13. 带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q，VT。
14. 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管表示符号：Q，VT。
15. IGBT场效应管表示符号：Q，VT。
16. 带阻尼二极管IGBT场效应管表示符号：Q，VT。
17. 接面型场效应管P-JFET。
在电路符号中，三极管的电路符号有一个圆圈，中间是三极管
的电路符号，分别是基极（B）、集电极（C）和发射极（E）。
其中，NPN和PNP是常见的三极管器件型号，它们的电路符号也有所不同。
此外，各种封装的三极管器件型号也有所不同，引脚识别需要参考具体器件的型号手册。
常用二三极管品牌
常用二三极管品牌在电子元器件中，二三极管是一种常见且重要的器件，广泛应用于各种电子设备中。
在市场上有许多知名的二三极管品牌，本文将介绍一些常用的二三极管品牌。
一、品牌介绍1.1 三极管品牌1.1.1 三极管是一种常见的半导体器件，用于放大电流和控制电流的流动。
常用的三极管品牌有STMicroelectronics、ON Semiconductor、NXP等。
1.1.2 STMicroelectronics是一家总部位于瑞士的半导体公司，其产品质量稳定，性能优良，广泛应用于各种电子设备中。
1.1.3 ON Semiconductor是一家总部位于美国的半导体公司，其产品具有良好的稳定性和可靠性，被广泛应用于汽车电子、工业控制等领域。
二、产品特点2.1 高性能2.1.1 二三极管品牌通常具有高性能，能够在各种环境条件下稳定工作。
2.1.2 高性能的二三极管品牌具有较低的漏电流和较高的工作频率，能够满足不同应用的需求。
2.1.3 高性能的二三极管品牌还具有较高的耐压能力和较低的功耗，能够提高电子设备的性能和效率。
三、应用领域3.1 通信设备3.1.1 二三极管品牌广泛应用于通信设备中，如手机、路由器、基站等。
3.1.2 通信设备对二三极管的性能要求较高，需要具有较高的工作频率和稳定性。
3.1.3 二三极管品牌在通信设备中发挥着重要的作用，保障设备的正常运行和通信质量。
四、市场前景4.1 增长势头4.1.1 随着电子设备市场的不断扩大，二三极管品牌的需求也在不断增加。
4.1.2 二三极管品牌在各个领域都有广泛的应用，市场前景较为乐观。
4.1.3 随着技术的不断进步，二三极管品牌的性能和品质也在不断提升，将更好地满足市场需求。
五、发展趋势5.1 小型化5.1.1 随着电子设备的小型化趋势，二三极管品牌也在不断追求小型化和高集成度。
5.1.2 小型化的二三极管品牌能够更好地适应电子设备的设计要求，提高设备的性能和可靠性。
二极管与三极管
半导体元器件 分类
半导体元器件分类半导体元器件是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分，广泛应用于各种电子设备中。
根据其功能和特点的不同，半导体元器件可以分为多个类别。
一、二极管类二极管是最简单的半导体元器件之一，它具有单向导电性。
常见的二极管有正向导通二极管和反向截止二极管两种类型。
正向导通二极管可以将电流从正极导向负极，常用于整流电路、电源等应用中。
反向截止二极管则是只允许电流从负极导向正极，常用于保护电路、反向电压保护等场景。
二、晶体管类晶体管是一种用来放大和控制电流的半导体元器件。
常见的晶体管有三极管和场效应晶体管（FET）。
三极管可以放大电流和电压信号，广泛应用于放大电路、开关电路等。
场效应晶体管则是通过控制栅极电压来调节源极与漏极之间的电流，常用于电压放大、电源管理等场景。
三、集成电路类集成电路是将大量的半导体元器件和电路集成在一片芯片上的器件。
根据集成度的不同，集成电路可以分为小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）等。
集成电路具有体积小、功耗低和性能稳定等优势，已经成为现代电子技术的核心。
四、功率器件类功率器件是用于控制大电流和高电压的半导体元器件。
常见的功率器件有功率二极管、功率晶体管和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。
功率二极管适用于高频率和高电压的应用，功率晶体管适用于高频率和大功率的应用，而IGBT则结合了MOSFET和二极管的优点，适用于高电压和大电流的应用。
五、传感器类传感器是一种能够将物理量、化学量和生物量等转化为电信号的半导体元器件。
常见的传感器有温度传感器、压力传感器、湿度传感器、光敏传感器等。
传感器广泛应用于工业自动化、环境监测、医疗设备等领域，为各种智能设备提供了数据采集和监测功能。
六、存储器类存储器是用来存储和读取数据的半导体元器件。
常见的存储器有随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）等。
RAM可实现数据的随机读写，常用于计算机内存等应用中。
常用电子元器件大全
常用电子元器件大全电子元器件指的是电子设备中所使用的各种电子部件，也是电子产品的核心组成部分。
随着科技的不断发展，电子元器件的种类也日益增多，覆盖了各个领域。
本文将介绍一些常见的电子元器件，以帮助读者更好地了解和应用电子技术。
一、半导体器件1. 二极管（Diode）：具有单向导电性质的半导体器件，广泛应用于整流、开关、稳压等电路中。
2. 晶体三极管（Transistor）：是一种具有放大、开关等功能的半导体器件，被广泛用于集成电路、放大电路等领域。
3. 场效应晶体管（FET）：也是一种常见的半导体器件，适用于高频放大、开关等电路。
4. 可变电容二极管（Varactor Diode）：具有可变电容的二极管，常用于无线电频率调谐电路。
二、电容器1. 固定电容器：用于存储电荷和稳定电压的电子元件，常见的有电解电容器、陶瓷电容器等。
2. 可变电容器：具有可调节电容值的电子元件，可用于调谐电路、滤波电路等。
3. 互感器：由两个或多个线圈绕制而成，能够在不同线圈之间传递电能和信号。
三、电阻器1. 固定电阻器：具有恒定电阻值的电子元件，被广泛应用于电路中的限流、限压、分压等功能。
2. 可变电阻器：通常由可调节的滑动活塞或转轴来改变电阻值，用于调节电路中的信号或电流。
四、集成电路集成电路（Integrated Circuit，IC）是在一块半导体材料上集成了数百至数百万个电子元件的微小电路。
常见的集成电路有以下几种类型：1. 数字集成电路（Digital IC）：用于数字信号处理和逻辑运算等。
2. 模拟集成电路（Analog IC）：用于处理模拟信号，如放大、滤波、调制等。
3. 混合集成电路（Mixed Signal IC）：结合数字和模拟电路的功能，常用于通信、控制等应用。
五、传感器传感器是将感知信号（如光、温度、压力等）转换为可用电信号的装置。
常见传感器有以下几种：1. 温度传感器：用于测量温度变化的元件，广泛应用于工业自动化、环境监测等领域。
常用电子器件
常用电子器件电子器件是当今现代工业中不可或缺的一部分。
随着科技的发展和进步，电子器件得到了充分应用和发展。
其中一些被广泛使用的电子器件包括半导体器件、电容器、电感器、二极管和晶体管等。
一、半导体器件半导体器件是现代电子学的基础之一。
半导体器件包括二极管、三极管、场效应晶体管（FET）、可控硅等。
二极管是最简单的半导体器件，它具有整流和波形截取功能。
三极管具有放大作用，它可放大电压和电流。
场效应晶体管是一个高阻器件，它在电子电路中常用来放大和调整电压信号。
可控硅是一种带有控制端的半导体器件，它可以通过施加一个触发脉冲来进行开关操作。
二、电容器电容器由两个电极和一个介质组成，它可以存储电荷并且能够在电路中储存电能，以及对电路的频率响应起着很大的影响。
电容器在各种电子器件中被广泛应用，包括滤波器、信号发生器、功率电子设备和放大器等。
电容器的容量和介质类型对电子电路的性能有很大的影响。
三、电感器电感器是一种两端带有线圈的器件，它可以储存电流并且可以作为变压器、滤波器、放大器和发生器的元件。
电感器的工作原理是通过在线圈内产生磁场来储存电能。
电感器的一般作用是在电路中阻止低频信号，它经常用于成阻抗元件，它能提高电路的频率选通性能，使电路成为带通滤波器或谐振回路等。
四、二极管二极管是一种既能导电又能负担反向电路的器件。
它能够把从电源或信号源来的动态信号转化成稳定的信号输出，广泛应用于整流、电源电路、自动控制、信号检测等领域。
二极管在LED、太阳能电池等领域中也有着广泛的应用。
五、晶体管晶体管是一种电子控制元器件。
它是由半导体材料制成的三极管，在电子电路中具有放大电流和电压的功能。
晶体管种类很多，如小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、双极型晶体管等。
晶体管在各种行业中都有着广泛的应用，如电源供电、振荡电路、放大器电路、计算机和通讯等。
电子器件是现代工业的重要组成部分，它们的应用范围很广，可以应用于电源供应、通信、汽车工业、电子家电、航空航天等。
三极管基极pwm
三极管基极pwm【实用版】目录1.三极管的基本原理2.PWM 的定义和作用3.三极管基极 PWM 的实现方法4.三极管基极 PWM 的应用正文1.三极管的基本原理三极管，又称双极型晶体管，是一种常用的半导体元器件。
它主要有三个引脚，分别是发射极、基极和集电极，其工作原理基于 NPN 和 PNP 两种结构。
三极管可以放大电流、开关电路、调制信号等多种功能。
2.PWM 的定义和作用脉宽调制（PWM，Pulse Width Modulation）是一种模拟控制技术，主要通过改变脉冲的宽度来调节电机、灯光等设备的亮度或速度。
PWM 信号是一种具有固定频率、可变脉冲宽度的信号，常用于伺服电机、LED 照明等领域。
3.三极管基极 PWM 的实现方法三极管基极 PWM 的实现方法主要分为以下几个步骤：（1）构建 PWM 信号发生器：通过数字信号发生器、微控制器等设备产生 PWM 信号。
（2）将 PWM 信号施加到三极管的基极：将 PWM 信号通过电阻分压后施加到三极管的基极，以控制三极管的导通程度。
（3）调整三极管的偏置电阻：通过改变偏置电阻的阻值，可以改变三极管的导通程度，从而实现 PWM 信号的调节。
4.三极管基极 PWM 的应用三极管基极 PWM 技术广泛应用于以下领域：（1）伺服电机控制：通过改变三极管基极 PWM 信号的宽度，可以实现对伺服电机的速度、位置等参数的精确控制。
（2）LED 照明：通过调节三极管基极 PWM 信号的宽度，可以实现 LED 灯的亮度调节，从而达到节能、降耗的目的。
（3）通信信号调制：在无线通信领域，三极管基极 PWM 技术可以用于信号的调制和解调，提高通信系统的稳定性和可靠性。
常用电子元件器件系列知识-三极管
电子元器件系列知识--三极管晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。
电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
d209三极管参数
d209三极管参数【最新版】目录1.D209 三极管的基本概念2.D209 三极管的主要参数3.D209 三极管参数的测试方法4.D209 三极管参数的影响因素5.D209 三极管的应用领域正文一、D209 三极管的基本概念D209 三极管，又称为双极型晶体管（BJT），是一种常用的半导体元器件。
它具有放大和开关等功能，广泛应用于放大器、振荡器、稳压器等电子电路中。
D209 三极管的结构包括三个区域：n 型区（发射极）、p 型区（基极）和 n 型区（集电极）。
二、D209 三极管的主要参数1.静态工作点静态工作点是指三极管在直流偏置下的工作状态，通常用发射极电流Ie 和集电极电流 Ic 表示。
静态工作点对三极管的性能和稳定性具有重要影响。
2.共射极放大系数共射极放大系数是指在共射极电路中，输出信号与输入信号的比值。
它反映了三极管的放大能力。
3.共基极放大系数共基极放大系数是指在共基极电路中，输出信号与输入信号的比值。
它反映了三极管的电流放大能力。
4.共集极放大系数共集极放大系数是指在共集极电路中，输出信号与输入信号的比值。
它反映了三极管的电压放大能力。
三、D209 三极管参数的测试方法1.静态工作点测试静态工作点测试是通过测量发射极电流和集电极电流，判断三极管的工作状态是否稳定。
2.动态工作点测试动态工作点测试是在改变输入信号的情况下，观察三极管的输出信号是否稳定。
3.输出特性测试输出特性测试是通过改变输入信号，观察三极管的输出信号是否具有预期的放大特性。
四、D209 三极管参数的影响因素1.制造工艺制造工艺对三极管的结构和性能有重要影响。
不同的制造工艺会导致三极管的参数差异。
2.温度温度对三极管的参数具有显著影响。
随着温度的升高，三极管的参数会发生变化。
3.偏置电压偏置电压对三极管的静态工作点有重要影响。
不同的偏置电压会导致三极管的工作状态发生变化。
五、D209 三极管的应用领域D209 三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，如放大器、振荡器、稳压器等。
常用场效应管与三极管参数
常用场效应管与三极管参数一、场效应管（MOSFET）场效应管是一种基于场效应原理工作的半导体器件。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗和良好的高频响应。
场效应管有N沟道和P沟道两种类型。
常用的N沟道场效应管为N-沟道金属氧化物半导体场效应管（NMOS），而常用的P沟道场效应管为P-沟道金属氧化物半导体场效应管（PMOS）。
1. 阈值电压（Vth）- 阈值电压是场效应管的一个重要参数。
它指的是在场效应管的控制电压达到一定程度时，导电性开始有效的电压。
对于NMOS，控制电压高于阈值电压时，NMOS将开启，并使电流通过。
而对于PMOS，控制电压低于阈值电压时，PMOS将开启，并使电流通过。
2. 饱和电流（IDsat）- 饱和电流是场效应管导通时的最大电流。
当场效应管被完全点通时，达到饱和电流的最大值。
它决定了场效应管的能力和性能。
3. 导通电阻（Ron）- 导通电阻指的是场效应管在线性区域时的等效电阻。
导通电阻越小，线性区域的电流控制能力越强。
4. 最大漏极-源极电压（Vdsmax）- 最大漏极-源极电压是场效应管可以承受的最大电压。
超过这个电压，场效应管可能损坏。
5. 输出电容（Coss）- 输出电容是场效应管的一种内部电容。
它与频率响应和开关速度有关。
较大的输出电容可能导致电压上升和下降的延迟。
6. 开关时间（ton、toff）- 开关时间指场效应管从关闭到打开的时间和从打开到关闭的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
7.漏极电流-漏极电压特性（Id-Vd）-这个特性曲线描述了场效应管的非线性特性。
在不同的漏极电压下，漏极电流的变化将给出场效应管的工作区域。
二、三极管（BJT）三极管是一种基于电流控制原理工作的半导体器件。
它由基极（B）、发射极（E）和集电极（C）三个区域组成。
常见的三极管有NPN和PNP两种类型。
1.饱和电流增益（β）-饱和电流增益是指集电极电流与基极电流之间的比率。
它决定了三极管的放大能力。
三极管百科
三极管三极管三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。
目录三极管的主要参数判断基极和三极管的类型测判三极管的口诀展开什么是三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件，可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里[1]面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇电子三极管Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。
其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！电子三极管Triode （俗称电子管的一种）双极型晶体管BJT （Bipolar Junction Transistor）J型场效应管Junction gate FET（Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管MOS FET ( Metal OxideSemi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别J型场效应管金属氧化物半导体场效应晶体管V沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。
常用电子元器件（电阻器、电容、电感、晶体二极管、晶体三极管）
常⽤电⼦元器件（电阻器、电容、电感、晶体⼆极管、晶体三极管） 电⼦元器件是电⼦元件和电⼩型的机器、仪器的组成部分，其本⾝常由若⼲零件构成，可以在同类产品中通⽤；常指电器、⽆线电、仪表等⼯业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等⼦器件的总称。
常见的有⼆极管等。
电⼦元器件包括：电阻、电容器、电位器、电⼦管、散热器、机电元件、连接器、半导体分⽴器件、电声器件、激光器件、电⼦显⽰器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电⼦变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、⽯英、陶瓷磁性材料、印刷电路⽤基材基板、电⼦功能⼯艺专⽤材料、电⼦胶（带）制品、电⼦化学材料及部品等。
五个最常⽤的电⼦元器件识别及使⽤常识 ⼀、电阻 电阻在电路中⽤“R”加数字表⽰，如：R13表⽰编号为13的电阻。
电阻在电路中的主要作⽤为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使⽤）和阻抗匹配等。
电阻器使⽤注意事项： （1）为提⾼电阻器的稳定性，电阻器使⽤前应进⾏⼈⼯⽼化处理。
常⽤的⽼化处理⽅法是给电阻器两端加⼀直流电压，使电阻器承受的功率为额定功率的1.5倍，处理时间为5分钟，处埋后测量电阻值。
M36LLR8760D1ZAQ;;; （2）电阻器在使⽤前，应对电阻器的阻值及外观进⾏检查，将不合格的电阻器剔除掉，以防电路存在隐患。
（3）电阻器的安装。
电阻器安装前应先对引线挂锡，以确保焊接的牢固性。
电阻器安装时，电阻器的引线不要从根部打弯，以防折断。
较⼤功率的电阻器应采⽤⽀架或螺钉固定，以防松动造成短路。
电阻器焊接时动作要快，不要使电阻器长期受热，以防引起阻值变化。
电阻器安装时，应将标记向上或向外，以便于检及维修。
（4）电阻器的功率⼤于10W时，应保证有散热的空间。
（5）存放和使⽤电阻器时，都应保证电阻器外表漆膜的完整，以免降低它们的防潮性能。
（6）电阻器的更换。
电阻器的符号： 参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。
三极管ppt课件
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
三极管基本知识及电子电路图详解
三极管基本知识及电子电路图详解
"晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件" 在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。
广义上，三极管有多种，常见如下图所示。
狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。
本文所述的是狭义三极管，它有很多别称:
三极管的发明
晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。
真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。
二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。
早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。
硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。
经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。
小功率三极管一般为塑料包封；
大功率三极管一般为金属铁壳包封。
三极管核心结构
核心是“PN”结
是两个背对背的PN结
可以是NPN组合，也或以是PNP组合
由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！
NPN型三极管结构示意图
硅NPN型三极管的制造流程
管芯结构切面图。
npn三极管的符号
npn三极管的符号摘要：1.引言2.npn三极管的定义和作用3.npn三极管的符号表示4.npn三极管的内部结构和工作原理5.npn三极管的特性6.npn三极管的应用领域7.总结正文：1.引言pn三极管是一种常用的半导体元器件，具有放大和开关等功能，广泛应用于电子设备中。
本文将详细介绍npn三极管的符号及相关知识。
2.npn三极管的定义和作用pn三极管，又称双极型晶体管（BJT），是一种具有三个控制电极的半导体器件，分别为基极（Base）、发射极（Emitter，E）和集电极（Collector，C）。
它具有电流放大作用，可将输入信号的电流放大到较大的输出电流。
此外，npn三极管还具有开关功能，可实现电流的截止和导通。
3.npn三极管的符号表示pn三极管的符号表示为一个带有箭头的三角形，箭头指向集电极，表示电流的放大方向。
三角形内部有三条线，分别代表基极、发射极和集电极。
符号旁的字母“npn”表示该三极管的类型。
4.npn三极管的内部结构和工作原理pn三极管由p型半导体、n型半导体和连接两者的基区组成。
当发射极施加正电压时，大量的电子从发射极注入到基区，与基区中的空穴复合，使基区导电。
同时，基区的导电也使得集电极与发射极之间的电阻降低，从而实现电流的放大。
5.npn三极管的特性pn三极管具有以下特性：- 电流放大：输入信号电流与输出信号电流成正比；- 电压放大：输入信号电压与输出信号电压成正比；- 温度稳定性：npn三极管的性能随温度的变化较小；- 开关速度快：npn三极管的开关速度比其他类型的三极管快。
6.npn三极管的应用领域pn三极管广泛应用于各种电子设备，如放大器、振荡器、电源开关、脉冲发生器等。
此外，npn三极管在通信、计算机、家电等领域也有广泛应用。
7.总结pn三极管是一种重要的半导体元器件，具有放大和开关等功能。
通过本文的介绍，相信大家对npn三极管的符号及其相关知识有了更深入的了解。
常用二三极管品牌
常用二三极管品牌引言概述：二三极管是电子元器件中常用的一种，广泛应用于电子电路中。
在市场上，有许多知名的二三极管品牌，每个品牌都有其特点和优势。
本文将介绍一些常用的二三极管品牌及其特点。
一、国产品牌1.1 三安电子：作为国内知名的半导体元器件制造商，三安电子生产的二三极管质量稳定，性能可靠。
其产品广泛应用于通信、电源、汽车电子等领域。
1.2 东方电子：东方电子是中国最大的半导体器件制造商之一，其二三极管产品种类丰富，适用于各种不同的电子应用场景。
1.3 长电科技：长电科技是中国领先的半导体元器件制造商，其二三极管产品具有优良的性能和稳定的质量，广受市场认可。
二、国际品牌2.1 三菱电机：三菱电机是日本知名的电子元器件制造商，其二三极管产品质量可靠，性能稳定，广泛应用于工业控制、电力电子等领域。
2.2 恩智浦：恩智浦是荷兰知名的半导体公司，其二三极管产品技术领先，具有优秀的性能和稳定性，被广泛应用于消费电子、通信等领域。
2.3 美国安森美半导体：安森美是美国知名的半导体公司，其二三极管产品质量优秀，具有高性能和稳定性，适用于各种高端电子应用场景。
三、高性价比品牌3.1 NXP半导体：NXP半导体是一家国际知名的半导体公司，其二三极管产品性价比高，质量可靠，适用于中高端电子产品。
3.2 台湾积体电路制造公司（TSMC）：TSMC是台湾知名的半导体公司，其二三极管产品性能稳定，价格合理，深受消费者喜爱。
3.3 欧司朗：欧司朗是德国知名的半导体公司，其二三极管产品质量可靠，性能优秀，价格适中，是性价比较高的选择。
四、高性能品牌4.1 英飞凌：英飞凌是德国知名的半导体公司，其二三极管产品性能优秀，具有高速、低功耗等特点，适用于高性能电子产品。
4.2 德州仪器：德州仪器是美国知名的半导体公司，其二三极管产品具有优秀的性能和稳定性，广泛应用于工业控制、通信等领域。
4.3 瑞萨电子：瑞萨电子是日本知名的半导体公司，其二三极管产品技术领先，性能稳定，适用于各种高性能电子产品。
npn型开关三极管
npn型开关三极管npn型开关三极管是一种常用的电子元器件，广泛应用于电路和电子设备中。
它由三个掺杂不同类型半导体材料构成，其中两个是n 型半导体，中间一个是p型半导体。
这种结构使得npn型开关三极管具有很好的电流放大和开关控制能力。
npn型开关三极管的基本结构如下：在两个n型半导体之间夹着一个p型半导体，形成了两个pn结。
这两个pn结分别为发射结和集电结。
在发射结中，p型材料为发射极，n型材料为基极；在集电结中，n型材料为集电极，p型材料为基极。
发射极和集电极之间相隔一个很薄的基极区域。
npn型开关三极管的工作原理如下：当对其施加一个正向电压时，发射结和集电结都将处于正向偏置状态，此时，电流可以从发射极流入基极，然后从集电极流出。
这时，npn型开关三极管处于导通状态，相当于一个开关的闭合状态。
而当对其施加一个反向电压时，发射结和集电结都将处于反向偏置状态，此时，npn型开关三极管处于截止状态，相当于一个开关的断开状态。
npn型开关三极管的主要特点如下：1. 高电流放大倍数：npn型开关三极管的电流放大倍数（β值）通常在几十到几百之间，这意味着小的输入电流可以控制大的输出电流。
这使得npn型开关三极管成为电路中常用的放大器和开关元件。
2. 低压降：npn型开关三极管的发射-基极压降（VBE）通常在0.6V 左右，集电-基极压降（VCE）通常在几十毫伏到几百毫伏之间。
这使得npn型开关三极管能够在低电压条件下工作，减小功耗。
3. 快速开关速度：npn型开关三极管的开关速度较快，能够在纳秒级别完成开关动作。
这使得它在高频电路和数字电路中有着广泛的应用。
4. 稳定性好：npn型开关三极管具有较好的温度稳定性和电压稳定性，能够在不同的工作条件下保持稳定的性能。
npn型开关三极管的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：1. 放大器：由于npn型开关三极管具有高电流放大倍数，可以将小的输入信号放大为较大的输出信号，因此被广泛应用于各种放大电路中，如音频放大器、射频放大器等。
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第六节常用的元器件半导体三极管
半导体三极管是电子设备的关键器件之一。
它对信号具有放大及开关控制作用，也用于振荡、调制等，与电子管比较具有体积小、重量轻、坚固耐震、使用寿命长、耗电省等优点。
6.1 半导体三极管的分类
6.2 半导体三极管的极性判别
6.2.1 管型和管脚排列
6.2.2 管脚判别
（1）根据管脚排列及色点判别。
有一种等腰三角形排列，其顶点是基极，有红色点的一边是集电极，另一极为发射极。
另一种等腰三角形排列，顶点是基极，管帽边缘凸出的一边为发射极，另一极为集电极。
还有一种等腰三角形排列，靠不同的色点来区分。
顶点与管壳上的红点标记相对应的为集电极，与白点对应的为基极，与绿点对应的为发射极。
有些管子管脚排成一条直线而距离相等，则管壳带红点的一边为发射极，中间为集电极，另一脚为基极，靠里的为基极，另一个为集电极。
四个管脚的晶体管，若有四个点色，则红色点对应的是集电极，白色点对应的是基极，绿色点对应的是发射极，黑色点对应的是地线。
有些四个管脚的晶体管，管壳带有凸缘，可将管脚朝向自己，则从管壳凸缘开始顺时针方向排列依次为发射极、基极、集电极、地线。
对塑封晶体管，可将剖去一个平面或去掉一个角的标记朝向自己，则从
左至右依次依次为发射极、基极、集电极。
超小型晶体管，其中一个管脚截去一角为标记，定位发射极，与其垂直的管脚为集电极。
另一个管脚为基极。
还有一种超小型三极管，将球面向上，管脚朝自己，则从左至右依次是基极、集电极、和发射极。
以上均可参见图1-23。
（2）用万用表判别。
目前晶体管的品种繁多，一般都可以用万用表判别管脚。
其依据是：NPN型管子基极到发射极和基极到集电极均为PN结的正向，而PNP型管子基极到发射极和基极到集电极均为PN结反
向。
首先判别管子的基极。
将万用表拨
在R*100或R*1k档上，用黑表棒
接触某一管脚，用红表棒分别接触
另两个管脚，如表头读数都很小
（约几千欧），则与黑表棒接触的那一管脚是基极，同时可知此管子为NPN型。
若用红表棒接触某一管脚，而用黑表棒分别接触另两个管脚，表头读数同样都很小（约几百欧）时，则与红表棒接触的那一管脚是基极，同时可知此管子为PNP 型。
用上述方法既判定了晶体管的基极，又判别了管子的类型。
接着判别发射极和集电极。
以NPN型管子为例，确定基极后，假定其余的两只脚中的一只是集电极，将黑表棒接在此脚
上，红表棒则接到假定的发射极上。
用手指把假定的集电极和已测出的基极捏起来（但不要相碰），看表针指示，并记下此阻值的读数。
然后再作相反假设，即把原来假设为集电极的脚假设为发射极。
作同样的测试并记下阻值的读数。
比较两次读数的大小，若前者的读数较小，说明前者的假设是对的，那么黑表棒接的一只脚就是集电极，剩下的一只脚便是发射极。
若需判别的是PNP型晶体管，仍用上述方法，但必须把表棒的极性对调一下。
6.2.3 晶体管性能的鉴别
（1）穿透电流I ceo大小的判别。
用万用表R*100或R*1k电阻档测量晶体管集电极和发射极之间的电阻，电阻值应大于数兆欧（指硅管，而锗管应大于数千欧）.阻值越大说明穿透电流越小。
若阻值太小说明穿透电流大；若阻值不断明显不降，则说明管子性能不稳定；若测得的阻值接近于零，则表明管子已经击穿；若测得的阻值太大，则可能是内部断线。
应当指出，集电极和发射极之间的电阻与温度有关。
例如穿透电流很小的锗管，用手捏住加温后，其间电阻也只有几千欧。
因此，不能用电阻绝对数值的大小来判定穿透电流的大小，而只能用比较的方法来判别。
（2）电流放大系数β的估计。
将万用表拨到R*100或R*1k 电阻档测量晶体管发射极和集电极之间的电阻。
看好读数，
而后再用手捏着基极和集电极（但两级不要相碰），观察表针摆动幅度大小。
摆动越大，说明管子放大能力越大，即β越大。
应当指出，这是相对比较的方法。
手捏在两级之间等于给管子提供了基极电流I b，I b的大小和手的潮湿程度有关。
也可用接一只50kΩ～100kΩ的电阻来代替手捏的方法进行测试。
6.2.4 硅管和锗的正向电压降比锗管的大.对PNP型晶体管可以利用图1-24所示的电路进行测量.如测得电压降为0.7V 左右,即为硅管.如电压降为0.2V～0.3V,即为锗管。
对NPN 型管，方法相同，但电池和电表的极性应与PNP型管相反。