ram结构
MCS-51单片机内部数据存储器RAM结构详解
MCS-51 单片机内部数据存储器RAM 结构详解内部数据存储器低128 单元
8051 单片机的内部RAM 共有256 个单元，通常把这256 个单元按其功能划分为两部分：低128 单元(单元地址00H～7FH)和高128 单元(单元地址
80H～FFH)。
如图所示为低128 单元的配置图。
寄存器区
8051 共有4 组寄存器，每组8 个寄存单元(各为8)，各组都以R0～R7 作寄存单元编号。
寄存器常用于存放操作数中间结果等。
由于它们的功能及使用
不作预先规定，因此称之为通用寄存器，有时也叫工作寄存器。
4 组通用寄
存器占据内部RAM 的00H～1FH 单元地址。
在任一时刻，CPU 只能使用其中的一组寄存器，并且把正在使用的那组寄存器称之为当前寄存器组。
到底是哪一组，由程序状态字寄存器PSW 中
RS1、RS0 位的状态组合来决定。
通用寄存器为CPU 提供了就近存储数据的便利，有利于提高单片机的运算速度。
此外，使用通用寄存器还能提高程序编制的灵活性，因此，在单片机
的应用编程中应充分利用这些寄存器，以简化程序设计，提高程序运行速。
单片机内部存储器结构与数据存取方法详解
单片机内部存储器结构与数据存取方法详解单片机是一种集成了处理器、内存和外设等功能于一体的微电子器件，广泛应用于各种电子设备中。
其中，内部存储器是单片机的核心组成部分之一。
本文将详细介绍单片机内部存储器的结构和数据存取方法。
一、单片机内部存储器的结构单片机的内部存储器主要包括随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两部分。
1. 随机存取存储器(RAM)RAM是单片机内部的易失性存储器，用于存储数据、程序临时数据和运行时数据。
单片机内部的RAM可以根据存取速度和使用要求的不同，分为片内RAM 和片外RAM两种。
片内RAM是单片机芯片内部集成的存储器，速度较快。
它可以分为片内可读写RAM(RW-RAM)和片内只读RAM(RO-RAM)两种类型。
片内可读写RAM可以被程序读取和修改，存储媒介是电容或电子触发器。
而片内只读RAM则只能被程序读取，不能被修改。
片内RAM的容量相对较小，一般在几十到几百字节之间。
片外RAM是连接在单片机芯片外部的存储器，速度较慢。
它可以进一步分为静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)两种类型。
SRAM是基于触发器构建的，数据存储在触发器中，读写速度快且无需刷新。
DRAM则是基于电容构建的，存储数据需要定期刷新，但容量较大。
2. 只读存储器(ROM)ROM是单片机内部的非易失性存储器，用于存储程序和常量数据。
ROM的内容在出厂时就被写入，一般无法被程序修改。
单片机内部的ROM可以分为只读存储器(ROM)和可编程只读存储器(PROM)两种类型。
ROM存储器内容固定不变，其中包含了单片机的初始化程序和系统代码。
PROM存储器则可以通过特殊的编程操作烧写程序和数据，但一旦写入后无法擦除和修改。
这类存储器在生产流程中被用于定制特殊功能的单片机。
二、单片机内部存储器的数据存取方法单片机内部存储器的数据存取方法根据存储器的类型和连接方式而有所不同。
1. RAM的数据存取方法对于片内RAM，数据的存取可以通过直接读写特定的RAM地址来实现。
RAM的一般结构和读写过程
一、RAM的一般结构和读写过程1.RAM的一般结构它由三部分电路组成：1)行、列地址译码器：它是一个二进制译码器，将地址码翻译成行列对应的具体地址，然后去选通该地址的存储单元，对该单元中的信息进行读出操作或进行写入新的信息操作。
例如：一个10位的地址码A4A3A2A1A0=00101，B4B3B2B1B0=00011时，则将对应于第5行第3列的存储单元被选中。
2)存储体：它是存放大量二进制信息的“仓库”，该仓库由成千上万个存储单元组成。
而每个存储单元存放着一个二进制字信息，二进制字可能是一位的，也可能多位。
存储体或RAM的容量：存储单元的个数*每个存储单元中数据的位数。
例如，一个10位地址的RAM，共有210个存储单元，若每个存储单元存放一位二进制信息，则该RAM的容量就是210(字)×1(位)=1024字位，通常称1K字位(容量)。
3)I/O及读/写控制电路：该部分电路决定着存储器是进行读出信息操作还是写入新信息操作。
输入/输出缓冲器起数据的锁存作用，通常采用三态输出的电路结构。
因此，RAM可以与其它的外面电路相连接，实现信息的双向传输(即可输入，也可输出)，使信息的交换和传递十分方便。
2.RAM的读出信息和写入新信息过程(读/写过程)：时序访问某地址单元的地址码有效，假如你想去访问的具体地址：如A9～A0=0D3H=0011010011B，片选有效=0，选中该片RAM为工作状态。
读/写操作有效：＝1，读出信息；＝0，写入信息；二、RAM中的存储单元按照数据存取的方式不同，RAM中的存储单元分为两种：静态存储单元—静态RAM(SRAM)；动态存储单元—动态RAM(DRAM)。
1.静态存储单元(SRAM)：它由电源来维持信息，如触发器，寄存器等。
静态存储单元(SRAM)的典型结构：T5、T6、T7、T8都是门控管，只要栅极高电平，这些管子就工作在可变电阻区，当作开关。
其中，存储单元通过T5、T6和数据线(位线)相连；数据线又通过T7、T8和再经输入/输出缓冲电路和输入/输出线相连接，以实现信息的传递和交换。
存储器是计算机的主要组成部件
存储器是计算机的主要组成部件，它主要是用来存储信息的。
存储器的类型有很多，按存储介质分为半导体存储器、磁存储器和光存储器。
半导体存储器芯片内包含大量的存储单元，每个存储单元都有唯一的地址代码加以区分，并能存储一位二进制信息。
本章只讨论半导体存储器。
一、存储器的分类：1.按工作方式不同：分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。
2.按制造工艺不同：RAM、ROM又可分为双极型半导体存储器和单极型MOS存储器。
MOS型RAM又可分为静态RAM和动态RAM两种。
RAM中任何存储单元的内容均能被随机存取。
它的特点是存取速度快，一般用作计算机的主存。
ROM中的内容是在专门的条件下写入的，信息一旦写入就不能或不易修改。
根据信息的写入方式不同，ROM可以分为掩膜ROM、可编程ROM（PROM）、可擦除可编程ROM（EPROM）和电可擦除可编程ROM（E2PROM）四种。
在正常工作时，信息只能读出不能写入，通常用于存放固定信息。
掩膜ROM中的内容是在出厂前已写好的,用户不能改写；PROM可由用户以专用设备将信息写入一次，写后不能改变；EPROM可由用户以专用设备将信息写入，然后用紫外线照射擦除信息；E2PROM采用电气方法擦除信息。
半导体存储器的分类情况如图5-1所示。
二、随机存取存储器(RAM)RAM既可向指定单元写入信息又可从指定单元读出信息,且读写时间与信息所处位置无关。
RAM根据制造工艺的不同可分为双极型RAM和MOS型RAM，双极型RAM较MOS型RAM来说，速度高、功耗大、集成度低。
在断电后，RAM中信息将消失。
1.随机存取存储器（RAM）的结构RAM的一般结构形式包括存储矩阵、地址译码器和读写控制器三部分，并通过数据输入/输出线，地址输入线片选控制线和读写控制线与外界发生联系。
如图5-2所示：解释：存储矩阵由若干存储单元组成，一个存储单元称为存储器的一个字，它所含有的基本存储电路（二进制数）的个数称存储器的字长。
静态ram的名词解释
静态ram的名词解释静态RAM（Static Random-Access Memory）是一种常用于计算机内存系统的半导体存储器。
它与动态RAM（Dynamic Random-Access Memory）相对，两者之间有着一些重要的差异。
本文将对静态RAM进行详细的名词解释，介绍其结构、工作原理、特点以及应用领域。
一、结构和工作原理静态RAM由一组存储单元组成，每个存储单元通常由一个触发器（flip-flop）构成。
存储单元可存储一个二进制位（0或1），多个存储单元则构成了一个静态RAM单元。
在每个存储单元中，触发器的状态（高电平或低电平）表示着对应二进制位的值。
静态RAM以位（bit）为基本存储单元，不同于动态RAM以字节（byte）为基本存储单元。
每个位都由一个触发器组成，通常由6个晶体管构成。
这些晶体管实现了存储、刷新和读取操作。
在静态RAM中，数据的状态可以被保持，直到被修改或重新写入。
这种保持数据的特性使得静态RAM较为快速，读取速度快，对读写访问速度的限制较小。
然而，静态RAM也需要消耗更多的电力和占用更多的空间。
二、特点1. 高速性：相对于动态RAM而言，静态RAM具有更快的存取速度。
这主要是因为静态RAM存储单元的构造较为简单，不需要刷新操作。
2. 不需要刷新：静态RAM的数据状态可以一直保持，无需定期刷新。
这在某些实时应用中尤其重要，例如高性能计算、图像处理和网络通信等。
3. 较低的功耗：由于静态RAM不需要频繁的刷新操作，相对于动态RAM而言，它对功耗的需求较低。
4. 容量限制：静态RAM存储单元所需的面积较大，因此相对来说其容量限制较为严格。
这也导致静态RAM在成本上相对较高，因此在大容量存储需求下往往采用动态RAM。
5. 稳定性：静态RAM的存储单元可以保持数据状态，因此对于需要保持长时间数据稳定性的应用是一种理想的存储解决方案。
三、应用领域静态RAM广泛应用于各种计算机系统和电子设备，包括个人电脑、服务器、网络路由器、嵌入式系统等。
微机原理 第四章2
静态RAM的结构组成原理图 静态RAM的结构组成原理图 RAM 举例：其存储体为64*64=4096个 举例：其存储体为64*64=4096个6管静态存储电路组成 64*64=4096
静态RAM 静态RAM
常用的SRAM芯片有2114、2142（ 常用的SRAM芯片有 SRAM芯片有2114 ）、6116（2K× 6116 6264（8K× ）、62128 16K× ）、62256 32K× 62128（ 62256（ 6264（8K×8）、62128（16K×8）、62256（32K×8）等。 SRAM芯片 芯片2114 1、SRAM芯片2114 2114芯片容量为 芯片容量为1 18引脚DIP封装 引脚DIP封装。 Intel 2114芯片容量为1K×4位，为18引脚DIP封装。该芯片 共有10根地址线A 10根地址线 根数据线I/O 共有10根地址线A9～A0和4根数据线I/O4～I/O1。该芯片的读 写控制：无效时，数据线呈高阻；有效时选中芯片， 写控制：无效时，数据线呈高阻；有效时选中芯片，允许读 写操作，此时，若有效则进行写操作，无效时进行读操作。 写操作，此时，若有效则进行写操作，无效时进行读操作。
随机存取存储器（RAM） 随机存取存储器（RAM）
行线X 行线 +5V
6管静态RAM存储电路 管静态RAM存储电路 RAM (MOS) )
T3 T5 A
T4 B T6
T1
T2
T7 1 写控制 数据线 读控制 3 2
T8 列线Y 列线
读出信息： 非破坏性读出” 读出信息：“非破坏性读出” Out
NDRO—Non Destructive Read
3管动态基本存储电路
1、DRAM芯片2116 DRAM芯片2116 芯片 2116为单管动态RAM芯片。其存储容量为16 RAM芯片 16K Intel 2116为单管动态RAM芯片。其存储容量为16K×l位， 需用14条地址输入线，但2116只有16条引脚。由于受封装引 需用14条地址输入线， 2116只有16条引脚。 14条地址输入线 只有16条引脚 线的限制，只用了A 条地址输入线，数据线只有1 线的限制，只用了A6～A0 7条地址输入线，数据线只有1条 (1位 而且数据输入( 和输出( 端是分开的， (1位)，而且数据输入(DIN)和输出(DOUT)端是分开的，它们有 各自的锁存器。数据输入( 和输出( 各自的锁存器。数据输入(DIN)和输出(DOUT)线可通过外部电 路形成一个双向数据线。 路形成一个双向数据线。写允许信号为低电平时表示允许写 入，为高电平时可以读出，它需要3种电源。 为高电平时可以读出，它需要3种电源。
随机存取存储器
◇ 动态存储单元的优点是集成度高，容量大、功耗低，但 速度较慢，使用起来不如SRAM方便。以动态存储单元 为基础的RAM称动态RAM（Dynamic RAM, DRAM）。
动态RAM芯片HY57V2562GTR 存储容量：16M×16bit
数字电路与逻辑设计
授课教师：陈东 电路与电子技术基础教学部
本次授课内容 —— 随机存取存储器（RAM）
RAM的基本知识 RAM的存储器结构 RAM的存储单元 RAM的容量扩展
RAM的基本知识
随机存取存储器（Random access memory,RAM），简称 随机存储器，它属于半导体存储器的一种，可以直接从其中 任一单元读出或存入数据，且存取数据时间与数据所在位置 无关。
RAM的存储单元——MOS静态存储单元
行门控管 基本R-S触发器 列门控管
RAM的存储单元——MOS动态存储单元
预 充 电 过 程
预充电结束后，电容上载有电荷。
1
读1 过 程
此电容预存有电 荷
读 出 1
1 1
选通Yj
1 放电回路 此电容已 存有1
0
1
读1 过 程
此电容预存有电
读
荷
出
0
1
0
1 放电回路 选通Yj
此电容已 此电存容有预0 存有1
电荷 1
1
写1 过1 程
充
电
1
回
路
1 数据
在不对本单元进行读、写时，为长期保存数据
，必须不断刷新。方法是：
刷
新
过
程
预
读
写
作
★ 静态存储单元和动态存储单元的对比：
RAM原理和主要参数意义
RAM:RAM -random access memory（随机存取存储器)。
存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。
这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
RAM基本结构和工作原理：RAM 结构框图如图1 所示:它主要由存储矩阵（又称存储体）、地址译码器和读/写电路 3 部分组成。
存储矩阵是存储器的主体，其他两部分称为存储器的外围电路。
存储矩阵是由许多存储单元有规则地排列构成的，每一个存储单元可以存储一位二进制码。
对每个存储单元用二进制码编号，即构成存储单元的地址，为了选中给定单元的地址，可以采用一元寻址（又称为字结构或单译码结构），或者二元寻址（又称位结构或双译码结构）。
其逻辑框图如2 所示，图中，存储矩阵包含16 个存储单元，所以，需要16 个地址。
图2（a）是一元寻址，由4 位地址码便可构成16 个地址，即16 条字线，每条字线为1 电平时便选中相应存储单元。
被选中单元通过数据线与读/写电路连接，便可实现对该单元的读出或写入。
图2(b)为二元寻址逻辑图，它有X 和Y 两个地址译码器。
每个存储单元由X 字线和Y 字线控制，只有在X 和Y 字线都被选中时才能对该单元读出或写入。
二元寻址可以大大减少字线数量。
所以，在大容量RAM 中均采用二元寻址。
SRAM:静态MOS 存储单元：核心是锁存器（T1~T4组成的基本锁存器）图3 所示的是静态MOS 六管存储单元。
图中，X i和Yj为字线；I/O为数据入/输出端；R/ W为读/写控制端。
当R/ W =0 时，进行写入操作；当R/ W =1 时，行读出操作。
电路均由增强型NMOS 管构成，T1、T3和T2、T4两个反相器交叉耦合构成触器。
电路采用二元寻址，当字线Xi和Yj均为高电平时，T5~T8均导通，则该单元选中，若此时R/ W为1，则电路为读出态，三态门G1、G2被禁止，三态门G3工作，存储数据经数据线D，通过三态门G3至I/O 引脚输出。
RAM的一般结构和读写过程
RAM的一般结构和读写过程RAM（Random Access Memory）是计算机中的一种主要的存储设备，用于临时存储数据和指令。
它具有随机访问数据的能力，可以根据需要快速读取和写入数据。
RAM的一般结构和读写过程如下。
一般结构：RAM由一个或多个存储单元组成，每个存储单元由一个存储位组成，存储位可以存储一个二进制值（0或1）。
每个存储单元都有一个唯一的地址，用于访问和识别该单元。
存储单元可以按照不同的组织方式进行排列，常见的有随机存取存储器（Random Access Memory）、动态随机访问存储器（Dynamic Random Access Memory）和静态随机访问存储器（Static Random Access Memory）等。
读写过程：1.选择存储单元：首先，需要选择要读取或写入的特定存储单元。
这需要使用指定的地址来选择存储单元。
2.读取操作：当需要从RAM中读取数据时，计算机将根据所指定的地址发送一个读取信号。
这会导致特定存储单元中的数据被读取并被放置在RAM的输出线上。
然后，输出线上的数据可以由计算机的其他部分使用，如中央处理器（CPU）。
3.写入操作：当需要将数据写入RAM时，计算机将根据所指定的地址发送一个写入信号，并同时发送要写入的数据。
这会导致特定存储单元中的数据被更新为新的数据值。
4.刷新操作（仅适用于动态RAM）：动态RAM需要定期进行刷新操作，以维持存储单元中的数据值。
这是因为动态RAM中的信息是通过电容器来存储的，电容器会逐渐失去电荷，导致数据丢失。
因此，动态RAM需要周期性地刷新，以重新充电并保持数据的正确性。
5.速度和延迟：RAM具有较快的读写速度，可以在几纳秒的时间内进行操作。
然而，RAM的速度也会受到一些因素的影响，如访问时间、数据传输速度和延迟。
延迟是指从发出指令到开始执行指令所需的时间，而数据传输速度则指数据从RAM传输到其他设备的速率。
总结：RAM的一般结构包括存储单元、地址和数据线等组件，用于临时存储数据和指令。
ram结构
RAM的基本结构RAM的基本结构如图7-30所示，可以分为三个部分：存储矩阵，地址译码器及读写电路。
•存储矩阵存储矩阵是用来存储要存放的代码，矩阵中每个存储单元都用一个二进制码给以编号，以便查询此单元。
这个二进制码称作地址。
•地址译码器译码器可以将输入地址译为电平信号，以选中存储矩阵中的响应的单元。
寻址方式分为一元寻址和二元寻址。
一元寻址又称为单向译码或字译码，其输出的译码线就是字选择线，用它来选择被访问字的所有单元；二元寻址又称为双向译码，二元寻址能够访问每一个单元，由X地址译码器输出的译码线作为行选择线进行“行选”；由Y 地址译码器输出的译码线作为列选择线进行“列选”，则行、列选择线同时选中的单元即为被访问单元，可以对它进行“写入”或“读出”。
•读写电路读写电路是RAM的控制部分，它包括片选CS，读写控制R/W以及数据输入读出放大器,片选CS的作用是只有当该端加低电平时此RAM才起作用, 才能进行读与写,读写控制R/W的作用是当R/W端加高电平时,对此RAM进行读出,当R/W端加低电平时进行写入。
输出级电路一般采用三态输出或集电极开路输出结构，以便扩展存储容量，如果是集电极开路输出（即OC输出），则应外接负载电阻。
双口RAM目录编辑本段简介双口RAM 是在一个SRAM 存储器上具有两套完全独立的数据线、地址线和读写控制线，并允许两个独立的系统同时对该存储器进行随机性的访问。
即共享式多端口存储器。
双口RAM最大的特点是存储数据共享。
一个存储器配备两套独立的地址、数据和控制线，允许两个独立的CPU或控制器同时异步地访问存储单元。
因为数据共享，就必须存在访问仲裁控制。
内部仲裁逻辑控制提供以下功能：对同一地址单元访问的时序控制；存储单元数据块的访问权限分配；信令交换逻辑（例如中断信号）等。
双口RAM可用于提高RAM的吞吐率，适用于作于实时的数据缓存。
编辑本段特点（1）对同一地址单元访问的竞争控制如果同时访问双口RAM的同一存储单元，势必造成数据访问失真。
ram的工作原理
ram的工作原理
工作原理：
RAM（Random Access Memory），即随机存取存储器，是计
算机内部的一种主存储器。
它的工作原理是利用电子技术将数据存储在一个由存储单元组成的内部数组中。
RAM的主要构成是由许多存储单元组成的，每个存储单元可
以存储一个位（0或1），即一个二进制数。
这些存储单元按
照一定的组织结构形成内部数组。
在RAM中存储的数据是临时存储的，当计算机断电或重新启
动时，其中的数据会被清空，因此RAM也被称为插电存储器。
与之相对的是ROM（只读存储器），它的数据在断电时仍然
保持不变。
当计算机启动时，操作系统会将一部分数据加载到RAM中，
这样CPU可以更快地访问和执行这些数据。
由于RAM的读
写速度非常快，可以快速提供数据给CPU，从而加快计算机
的运行速度。
RAM的工作原理是基于电子开关的开关状态来表示数据的存
储状态。
这些开关可以打开或关闭，分别表示1和0。
当计算
机需要读取RAM中的数据时，它将发送一个信号给RAM来
访问特定的存储单元，并读取其中的数据。
当计算机需要将数据写入RAM时，它将发送一个写入信号并
提供要写入的数据和目标存储单元的地址。
RAM会将数据写
入相应的存储单元，并在需要时将其读取出来供CPU使用。
RAM的工作速度非常快，这使得计算机能够快速地读取和写入数据，从而提高计算机的响应速度和运行效率。
不过，由于它是插电存储器，所以在断电时数据会丢失，因此需要定期将RAM的数据存储到硬盘或其他非插电存储器中，以保护重要的数据。
RAM的一般结构和读写过程
RAM的一般结构和读写过程一、RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）的一般结构：RAM是一种计算机中常用的存储器，它由若干个存储单元组成，每个存储单元都有唯一的地址。
存储单元的大小决定了RAM的容量大小。
一般情况下，存储单元都是由一个或多个触发器组成。
常见的RAM有静态RAM （SRAM）和动态RAM（DRAM）两种类型。
静态RAM是一种基于触发器的存储器单元，具有快速的读取和写入速度，但相对较大的电路复杂度和功耗。
它的存储单元由许多触发器组成，每个触发器存储一个比特的数据，每个单元还包括读取和写入电路以及地址译码器等。
静态RAM一般用于需要快速读写和低功耗的场景，如高速缓存。
动态RAM是一种基于电容的存储器单元，具有较高的容量和较低的成本，但读取和写入速度相对较慢。
它的存储单元由电容和场效应晶体管组成，每个存储单元存储一个比特的数据。
由于电容会逐渐失去电荷，所以动态RAM需要定期进行刷新操作来保持存储数据的有效性。
动态RAM一般用于大容量的存储器，如计算机主存。
二、RAM的读写过程：RAM的读写过程可以分为以下几个步骤：1.地址传递：计算机通过总线将要读写的存储单元的地址发送给RAM。
2.译码和选择：RAM的地址译码器接收到地址信号后，将指定存储单元的地址译码为有效的信号，用于选择要操作的存储单元。
3.读写控制：根据读写指令，RAM决定是进行读取数据还是写入数据的操作。
这个过程由控制电路来完成。
4.读取数据：如果是读取操作，RAM会将存储单元中的数据通过数据输出线发送给计算机。
5.写入数据：如果是写入操作，计算机会通过数据输入线将要写入的数据发送给RAM，RAM将数据写入指定存储单元。
需要特别说明的是，静态RAM和动态RAM在读写过程中有些许不同。
静态RAM的读写过程较为简单，可以实现单周期读写。
通过选通指定存储单元，将该单元的数据送到数据输出线上供计算机读取。
写入数据时，计算机将数据通过数据输入线写入指定存储单元。
ROM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别
ROM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别？(2009-06-13 13:45:41)标签：ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU 的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。
另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
随机存 取存储器
1.3 RAM的工作时序
如图6-4所示为RAM操作时序图。
1．读操作时序分析
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
图6-4 RAM读操作时序图
由图6-4可知，读操作过程主要包括以下几点。
（1）欲读出单元的地址加到存储器的地址输入端ADD。 （2）加入有效的选片信号CS。 （3）在 线上加高电平，经过一段延时后，所选择单元的内容 出现在 端。 （4）让选片信号CS无效， 端呈高阻态，本次读出过程结束。
2．地址译码器
址译码器的作用是将寄存器地址所对应的二进制数译成有 效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。
存储器中的地址译码器常用双译码结构（参见图62），行地址译码器用5—32译码器，地址线（译码器的 输入）为 A0，A1， ，A4 ，输出为 X 0，X1， ，X31 ；列地 址译码器也用5—32译码器，地址线（译码器的输入） 为 A5，A6， ，A9 ，输出 Y0，Y1， ，Y31 ，这样共有10条地 址线。
2．双极型晶体管存储单元
如图6-7所示为双极型晶体管存储单元的电路结构。
图6-7 双极型晶体管存储单元的电路结构
双极型晶体管存储单元采用两只多发射极三极管和两只电阻 构成一个触发器，同时将一对发射极接在同一条字线X上，将另一
对发射极分别接在位线B 和 B 上。
（1）在维持状态，字线电位约为0.3 V，低于位线电位（约 1.1 V），因此存储单元中导通管的电流由字线流出，而与位 线连接的两个发射结处于反偏状态，相当于位线与存储器断 开。处于维持状态的存储单元可以是 T1导通、 T2 截止（称 为0状态），也可以是 T1截止、 T2 导通（称为1状态）。
3．读/写控制
访问RAM时，对选中的寄存器进行读操作还是写操作， 还需要通过读/写控制线实施控制。如果是读，则被选中单 元存储的数据经数据线、输入/输出线传送给CPU；如果是 写，则CPU将数据经过输入/输出线、数据线存入被选中单 元。
RAM和ROM结构原理
FPGA结构介绍由于PLD大都是基于ROM或者RAM的，因此先介绍下ROM和RAM1.RAM（Random-Access Memory,随机存储器）RAM正常状态下就可以随时快速的向存储器里写入和读出数据，断电丢失RAM可以分为SRAM（静态随机存储）和DSRAM（动态随机存储）1.1. SRAM●一个SRAM通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成●地址线采用双译码方式，一般的会将地址线分为行地址和列地址➢行地址，选择某一行，在通过列地址选择这一行中的某些存储单元➢减少译码地址线；例如一个1024x4的一个SRAM，一共有1024个单元，单译码的话就需要用到1024根选通线，双译码的话只需要64+16=80根选通线1.1.1.静态存储单元控制A.SRAM通过行列译码选择存储单元进行读写控制表 1 行列译码真值表B.存储单元实现存储的方式靠锁存器来实现，要写入的数据为Q，经过A3的反相之后Q’，此时经过G1输出为Q；当撤去Q’和Q的外部输入后，G1的输出Q，经过G2到达G1的输入端，状态得以保持C.选择对应的存储单元后，通过CS’和R/W’进行存储单元读写的控制假设I/O此时输入为Q表 2 读写控制真值表1.2. DRAM（Dynamic Random-Access Memory,动态随机存储器）DRAM其结构大体上与SRAM类似，包括双地址译码，存储矩阵，读写控制对于DRAM，为了提高集成度减少引脚数目，一般都采用一位输入、一位输出和地址分时输入（地址多路复用）1.2.1.地址多路复用这里一个行地址和列地址都是10位的一个DRAM，可以看出他们的行、列地址都是共用的相同的引脚，分为2次分别送入，分别由CAS’和RAS’控制：首先是行地址输入，行地址到达时，RAS’必须变为低，控制行锁存器锁存输入的行地址然后是列地址输入，列地址到达时，CAS’必须为低，控制列地址锁存器锁存输入的列地址1.2.2.Mos存储单元结构DRAM的存储单元是采用mos管加电容的方式实现的，电容有电荷时存放1，无电荷时存放0A.行地址线为高电平时，相应的mos管导通，电容连接到位线上；此时刷新放大器读取对应电容上的电压值，将读到的电压转换成逻辑0或1B.由于在行地址线为高时，一行上所有的电容C都受到了影响，为了在读出数据之后仍能保持原有的信息，刷新放大器在读取之后会对电容进行重写C.列地址线为高电平时，相应的mos管导通，位线导通1.2.3.刷新操作由于电容存在有漏电流，，保存电荷的时间有限，为了避免存储的数据丢失，必须定时的向电容进行充电，称为刷新刷新是按照行来操作的，因此不需要列地址，下图中，通过一个刷新计数器，产生10位行地址，来刷新电容1.2.4.读/写端口三态门控制，输入还是输出（写还是读）下图是CS’控制1.3. SRAM与DRAM区别根据存储方式可以得知，断电后，里面所存储的数据都会丢失2.ROM（Read-Only Memory，只读存储器）一般ROM正常情况下只能从里面读取数据2.1. 掩模ROM里面的内容已由厂家按要求写在芯片中，不可更改。
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RAM的基本结构
RAM的基本结构如图7-30所示，可以分为三个部分：存储矩阵，地址译码器及读写电路。
∙
存储矩阵
存储矩阵是用来存储要存放的代
码，矩阵中每个存储单元都用一个二进
制码给以编号，以便查询此单元。
这个
二进制码称作地址。
∙地址译码器
译码器可以将输入地址译为电平信号，以选中存储矩阵中的响应的单元。
寻址方式分为一元寻址和二元寻址。
一元寻址又称为单向译码或字译码，其输出的译码线就是字选择线，用它来选择被访问字的所有单元；二元寻址又称为双向译码，二元寻址能够访问每一个单元，由X地址译码器输出的译码线作为行选择线进行“行选”；由Y 地址译码器输出的译码线作为列选择线进行“列选”，则行、列选择线同时选中的单元即为被访问单元，可以对它进行“写入”或“读出”。
∙读写电路
读写电路是RAM的控制部分，它包括片选CS，读写控制R/W以及数据输入读出放大器,片选CS的作用是只有当该端加低电平时此RAM才起作用, 才能进行读与写,读写控制R/W的作用是当R/W端加高电平时,对此RAM进行读出,
当R/W端加低电平时进行写入。
输出级电路一般采用三态输出或集电极开路输出结构，以便扩展存储容量，如果是集电极开路输出（即OC输出），则应外接负载电阻。
双口RAM
目录
简介
特点
编辑本段简介
双口RAM 是在一个SRAM 存储器上具有两套完全独立的数据线、地址线和读写控制线，并允许两个独立的系统同时对该存储器进行随机性的访问。
即共享式多端口存储器。
双口RAM最大的特点是存储数据共享。
一个存储器配备两套独立的地址、数据和控制线，允许两个独立的CPU或控制器同时异步地访问存储单元。
因为数据共享，就必须存在访问仲裁控制。
内部仲裁逻辑控制提供以下功能：对同一地址单元访问的时序控制；存储单元数据块的访问权限分配；信令交换逻辑（例如中断信号）等。
双口RAM可用于提高RAM的吞吐率，适用于作于实时的数据缓存。
编辑本段特点
（1）对同一地址单元访问的竞争控制
如果同时访问双口RAM的同一存储单元，势必造成数据访问失真。
为了防止冲突的发生，采用Busy逻辑控制，也称硬件地址仲裁逻辑。
图2给出了地址总线发生匹配时的竞争时序。
此处只给出了地址总线选通信信号先于片选脉冲信号的情况，而且，两端的片选信号至少相差tAPS——仲裁最小时间间隔（IDT7132为5ns），内部仲裁逻辑控制才可给后访问的一方输出Busy闭锁信号，将访问权交给另一方直至结束对该地址单元的访问，才撤消Busy闭锁信号，将访问权交给另一方直至结束对该地址单元的访问，才撤消Busy闭锁信号。
即使在极限情况，两个CPU几乎同时访问同一单元——地址匹配时片选信号低跳变之差少于tAPS，Busy闭锁信号也仅输出给其中任一CPU，只允许一个CPU访问该地址单元。
仲裁控制不会同时向两个CPU发Busy闭锁信号。
（2）存储单元数据块的访问权限分配
存储单元数据块的访问权限分配只允许在某一时间段内由1个CPU对自定义的某一数据块进行读写操作，这将有助于存储数据的保护，更有效地避免地址冲突。
信号量（Semaphore，简称SEM）仲裁闭锁就是一种硬件电路结合软件实现访问权限分配方法。
SEM单元是与存储单元无关的独立标志单元，图3给出了一个信号量闭锁逻辑框图。
两个触发器在初始化时均使SEM允许输出为高电平，等待双方申请SEM。
如果收到一方写入的SEM信号（通常低电平写入），如图3所示，仲裁电路将使其中一个触发器的SEM 允许输出端为低电平，而闭锁另一个SEM允许输出端使其继续保持高电平。
只有当先请求的一方撤消SEM信号，即写入高电平，才使另一SEM允许输出端的闭锁得到解除，恢复等待新的SEM申请。
（3）信令交换逻辑（signaling logic）
为了提高数据的交换能力，有些双口RAM采用信令交换逻辑来通知对方。
IDT7130（1K容量）就是采用中断方式交换信令。
利用两个特殊的单元（3FFH和3FEH）作为信令字和中断源。
假设左端CPU向3FFH写入信令，将由写信号和地址选通信号触发右端的中断输出，只有当右端的CPU响应中断并读取3FFH信令字单元，其中断才被双口RAM撤消。