内存名称详解

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DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael

D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件设计规范By: MichaelOct 12, 2010haolei@目录1.概述 (3)2.DDR的基本原理 (3)3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5)3.1差分时钟 (6)3.2数据选取脉冲（DQS） (7)3.3写入延迟 (9)3.4突发长度与写入掩码 (10)3.5延迟锁定回路（DLL） (10)4.DDR-Ⅱ (12)4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13)4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15)4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19)5.DDR-Ⅲ (21)5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21)5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23)6.内存模组 (26)6.1内存模组的分类 (26)6.2内存模组的技术分析 (28)7.DDR 硬件设计规范 (34)7.1电源设计 (34)7.2时钟 (37)7.3数据和DQS (38)7.4地址和控制 (39)7.5PCB布局注意事项 (40)7.6PCB布线注意事项 (41)7.7EMI问题 (42)7.8测试方法 (42)摘要：本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。

关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT, DLL, MRS, ODTAug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao1.概述DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。

DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。

CPU、主板、内存详解

12. 好戏连台
13. 双核时代
13. 双核时代
AMD AM2 Athlon 64 X2 6000+
13、双核时代
Intel Core 2 Quad Q6600（四核）
2.1.3 CPU主要性能参数
主频外频倍频前端总线频率高速缓存接口多媒体指令集电压制造工艺封装形式
1. 主频
2. 外频
外频是CPU乃至整个计算机系统的基准频率，单位是MHz（兆赫兹）。主频就是CPU的时钟频率；倍频即主频与外频之比的倍数。主频、外频、倍频的关系为：主频＝外频×倍频。在奔腾时代，CPU的外频一般是60/66MHz，从 Pentium Ⅱ 350开始，CPU外频提高到100MHz，目前CPU外频已经达到了200MHz。一个CPU默认的外频只有一个，主板必须能支持这个外频。因此在选购主板和CPU时必须注意这点，如果两者不匹配，系统就无法工作。
外频与前端总线频率的区别
前端总线的速度指的是CPU和北桥芯片间总线的速度，更加实质性的表示了CPU和外界数据传输的速度。外频是CPU与主板之间同步运行的速度。之所以前端总线与外频这两个概念容易混淆，主要的原因是在以前的很长一段时间里（主要是在Pentium 4出现之前和刚出现 Pentium 4时），前端总线频率与外频是相同的，因此往往直接称前端总线为外频，最终造成这样的误会。
1. 8086和8088处理器 2. 80286 3. 80386 4. 80486 5. Pentium（奔腾）时代 6. Pentium MMX 7. Pentium Pro
2.1.2 CPU发展简史
8. Pentium II与Celeron（赛扬） 9. Pentium II Xeon 10. 第六代CPU 11. 双雄争霸 12. 好戏连台 13. 双核时代

笔记本SDR内存参数详解

笔记本SDR内存参数详解笔记本SDR内存参数详解从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD 版本等信息。

当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。

我们可以借助SiSoftSandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAMPC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。

内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100SDRAM内存标注格式(1)1.0---1.2版本这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示(如66MHZ、100MHZ、133MHZ等);b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间)，用时钟周期数表示，一般为2或3;c表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时)，用时钟周期数表示，一般为2;d表示TRP(RAS的预充电时间)，用时钟周期数表示，一般为2;e表示最大的tAC(相对于时钟下沿的数据读取时间)，一般为6(ns)或6。

5，越短越好;f表示SPD 版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合IntelPC100规范的为1。

2版本以上;g代表修订版本;h代表模块类型;R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

(2)1.2b+版本其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示;b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间)，用时钟周期数表示，一般为2或3;c 表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时)，用时钟周期数表示;d表示TRP(RAS的预充电时间)，用时钟周期数表示;ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4nstAC;ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2;g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2;h代表模块类型;R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别

带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别【武汉电脑维修培训】课前热身图1就是三代内存的全家照，从上到下分别是DDR3、DDR2、DDR。

大家牢牢记住它们的样子，因为后面的内容会提到这幅图。

(图1)DDR3,DDR2,DDR外观区别防呆缺口：位置不同防插错图1红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口，目的是让我们安装内存时以免插错。

我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口，大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片，就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。

比如DDR 内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，缺口右边为40个针脚；DDR2 内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。

芯片封装：浓缩是精华在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。

同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。

一般来说，DDR内存采用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）封装技术，又长又大。

而DDR2和DDR3内存均采用FBGA（底部球形引脚封装）封装技术，与TSOP相比，内存颗粒就小巧很多，FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。

TSOP是内存颗粒通过引脚（图2黄色框）焊接在内存PCB上的，引脚由颗粒向四周引出，所以肉眼可以看到颗粒与内存PCB接口处有很多金属柱状触点，并且颗粒封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，但焊点和PCB的接触面积较小，使得DDR内存的传导效果较差，容易受干扰，散热也不够理想。

(图2)一颗DDR现代内存芯片焊接细节-黄色部分为焊接引脚FBGA封装把DDR2和DDR3内存的颗粒做成了正方形（图3），而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，内存PCB上也看不到DDR内存芯片上的柱状金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被“包裹”起来了，外面自然看不到。

oracle_sga内存详解

四：有多少并发连接
五：应用是OLTP类型还是OLAP类型
根据这几个问题的答案，我们可以粗略地为系统估计一下内存设置。那我们现在来逐个问题地讨论，首先物理内存多大是最容易回答的一个问题，然后操作系统估计使用多少内存呢？从经验上看，不会太多，通常应该在200M以内（不包含大量进程PCB）。
sort_area_size integer 65536
SQL>
在这部分内存中我们最关注的通常是sort_area_size，这是当查询需要排序的时候，数据库会话将使用这部分内存进行排序，当内存大小不足的时候，使用临时表空间进行磁盘排序。由于磁盘排序效率和内存排序效率相差好几个数量级，所以这个参数的设置很重要。这四个参数都是针对会话进行设置的，是单个会话使用的内存的大小，而不是整个数据库使用的。偶尔会看见有人误解了这个参数以为是整个数据库使用的大小，这是极其严重的错误。假如设置了MTS，则UGA被分配在large_pool_size，也就是说放在了共享内存里面，不同进程（线程）之间可以共享这部分内存。在这个基础上，我们假设数据库存在并发执行server process为100个，根据上面我们4个参数在oracle8.1.7下的默认值，我们来计算独立模式下PGA的大致大小。由于会话并不会经常使用create_bitmap_area_size、bitmap_merge_area_size，所以我们通常不对四个参数求和。在考虑到除这四个参数外会话所保存的变量、堆栈等信息，我们估计为2M，则100个进程最大可能使用200M的PGA。
Large_pool_size
对于大缓冲池的设置，假如不使用MTS，建议在20—30M 足够了。这部分主要用来保存并行查询时候的一些信息，还有就是RMAN在备份的时候可能会使用到。如果设置了MTS，则由于UGA部分要移入这里，则需要具体根据server process数量和相关会话内存参数的设置来综合考虑这部分大小的设置。

详解内存(RAM,SRAM,SDRAM)工作原理及发展历程

详解内存(RAM，SRAM，SDRAM)工作原理及发展历程/csrwzt/blog/item/7ec462ef44e87fe9cf1b3e6f.htmlRAM（Random Access Memory）随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC 用户都非常清楚的，所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，希望借此来得到更高的性能。

不过现在市场是多种内存类型并存的，SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等等，如果你使用的还是非常古老的系统，可能还需要EDO DRAM、FP DRAM（块页）等现在不是很常见的内存。

虽然RAM的类型非常的多，但是这些内存在实现的机理方面还是具有很多相同的地方，所以本文的将会分为几个部分进行介绍，第一部分主要介绍SRAM和异步DRAM（asynchronous DRAM），在以后的章节中会对于实现机理更加复杂的FP、EDO和SDRAM进行介绍，当然还会包括RDRAM和SGRAM等等。

对于其中同你的观点相悖的地方，欢迎大家一起进行技术方面的探讨。

存储原理：为了便于不同层次的读者都能基本的理解本文，所以我先来介绍一下很多用户都知道的东西。

RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。

但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。

对于RAM等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。

让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的编号），有100本书要存放在里面，那么我们使用一个行的编号＋一个列的编号就能确定某一本书的位置。

如果已知这本书的编号87，那么我们首先锁定第8行，然后找到第7列就能准确的找到这本书了。

在RAM 存储器中也是利用了相似的原理。

现在让我们回到RAM存储器上，对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。

内存详解（Memorydetail）

内存详解（Memory detail）A single.Txt memory is very painful, single long more pain, a few days ago I saw a sow, it happens what is cruel? Man, I interrupted three legs; is a male dog, I cut it five legs! Each memory has its own specific sizeIf you don't see the memory writeThe memory is inserted in the memory slotStart the computer into the windows on the "my computer" right attribute in the bottom of the "general" where memory size is 2 times to rememberOh, some computer display 504MB what is actually a digital memory 512MB anyway, closest to the power of 2 (of course sometimes64+128 also has)Answer: cang__cang a 6-6 09:00We can put it into a machine to test it.In addition, through the inspection of memory particle model, can calculate the memory capacity. Although the production of memory manufacturers have many, butCan produce memory particles, and can occupy the market of the manufacturers is relatively less, the domestic market mainstream memory with memoryThat is mainly a number of international companies.Here in memory encoding rules of several companies as an example to illustrate the identification method of memory.Samsung memoryAt present, the use of memory particles to produce Samsung memory manufacturers in the market very much, have a very high share. Because of its huge product line,So the naming rules of Samsung memory particles is very complex. Samsung memory model uses a 16 bit digital encoding named. Which useUsers are more concerned about the recognition rate and working memory capacity, so we focus on the two part of the meaning of.4 X X encoding rules: K X X X X X X X X X X - XThe main meaning:First - the function of the chip K, memory chip is representative of.Second - chip type 4, on behalf of DRAM.Third - chip further type, S, DDR, H on behalf of SDRAM on behalf of G on behalf of SGRAM.Fourth, fifth - capacity and refresh rate, the same capacity with different memory refresh rate, will also use different numbers. 64, 62,63, 65, 66, Volume 67, 6A on behalf of 64Mbit; 28, 27, 2A represents the capacity of 128Mbit; 56, 55, 57, 5A 256MbitCapacity; capacity of 51 512Mbit.Sixth, seventh - the number of data lines representing 08 pins, 8 bit data; 16 represents a 16 bit data; 32 represents a 32 bit data; 64 represents 64 bits of data.Eleventh - line - "".Fourteenth, fifteenth - chip rate, such as 60 6ns; 70 7ns; 7B 7.5ns (CL=3); 7C 7.5ns (CL=2); 808NS 10ns (66MHz); 10.Know the main meaning of digital memory encoding, get a memory after it is very easy to calculate its capacity. For example, a Samsung DDRThe use of memory, 18 pieces of SAMSUNG encapsulatedK4H280838B-TCB0 nanoparticles. Grain number fourth, fifth "28" on behalf of the particles is 128Mbits,Sixth, seventh "08" on behalf of the particles is 8 bits of data bandwidth, so we can calculate the memory capacity is 128Mbits (Gigabit digital)* 16 /8bits=256MB (megabytes).Note: "bit" for "digital", "B" or "byte", a byte byte is 8 bits is calculated when divided by 8. Calculation on memory capacityThere are two kinds of situations, for examples: one is the non ECC memory, each of the 8 pieces of 8 bit data width of the particles can be composed of a memory; the otherA ECC memory, after every 64 bits of data, also increased the ECC 8 bit checksum. Through the verification code, can detect memory data in twoA mistake, correct a mistake. So in the actual process of computing capacity, do not calculate the parity bit, 18 pieces of granule has the function of ECC memoryAccording to the actual capacity by 16.Can also buy the memory it is judged 18 pieces or 9 pieces of memory patch is ECC memory.Micron memoryMicron (Mei Guang) identification capacity of memory particles relative to the Samsung is much simpler. Here in this number to MT48LC16M8A2TG-75Micron memory encoding rule description.Meaning：MT Micron - the name of the manufacturer.48 types of memory. 48 on behalf of 46 representative DDR SDRAM.LC: power supply voltage. LC 3V; C represents 5V; V represents 2.5V.16M8 - the memory capacity of 128Mbits, the calculation method is: 16M (address) * 8 bit data width.A2 - memory kernel version.TG, TG package, TSOP package.-75 - memory work rate, -75 133MHz; -65 150MHz.Examples: a Micron DDR memory, with 18 pieces of manufacturing MT46V32M4-75 particle number. The memory support ECC function. So everyBank is odd pieces of memory.The capacity calculation for capacity: 32M * 4bit * 16 / 8=256MB (megabytes).SIEMENS memoryAt present, a subsidiary of SIEMENS Infineon production of memory on the domestic market only two capacity: the capacityof 128Mbits particles and capacity256Mbits particles. The number of details of its memory capacity, data width. All memory queue management mode of InfineonEach particle is composed by 4 Bank. It is less the memory model, is the most easy to identify.HYB39S128400 128MB/ 4bits, "128" logo is the particle volume, after the three logo is the width of the memory data. OtherSo, such as: HYB39S128800 128MB/8bits; HYB39S128160128MB/16bits; HYB39S256800256MB/8bits.Infineon said the memory work rate method is in the model finally add a short-term, then mark the work rate.-7.5 said the work frequency of the memory is 133MHz;-8 said the work frequency of the memory is 100MHz.For example:Memory 1 Kingston memory, using 16 pieces of InfineonHYB39S128400-7.5 production. The capacity calculation for:128Mbits (digital /8=256MB * 16 MB) (megabytes).Memory 1 Ramaxel memory, using 8 pieces of InfineonHYB39S128800-7.5 production. The capacity calculation for:128Mbits (digital /8=128MB * 8 MB) (megabytes).Kingmax memoryKingmax memory is the use of TinyBGA package (Tiny ball grid array). And the package mode is a patented product, so weSee the memory with Kingmax particles made of all is the factory production. There are two Kingmax memory capacity: 64Mbits128Mbits. This can be a series of memory capacity list model.Capacity note:KSVA44T4A0A, 64Mbits, 16M address space X 4 bit data width;KSV884T4A0A, 64Mbits, 8M address space X 8 bit data width;KSV244T4XXX, 128Mbits, 32M address space X 4 bit data width;KSV684T4XXX, 128Mbits, 16M address space X 8 bit data width;KSV864T4XXX, 128Mbits, 8M address space x 16 bit data width.There are four types of Kingmax memory work rate, is used in the models of short-term memory work rate identification symbols separated:-7A - PC133 /CL=2;-7 - PC133 /CL=3;-8A - PC100/ CL=2;-8 - PC100 /CL=3.For example, a Kingmax memory, memory using 16 pieces of KSV884T4A0A-7A manufacturing,The capacity (number: 64Mbits millionA) x 16 /8=128MB (megabytes).。

内存名称详解

PC-66这种内存使用66MHz的频率，而这也是第一代的SDR SDRAM内存。

电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)PC-100同样的，这种内存只是将工作频率提升到了100MHz，工作在CAS3模式下。

电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)PC-133这次改变还是只是将频率提升到133MHz，同样工作在CAS3模式下。

电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)PC-150这种内存并非官方发布的一个版本，而PC-150实际上就是一个超频版的内存。

通常这种内存可以运行在150MHz频率CAS3模式或者是133MHz频率CAS2模式下，但是据说Corsair的PC-150内存可以在150MHz 的频率下以CAS2的模式工作。

电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)PC-166另外一类超频内存，只是单纯的超频使得频率达到了一个新高点而已，仍然运行在CAS3之下。

电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)PC-180可以算作是另类的超频内存了，它简单的将频率提升到了180MHz，但是我个人认为这种内存没有实际使用的意义，因为毕竟现在DDR内存的价格已经是非常便宜了。

电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)DDR SDRAMDDR内存按照速度分类就可以用两种方法来进行分类了。

第一种就是以DDRXXX 这种方式命名。

后边的“XXX”就表示了这个内存是以两倍于XXX的速度运行的内存。

另外一种就是以PCXXXX进行命名。

后边的“XXXX”就是内存的带宽。

电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)PC1600此类DDR内存就是最早的一代DDR内存了。

它的工作频率为200MH(由于是DDR内存，所以频率增加一倍，就是100MHz x2所以实际上这类内存是工作在200MHz的频率下的)，而工作模式为CAS2.5。

操作系统内存详解

操作系统内存详解进程的简单介绍进程是占有资源的最⼩单位，这个资源当然包括内存。

在现代操作系统中，每个进程所能访问的内存是互相独⽴的（⼀些交换区除外）。

⽽进程中的线程可以共享进程所分配的内存空间。

在操作系统的⾓度来看，进程=程序+数据+PCB(进程控制块)没有内存抽象在早些的操作系统中，并没有引⼊内存抽象的概念。

程序直接访问和操作的都是物理内存。

⽐如当执⾏如下指令时:mov reg1,1000这条指令会将物理地址1000中的内容赋值给寄存器。

不难想象，这种内存操作⽅式使得操作系统中存在多进程变得完全不可能，⽐如MS-DOS，你必须执⾏完⼀条指令后才能接着执⾏下⼀条。

如果是多进程的话，由于直接操作物理内存地址，当⼀个进程给内存地址1000赋值后，另⼀个进程也同样给内存地址赋值，那么第⼆个进程对内存的赋值会覆盖第⼀个进程所赋的值，这回造成两条进程同时崩溃。

没有内存抽象对于内存的管理通常⾮常简单，除去操作系统所⽤的内存之外，全部给⽤户程序使⽤。

或是在内存中多留⼀⽚区域给驱动程序使⽤，如图1所⽰。

第⼀种情况操作系统存于RAM中，放在内存的低地址第⼆种情况操作系统存在于ROM中，存在内存的⾼地址，⼀般⽼式的⼿机操作系统是这么设计的。

如果这种情况下，想要操作系统可以执⾏多进程的话，唯⼀的解决⽅案就是和硬盘搞交换，当⼀个进程执⾏到⼀定程度时，整个存⼊硬盘，转⽽执⾏其它进程，到需要执⾏这个进程时，再从硬盘中取回内存，只要同⼀时间内存中只有⼀个进程就⾏，这也就是所谓的交换（Swapping）技术。

但这种技术由于还是直接操作物理内存，依然有可能引起进程的崩溃。

所以，通常来说，这种内存操作往往只存在于⼀些洗⾐机，微波炉的芯⽚中，因为不可能有第⼆个进程去征⽤内存。

内存抽象为了解决直接操作内存带来的各种问题，引⼊的地址空间(Address Space)这个概念，这允许每个进程拥有⾃⼰的地址。

这还需要硬件上存在两个寄存器，基址寄存器(base register)和界址寄存器(limit register),第⼀个寄存器保存进程的开始地址，第⼆个寄存器保存上界，防⽌内存溢出。

内存条详细讲解

内存条详细讲解内存条是连接CPU 和其他设备的通道!起到缓冲和数据交换作用！！！！内存的作用与分类内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。

我们平常使用的程序，如WindowsXP系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。

通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。

内存分为DRAM和ROM两种，前者又叫动态随机存储器，它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存就是指这一种；后者又叫只读存储器，我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去调用硬盘中的Windows，ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。

根据内存条上的引脚多少，我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。

30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM，168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。

目前30线内存条已经没有了；前两年的流行品种是72线的内存条，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种；目前市场的主流品种是168线内存条，168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种，一般的电脑插一条就OK了，不过，只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。

内存发展简史起初，电脑所使用的内存是一块块的IC，我们必须把它们焊接到主机板上才能正常使用，一旦某一块内存IC坏了，必须焊下来才能更换，这实在是太费劲了。

后来，电脑设计人员发明了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，相应地，在主板上设计了内存插槽，这样，内存条就可随意拆卸了，从此，内存的维修和扩充都变得非常方便。

根据内存条上的引脚多少，我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。

30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM，168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。

让32位系统『用』尽4G内存RAMDISK使用详解

让32位系统『用』尽4G内存--RAMDISK使用详解win7或者XP的32位版本，总线是32位的，也就是说只有2的32次方的寻址能力，2的32次方也就是96，这个数字接近4g，但是windows会保留一些地址给其他的外设使用。

因此就会导致实际windows的可用内存小于4g的情况。

通俗的讲：你要从内存里面读数据，必须要知道数据在哪里，也就是说内存中的每一个存储单元都有一个编号，就像门牌号码一样，这些编号只能从1到96之间选区，再大就超出32位的寻址能力了，如果这些门牌号码都分配给内存的话，正好能访问4g的数据，但由于部分的门牌号码被windows保留下来给外设使用了，所以实际上所能访问的数据也就小于理论上的4g了。

网上有人说用Readyfor 4GB这个工具能把这些保留的地址拿出来给内存使用，但是这样会导致系统不稳定，微软之所以保留这些地址，必然是有他的原因的，微软那么多高级工程师，咱可以怀疑一个，怀疑几个，总不能说人家全是2啊。

后来在网上发现了一个变通的方法，大家都知道当内存不够用的时候就会读写磁盘当虚拟内存，如果我们把多出来的1g内存模拟成一个磁盘供虚拟内存使用，那不就变相的使用了多出来的1g内存了吗？以下内容转载自网络。

-1561823-1-1.html前言：由于内存便宜，现在不少本本标配基本都是2GB，也有不少已经开是配4GB的，例如Y530A-PEI等，也有不少人购买新NB时，基于一次到位原则，一次将自己的本本内存加到4GB攻顶，或者后期升级至4GB，例如我的Y510A高配，虽然现在大部分的NB硬件抓得到4GB，但却没保证软件的操作系统可以抓到4GB，只要是32位的Windows XP或Windows Vista，都只能抓到3GB，难道一定要装64位的Windows XP或Windows Vista才能解决吗? 下面是我总结网上的经验及我自己的经历写的：）问题：理论上32位的操作系统可以抓到4GB，但从Windows XP SP2后，基于一些原因，微软让32位的XP和Vista都只能抓到3GB，当然装64位的XP或Vista是好方法，但是联想64位的驱动还是没有完善，加上如今绝大部分的应用程序仍是32位，一来64位操作系统兼容性堪忧，二来在64位操作系统跑32位应用程序速度更慢，所以绝大部分的用户仍选择32位的操作系统。

.prm详解

.prm详解⼀、内存分配1.资源分布如上图所⽰，单⽚机型号最后的数字也就代表了单⽚机中Flash的⼤⼩,S12G128 表⽰Flash有128K Byte,S12G192 表⽰Flash有192K Byte。

但是S12(X)所使⽤的内核CPU12(X)的地址总线为16位，寻址范围最⼤为2^16 =64K Byte，⽽这64K Byte的寻址空间还包括寄存器、EEPROM（利⽤Data Flash模拟）、RAM等，因此不是所有的64K Byte都是⽤来寻址FLASH。

所以在S12(X)系列单⽚机中，很多资源是以分页的形式出现的，其中包括EEPROM、RAM、FLASH。

EEPROM的每页⼤⼩为1K Byte，RAM的每页⼤⼩为4K Byte，FLASH的每页⼤⼩为16K Byte。

因此G128中EEPROM的页数为4K/1K = 4页，RAM的页数为8K/4K = 2页，Flash的页数为128K/16K = 8页。

2.本地内存地址和全局内存地址之间的关系在单⽚普通模式中，复位后，所有内存资源的映射如图⼆所⽰，其中从0x0000-0x03FF的1K范围内映射为寄存器区，如I/O端⼝寄存器等，当然寄存器没有那么多，后⾯的⼀部分其实没有使⽤；从0x0400-0x3FFF存放着EEPROM、Flash Space、RAM，具体可到该模块去看细化的分配。

从0x4000-0xFFFF的总共48K的空间为Flash区，分为三页。

其中第⼀页和第三页为固定的Flash页（⾮分页），中间的⼀页（0x8000-0xBFFF）为窗⼝区，通过设置PPAGE寄存器，可以映射到其他的分页Flash。

对于RAM和Flash来说，其实固定页和其他的分页资源是统⼀编址的，不同的是固定页不可以通过寄存器（RPAGE、PPAGE）改变映射，⽽其他的页必须通过寄存器的设置来选择映射不同的页。

⼆、.prm⽂件结构详解1 .prm ⽂件组成结构按所含的信息的不同.prm⽂件有六个组成部分构成，这⾥仅讨论和内存空间映射关系紧密的三个部分，其他的不做讨论。

2012年最新内存命名规则

2012年最新内存命名规则三星内存目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。

这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G 代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。

JVM堆内存（heap）详解

JVM堆内存（heap）详解Java 堆内存管理是影响性能的主要因素之⼀。

堆内存溢出是 Java项⽬⾮常常见的故障，在解决该问题之前，必须先了解下 Java 堆内存是怎么⼯作的。

先看下JAVA堆内存是如何划分的，如图：1. JVM内存划分为堆内存和⾮堆内存，堆内存分为年轻代（Young Generation）、⽼年代（Old Generation），⾮堆内存就⼀个永久代（Permanent Generation）。

2. 年轻代⼜分为Eden（⽣成区）和 Survivor（⽣存区）。

Survivor区由FromSpace和ToSpace组成。

Eden区占⼤容量，Survivor两个区占⼩容量，默认⽐例是8:1:1。

3. 堆内存⽤途：存放的是对象，垃圾收集器就是收集这些对象，然后根据GC算法回收。

4. ⾮堆内存⽤途：永久代，也称为⽅法区，存储程序运⾏时长期存活的对象，⽐如类的元数据、⽅法、常量、属性等。

在JDK1.8版本废弃了永久代，替代的是元空间（MetaSpace），元空间与永久代上类似，都是⽅法区的实现，他们最⼤区别是：元空间并不在JVM中，⽽是使⽤本地内存。

元空间有两个参数：MetaspaceSize：初始化元空间⼤⼩，控制发⽣GC阈值。

MaxMetaspaceSize：限制元空间⼤⼩上限，防⽌异常占⽤过多物理内存。

为什么移除永久代？移除永久代原因：为融合HotSpot JVM与JRockit VM（新JVM技术）⽽做出的改变，因为JRockit没有永久代。

有了元空间就不再会出现永久代OOM问题了分代概念新⽣成的对象⾸先放到年轻代Eden区，当Eden空间满了，触发Minor GC，存活下来的对象移动到 Survivor0区，Survivor0区满后触发执⾏Minor GC，Survivor0区存活对象移动到Survivor1区，这样保证了⼀段时间内总有⼀个survivor区为空。

经过多次Minor GC仍然存活的对象移动到⽼年代。

三星内存颗粒规格指标详解

三星内存颗粒规格指标详解尽管市面上的内存品牌十分繁杂，但采用的内存颗粒不外乎三星、现代、英飞凌等这几家，其中三星的内存颗粒所占比重是极大的。

搞清楚三星内存颗粒的规格参数与性能指标，在内存的选购中是极为重要的。

当然，对内存而言，并不是只要采用同样型号的颗粒，内存的性能指标就会相同。

因为即便对同一型号的内存颗粒而言，也有等级之分，不同等级的颗粒，其性能也会有所区别，同时，更重要的，内存生产厂商的设计能力与生产工艺也会在很大程度上影响内存的性能与指标。

因此，对内存颗粒的性能指标，只能在我们选购内存时作为参考，而不要将其绝对化。

三星DDR内存颗粒面向中低端市场的内存颗粒三星TCB3颗粒TCB3是三星早期推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700，2-2-2-X 的时序，参数非常优秀。

此外它同样可以工作在PC3200，但时序需要相应地调低，200MHz时的时序为2-3-3-6，虽不能说优秀但表现尚可。

TCB3颗粒的频率极限大致在230MHz左右，这对于一款默认为166MHz的内存来说，超频幅度很大。

TCB3对于电压并不太敏感，3.0V电压下频率提升也不是很大。

目前该款颗粒多见于低端内存。

三星TCCC颗粒TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3。

TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的时序，而默认200MHz 时可以保持2.5-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。

此外也有不少DDR 500内存同样采用了TCCC颗粒，不过由于已经接近极限频率，留下的超频空间很小。

电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，但在2.8V时已经基本可以达到最高频率。

三星TCC4颗粒TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400内存颗粒，不过并不常见，在一些品牌的PC3200低端内存甚至是PC2700内存上面可以看到它。

闪存内存内存卡傻傻分不清详解各种手机存储器-今日头条

闪存、内存、内存卡傻傻分不清详解各种手机存储器-今日头条手机从当年的仅有视频功能到后来的多媒体功能机，再进化到目前的智能手机，对于存储器的要求也水涨船高。

但提到闪存、内存、存储卡之类的概念，大多数消费者却也糊里糊涂。

现在笔者就来详解一下。

来自央视的著名神论（图片来自网络）内存：内存颗粒（图片来自网络）内存的学名是RAM，和PC电脑的内存是一样的，负责正在运行的进程所需文件的展开和临时数据的缓存，断电就会清空。

需要注意的参数的读写速率和大小（其实所有的存储器都是这俩），我们平常说的GB、MB就是大小，大内存有利于大型任务和多任务的运行，而内存带宽也就是速率则是以通道数、标准（就是DDR3、DDR4什么的）和频率来标志，它的增加可以提升流畅度，尤其是高分辨率下的流畅度。

目前的千元机大多是单通道的DDR3内存，中端已经普及了双通道DDR3，而旗舰产品则已经尝到了双通道DDR4。

闪存：闪存颗粒（图片来自网络）手机的内存不是拿来永久存储数据的，那些自带16GB、32GB、64GB指的其实是闪存，作用和PC电脑的硬盘相同。

闪存（flash）指的是一种可擦除的永久性数据存储技术，相关产品种类很多，包括存储卡、板载闪存、U盘、固态硬盘等，它们之间的区别在于接口规格，对于手机而言，闪存一般特指机身内部的板载闪存。

闪存的主要参数还是大小和读写，大小就是存储数据的量，而读写速率是需要注意的（尤其是华为用户），它的提升会加快传输和载入速度，高速闪存会让软件打开的速度更快、复制文件速度更快、支持更高规格的音视频播放和录制，从而使运行更流畅。

闪存读写的接口标准目前是emmc系列标准，包括emmc4.5、emmc5.0、emmc5.1，此外少数高端产品用上了更快的UFS2.0。

值得注意的是，闪存（其实是所有类型的存储器）读写速率标准由SOC和闪存颗粒的最低标准决定。

存储卡：TF卡（图片来自网络）在支持存储扩展的手机产品中，我们可以通过插micro SD卡（又称TF卡，也有内存卡的俗称）来扩展存储空间。

内存参数详解

mand Per Clock(CPC) 1T/2T:CPC 的设定特徵是允许你在单一资料存取的延迟选择，信号在记忆体控制器开始把命令送到记忆体的时间。

设定值愈低记忆控制单元能送到外部记忆体的命令就越快。

当CPC设定為1T时，记忆控制器读写一次资料花费一个时脉週期。

当CPC设定為2T时，记忆控制器读写一次资料发费两个时鐘週期的命令延迟。

2.CAS Latency Control(tCL)这是随机存起记忆体公司第一个会拿来做评比的时间参数，例如，你可能看见RAM 被评為4-4-4 -12 @ 400mhz。

第一的设定值4，如被评為3 產生最好的性能，CAS 5通常能提供较好的稳定性。

CAS从开始到结束的时间被称為CAS latency。

既然CAS 是找出正确资料的最后依个阶段，所以它也是记忆体最重要的计时步骤。

(设定值小= 效能高)3.RAS# to CAS# Delay(tRCD)这是大多数随机存取记忆体公司会拿来做评比的第二个时间参数。

例如，你可能看见RAM 被评為4-4-4 -12 @ 400mhz。

在JEDEC 的规格裡，这是在3 或者5 个数列的第2 位数。

因為这次延迟发生每当排被更新或者一个新排被开动时，降低延迟改进性能。

因此，推荐你把延迟降低到4或者更好的记忆性能3。

请注意如果你使用对于你的记忆体模组来说太低的价值，这有可能引起系统的不稳定。

如果你的系统在降低RAS对CAS 的延迟之后变得不稳定，你应该增加延迟或者把它重新设定到被评价的延迟。

有趣的是，增加RAS对CAS 的延迟可以允许记忆体模组以更高的时脉运转。

因此，如果你遇到意外困难超频你SDRAM 模件，你可以试著增加RAS对CAS 的延迟。

(设定值小= 效能高)4.Row Precharge Timing(tRP)这是大多数随机存取记忆体公司会拿来做评比的第3个时间参数。

他的BIOS具备有对相同的DDR 设备指定在连续的活动指令之间的最小时间。

内存详解大全汇总

内存详解大全汇总内存是计算机中用于存储数据和指令的地方，它被称为“随机存取存储器”（RAM），因为它允许快速访问存储在内存中的任何位置的数据。

内存是计算机中最重要的组件之一，它对于计算机的性能和功能起着至关重要的作用。

在这篇文章中，我将详细介绍内存的各个方面，包括它的类型、工作原理、大小和速度、内存分层、内存管理和优化等内容。

1.内存的类型：-随机存取存储器（RAM）：RAM是计算机中最常见的内存类型，它允许数据在任何次序上进行读/写操作。

RAM分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM），其中SRAM的访问速度更快但成本更高，而DRAM则速度较慢但成本较低。

-只读存储器（ROM）：ROM是一种只读存储器，它存储了计算机的启动指令和固件等不可更改的数据。

- 快闪存储器（Flash Memory）：闪存是一种非易失性存储器，可以保持数据即使在断电情况下。

它在移动设备和存储卡中广泛使用。

2.内存的工作原理：内存的基本工作原理是将数据和指令存储在内存模块中的单元中，然后根据需要进行读取和写入。

内存模块由一个或多个芯片组成，每个芯片都有自己的地址和数据线。

当计算机需要访问特定的内存单元时，它发送一个地址信号到内存模块，然后将数据写入或从内存中读取。

内存使用电容器和传输门来存储和传输数据，电容器会根据电压的变化来表示0或1内存访问速度取决于其工作频率和总线宽度。

较高的频率和更宽的总线可以提供更快的内存访问速度。

3.内存的大小和速度：内存的大小通常以字节（GB）为单位进行衡量，1GB等于10亿个字节。

计算机内存的大小取决于安装在计算机中的内存模块数量和每个内存模块的容量。

内存模块通常有不同的速度等级，以兆赫（MHz）为单位进行衡量。

较高的频率表示内存模块可以以更快的速度进行读/写操作。

内存的速度和大小对计算机的性能有重要影响。

更多的内存可以提供更大的工作空间，更快的速度可以加快计算机的响应时间。

4.内存的分层：内存分为多个层级，每个层级的容量和速度有所不同：-L1缓存：位于CPU中的小型高速缓存，用于存储最常用的数据和指令。

物理内存和虚拟内存swap（交换空间）详解

物理内存和虚拟内存swap（交换空间）详解⾸先要知道直接从物理内存读写数据⽐硬盘读写数据要快的多，但是内存是有限的，所以就引出了物理内存和虚拟内存，物理内存是系统硬件提供的内存，是真正的内存，虚拟内存是为了满⾜物理内存不⾜时⽽提出的策略，他是利⽤磁盘空间虚拟出的逻辑内存，⽤作虚拟内存的磁盘空间被称为交换空间（swap space）作为物理内存的扩展，linux会在物理内存不⾜时使⽤交换空间，内核会将暂时不⽤的内存快信息写到交换空间，这样物理内存就得到了释放，当需要⽤到原始内容时重新从交换空间读⼊物理内存linux操作系统中当应⽤程序需要读取⽂件中的数据时，操作系统会先分配⼀些内存将数据从磁盘读⼊到内存中，然后再将数据分发给应⽤程序；当需要往⽂件中写⼊数据时操作系统会分配内存接收⽤户数据，然后再将数据写⼊到磁盘中；如果有⼤量数据需要读写到磁盘时，系统的读写性能就会降低⾮常耗时间和资源，这种情况下就引⼊了buffers和cached机制buffer和cached都是内存操作，⽤来保存内存曾经打开的⽂件和⽂件属性信息，所以当系统需要读取⽂件时会先从buffer和cache内存区查找，如果找到直接读取发给应⽤程序，如果没有找到才从磁盘中找，通过缓存⼤⼤提⾼了操作系统的性能，但是buffer和cache缓存的内容是不同的，buffer⽤来缓存块设备的只记录了⽂件系统的元数据以及pages，⽽cached⽤来给⽂件做缓冲；通俗说buffer存得是⽂件内容、属性和权限，cached直接⽤来记忆我们打开过的⽂件和程序释放虚拟内存命令：⼀般系统不会⾃动释放内存/proc/sys/vm/drop_caches 默认是0 表⽰不释放缓存 3 代表释放所有缓存释放swap前提保证内存剩余⼤于swap使⽤量，否则会宕机查看当前swap分区挂载 swapop -s /dev/sda1关停分区 swapoff /dev/sda1查看状态 swapon -a如果想挂到其他分区下⾯可以 swapon /dev/sda5cat /proc/sys/vm/swappiness 60 表⽰物理内存⽤到60%时才会使⽤swapswapiness=0 表⽰物理内存⽤完才会使⽤swapswapiness=100 表⽰积极的使⽤swap分区，并且把内存上的数据及时搬运到swap空间临时修改swappiness参数sysctl vm.swappiness=10永久修改vim /etc/sysctl.confsysctl -p。

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