电光调制基础
光电子技术(电光调制的物理基础)
Hello, Chicago!
9
前言——历史回顾6
1917年,Albert Einstein提出了受激辐射的概念,预示了激光的存在。 1960年,第一台激光器诞生。 1962年,第一台半导体激光器出现。 20世纪60年代, “光电线”出现了,这就是光学纤维(简称光纤)。 1966年,高锟等人预言了SiO2光纤作为通信传输介质的可行性; 1967年,人们首次进行了相干光通信实验,并于1974年又一次使用气体激光器在自由空间做 了相同的实验,但传输距离都很短,大气干扰。 1970年,是光纤通信取得重要进展的一年,美国康宁公司制造出了第一根低损耗光导纤维。 光纤的损耗降到了20dB/km,半导体激光器的寿命也到达了一千小时以上。 1976年,英国哈德福郡的赫清与斯蒂夫尼奇之间铺设了一条光缆,这个光纤系统能同时提供 1920条电话通路。 1976-1977年,光纤损耗降低到4dB/km,半导体激光器的寿命达到106小时,各种通信系统 出现; 1977年,美国在芝加哥市建立了一条光纤市话中继线路。光纤的抗拉强度大,能达到 7.2×108帕,它的弯曲直径为1.6毫米。 1979-1980年,光纤通信系统投入市话网的局间线路使用,第一代光纤通信系统投入使用。
3
4
前言——历史回顾2
公元前200年左右,古希腊的Poybios发明了一种传输
系统,不仅可以传递一些固定信息,还可以传递字母。 每分钟大约传输8个字母。而现代通信系统的传输速率 为每秒几个G(109)字节。
1 2 3 4
1 2 α δ β ε γ ω δ η
3 4 λ π μ ρ ν σ ξ τ
5
前言——历史回顾3
17世纪初的一天,荷兰密特尔堡镇一家眼
光电子技术王俊波电光调制.ppt
L (c / n)
激光通过长度为L的晶体所需时间。
对电光调制器来说,总是希望获得高的调制效率及满足要求的 调制带宽。
前面对电光调制的分析,均认为调制信号频率远远低于光波频
率(也就是调制信号波长远远大于光波波长),并且入远大于晶体的
长度L,因而在光波通过晶体L的渡越时间 d
L (c / n)
内,调制信号
由此可见,输出的调制光中含有高次诣波分量,使 调制光发生畸变。为了获得线性调制,必须将高次
2019/10/15 共29页 9
UP
DOWN
BACK
谐波控制在允许的范围内。设基频波和高次谐波的幅 值分别为I1和I2n+1, 则高次谐波与基频波成分的比值为
(3.2-33)
若取 =1rad, 则J1 (1)=0.44, J3(1)=0.02, 所以I3 /I 1
UP
DOWN
BACK
其一,除了施加信号电压之外,再附加一个 Vλ/4 的固定偏压, 但会增加电路的复杂性,且工作点的稳定性也差。
其二,在光路上插入一个1/4波片(3.2-5图)其快慢轴与晶体 主轴x成45o 角,使E x’和E y’二分量间产生 /2 的固定相位差。 (3.2-30)式中的总相位差
UP
DOWN
BACK
1.外电路对调制带宽的限制
调制带宽:调制信号占据的频带的宽度。
调制信号频率高时大部分电压降在电源内阻上,致使晶体无法 工作。若要调制信号在较高频状况下工作时(实现阻抗匹配必须在 晶体两端并联一电感和分流电阻)其频带宽度就要受到约束:
当调制频率与谐振频率相同时电压全降在晶体上。
于是,通过两块晶体之后的总相位差
(3.2-37) 因此,若两块晶体的尺寸、性能及受外界影响完全相同,则自 然双折射的影响即可得到补偿。
第3讲-调制及电光调制.ppt
AcJ0(m)c osc(tc)
Ac Jn(m) c osc(nm)tc (1)nc o(sc nm)tc
n1
8
可见,在单频正弦波调制时,其角度调制波的频谱是由光载频与
第三章 激光调制技术
3.1 调制的基本概念
3.1.1 振幅调制 3.1.2 频率调制和相位调制━━调频和调相 3.1.3 强度调制 3.1.4 脉冲调制 3.1.5 脉冲编码调制(一般了解)
3.2 电光调制
3.2.1 电光调制的物理基础 3.2.2 电光强度调制 3.2.3 电光相位调制 3.2.4 电光调制器的电学性能 3.2.5 设计电光调制器应考虑的问题
s isn i n 1 2 c o s ) c ( o s )(c o cs o 1 2 s c o s ) c ( o s )
可得:e(t)AcJ0(m)c osc(tc)J1(m)c os(c m)tc J1(m)c os(c m)tc J2(m)c os(c 2m)t c J2(m)c os(c 2m)tc
这种将信息加载于激光的过程称之为调制
完成这一过程的装置称为
x(t)
调制器。其中激光称为载
波;起控制作用的低频信
息称为调制信号。
t
解调:调制的反过程,即
把调制信号还原成原来的
信息。
2
激光光波的电场强度是: ec(t)A ccocts (c)
其中 Ac 振幅 c 角频率c 相位角
因激光具有振幅、率、相位、强度等参量,如使其中某一参 量按调制信号的规律变化,则激光受到信号的调制,达到运载 信息的目的。
利用 c o )s c(c oo s ss isn i三n 角公式展开,得:
e(t)A cc o cts(c)c o m ssi (n m t)
电光调制原理
电光调制原理电光调制是一种利用电场调制光的强度的技术,它在光通信、光传感和光调制器件等领域有着广泛的应用。
电光调制原理是指利用外加电场对光的折射率进行调制,从而改变光的传播性质。
电光调制器件是实现电光调制原理的关键组成部分,其性能直接影响了整个系统的工作效果。
本文将从电光调制原理的基本概念、工作原理和应用领域等方面进行介绍。
电光调制原理的基本概念。
电光调制原理是利用外加电场改变介质的折射率,从而改变光的传播性质。
在电光调制器件中,通过外加电场使介质的折射率发生变化,进而改变光的相位和强度。
一般来说,电光调制器件采用的是电光效应,即在外加电场的作用下,介质的折射率会发生变化。
这种原理使得光信号能够被电信号控制,从而实现光信号的调制。
电光调制原理的工作原理。
电光调制器件一般采用的是电光效应,其中最常见的是Kerr效应和Pockels效应。
Kerr效应是指在介质中加入电场后,介质的折射率与电场的平方成正比而改变,这种效应通常用于强光的调制。
Pockels效应是指在晶体中加入电场后,晶体的折射率与电场成线性关系而改变,这种效应通常用于弱光的调制。
通过这些电光效应,可以实现对光信号的调制,从而实现光通信、光传感等应用。
电光调制原理的应用领域。
电光调制原理在光通信、光传感和光调制器件等领域有着广泛的应用。
在光通信中,电光调制器件可以实现光信号的调制和解调,从而实现光通信系统中的信号传输和处理。
在光传感中,电光调制原理可以实现对光信号的调制,从而实现对光信号的探测和测量。
在光调制器件中,电光调制原理可以实现对光信号的调制,从而实现光调制器件的功能。
总结。
电光调制原理是利用外加电场对光的折射率进行调制,从而改变光的传播性质。
电光调制器件是实现电光调制原理的关键组成部分,其性能直接影响了整个系统的工作效果。
电光调制原理在光通信、光传感和光调制器件等领域有着广泛的应用,可以实现光信号的调制和解调,光信号的探测和测量,以及光调制器件的功能。
第3讲_调制及电光调制[1]
3.2 电光调制 电光调制的物理基础是电光效应,即某些晶体在外加电场 的作用下,其折射率将发生变化,当光波通过此介质时,其传 输特性就受到影响而改变。 可做成光调制器件、光偏转器件和电光滤波器件。 3.2.1 电光调制的物理基础 光波在介质中的传播规律受到介质折射率分布的制约,而 折射率的分布又与其介电常量(电容率)密切相关。晶体折射率 可用施加电场E的幂级数表示,即 n n0 E bE 2 或写成
c c c
2
c
c
m
c
ma Ac cos( c m )t c 2 式中,ma Am Ac 称为调幅系数。可见调幅波的频谱是由三
个频率成分组成的,其中,第一项是载频分量,第二、三项 是因调制而产生的新分量,称为边频分量 。 调 A
ma Ac 2
c
ma Ac 2
幅
波
n 1
sin(m sin m t ) 2 J 2 n 1 (m) sin(2n 1) m t
知道了调制系数m,就可得各阶贝塞尔函数的值。 将以上两式代入利用三角函数关系式:
sin sin 1 cos( ) cos( ) 2
cos cos 1 cos( ) cos( ) 2
e(t ) Ac cos( c t c ) cos(m sin m t ) sin( c t c ) sin(m sin m t )
将式中 cos(m sin m t )和 sin(m sin m t ) 两项按贝塞尔函数展开:
cos(m sin mt ) J 0 ( m) 2 J 2 n ( m) cos(2nmt ) n1
电光调制
为实现线性调制,可引入固定的π /2相位延迟,使调制器 的电压偏置在T=50%的工作点上(B点)
17
电光调制的基本原理及公式推导-强度调制
改变工作点的常用方法 1 在调制晶体上除了施加信号电压之外,再附加一个半波电压,但此法增 加了电路的复杂性,而且工作点的稳定性也差。 2 在调制器的光路上插入一个1/4波片,使其快慢轴与晶体主轴x成45角, 从而使 Ex’和Ey’二分量间产生π /2的固定相位差。
n1 n2 n0, n3 ne KDP为四方晶系,负单轴晶体, 电光张量为
KDP晶体独立的电光系数只有 41和 63
4
电光调制的基本原理及公式推导
KDP的纵向运用
外加电场的方向平行于Z轴,即
折射率椭球方程为
Ex Ey 0
x2 y 2 z 2 2 2 2 63 xyEz 1 2 n0 n0 ne
2 2
调制器的透过率为
15
I out 2 2 V T sin ( ) sin Ii 2 2 V
电光调制的基本原理及公式推导-强度调制
强度调制图
16
电光调制的基本原理及公式推导-强度调制
调制器的透过 率与外加电压 呈非线性关系 若调制器工作 在非线性电压 部分,调制光 将发生畸变
Z m 1/ c(1/ CC0 )1/ 2
式中:c为真空中的光速 C为电极每单位长度的电容 C0为用空气代替所有波导材料的电极每单位长度电容。 要获得好的特性阻抗就要减小电极和波导材料的电容。
24
电光调制器的技术参数
调制器在微波系统里是一个负载,它有自己的特性阻抗,通常 微波输入端的匹配阻抗是50Ω ,如果两者不相等,即阻抗不匹 配,会在调制器电极的输入端引起微波反射,驱动功率并不能 完全进入调制器。微波驱动功率与进入调制器的功率之间的关 系是 2
光电子技术 电光调制
本章内容: §3.1光束调制原理 §3.3 声光调制 §3.5 直接调制
§3.2 电光调制 §3.4 磁光调制 §3.6 光束扫描技术
本章要求: 1 了解光调制的一般概念. 2 掌握各种调制与扫描的原理与特点.(重点与难
点)
§3.2电光调制
一、电光强度调制 利用纵向电光效应和横向电光效应均可实现电光强 度调制。
2
m
2
si n m t )
1 [1 sin( sin t)]
2
m
m
(3 19)
§3.2电光调制
T
sin2
4
m
2
si n m t
1
cos(
2
m
2
si n m t )
1 [1 sin( sin t)]
2
m
m
(3 19)
可证(P79), 若
m
Vm V
1rad
(3 - 22)
(3-19)式可表示成线性关系:
1 纵向电光调制器及其工作原理
x
P1
Ii
z
y
x y
L
起偏器
~
/4波片
V
图3-4 纵向电光强度调制
P2
调制光 Io
检偏器
§3.2电光调制
x
P1
Ii
z y
L
x y
起偏器
~
/4波片
V
设通过起偏器P1后的偏振光振幅为Ex
刚进入晶体(z=0)被分解为沿x和y
方向的两个分量,其振幅和相位都相
同,分别为:
Ex (0)
L
调制光
~V
3.2 电光调制
怎么来的?
3 2 n 63 0
33
一、强度调制
1. 纵向电光调制
V 1 V T sin ( ) [ 1 cos ]
2
2 V
2
V
T (%)
T称为调制器的透过率。从而
可以画出光强调制特性曲线。
0 V
32
一、强度调制
1. 纵向电光调制 在一般情况下,输出的光强和调制电压并不是线性关系-波形失真。
Vm sinωmt 是外加调制信号电压。
27
一、强度调制
把
V m sin t sin t m m m 2 V 2
1. 纵向电光调制
代入到调制的透过率中
T
I 2 1 m T sin ( sin t ) [ 1 sin( sin t )] m m m I 42 2 i
利用贝塞尔函数恒等式展开
I 2 sin ( ) Ii 2
1 cos 2 x 2 sin x 2
sin( sin t ) 2 J ( ) sin ( 2 n 1 ) t m m 2 n m 1 m
n 1
26
一、强度调制
1. 纵向电光调制 得
《光电子技术》
Photoelectronic Technique
电光调制 周自刚
本讲主要内容
纵向电光调制
一、强度调制
横向电光调制
二、相位调制
40
电光调制的物理基础是电光效应,即某些晶体在外加电场的作用 下,其折射率将发生变化,当光波通过此介质时,其传输特性就受 到影响而改变,这种现象称为电光效应。 泡克耳斯效应(Pockels):平面偏振光沿着处 在外电场内的压电晶体的光轴传播时发生双折射现 象,且两个主折射率之差与外电场强度成正比的电 1. 纵向电光调制 将出射光强与入射光强相比,得:
第5章 光调制技术
1. 纵向电光调制(通光方向与电场方向一致) 通光方向与电场方向一致)
x P1 Ii 入射光 L Io 起偏器
~V
z y x′ y′
P2 调制光
λ/4波片 /4波片
检偏器
纵向电光强度调制
电光晶体(KDP)置于两个成正交的偏振器之间,其中起偏器P1的偏振方向 平行于电光晶体的x轴,检偏器P2的偏振方向平行于y轴,当沿晶体z轴方向加 电场后,它们将旋转45o变为感应主轴x’,y’ 。因此,沿z轴入射的光束经起偏器 变为平行于x轴的线偏振光,进入晶体后(z=0)被分解为沿x’和y’方向的两个分 量(双折射效应),两个振幅(等于入射光振幅的1/ 2 )和相位都相等.分别为:
一、电光强度调制 电光调制是基于线性电光效应(泡克耳斯效应) 电光调制是基于线性电光效应(泡克耳斯效应)即 光波导的折射率正比于外加电场变化的效应。 光波导的折射率正比于外加电场变化的效应。
当一束光通过晶体之后, 当一束光通过晶体之后,可以使一个随时间变化的电信号 转换成光信号, 光波的强度或相位变化来体现要传递的 转换成光信号,由光波的强度或相位变化来体现要传递的 信息,这种情况主要应用于光通信、光开关等领域。 信息,这种情况主要应用于光通信、光开关等领域。 根据加在晶体上电场的方向与光束在晶体中传播的方向不 同,可分为纵向调制和横向调制。电场方向与光的传播方 可分为纵向调制和横向调制。 向平行,称为纵向电光调制; 向平行,称为纵向电光调制;电场方向与光的传播方向垂 纵向电光调制 直,称为横向电光调制。 称为横向电光调制。
两个新主轴为
、
平面内x、 轴转过45°的方向上。对应的三个主折射率为: ,在z=0平面内 、y 轴转过 °的方向上。对应的三个主折射率为: 平面内
电光调制
2 1 3 L 横 (n x n z ) L (n 0 n e )L n 0 63 ( )U z 2 d
z
2 2
1
nx
ny
nZ
当 n x n y n o , n z n e , n o n e时 ,
x
2 2
y
2 2
z
2 2
1
n0
n0
ne
折射率椭球变为:
x
2
n x
2
y
2
n y
2
z
2
n z
2
1
KDP晶体沿z轴加电场时,由单轴晶体变成了双 轴晶体,折射率椭球的主轴绕z(z´)轴旋转了 45°角,此转角与外加电场的大小无关。
激 光 基 本 技 术
§5.1电光调制
一、电光效应:
1.定义:当加到介质上的电场较大,足以 将原子内场(3×108V/㎝)扰乱到有效程 度,就可以使本是各向同性的介质产生双 折射,本是各向异性的晶体其双折射特性 发生变化。这种因外加电场使介质光学性 质发生变化的效应,称为电光效应。 2.实质:介电常数ε的变化。
消去自然双折射影响的两种方法:
x´ z´ χ ´
y´
y´ z´
光
Ez
z´
Ez
z´
Ez
×
Ez
x´ z´ y´
(a)
y´
Ez
z´
x´
光
z´ Ez
1.2 电光调制
获得线性调制的方法
1,在调制晶体上除了施加信号电压外,再附加一个Vλ/4的 固定偏压;
• 缺点,增加电路的复杂性,工作点的稳定性也差
2,在调制器的光路上插入一个1/4波片,其快慢轴与晶 体主轴X成45角,从而使Ex′﹑Ey′二分量间产生π/2的固定 位相差.
总的相位差: ∆ϕ = 调制器的透过率: T =
π
2
+π
I π ∆ϕm = sin 2 [ + sin ωm t ] Ii 4 2
Vm π sin ω m t = + ∆ϕ m sin ω m t Vπ 2
1 = [1 + sin(∆ϕm sin ωm t )] 2 1 ∞ = + ∑ J 2 n +1 (∆ϕm )sin[(2n + 1)ωm t ] 2 n=0
由此可见,一般情况下,调制器的输出特性与外加电压的 关系是非线性的.
(1)当晶体加以直流电压VD 时:out = I in sin 2 π VD I
2Vπ
Iout/Iin和VD 的曲线不 是线性关系,易发生 畸变,在Vπ/2附近有一 段近似线性部分,波 形畸变小。
电光调制特性曲线
电场→晶体束缚电荷重新分布→介电常数变化 →晶体离子晶格微小形变→
n = n0 + γ E + hE + L
2
∆n = n − n0
γ,h为常数
线性电光效应,泡克耳斯(Pockels)效应 二次电光效应,克尔(Kerr)效应
1、电致折射率变化(折射率椭球)
x2 y2 z 2 未加电场: + + = 1 2 2 nx ny nz2
以KDP晶体为例:
电光调制ppt课件
实现线性调制的判据为
m 1rad
此时的透过率为
m
Vm V
1rad
T
I Io
1 2
[1
m
sin
mt ]
输出的强度调制波是调制信号的线性复现
20
电光调制的基本原理及公式推导-相位调制
工作原理: 电光相位调制器由起偏器和电光晶体组成
起偏器的偏振方向平行于晶体的感应主轴(x'或y' ),此时入射晶体 的线偏振光不再分解成沿x’和y’ 两个分量,而是沿着x’或y’轴
KDP的纵向运用中 特性阻抗 Zm 与驱动功率Pdri
V
2n03 63
Z m 1/ c(1/ CC0 )1/ 2
式中:c为真空中的光速 C为电极每单位长度的电容 C0为用空气代替所有波导材料的电极每单位长度电容。
要获得好的特性阻抗就要减小电极和波导材料的电容。
24
电光调制器的技术参数
x2 y2 z2 1 n12 n22 n32 1.x,y,z为介质的主轴方向,在晶体内沿着主轴方 向的电位移D和电场强度E是互相平行的; 2. n1、n2、n3为折射率椭球x,y和z方向的折射率(主折射率)。
折射率椭球方程可以描述光波在晶体中的传播特性。
3
电光调制的基本原理及公式推导
KDP为四方晶系,负单轴晶体,n1 n2 n0,n3 ne 电光张量为
其定义为:
L
10 10
lg(Imax lg(Iin /
/ Iin I max
) )
Imax Iin Iin Imax
30
电光调制器的技术参数
8.品质因数 品质因数即驱动电压与电极长度的乘积( V L )。
电光调制技术
T
I0 1 (1 m sin wm t ) Ii 2
ΔΦm<1
为了获得线性调制,要求调制信号不宜过大,输出的光强调制波就 是调制信号U=UmsinWmt的线性复现,如果不满足 ΔΦm<1 ,那么调制波就要发生畸变 以上讨论的纵向电光调制器具有结构简单、工作稳定、不存在自然 双折射的影响等优点。缺点是半波电压太高,特别是在调制频率较 高时,功率损耗比较大
M-Z干涉仪式电光调制器
电光调制技术在激光通信中的应用
激光通信是以激光作为信息载体的通信。 激光通信的优点:通信容量大 保密性很强 抗干扰能力也很强 利用电光调制技术在自由空间进行激光 通信的系统,此系统是将被传输的信号 载到激光上,以大气为传播介质,在接 收地再将信号还原,完成被传输信号在 自由空间的光传输。
电光调制技术
电光调制的物理基础 电光效应 概念: 某些晶体在外加电场的作用下折射率发生变化,当光波通过此介质时,其传播特性受到影响而改变。 一次(线性)电光效应(普克尔斯效应) 电光效应
n=n0+aE+bE2
二次(非线性)电光效应(克尔电光效应)
电光晶体 KDP(KH2PO4):是水溶液培养的一种人工晶体,由于它很容易生长成大块均匀晶体,在 0.2~1.5μm波长范围内透明度很高,且抗激光破坏阈值很高,所以在光电子技术中有广泛的 应用。它的主要缺点是易潮解。 LINbO3:是单轴晶体,在0.4~5μm波长范围内透射率高达98%,光学均匀性好,不潮解,因 此在光电子技术中经常采用。它的主要缺点是光损伤阈值较低。
横向电光效应补偿方式
组合调制器
【1】将两块尺寸几乎完全相同的晶体 光轴互成90串接排列,即一块晶体的 y‘和z轴方别与另一块晶体的z轴和y'轴 平行
第一章 电光调制与声光调制
五.脉冲调制与编码调制 1. 脉冲调制
如果用光脉冲作为载波,这种载波受到调制信号的控制,使脉冲的 幅度、位置、频率等随之发生变化而传递信息。
2. 脉冲调制的类型:
脉冲调幅(PAM) 脉冲强度调制(PIM) 脉冲调频(PFM) 脉冲调位(PPM) 脉冲调宽(PWM) 脉冲编码调制(PCM)
脉冲编码调制:
I 0 (光强最大增量) K p A0 mp I 0 2 (光强平均值) I0 2
调制后的光强为:
I0 I (t ) (1 m p sin mt ) cos 2 (ct c ) 2
(2)对的mp要求
mp <1,比较理想的光强调制公式
要求 I 0 1 mp sin mt I 0 波形不失真
调频
:
总相位: (t)= (t)dt+c
0
t
[c k f a (t )]dt c
0
t
c t k f a (t )dt c
0
t
如
果:a (t ) A0 cos mt,则
(t)=c t k f A0 cos mtdt c
0
调幅波含三个不同的频率 :
第一项为调制前的激光振荡波(载频分量)
第二项激光频率和调制频率之和(边频分量)
第三项激光频率和调制频率之差 (边频分量)
2.强度调制
(1)定义:以调制信号去改变激光的光强,使光强按着调制信号 的规律变化的过程。
考虑经过光强调制以后,不失真,则平均光强选在 I0/2 。
设 a(t ) A0 sin mt ,则光强调制系数为
(1)当晶体加以直流电压VD 时
VD I I 0 sin 2V
1.2电光调制
0 0 0 ij 41 0 磷酸二氢钾(KDP),磷酸二氘钾(DKDP)由于其拥有优越的紫外 透过、高损伤阈值、双折射系数高等特性,具有广泛工业用途 0
(其非线性系数偏低)。如:这两种晶体通常被用于做Nd:YAG激 光器的二、三、四倍频器件(室温条件下)。另外,它们也具 有电光系数高的特点,故也被用于制作Q开关等。
由于外电场的作用,折射率椭球各系数 其变化量可定义为:
2
1n 随之发生线性变化,
1 E 2 ij j n i j 1
式中, γ
ij 称为线性电光系数; i 取值 1~6 ; j 取值 1~3 。上式可以
3
用张量的矩阵形式表式为:
1. 电致折射率变化
( 1 ) 1 n2 将上式用张量的 1 ) ( 2 2 矩阵形式表示: n ( 1 ) 3 n2 )4 ( 1 2 n ( 1 ) 5 n2 ) ( 1 2 6 n 11 21 31 41 51 61
§1.2 电光调制
——以电光效应为物理基础。 电光调制的物理基础是电光效应。 即:如果在晶体中沿某一方向加一定电压(晶体在外
加电场的作用下),则晶体的折射率要发生相应的改
变,因而晶体的双折射特性也要改变;那么,当光波
通过此介质时,其传输特性就受到影响而改变。
——电光效应
1.2.1 电光调制的物理基础
6 3 矩阵称为电光张量,每个元素的值由具体的晶体决定,
它是表征感应极化强弱的量。
Hale Waihona Puke 以常用的KDP晶体为例分析:
注:由于晶体几何结构上的对称性, 使得晶体的线性电光张量中有许多元 素为零。
电光调制
I2 V 1 V ) [1+ sin( )] 透过率 T sin( + I1 4 4 V 2 2 V
获得线性调制:
通过引入一个固定的 /2相位延迟,使 调制器的电压偏臵在T=50%的工作点上。 方法一:在调制晶体上除了施加信号电 压外,附加一个U /2的固定偏压,但此 法会增加电路的复杂性,而且工作点的 稳定性也差。 方法二:在调制器的光路上插入一个1/4 波片,其快慢轴与晶体主轴x成45度。
选择不同工作点时的输出波形
IA
③ 工作点③ ② 工作点②
IA
① o
o
Uπ/2
Uπ
U
t
工作点①
t
选择工作点②(U=U /2)时,输出波形最大且不失真。相位差在= /2或(U=U /2 )附近时,光强IA与相位差(或电压U)呈线性关系,从 调制的实际意义上来说,电光调制器的工作点通常就选在该处附近。 选择工作点①(U=0)或③ (U=U)时,输出波形小且严重失真,同时 输出信号的频率为调制频率的两倍,即倍频现象。
线性电光效应。
电光调制原理简介
• 一束自然光通过空气射向某种媒质时 会发生反射线的方向遵从sin i/ sin r = n21 • 如果媒质的光学性质是各向异性的 (如方解石和石英晶体等) ,则媒质中 由于各部分折射率n 的不同将产生2 条折射光线,这两条折射光线分别叫 寻常光o 光和非寻常光e 光,这种现象 叫双折射,也叫自然双折射。
电光调制原理简介
纵向电光调制:电场与光的传播方向平行,
横向电光调制:电场与光的传播方向垂直
电光调制原理简介
电光调制系统的工作原理:由激光器发出的激光经起偏器P 后只透射光波中平行其透振方向的振动分量,当该偏振光IP垂 直于电光晶体的通光表面入射时,如将光束分解成两个线偏振 光,经过晶体后其X分量与Y分量的相差(U),然后光束再经检 偏器A,产生光强为IA的出射光。当起偏器与检偏器的光轴正 交(AP)时,根据偏振原理可求得输出光强,从而可以绘制出 晶体特性曲线,并进一步计算出电光晶体的消光比和透射率。
第五章 电光调制器
电光效应
电光调制的物理基础:电光效应
电光效应:当把电压加到电光晶体上时,电光晶 体的折射率将发生变化,结果引起通过该晶体的 光波特性的变化,实现对光信号的相位、幅度、 强度以及偏振状态的调制。
电光效应包括克尔效应和泡克耳斯效应。 外加电场时晶体的折射率是电场 E 的函数,可表 示为
n n0 aE bE2 ...
M-Z 干涉仪式调制器
在 M-Z 干涉仪式调制器中,调制带宽受到光波速度和电微
波或毫米波速度之差、电极特征阻抗和电极传播损耗的限制,
尤其是光波和电毫米波之间的速度匹配和微波衰减是影响行波 调制器性能的两个关键问题。目前可通过对行波电极构形的设
纵向电光调制器
优点:
具有结构简单、工作稳定、不存在自然双折
射的影响等。
缺点:
半波电压太高,特别在调制频率较高时,功
率损耗比较大。
横向电光调制器
横向电光调制器(通光方向与电场方向垂直)
若沿 z 轴方向加电场,晶体的主轴不会发生旋转,仍为 x,y,z 方向,此时的通光方向与 z 轴垂直,并沿 y 方向 入射,若入射光偏振方向与 z 轴成 45°角,进入晶体分 解为 x 和 z 方向振动的两个分量。
等。
电光调制
半波电压:是指调制器从关态到开态的驱动电压。
调制带宽:强度调制的调制带宽反映了器件工作的频率范围,它 调制带宽是量度调制器所能使光载波携带信息容量的主要参数。
的定义是调制深度落到其最大值的 50%所对应的上下两频率之差。
特性阻抗:要获得好的特性阻抗就要减小电极和波导材料的电容。
电光效应
利用泡克耳斯电光效应实现电光调制可以分为两种 情况:
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
电光调制• 基础EOM (Electrooptic Modulator )将信息加载于激光的过程称之为调制,完成这一过程的装置称为调制器,激光称为载波,起控制作用的低频信息称为调制信号。
电光在激光器外的光路中进行调制,为外调制。
(内调制:加载调制信号在激光振荡过程中进行,调制信号改变激光器的震荡参数,从而改变激光输出。
激光谐振腔内放置元件。
)• 分类调幅、调频、调相、强度调制1. 振幅调制使载波的振幅随调制信号而变化,简称调幅。
produces an output signal that has twice the bandwidth of the original baseband signal.激光载波的电场强度为:0000()cos()E t A t ωφ=+ 调制信号()m m co a t A s t ω=A m 和m ω分别是调制信号的振幅和角频率。
调制之后,激光振幅0A 与调制信号成正比。
其调幅波的表达式为:000000000000()[1cos ]cos()()cos()cos[()cos[]]()22a a am m m t t m m t A A E t A m E t A t t ωωφωφωωφωωφ=+=-+++++++ 0/m a m A A =为调幅系数。
调幅波的频谱三个频率成分:第一项是载频分量,二、三项是因调制而产生的新分量,为边频分量。
PS:Single-sideband modulationArefinement of amplitude modulation uses transmitter power and bandwidth more efficiently.Single -sideband modulation avoids the bandwidth doubling and takes advantage of the fact that the entire original signal is encoded in either one of these sidebands.00()()cos( 2)()sin(2)()ssb s t s t t s t t f f quadrature amplitude modulation ππ=- 单边带调制最常用的是滤波法是分双边带信号形成和无用边带抑制两步完成的。
双边带信号由平衡调制器形成。
由于调制器的平衡作用,载频电平被抑制到很低。
无用边带的抑制,是由紧跟在平衡调制器后面的边带滤波器完成的。
边带滤波器是一带通滤波器,若下边带为无用边带,则恰当地选择其中心频率和通带宽度,让上边带信号通过而抑制下边带。
当需要形成多路独立边带信号时,就需要有相应数目的单边带信号产生器,它们具有不同的载频和不同中心频率的边带滤波器。
然后把这些占有不同频段的单边带信号线性相加,便可得到多路独立边带信号。
0m0m2. 频率调制(FM )和相位调制(PM )光载波的频率或相位随着调制信号的变化规律而改变。
两种调制波都表现为总相角()t φ的变化,统称角度调制。
将瞬时频率(瞬时相位)在原有基础上新增随调制信号线性变化的频率(相位)分量。
角度调制相比幅度调制抗干扰能力强、载波功率利用系数高、占有频带宽。
单频正弦波调制时,其角度调制波的频谱是由光载频与在它两边对称分布的无穷多对边频所组成的。
边频间的频率间隔是m ω,幅度的大小()n J m 由贝塞尔函数决定。
3. 强度调制光载波的强度(光强)随调制信号变化。
激光调制通常多采用强度调制形式,因为接收器(探测器)一般直接地响应其所接收的光强度变化。
激光的光强:222000()()cos ()I t e t A t ωφ==+强度调制的光强表达式可写为 : 22000()[1()]cos ()2p A I t k a t t φω=++p k 为比例系数。
设调制信号是单频余弦波()cos()m m a t A t ω=将其代入上式, 并令p m p k A m = (称为强度调制系数)22()[1cos ]cos ()2c p m c c A I t m t t ωωϕ=++4. 脉冲调制以上调制得到的调制波都是连续振荡的波,称为模拟式调制。
不连续状态下进行调制的脉冲调制和数字式调制(也称为脉冲编码调制)。
它们一般是先进行电调制(模拟脉冲调制或数字脉冲调制),再对光载波进行光强度调制。
脉冲调制是用一种间歇的周期性脉冲序列作为载波,这种载波的某一参量按调制信号规律变化的调制方法。
1. 先用模拟调制信号对电脉冲序列的某参量(幅度、宽度、频率、位置等)进行电调制;(按调制信号规律变化,成为已调脉冲序列)2. 然后再用这已调电脉冲序列对光载波进行强度调制,就可以得到相应变化的光脉冲序列。
周期脉冲序列载波• 电光效应晶体中在某一方向上加调制电压(外加电场),晶体折射率发生相应改变。
而在双折射作用下,导致光场通过该介质后传输特性发生改变。
线性电光效应 1. 折射率椭球通式有6个分量2222222221234561111112221x y z yz xz xy n n n n n n ⎛⎫⎛⎫⎛⎫⎛⎫⎛⎫⎛⎫+++++= ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎝⎭ 当晶体加上电场E 后折射率各分量都有一个附加折射率变化,考虑E 为线性关系31122332111~6ij j i i i j i E E E E i n γγγγ=⎛⎫∆==++= ⎪⎝⎭∑ij γ---电光系数,有18个分量,矩阵表示111213212223313233414243515253616263ij γγγγγγγγγγγγγγγγγγγ⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎡⎤=⎢⎥⎣⎦⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦2. KDP 晶体——复四方偏三角面体41526300γγγ=≠≠31415263000000000000000ij j j x y z E E E E γγγγ=⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎡⎤⎢⎥⎢⎥=⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦∑ 222632221o e z x y E z y n n x γ+++=222222''''''1x y z x y z n n n ++= 2'2'632063022'2121111x y z e z z E n E n n n n n γγ===+-232121d d dn n n n n -=-='3'6363'322zy o o o z x o ez n n n E n n n E n n γγ===+-电致折射率变化。
3. 电光相位延迟()33''63632222y x o z o n n L n E L n V πππϕγγλλλπϕλ∆=-===半波电压:光程差()''y x n n L -为半个波长(相位差为π):/230632n V πλγ=4. 偏振态 相位延迟:一线偏光,垂直''x y -平面入射,分解为相互垂直的'x 、'y 两个偏振分量:3'0006330'000631':exp{[}':exp{[}()21()2x z y z x E A i E c y E A i E c t n n L t n n L ωωγωωγ=-=--+3063c z n E cωγϕ∆=输出:2222'''22'22112cos sin 2y x y x E E E A A E A A ϕϕ+-∆=∆1. 0''tan 2y x n V E E ϕπθ=∆=由线偏转为线偏2. 22''/421221(2)12y x E E n V A A πϕπ∆=++=12A A =为圆偏光 3. /2''(21ta ()n )y x V E n E πϕπθ∆==-+由线偏转为线偏偏振旋转2θ5. 电光强度调制产生相位差''exp()x y E AE A i ϕ=-∆=在y方向上的分量之和1)]y i E ϕ-∆-=(偏振引起!) 输出光强:*222sin ()2y y I E A E ϕ=∆∝ 输入输出1x 2x 3x 电压x '¼玻片 1x '2慢轴x '起偏器P 11()x 检偏器P 21()⊥x 2透射率22()sin ()2sin 2i V T I I V πϕπ∆===在T=0.5调制线性不失真m ϕ∆需要在4π附近震荡,则ϕ∆需要在2π左右震荡。
总相位差:2sin m m t πϕϕω∆=+∆m m VV πϕπ∆=为相应于外加调制信号电压m V 的相位差。
2210()si 1sin sin [1sin(n 4()si )n[(2]2211)]2m m m m i n m m n I t t T J n t I πϕωϕωϕω∞+===+∆=++∆=+∆∑为避免高阶谐波产生畸变,应满足1rad mm V V πϕπ∆≤= 强度调制器主要以Mach-Zehnder 干涉式强度调制器。
6. 电光相位调制偏振器的偏振轴平行于晶体的感应主轴,则入射光线不分解到两个轴上,即外加电场只改变相位不改变偏振态。
''030063cos[1()s 2in ]x x in o outo o m m n c cos t E t LE A A E n n t L c ωϕωωωγω=-==∆-∆-0透过率/%调制电压。