第10章 脉冲基础知识和反相器

第10章脉冲基础知识和反相器教学重点1．了解脉冲的基本概念与主要参数。

2．理解微分电路、积分电路、脉冲分压器的基本原理，掌握微、积分电路工作条件和作用。

3．了解二极管、三极管的开关特性及其应用。

4．理解反相器的工作原理。

教学难点1．RC电路的过渡过程。

2．三极管开关作用。

3．MOS管反相器的工作原理。

学时分配序号内容学时1 10.1 脉冲基础知识 32 10.2 晶体管开关特性 13 10.3 反相器 1.54 本章小结与习题0.55 本章总学时 610.1 脉冲基础知识10.1.1脉冲的概念及其波形1．脉冲的概念脉冲技术是电子技术的重要组成部分，应用广泛。

动画脉冲的概念脉冲：含有瞬间突然变化、作用时间极短的电压或电流称为脉冲信号，简称为脉冲。

图10.1.1 常见脉冲波形2．常见的几种脉冲波形如图10.1.1所示。

10.1.2 矩形脉冲波1．矩形脉冲波的主要参数脉冲技术最常用的波形是矩形波、方波。

理想的矩形波如图10.1.2所示：上升沿、下降沿陡直；顶部平坦。

图10.1.2 理想的矩形波波形图10.1.3 实际的矩形波波形实际的矩形波波形如图10.1.3所示。

主要参数：(1)幅度V m ——脉冲电压变化的最大值。

(2)上升时间t r ——脉冲从幅度的10% 处上升到幅度的90%处所需时间。

(3)下降时间t f ——脉冲从幅度的90% 处下降到幅度的10%处所需的时间。

(4)脉冲宽度t p —— 定义为前沿和后沿幅度为50%处的宽度。

(5)脉冲周期T —— 对周期性脉冲，相邻两脉冲波对应点间相隔的时间。

周期的倒数为脉冲的频率f，即Tf1=2．矩形波的分解如图10.1.4所示。

矩形波可由基波和多次谐波叠加而成。

基波的频率与矩形波相同，谐波的频率为基波的整数倍。

矩形波的数学表达式为Λ+++=)5sin(5)3sin(3)sin(tAtAtAvωωω10.1.3RC微分电路和积分电路一、RC电路的过渡过程1．RC电路：电阻R和电容器C构成的简单电路。

是脉冲电路的基础。

图10.1.4 三个不同频率的正弦波合成2．特点：由于C两端电压不能突变，所以在充、放电时必须经历一个过渡过程。

3．RC电路的充放电过程动画RC充放电4．结论(1) 充放电时电容两端电压、电流呈指数规律变化。

(2) 充放电的速度与时间常数 τ 有关，τ = R ⨯ C，单位为s。

τ 越大，充放电越慢；τ 越小，充放电越快。

实验证明：当t = 0.7τ 时，充电电压为V G的一半；放电电压为电容器两端电压V C的一半；当t = (3 ~ 5)τ 时，充放电过程基本结束(如图10.1.5所示)。

5．RC电路的主要应用：波形变换。

常用电路有微分电路、积分电路。

二、RC微分电路1．电路组成如图10.1.6所示。

2．电路特点(1)输出信号取自RC电路中的电阻R两端。

即v O= v R；(2)时间常数τ << t p，通常取τ δ51t p；3．工作原理动画RC微分电路4．电路功能将矩形波变换成尖峰波，检出电路的变化量。

如图10.1.7所示。

图10.1.7 微分电路波形图图10.1.8 RC积分电路三、RC积分电路1．电路组成如图10.1.8所示2．电路特点(1) v O取自RC电路的电容C两端。

即v O = v C；(2) τ >> t p，通常τ ε 3t p；(a)充电电压波形式(b)放电电压波形图10.1.5 电容器充放电波形图10.1.6 RC微分电路3．工作原理t ε t 1,v I = V m ,C 充电，v O = v C 以指数规律缓慢(τ >> t p )上升； t ε t 2,v I = 0,C 放电，v O = v C 以指数规律下降； 4．功能：将矩形波转换成锯齿波(三角波)。

5．应用(1) 应用“积分延时”现象，把跳变电压“延缓”； (2) 从宽窄不同的脉冲串中，把宽脉冲选出来。

[例10.1.1] RC 电路中，R = 20 k Ω，C = 200 pF ，若输入f = 10 kHz 的连续方波，问此RC 电路是微分电路，还是一般阻容耦合电路？解 (1) 求电路时间常数τ = RC = 20 ⨯ 103 ⨯ 200 ⨯ 10-12s = 4 ⨯ 10-6 s = 4 µs (2) 求方波的脉冲宽度s 50s 105s 13102121253p μ=⨯=⨯⨯===-f T t (3) 结论：因p 51t ≤τ，所以是微分电路。

[例10.1.2] RC 电路中，若C = 0.1 μF ，输入脉冲宽度t p = 0.5 ms ，要构成积分电路，电阻R 至少应为多少？解 构成积分电路必须τ = RC ε3t p则 Ω=⨯⨯⨯=≥--k 15101.0105.03363pC t R 即 R ε15 k Ω 所以R 值至少为15 k Ω。

10.1.4 RC 脉冲分压器1．问题的提出在低频放大器中，信号的衰减常用电阻分压器来实现；在脉冲电路中，若采用电阻分压器，由于存在分布电容和负载电容(统称寄生电容C 0)，传输脉冲信号就会产生失真。

如图10.1.11所示。

2．解决办法——采用脉冲分压器 (1) 电路如图10.1.12所示。

(2) 特点：R 1两端并联一补偿电容C 1。

C 1最佳值为0121C R RC =(3) 结论C 1要适当：过小，欠补偿；过大，过补偿。

补偿电容对输出波形的影响如图10.1.13所示。

图10.1.12 脉冲分压器图10.1.11 寄生电容C o 使输出脉冲失真图10.1.13 补偿电容对输出脉冲波形的影响10.2 晶体管开关特性在脉冲电路中，二极管和三极管通常作为“开关”使用。

10.2.1 二极管的开关特性一、二极管的开关作用二极管的开关作用如图10.2.1所示。

（a ）正偏时相当于开关闭合(b)反偏时相当于开关断开 图10.2.1 二极管的开关特性1．正向偏置时，I O I 0V V V V I R ≈-=≠，，相当于开关闭合。

2．反向偏置时，I = 0，V R = 0，相当于开关断开。

二、二极管的开关时间二极管的开关时间如图10.2.2所示。

1．反向恢复时间t re—— 二极管反偏时，从原来稳定的导通状态转换为稳定的截止状态所需的时间。

例如2CK系列硅二极管t re = 5 ns2AK系列锗二极管t re = 150 ns2．正向开通时间t on —— 二极管正偏时，从原来稳定的截止状态转换为稳定的导通状态所需的时间。

实验证明二极管正向开通时间远小于反向恢复时间，通常因为它对二极管开关速度的影响很小，可以忽略不计。

所以，二极管的开关速度主要由反向恢复时间决定。

10.2.2 三极管的开关特性一、三极管开关作用动画三极管开关作用结论：三极管相当于一个由基极电流控制的无触点开关。

截止时，相当于开关“断开”；等效电路：如图10.2.3（a）所示。

饱和时，相当于开关“闭合”。

等效电路：如图10.2.3（b）所示。

图10.2.3 三极管的开关作用二．饱和状态的估算1．电路如图10.2.4(a)所示。

2．定义I BS —— 基极临界饱和电流；I CS —— 集电极饱和电流，I CS = β I BS；V CES —— 集射极饱和管压降。

则cGcCESGCS RVRVVI≈-=βCSBSII=图10.2.2 二极管的开关时间图10.2.4 三极管的开关工作状态3．判断三极管状态的条件 若I B > I BS ，饱和； 若0 < I B δI BS ，放大； 若I B δ 0，截止。

三、三极管三种工作状态(见表10.2.1)表10.2.1 三极管截止、放大、饱和工作状态特点工作状态 截 止 放 大饱 和条 件i B ≈ 0 βCSB 0I i <<βCSB I i ≥工 作 特 点偏置情况发射结和集电结 均为反偏发射结正偏 集电结反偏 发射结和集电结均正偏集电极电流 i C ≈ 0i C ≈β i BcGCS C R V I i ≈≤ 且不随i B 增加而增加管压降 V CEO ≈V G V CE = V G - i C R cV CES ≈0.3 V (硅管) V CES ≈0.1 V (锗管) c 、e 间等效电阻很大，约为数百千欧，相当于开关断开可变很小，约为数百欧姆， 相当于开关闭合四、三极管开关时间1．开关时间：三极管在截止状态和饱和状态之间转换所需的时间(如图10.2.5所示)。

包括：(1) 开通时间t on ——从三极管输入开通信号瞬间开始至i C 上升到0.9I CS 所需的时间。

(2) 关闭时间t off ——从三极管输入关闭信号瞬间开始至i C 降低到0.1I CS 所需的时间。

2．减少三极管开关时间的办法：接加图10.2.5 三极管开关电路的波形速电容。

10.2.3加速电容的作用1．电路如图10.2.6所示，C S——加速电容。

2．原理(1)v I 时，C S视作短路，可提供一个很大的正向基极电流i B，使V迅速进入饱和状态。

随着C S的充电，i B逐渐减小并趋于稳定(由v I、-V GB、及R1、R2决定)，此时C S相当于开路。

(2) v I 时，v I与发射极E相连，v CS反向加至发射结，由于C S的放电作用，形成很大的反向基极电流，使V迅速截止。

可见，由于C S的存在，加快了晶体管的开关速度。

10.3 反相器10.3.1晶体管反相器1．电路(图10.3.1)-V GB——基极电源(可省)；V——开关三极管；R k，R b——基极偏置电阻；R c—— 集电极负载电阻；+V G——集电极电源2．工作原理动画晶体管反相器3．功能v I v O低电平高电平高电平低电平10.3.2MOS反相器一、简单的MOS反相器1．电路如图10.3.2所示。

V为N沟道增强型场效应管，V T = 4 V。

2．工作原理v I = 0时，v GS < v T，V截止，v O = v DD= 20 V，为高电平；图10.2.6加速电容的作用反相器图10.3.1 晶体管反相器图10.3.2 MOS反相器v I = 20 V 时，v GS > v T ，V 导通，v O = v DD - i D R D = 0.2 V ，为低电平。

3．功能：反相器v I v O 低 高 高低4．缺点为满足v O 为低电平，当V DD 、I D 一定时，由V O = V D ，I D R D ，R D 大些好；但当V O 恢复为高电平时，由于寄生电容C L 的存在，充电时间常数 τ = R D C L 就很大，波形失真且影响工作速度。

解决办法——采用MOS 管作负载。

二、用MOS 管作负载的MOS 反相器 1．电路V 1————驱动管，作开关用，跨导较大； V 2————负载管，作负载用，始终工作在饱和区，跨导较小。