MOS管驱动直流电机要点
h桥mos直流电机驱动电路_解释说明以及概述
h桥mos直流电机驱动电路解释说明以及概述1. 引言1.1 概述本文将深入探讨H桥MOS直流电机驱动电路的原理、优势和应用案例分析,并介绍设计和优化时需要考虑的因素。
H桥MOS直流电机驱动电路是一种常见且重要的电路,广泛应用于各个领域,如家用洗衣机、无人驾驶汽车以及工业自动化设备等。
通过对该电路的研究,可以更好地理解其工作原理,为日后的设计提供指导。
1.2 文章结构文章由以下几个部分组成:引言、H桥MOS直流电机驱动电路解释说明、H桥MOS直流电机驱动电路的应用案例分析、H桥MOS直流电机驱动电路设计和优化考虑因素以及结论。
在引言部分,我们将对本文内容进行简要概括,并介绍各个部分的内容安排。
1.3 目的本文的目标在于全面解释和说明H桥MOS直流电机驱动电路,包括其原理、优势和工作原理。
同时,还将通过详细分析多个应用案例来展示该类型电路在实际应用中的作用和重要性。
此外,我们还将介绍设计和优化该电路时需要考虑的因素,并展望未来H桥MOS直流电机驱动电路可能的发展方向。
通过本文的阐述,读者将能够掌握有关H桥MOS直流电机驱动电路的基础知识,并为相关领域的实际应用提供参考依据。
2. H桥MOS直流电机驱动电路解释说明2.1 H桥MOS电路原理H桥MOS直流电机驱动电路是一种常见的电路,用于控制直流电机的旋转方向和速度。
它由四个功率开关MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)组成,通常配对使用,以构成两个互补开关对。
H桥MOS电路采用了全可控技术,通过不同的开关组合来改变电流流向、极性和大小。
当第一个互补开关导通时, 电机的正极与供电源相连, 而负极与地连接;而当第二个互补开关导通时, 两者则互换。
2.2 H桥MOS直流电机驱动的优势H桥MOS直流电机驱动具有以下几个优势:首先,它能够实现双向控制。
通过调整开关的状态,可以改变电机的旋转方向,使其正反转自如。
图文讲解电机控制器中的MOS驱动
导读三相直流无刷电机由于其可靠性高、免维护的特点,逐渐取代有刷电机,成为汽车风机、水泵、油泵的首选动力来源。
在设计电机控制器时,不能直接使用通用MCU的IO引脚驱动功率MOS,此时预驱芯片是最优选择。
一、引言通用MCU或DSP的IO电压通常是5V\3.3V,IO的电流输出能力在20MA 以下,不足以直接驱动功率MOSFET。
所以使用通用MCU或DSP来设计电机驱动器时,通常需要搭配外部的MOSFET驱动器,我们称之为“预驱”。
在设计汽车风机、水泵、油泵等电机驱动控制器时,使用车规MCU+车规预驱+车规N沟道功率MOSFET,可以适配不同功率、各种通信方式和各种驱动方式。
二、控制器中的功率MOS驱动图1 直流无刷电机驱动电路如图,三相直流无刷电机(包括BLDC和PMSM)功率级驱动电路使用6个N沟道功率MOS构成三相全桥,分为三个连接到电源正极(VBus)的高边MOS和三个连接到电源负极的低边MOS。
控制器通过控制六个MOS的通断,完成换相,使电机按照预期转动。
电机在运转过程中可能会遇到堵转而导致过流,因此MOS驱动电路需要具有保护功能,以防止烧坏控制器或电机。
对于单个NMOS来说,在开通时,需要提供瞬间大电流向MOS内的寄生电容充电,栅源电压(VGS)达到一定阈值后,MOS才能完全开通。
在MOS开通后,还需要维持合适的栅源电压(VGS),才可以保持开通状态。
对于低边MOS,其源极(S)接到电源负极,栅源电压容易满足,驱动较简单。
对于高边MOS,其源极(S)接到电机相线,其电压是不确定的,如果需要开通,需要通过自举电路提供栅极电压,驱动较复杂。
图2 VGS与RDSON的关系一般情况下,MOS的导通内阻都如图2所示,随着VGS的增大而降低,但VGS大于10V之后,下降曲线变得平缓。
为了达到最小的导通电阻(RDSON),VGS的取值通常为10~15V。
三、车规预驱——MPQ6531MPQ6531是MPS推出的一款专门用于汽车三相直流无刷电机控制器的预驱,符合AEC-Q100 Grade 1,输入电压为5-60V,可以满足12V/24V 汽车电气系统下的需求。
无刷直流电机驱动器原理精编版
图1第2章 无刷直流电机的驱动原理2.1 驱动方式的理论分析一、主要器件MOSFETMOSFET 又称金属-氧化物半导体场效应晶体管,可分为N 型和P 型两种,又被称为NMOSFET 与PMOSFET 。
如图1所示,一块P 型硅 半导体材料作衬底,在其面上扩散了两个N 型区,再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)绝缘层,最后在N 区上方用腐蚀的方法做成两个孔,用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极:G(栅极)、S (源极)及D (漏极),如图所示。
在驱动器上用到的MOSFET 是在其上反并联一个二极管,该二极管通常被称为寄生二极管。
由于添加了二极管的缘故,从而使其没有了反向电压阻断的能力。
一般使用时在栅源极间施加一个-5V 的反向偏执电压,目的是为了保证是器件导通,噪声电压必须阈值门控(栅极)电压和负偏置电压之和。
MOSFET 的使用方法和三极管的使用方法几乎类似,都是采用小电流的方式来控制大电流,这在模拟电路中经常用到。
如图2所示,在无刷电机驱动器中使用MOSFET 主要是在MOSFET 的栅源极施加一个寄生二极管。
二、单相半波逆变器原理如图3所示是单相半波逆变器的原理图。
对其工作状态分析如下: 第一个工作状态,v1导通,负载电压等于Ud/2,从而使负载电流与电压同向。
第二个工作状态,v2关短后,负载电流流向vd2,使得负载上的电压变为-Ud/2。
但随着时间的推移会使负载的电流最终变为0。
第三个工作状态,v2导通,使得负载中出现了负电压和负电流。
第四个工作状态,v2关断造成vd2正向偏置,得负载电压变为Ud/2。
如果电压为横坐标u ,电流为竖坐标i 的话,那么通过上面四个状态就可以是电流和电压在四个象限内轮流工作。
因此,采用一定的方法通过控制v1和v2的导通时间就可以达到控制负载上电流和电压按照一定的频率来轮换着工作。
但是上面的变换有一些缺点。
例如,在任何时刻加载在负载上的电压都是全部电压的一半。
电机驱动中mos管的驱动电流设计参数
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直流电机电压问题及处理方法
直流电机电压问题及处理方法来源:湘潭电机集团有限公司 /直流电机是把机械能转化为直流电压电能的机器。
它主要作为直流电动机、电解、电镀、电冶炼、充电及交流发电机的励磁等所需的直流电机。
直流电机堵转时的电压:直流电机, 时间用MOS管组成H桥驱动直流电机,当堵转时间慢慢增加,MOS管开始冒烟,但是MOS管没有坏,电源电流才1.6A(MOS管电流有10A),为什么MOS管冒烟,是不是直流电机堵转时电压降低、电流增大所致。
电机堵转时的电流当然很大了,这时没有反电动势,而电机线包的直流电阻又不高。
不过电源电流小于MOS管的电流肯定不对,二者应该相同,除非后级有开关电源变换电路,那此时的电源电流要测变换后的电流。
电机堵转时电压会不会降低, 电源电流是1.6A,电源功率为P=UI=24VX1.6A=38.4W。
如果电机堵转时电压会降低,那么流过电机的电流可以根据电机两端的电压算出,电机电流:I1=P/U1,假如电机电压降为12V,那么电机电流为:I1=P/U1=38.4W/12V=3.2A 。
电动机堵转时电流很大,两端电压因供电电源内阻的影响会降低,降低多少由电源内阻和电动机直流电阻决定。
但堵转持续一段时间,因电动机绕组温度升高,直流电阻变大,两端电压未必越来越低,电流也未必是越来越大。
电压不稳定的解决办法主要有三点:(1)磁极垫片:在直流电机的磁极极靴下垫入良性导磁材料,减小励磁磁场间隙,可以使直流电机在较小的励磁电流时就使输出特性饱和,从而使直流电机的输出电压达到稳定。
(2)在励磁回路的磁场调节电阻两端并联一个合适的阻性负载如白炽灯泡,利用阻性负载在发热后的阻值变得到非线性的电阻特性,使场阻线与励磁特性起始段有较大的交角,得到一个与空载特性曲线明显的交点,从而使直流电机在较低电压时也会有稳定的工作点。
(3)采用发电机自动励磁调节装置:发电机自动励磁调节装置具有良好的励磁特性,具有恒无功、恒功率因数等多种调节方式,对提高系统的稳定和暂态反应能力非常有效,同时能解决因直流电机输出电压不稳及系统电压波动造成的发电机无功摆动问题。
mos 控制电机
mos 控制电机介绍在现代科技发展的背景下,电机作为一种重要的能源转化装置,其应用领域越来越广泛。
而mos(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)技术作为当前集成电路技术的基石,也在电机控制中扮演着不可忽视的角色。
本文将详细探讨mos如何应用在电机控制中,讨论mos控制电机的原理、方法及其在实际应用中所面临的挑战。
二级标题1:mos 控制电机的原理三级标题1.1:mos 的基本原理•mos(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种三层结构的场效应晶体管。
•其中金属层负责引入控制信号,氧化物层提供绝缘,半导体层负责电荷传输。
三级标题1.2:mos 控制电机的原理•mos 能够将外部控制信号转化为电流,从而实现对电机的控制。
•通过调整控制信号的电压和电流,可以改变mos管的导通/截止状态,从而调节电机的转速和扭矩。
三级标题1.3:mos 控制电机的优势•mos管具有高电压、高电流驱动能力,能够满足电机的大功率需求。
•mos管具有快速开关速度和低损耗特性,提高了电机的效率。
•mos管具有可靠性高、寿命长的特点,增加了电机的稳定性和使用寿命。
二级标题2:mos 控制电机的方法三级标题2.1:基于 mos 控制电机的直流调速方法1.电压调速方法:–通过调整 mos 控制信号的电压,改变电机的转速。
–随着控制信号电压的增加,电机转速逐渐增大。
–通过改变 mos 导通/截止时间比例,实现电机的连续调速。
2.电流调速方法:–通过调整 mos 控制信号的电流,改变电机的扭矩。
–随着控制信号电流的增加,电机的扭矩逐渐增大。
–通过改变 mos 导通/截止时间比例,实现电机的连续调速。
三级标题2.2:基于 mos 控制电机的交流调速方法1.变频调速方法:–通过改变 mos 开关频率,调整电机的转速。
–通过改变 mos 导通/截止时间比例,调整电机的扭矩。
2.矢量控制方法:–通过传感器获取电机参数,实时控制 mos 的导通/截止,调整电机的转速和扭矩。
mos管在电机上的应用
MOS管在电机上的应用主要体现在以下几个方面:
1.作为电子开关来控制电源的通断,一般正极用PMOS管,负极用NMOS管控制。
2.缓启动设计:在大电容负载时,比如电解电容和大功率设备电源(电机、马达等)
需要对电源作缓启动设计,否则会有很大的浪涌电流,导致系统复位,反复重启等严重缺陷。
在实际使用中,还需要考虑电平的高低以及电平逻辑的高低转换,确保MOS管能
充分发挥作用。
同时还要注意外接电路电平是否确定,是否双向通信和通信速率等均影响具体电路的细节考虑。
MOS管驱动电路总结
MOS管驱动电路总结MOS(金属氧化物半导体)管驱动电路是一种常见的功率电子器件,用于驱动高功率负载或控制功率器件的开关。
它通过电路中的MOS管(也称为MOSFET)来实现开关效果。
MOSFET驱动电路的设计与应用具有重要意义,下面是对MOS管驱动电路的总结。
一、MOS管的基本原理MOS管是一种具有与传统晶体管相似结构的半导体器件。
它的核心部分是氧化层上的金属层和半导体基区。
MOS管通过改变基区和导通层之间的电阻来实现开关效果。
MOS管具有低输入电阻、高输入阻抗、快速开关速度和较低的功耗等优势。
二、MOS管的驱动方式1.直流驱动:直流驱动方式是最简单的方式,只需将DC信号连接到MOS管的栅极,使其在正常工作区域内工作。
直流驱动方式适用于低频应用。
2.求幅驱动:幅度驱动方式是通过向MOS管的栅极施加一个脉宽调制信号来控制其导通和关闭状态。
脉宽调制信号的幅度决定了MOS管的开启程度,从而控制输出信号的幅度。
求幅驱动方式适用于一些需要调整信号幅度的应用。
3.双电源驱动:双电源驱动方式使用两个电源分别给MOS管的源极和栅极提供电压。
这种驱动方式可以保持MOS管在稳态工作区域内,避免其处于截止区或饱和区,从而提高工作效率。
三、MOS管驱动电路的设计要点1.选择适当的驱动电路结构和元件:常见的MOS管驱动电路结构包括共射极结构、共源结构和H桥结构。
不同结构适用于不同的应用场景。
此外,还需选择合适的电阻、电容和二极管等元件。
2.考虑驱动电源和信号电源的匹配:驱动电路的电源电压应与MOS管的额定电压匹配,以确保稳定可靠的工作。
此外,还需注意输入信号的频率和幅度与驱动电路的匹配性。
3.保护电路的设计:由于MOS管具有较高的功率特性,对驱动电路的保护显得尤为重要。
常见的保护电路包括过流保护、过温保护、过压保护和短路保护等。
4.电流放大器的设计:为了提高MOS管的驱动能力,通常需要使用电流放大器来增大输出电流,从而驱动更大的负载。
CMOS驱动要点
MOS管驱动电路综述分类:电源技术类文章在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路.1,MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P 沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底.对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS.原因是导通电阻小,且容易制造.所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS.下面的介绍中,也多以NMOS为主.MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的.寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍.在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管.这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要.顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的.2,MOS管导通特性导通的意思是作为开关,相当于开关闭合.NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了.PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS.3,MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗.选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗.现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有.MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的.MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失.通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大.导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大.缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数.这两种办法都可以减小开关损失.4,MOS管驱动跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了.这个很容易做到,但是,我们还需要速度.在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电.对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大.选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小.第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压.而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了.很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管.上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量.而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小.现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了.MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs.讲述得很详细,所以不打算多写了.5,MOS管应用电路MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光.现在的MOS驱动,有几个特别的需求,1,低压应用当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V.这时候,我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险.同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合.2,宽电压应用输入电压并不是一个固定值,它会随着时间或者其他因素而变动.这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的.为了让MOS管在高gate电压下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值.在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗.同时,如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压,就会出现输入电压比较高的时候,MOS管工作良好,而输入电压降低的时候gate电压不足,引起导通不够彻底,从而增加功耗.3,双电压应用在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压,而功率部分使用12V甚至更高的电压.两个电压采用共地方式连接.这就提出一个要求,需要使用一个电路,让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS 管,同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题.在这三种情况下,图腾柱结构无法满足输出要求,而很多现成的MOS驱动IC,似乎也没有包含gate电压限制的结构.于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求.电路图如下:图1 用于NMOS的驱动电路图2 用于PMOS的驱动电路这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析:Vl和Vh分别是低端和高端的电源,两个电压可以是相同的,但是Vl不应该超过Vh.Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱,用来实现隔离,同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通.R2和R3提供了PWM电压基准,通过改变这个基准,可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置.Q3和Q4用来提供驱动电流,由于导通的时候,Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降,这个压降通常只有0.3V左右,大大低于0.7V的Vce.R5和R6是反馈电阻,用于对gate电压进行采样,采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈,从而把gate电压限制在一个有限的数值.这个数值可以通过R5和R6来调节.最后,R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制,R4提供了对MOS管的gate电流限制,也就是Q3和Q4的Ice的限制.必要的时候可以在R4上面并联加速电容.这个电路提供了如下的特性:1,用低端电压和PWM驱动高端MOS管.2,用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管.3,gate电压的峰值限制4,输入和输出的电流限制5,通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗.6,PWM信号反相.NMOS并不需要这个特性,可以通过前置一个反相器来解决.在设计便携式设备和无线产品时,提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题.DC-DC转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点,非常适用于为便携式设备供电.目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有:(1)高频化技术:随着开关频率的提高,开关变换器的体积也随之减小,功率密度也得到大幅提升,动态响应得到改善.小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级.(2)低输出电压技术:随着半导体制造技术的不断发展,微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低,这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低输出电压以适应微处理器和便携式电子设备的要求.这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求.首先,随着开关频率的不断提高,对于开关元件的性能提出了很高的要求,同时必须具有相应的开关元件驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频率下正常工作.其次,对于电池供电的便携式电子设备来说,电路的工作电压低(以锂电池为例,工作电压2.5~3.6V),因此,电源芯片的工作电压较低.MOS管具有很低的导通电阻,消耗能量较低,在目前流行的高效DC-DC芯片中多采用MOS管作为功率开关.但是由于MOS管的寄生电容大,一般情况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法.这对于设计高工作频率DC-DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求.在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路.这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常工作,并且能够在负载电容1~2pF的条件下工作频率能够达到几十兆甚至上百兆赫兹.本文正是采用了自举升压电路,设计了一种具有大负载电容驱动能力的,适合于低电压、高开关频率升压型DC-DC转换器的驱动电路.电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证,在供电电压1.5V ,负载电容为60pF时,工作频率能够达到5MHz以上.自举升压电路自举升压电路的原理图如图1所示.所谓的自举升压原理就是,在输入端IN输入一个方波信号,利用电容Cboot将A点电压抬升至高于VDD的电平,这样就可以在B端输出一个与输入信号反相,且高电平高于VDD的方波信号.具体工作原理如下.当VIN为高电平时,NMOS管N1导通,PMOS管P1截止,C点电位为低电平.同时N2导通,P2的栅极电位为低电平,则P2导通.这就使得此时A点电位约为VDD,电容Cboot两端电压UC≈VDD.由于N3导通,P4截止,所以B点的电位为低电平.这段时间称为预充电周期.当VIN变为低电平时,NMOS管N1截止,PMOS管P1导通,C点电位为高电平,约为VDD.同时N2、N3截止,P3导通.这使得P2的栅极电位升高,P2截止.此时A点电位等于C点电位加上电容Cboot两端电压,约为2VDD.而且P4导通,因此B点输出高电平,且高于VDD.这段时间称为自举升压周期.实际上,B点电位与负载电容和电容Cboot的大小有关,可以根据设计需要调整.具体关系将在介绍电路具体设计时详细讨论.在图2中给出了输入端IN电位与A、B两点电位关系的示意图.驱动电路结构图3中给出了驱动电路的电路图.驱动电路采用Totem输出结构设计,上拉驱动管为NMOS管N4、晶体管Q1和PMOS管P5.下拉驱动管为NMOS管N5.图中CL为负载电容,Cpar为B点的寄生电容.虚线框内的电路为自举升压电路.本驱动电路的设计思想是,利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极(B点)电位抬升,使得UB>VDD+VTH ,则NMOS管N4工作在线性区,使得VDSN4 大大减小,最终可以实现驱动输出高电平达到VDD.而在输出低电平时,下拉驱动管本身就工作在线性区,可以保证输出低电平位GND.因此无需增加自举电路也能达到设计要求.考虑到此驱动电路应用于升压型DC-DC转换器的开关管驱动,负载电容CL很大,一般能达到几十皮法,还需要进一步增加输出电流能力,因此增加了晶体管Q1作为上拉驱动管.这样在输入端由高电平变为低电平时,Q1导通,由N4、Q1同时提供电流,OUT端电位迅速上升,当OUT端电位上升到VDD-VBE时,Q1截止,N4继续提供电流对负载电容充电,直到OUT端电压达到VDD.在OUT端为高电平期间,A点电位会由于电容Cboot 上的电荷泄漏等原因而下降.这会使得B点电位下降,N4的导通性下降.同时由于同样的原因,OUT端电位也会有所下降,使输出高电平不能保持在VDD.为了防止这种现象的出现,又增加了PMOS管P5作为上拉驱动管,用来补充OUT端CL的泄漏电荷,维持OUT端在整个导通周期内为高电平.驱动电路的传输特性瞬态响应在图4中给出.其中(a)为上升沿瞬态响应,(b)为下降沿瞬态响应.从图4中可以看出,驱动电路上升沿明显分为了三个部分,分别对应三个上拉驱动管起主导作用的时期.1阶段为Q1、N4共同作用,输出电压迅速抬升,2阶段为N4起主导作,使输出电平达到VDD,3阶段为P5起主导作用,维持输出高电平为VDD.而且还可以缩短上升时间,下降时间满足工作频率在兆赫兹级以上的要求.需要注意的问题及仿真结果电容Cboot的大小的确定Cboot的最小值可以按照以下方法确定.在预充电周期内,电容Cboot 上的电荷为VDDCboot .在A点的寄生电容(计为CA)上的电荷为VDDCA.因此在预充电周期内,A点的总电荷为Q_{A1}=V_{DD}C_{boot}+V_{DD}C_{A} (1)B点电位为GND,因此在B点的寄生电容Cpar上的电荷为0.在自举升压周期,为了使OUT端电压达到VDD,B点电位最低为VB=VDD+Vthn.因此在B点的寄生电容Cpar上的电荷为Q_{B}=(V_{DD}+V_{thn})Cpar (2)忽略MOS管P4源漏两端压降,此时Cboot上的电荷为VthnCboot ,A点寄生电容CA的电荷为(VDD+Vthn)CA.A点的总电荷为QA2=V_{thn}C_{BOOT}+(V_{DD}+V_{thn})C_{A} (3)同时根据电荷守恒又有Q_{B}=Q_{A}-Q_{A2} (4)综合式(1)~(4)可得C_{boot}=\frac{V_{DD}+V_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}Cpar+\frac{v_{thn}}{v_{ DD}-v_{thn}}C_{A}=\frac{V_{B}}{v_{DD}-v_{thn}}Cpar+\frac{V_{thn}}{v_{ DD}-v_{thn}}C_{A} (5)从式(5)中可以看出,Cboot随输入电压变小而变大,并且随B点电压VB变大而变大.而B点电压直接影响N4的导通电阻,也就影响驱动电路的上升时间.因此在实际设计时,Cboot的取值要大于式(5)的计算结果,这样可以提高B点电压,降低N4导通电阻,减小驱动电路的上升时间.P2、P4的尺寸问题将公式(5)重新整理后得:V_{B}=({V_{DD}-V_{thn})\frac{C_{boot}}{Cpar}-V_{thn}\frac{C_{A}}{Cpar} (6)从式(6)中可以看出在自举升压周期内, A、B两点的寄生电容使得B点电位降低.在实际设计时为了得到合适的B点电位,除了增加Cboot大小外,要尽量减小A、B两点的寄生电容. 在设计时,预充电PMOS管P2的尺寸尽可能的取小,以减小寄生电容CA.而对于B点的寄生电容Cpar来说,主要是上拉驱动管N4的栅极寄生电容,MOS管P4、N3的源漏极寄生电容只占一小部分.我们在前面的分析中忽略了P4的源漏电压,因此设计时就要尽量的加大P4的宽长比,使其在自举升压周期内的源漏电压很小可以忽略.但是P4的尺寸以不能太大,要保证P4的源极寄生电容远远小于上拉驱动管N4的栅极寄生电容.阱电位问题如图3所示,PMOS器件P2、P3、P4的N-well连接到了自举升压节点A上.这样做的目的是,在自举升压周期内,防止他们的源/漏--阱结导通.而且这还可以防止在源/漏--阱正偏时产生由寄生SRC引起的闩锁现象.上拉驱动管N4的阱偏置电位要接到它的源极,最好不要直接接地.这样做的目的是消除衬底偏置效应对N4的影响.Hspice仿真验证结果驱动电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证.在表1中给出了电路在不同工作电压、不同负载条件下的上升时间tr和下降时间tf 的仿真结果.在图5中给了电路工作在输入电压1.5V、工作频率为5MHz、负载电容60pF条件下的输出波形.结合表1和图5可以看出,此驱动电路能够在工作电压为1.5V,工作频率为5MHz,并且负载电容高达60pF的条件下正常工作.它可以应用于低电压、高工作频率的DC-DC转换器中作为开关管的驱动电路.结论本文采用自举升压电路,设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路.该电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计,可在1.5V电压供电条件下正常工作,而且在负载电容为60pF的条件下,工作频率可达5MHz以上.。
单mos管驱动电机
单mos管驱动电机MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的电子元件,其优异的开关特性使得它成为驱动电机的理想选择。
本文将介绍单MOS 管驱动电机的原理、优势以及使用中应注意的事项,旨在为读者提供全面、生动且指导性的信息。
首先,我们来了解一下单MOS管驱动电机的工作原理。
MOS管是一种可以控制电流传导的半导体器件。
通过调节MOS管的栅极电压,可以实现对其通道的开关控制,从而控制电流的流动。
当栅极电压为高电平时,MOS管导通,电流可以通过。
而栅极电压为低电平时,MOS管截止,电流无法通过。
利用这种开关特性,可以实现对电机的转速和方向的控制。
单MOS管驱动电机具有多个优势。
首先,MOS管具有较低的开关损耗和导通电阻,能够提供高效的功率转换和传输。
其次,MOS管的开关速度非常快,能够迅速响应外部控制信号,实现高灵活性的电机控制。
此外,MOS管还具有良好的耐压性能和温度稳定性,能够适应各种工作环境的需求。
在使用单MOS管驱动电机时,有几点需要注意。
首先,应根据电机的额定电流和电压选择合适的MOS管型号,避免过载和损坏。
其次,为了保护MOS管免受电流的冲击,可以在电路中添加适当的保护电路,如二极管反并联等。
此外,还应合理设计驱动电路,确保输入控制信号的准确性和稳定性。
总的来说,单MOS管驱动电机是一种灵活、高效且稳定的电机驱动方案。
通过充分发挥MOS管的开关特性,可以实现对电机的精确控制。
在使用过程中,我们需要选择合适的MOS管型号,合理设计驱动电路,并采取必要的保护措施,以确保电机的安全和稳定运行。
希望通过本文的介绍,读者们对单MOS管驱动电机有了更深入的了解,能够在实际应用中更好地利用其优势,实现各种电机的可靠驱动。
mos管h桥电机驱动电路图
mos管h桥电机驱动电路图 H桥是⼀个典型的直流电机控制电路,因为它的电路形状酷似字母H,故得名与“H桥”。
4个三极管组成H的4条垂直腿,⽽电机就是H中的横杠(注意:图中只是简略⽰意图,⽽不是完整的电路图,其中三极管的驱动电路没有画出来)。
H桥驱动原理 1)电机驱动 电路⾸先,单⽚机能够输出直流信号,但是它的驱动才能也是有限的,所以单⽚机普通做驱动信号,驱动⼤的功率管如Mos管,来产⽣⼤电流从⽽驱动电机,且占空⽐⼤⼩能够经过驱动芯⽚控制加在电机上的均匀电压到达转速调理的⽬的。
电机驱动主要采⽤N沟道MOSFET构建H 桥驱动电路,H 桥是⼀个典型的直流电机控制电路,由于它的电路外形酷似字母 H,故得名⽈“H 桥”。
4个开关组成H的4条垂直腿,⽽电机就是H中的横杠。
要使电机运转,必需使对⾓线上的⼀对开关导通,经过不同的电流⽅向来控制电机正反转,其连通电路如图所⽰。
2)H桥驱动原理 实践驱动电路中通常要⽤硬件电路便当地控制开关,电机驱动板主要采⽤两种驱动芯⽚,⼀种是全桥驱动HIP4082,⼀种是半桥驱动IR2104,半桥电路是两个MOS管组成的振荡,全桥电路是四个MOS管组成的振荡。
其中,IR2104型半桥驱动芯⽚能够驱动⾼端和低端两个N沟道MOSFET,能提供较⼤的栅极驱动电流,并具有硬件死区、硬件防同臂导通等功⽤。
运⽤两⽚IR2104型半桥驱动芯⽚能够组成完好的直流电机H桥式驱动电路,⽽且IR2104价钱低廉,功⽤完善,输出功率相对HIP4082较低,此计划采⽤较多。
另外,由于驱动电路可能会产⽣较⼤的回灌电流,为避免对单⽚机产⽣影响,最好⽤隔离芯⽚隔离,隔离芯⽚选取有很多⽅式,如2801等,这些芯⽚常做控制总线驱动器,作⽤是进步驱动才能,满⾜⼀定条件后,输出与输⼊相同,可停⽌数据单向传输,即单⽚机信号能够到驱动芯⽚,反过来不⾏。
mos管h桥电机驱动电路图 mos管H桥电路 图1中所⽰为⼀个典型的直流电机控制电路。
MOS管驱动直流电机要点
直流电机驱动课程设计题目:MOS管电机驱动设计摘要直流电动机具有优良的调速特性,调速平滑,方便,调速围广,过载能力大,能承受频繁的冲击负载,可实现频繁的无级快速起动、制动和反转;能满足生产过程中自动化系统各种不同的特殊运行要求。
本文介绍了直流电机驱动控制装置(H桥驱动)的设计与制作,系统采用分立元件搭建H桥驱动电路,PWM调速信号由单片机提供,信号与H桥驱动电路之间采用光电耦合器隔离,电机的驱动运转控制由PLC可编程逻辑控制器实现。
关键词:直流电动机,H桥驱动,PWM目录一、直流电机概述4二、直流电机驱动控制6三、直流电机驱动硬件设计8四、直流电机驱动软件设计9五、程序代码12六、参考文献18一、概述19世纪70年代前后相继诞生了直流电动机和交流电动机,从此人类社会进入了以电动机为动力设备的时代。
以电动机作为动力机械,为人类社会的发展和进步、工业生产的现代化起到了巨大的推动作用。
在用电系统中,电动机作为主要的动力设备而广泛地应用于工农业生产、国防、科技及社会生活等各个方面。
电动机负荷约占总发电量的70%,成为用电量最多的电气设备。
对电动机的控制可分为简单控制和复杂控制两种。
简单控制对电动机进行启动、制动、正反转控制和顺序控制。
这类控制可通过继电器、可编程控制器和开关元件来实现。
复杂控制是对电动机的转速、转角、转矩、电压、电流等物理量进行控制,而且有时往往需要非常精确的控制。
以前对电动机的简单控制应用较多,但是,随着现代化步伐的迈进,人们对自动化的需求越来越高,使电动机的复杂控制变成主流,其应用领域极其广泛。
电动机控制技术的发展得力于微电子技术、电力电子技术、传感器技术、永磁材料技术、自动控制技术、微机应用技术的最新发展成就。
正是这些技术的进步,使电动机控制技术在近二十多年发生了翻天覆地的变化。
其中电动机控制部分已由模拟控制让位给以单片机为主的微处理器控制,形成数字与模拟的混合控制系统和纯数字控制系统的应用,并向全数字控制系统的方向快速发展。
功率MOS驱动直流电机的常用电路分析
功率MOS驱动直流电机的常用电路分析发表时间:2020-12-29T07:36:51.625Z 来源:《中国科技人才》2020年第24期作者:熊永昌李树平[导读] 与双极晶体管不同,MOS是电压控制器件。
当MOS导通时栅极没有(或只有极其微小)电流流过,MOS管在基极区域不产生电荷的存储,更加适合应用于高速通断的场合。
牡丹江师范学院物理与电子工程学院黑龙江牡丹江 157000摘要:功率MOSFET因为其栅极驱动流过电流极小、导通内阻极低,被广泛的应用于大功率电机驱动电路中。
本文根据应用场景简要分析了当电机仅需要单向工作时采用的半桥式驱动电路与需要双向工作时采用的H桥驱动电路。
关键词:功率MOSFET;半桥驱动;H桥驱动;直流电机与双极晶体管不同,MOS是电压控制器件。
当MOS导通时栅极没有(或只有极其微小)电流流过,MOS管在基极区域不产生电荷的存储,更加适合应用于高速通断的场合。
在MOS导通时,可以认为ID=IS,MOS管的导通内阻可为几十毫欧或更低,由于这种特性MOS管被广泛的应用于大功率直流电机驱动电路、开关电路等。
为了使MOSFET在电路中获得最优的性能体现,就必须选择合适的驱动电路。
1.半桥式驱动电路如图1所示,是简单的N沟道MOSFET的开路漏极电路。
在MOSFET的G(栅极),S(源极)两端加上正电压使Vgs大于开启电压,MOSFET 即可导通,完全导通时MOSFET的内阻可达几毫欧。
在分析电路时,电动机被认为是感性负载,再电路中驱动这些感性负载时,当驱动电压突然断开,就会在负载两端产生一个很大的反向电动势,为了避免反向电动势击穿回路中的器件,一般会在电机两端接入一个反向二极管,用于吸收反向电动势。
如图1电路中所示。
简单的开路漏极电路只是具备开启MOSFET的功能,并不能实现驱动电机时通常需要的缓启动、快停止、脉宽调制等功能。
在缓启动、快停止、调节转速的应用场景中一般使用半桥式驱动电路。
mos无刷电机驱动电路
mos无刷电机驱动电路mos无刷电机驱动电路是一种常用于控制无刷直流电机的电路。
无刷电机由于其高效、高转矩、高速度和长寿命等优点,被广泛应用于各个领域,例如电动汽车、机器人、航空航天等。
而mos无刷电机驱动电路作为无刷电机的控制核心,起到了至关重要的作用。
mos无刷电机驱动电路主要由mos管、电流传感器、电压传感器、电机驱动芯片和相关电路组成。
其中,mos管是驱动电机的关键元件,它通过控制电机的通断来实现对电机的转速和转向的控制。
电流传感器和电压传感器用于实时监测电机的电流和电压,以便及时调整驱动电路的工作状态。
电机驱动芯片则是整个驱动电路的核心,它根据传感器的反馈信号,通过控制mos管的开关状态,来实现对电机的精确控制。
mos无刷电机驱动电路具有以下特点:1.高效性:mos无刷电机驱动电路采用mos管作为开关元件,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,从而提高了电机的效率和响应速度。
2.精确性:驱动芯片通过对电压和电流的实时监测,能够精确控制电机的转速和转向,满足不同应用场景的需求。
3.可靠性:mos无刷电机驱动电路采用了多种保护机制,例如过流保护、过压保护和过热保护等,能够有效地保护电机和驱动电路的安全运行。
4.灵活性:mos无刷电机驱动电路可以根据不同的控制需求进行调整和优化,可以实现多种控制方式,例如PWM调速、电流调速和位置闭环控制等。
5.可扩展性:mos无刷电机驱动电路可以与其他传感器和控制器相结合,实现更复杂的控制功能,例如速度闭环控制和位置闭环控制等。
mos无刷电机驱动电路的工作原理如下:驱动芯片通过电压和电流传感器实时监测电机的电压和电流值。
然后,根据设定的控制信号,驱动芯片控制mos管的开关状态。
当mos管导通时,电机获得电流,开始旋转;当mos管断开时,电机停止转动。
通过不断地控制mos管的开关状态,驱动芯片可以实现对电机的精确控制。
mos无刷电机驱动电路的设计需要考虑以下几个方面:1.电机功率和工作电压:根据电机的功率和工作电压确定mos管和驱动芯片的选型和参数。
基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计
基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计引言:直流电机广泛应用于工业自动化系统、机械设备和电动汽车等领域。
为了实现对直流电机的精确控制和高效能耗,设计一种基于场效应管的直流电机驱动控制电路非常重要。
本文将介绍基于场效应管的直流电机驱动控制电路的设计原理和具体步骤,并详细说明其优势和应用。
一、设计原理:场效应管是一种三极管,其内部有一个门电极控制电流流动。
利用场效应管的导通特性,可以通过控制门电极的电压来调节场效应管的导通状态。
通过合理设计电路,将场效应管与直流电机相连,即可实现对直流电机的驱动控制。
当门电极被施加正电压时,场效应管导通,电流流过直流电机,驱动电机转动。
当门电极电压为零或负电压时,场效应管截止,电机停止转动。
二、设计步骤:1.选择合适的场效应管和直流电机。
根据直流电机的额定电流和工作电压,选择合适的场效应管,保证场效应管能够承受电机的电流和电压。
2.设计电源电路。
为了保证直流电机稳定工作,需要提供稳定的电源电压。
可以使用直流稳压电源或者直流电路滤波器。
3.设计信号调节电路。
为了实现对直流电机的转速和转向控制,需要设计信号调节电路。
通过改变信号调节电路的输入电压,可以改变场效应管的导通状态,从而控制电机的转速和转向。
4.设计保护电路。
为了保护直流电机和场效应管,设计相应的保护电路非常重要。
常见的保护电路包括过流保护电路、过压保护电路和过热保护电路。
三、优势和应用:1.高效能耗:基于场效应管的直流电机驱动控制电路具有高效能耗的特点。
场效应管的导通电阻低,能够大量减少功率损失,提高系统的能效。
2.高精确控制:由于场效应管具有很好的响应特性,可以实现对直流电机的精确控制。
通过调节门电极电压的大小,可以准确控制电机的转速和转向。
3.应用广泛:基于场效应管的直流电机驱动控制电路广泛应用于工业自动化系统、机械设备和电动汽车等领域。
由于其高效能耗和高精确控制性能,在工业生产中得到了广泛的应用。
结论:基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计可以实现高效能耗和精确控制的目的,广泛应用于工业自动化系统、机械设备和电动汽车等领域。
mos在电机驱动中的作用_概述说明以及概述
mos在电机驱动中的作用概述说明以及概述1. 引言1.1 概述本文的主题是"MOS在电机驱动中的作用",旨在介绍MOS(金属氧化物半导体)在电机驱动领域中的重要性和应用。
文章将详细分析MOS的基本原理、在电机驱动中的应用场景以及其优势和局限性。
同时,文章还将探讨MOS 与传统驱动技术的对比,以及MOS在电机控制系统中所扮演的角色,并阐述它对电机性能和效率的影响。
1.2 文章结构文章分为四个主要部分来呈现研究内容。
首先,在"2. MOS在电机驱动中的作用"部分,我们会介绍MOS的基本原理,阐明其在电机驱动中所起的关键作用,并列举一些常见的应用场景。
然后,在"3. 概述说明"部分,我们将对比MOS与传统驱动技术,探讨MOS在电机控制系统中所扮演的角色,并解释其对电机性能和效率产生的影响。
接下来,在"4. 主要要点一"部分,我们会详细讲解第一个主要要点,并进一步拆分为三个子要点进行论述。
最后,在"5. 主要要点二"部分,我们将深入探讨第二个主要要点,并同样拆分为三个子要点进行逐一阐述。
1.3 目的本文的目的在于全面介绍和解析MOS在电机驱动中的作用。
通过本文的阅读,读者将了解MOS技术的背景和基本原理,并对其在电机驱动领域中的应用有更加清晰的认识。
此外,文章还旨在比较MOS与传统驱动技术之间的区别,探讨MOS在电机控制系统中所扮演的角色以及其对电机性能和效率产生的影响。
通过深入研究和理解MOS在电机驱动中的作用,读者将能够更好地应用该技术于实际工程项目,并从中获益。
2. MOS在电机驱动中的作用2.1 MOS的基本原理MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)是一种半导体场效应管,由金属、氧化物和半导体材料组成。
它是一种控制型开关,可以将输入信号转化为输出控制功率的装置。
MOS具有两个重要的工作区域:截止区和饱和区。
mos管的驱动方法
mos管的驱动方法# MOS管的驱动方法## 概述MOS管(金属氧化物半导体场效应管)是一种常见的功率开关器件,广泛应用于电子设备的控制和电源电路中。
正确的驱动方法对于保证MOS管的正常工作和延长其寿命至关重要。
本文将介绍常见的MOS管驱动方法,并分析其优缺点。
## 直流驱动方法### 阻容驱动方法阻容驱动方法是最简单且常见的驱动方法之一。
其原理是通过串联电阻和并联电容的方式提供MOS管的驱动信号。
电容可以平滑驱动信号,而电阻能限制电流。
这种方法适用于低频应用和不要求快速开关的场合。
优点:- 简单易实现- 成本低廉缺点:- 速度较慢,无法满足高速开关要求- 驱动能力有限,对于大功率MOS管不适用### 直接驱动方法直接驱动方法通过使用高电压信号直接驱动MOS管。
这种方法通常使用非隔离性的驱动电路,如晶体管放大器。
通过控制基极电流,使MOS管达到开启或关闭的状态。
优点:- 驱动速度快,适用于高频和高速开关- 驱动能力强,适用于大功率MOS管缺点:- 需要高压信号,电路复杂- 驱动电路需要与MOS管共地,存在一定的干扰和耦合问题## 脉宽调制驱动方法脉宽调制(PWM)驱动方法是一种常见且高效的驱动方法,适用于需要精确控制MOS管开关时间的应用,如电源转换器和电机驱动器。
### 单边驱动方法单边驱动方法是PWM驱动中最简单的一种形式。
它通过控制占空比来调整MOS管的导通时间。
通常,PWM信号的上升沿触发MOS管的开启,而下降沿触发MOS管的关闭。
优点:- 简单易实现- 占用少量IO引脚缺点:- 导通和关断过程中可能会产生较大的电压和电流瞬变- 无法实现反向驱动### 双边驱动方法双边驱动方法引入了一个补偿信号,以解决单边驱动的一些问题。
该方法在上半周期和下半周期分别使用不同的PWM信号控制MOS管的开关状态,使得导通和关断过程更平滑,减小了开关过程中的电压和电流瞬变。
优点:- 减少开关过程中的电压和电流瞬变- 可以实现反向驱动缺点:- 需要占用更多的IO引脚- 稍微复杂一些,需要考虑各个信号的相位关系## 结论根据不同的应用需求,我们可以选择合适的MOS管驱动方法。
(3条消息)单相MOS全桥逆变电路(直流碳刷电机的MOS驱动电路)
(3条消息)单相MOS全桥逆变电路(直流碳刷电机的MOS驱动电路)由于在机器人控制和各种DIY控制中,非常需要使用MOS驱动电路。
所以找个时间设计了一下MOS驱动板电路。
下面贴出每部分的电路原理图。
其中 12的升压电路是为了给桥臂驱动芯片IR2105供电使用。
这种芯片有很多替代品。
MOS管主要用的是英飞凌的。
电流大内阻也小。
其他电路很简单,不细说了,重点说一下 MOS桥的电路模型。
1 首先,很多电路中,MOS管栅源两极的并联电阻,主要是为了放电,因为MOS管内部类似于一个电容,如果PWM信号 Dout没有下拉功能,MOS导通后就会一直处于导通状态,这里并联一个电阻后,当Dout变成低电位时,可以把MOS管结电容的电放掉!如果信号有下拉功能,可以取消此电阻!2 半桥驱动电路的关键是如何实现上桥的驱动。
图2中C1为自举电容,D1为快恢复二极管。
PWM在上桥调制。
当Q1关断时,A点电位由于Q2的续流而回零,此时C1通过VCC及D1进行充电。
当输入信号Hin开通时,上桥的驱动由C1供电。
由于C1的电压不变,VB 随VS的升高而浮动,所以C1称为自举电容。
每个PWM周期,电路都给C1充电,维持其电压基本保持不变。
D1的作用是当Q1关断时为C1充电提供正向电流通道,当Q1开通时,阻止电流反向流入控制电压VCC。
D2的作用是为使上桥能够快速关断,减少开关损耗,缩短MOSFET关断时的不稳定过程。
D3的作用是避免上桥快速开通时下桥的栅极电压耦合上升(Cdv/dt)而导致上下桥穿通的现象。
Q4 主要是续流二极管,MOS中本身有寄生二极管,但是怕遭不住啊,电路中感性电路,如电机,可以通过该二极管进行释放。
3 电机反向电压相对于电池的供电电压,本来接电源正极的电机一端变成了负极,而电流方向不变。
一般出现在断电瞬间。
而在不同器件的反向电压,比如mos的反向电压由于电机反向电压过大,通过电源反向加载mos两端而另一方面,电机断电的瞬间电流方向不变,电压方向(变成供电电源)的负极与电池的正极相连,那么通过二极管就可以释放其中的能量。
mos管控制电机驱动电路设计
mos管控制电机驱动电路设计MOS管控制电机驱动电路设计MOS管控制电机驱动电路设计是工业电气领域的一个重要环节。
其主要目的是通过设计合理的电路,实现对电机的驱动控制,从而使得机器能够正常运转,能够适应不同的工作条件,提高其运行的效率和稳定性。
下文将依次介绍该过程的具体步骤。
第一步:明确工作要求在进行MOS管控制电机驱动电路设计之前,需要明确电机的种类和具体的工作要求。
比如,需要确定电机的额定电压和额定功率,需要了解其负载类型和工作环境等情况,以此为基础,才能进行后续的电路设计。
同时,还需要确定驱动电路的控制要求,比如需要实现速度控制、反向控制等功能。
第二步:选取MOS管驱动电路MOS管驱动电路分为多种类型,常用的有单路和双路驱动,需要根据实际情况选取适合的驱动电路。
一般情况下,如果电机功率较小,可以采用单路驱动电路,而大功率电机则需要使用双路驱动电路。
同时,需要考虑驱动电路的可靠性和稳定性等因素。
第三步:设计电路图设计电路图是MOS管控制电机驱动电路设计的核心环节。
在这一步中,需要将选取的MOS管驱动电路与电机连接起来,实现电机的驱动控制。
电路图需要精确明确,符合实际工作要求,在避免冗余的同时,也需要保证电路的可靠性和稳定性。
第四步:制作电路板电路图设计完成之后,需要进行电路板的制作。
制作电路板时需要注意,要保证电路板上的元器件位置准确无误,且对于大功率电机,需要选择耐高温、高电压的元器件。
第五步:电路测试电路制作完成后,需要进行电路测试。
测试时,需要仔细检查各个元器件的连接是否正确,以及是否存在接触不良等因素。
同时,还需要使用相应的工具进行电路的测量,查看电路是否能达到预期的控制效果。
综上所述,MOS管控制电机驱动电路设计需要进行多个步骤的精心设计和实现。
在实际操作中,需要对每个步骤都进行仔细的分析和考虑,避免出现影响驱动效果的问题。
只有经过严谨、逐步的实验和测试,才能完成一个性能稳定、可靠性好的驱动电路的设计与制造。
mos驱动电机 保护电路
mos驱动电机保护电路MOS驱动电机保护电路是一种重要的电路设计,它能够保护MOS管和电机免受损坏。
在本文中,我们将探讨MOS驱动电机保护电路的原理、设计和应用。
一、MOS管的工作原理MOS管是一种常用的场效应管,它由源极、漏极和栅极组成。
当栅极施加一个正向电压时,会形成一个导通通道,使得源极和漏极之间形成一个低阻抗通路;当栅极施加一个负向电压时,导通通道关闭,源极和漏极之间形成一个高阻抗断路。
二、MOS驱动电机的工作原理MOS驱动电机是一种常用的直流电机驱动器。
它通过PWM信号控制MOS管的导通时间比例来调节输出电压和输出功率。
PWM信号由控制器产生,并经过隔离器、反相器等元件进行处理后送入MOS管栅极。
三、保护电路的必要性在实际应用中,由于各种因素(如过载、短路等),可能会导致MOS 管或者直流电机损坏。
为了避免这种情况发生,需要设计一种保护电路来保护MOS管和直流电机。
四、保护电路的设计1. 过流保护过流保护是一种常用的保护电路。
它通过检测MOS管输出电流是否超过设定值来判断是否存在过载或短路情况。
当输出电流超过设定值时,控制器会立即关闭MOS管,以避免损坏。
2. 过压保护过压保护是一种常用的保护电路。
它通过检测MOS管输出电压是否超过设定值来判断是否存在过载或短路情况。
当输出电压超过设定值时,控制器会立即关闭MOS管,以避免损坏。
3. 瞬态过压保护瞬态过压保护是一种常用的保护电路。
它通过检测MOS管输出端口的瞬态高压信号来判断是否存在瞬态高压情况。
当出现瞬态高压时,控制器会立即关闭MOS管,以避免损坏。
4. 温度保护温度保护是一种常用的保护电路。
它通过检测MOS管温度是否超过设定值来判断是否存在过热情况。
当温度超过设定值时,控制器会立即关闭MOS管,以避免损坏。
五、保护电路的应用保护电路广泛应用于各种直流电机驱动器中,特别是在高功率驱动器中更为重要。
在实际应用中,保护电路的设计需要根据具体的应用场景和需求进行优化和调整。
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直流电机驱动课程设计题目:MOS I电机驱动设计Word专业资料摘要直流电动机具有优良的调速特性,调速平滑,方便,调速围广,过载能力大,能承受频繁的冲击负载,可实现频繁的无级快速起动、制动和反转;能满足生产过程中自动化系统各种不同的特殊运行要求。
本文介绍了直流电机驱动控制装置(H 桥驱动)的设计与制作,系统采用分立元件搭建H 桥驱动电路,PWM 调速信号由单片机提供,信号与H 桥驱动电路之间采用光电耦合器隔离,电机的驱动运转控制由PLC 可编程逻辑控制器实现。
关键词:直流电动机,H 桥驱动,PWM目录一、直流电机概述 (4)二、直流电机驱动控制 (6)三、直流电机驱动硬件设计 (8)四、直流电机驱动软件设计 (9)五、程序代码..................................................... 1..2六、参考文献..................................................... 1..8一、概述19 世纪70 年代前后相继诞生了直流电动机和交流电动机,从此人类社会进入了以电动机为动力设备的时代。
以电动机作为动力机械,为人类社会的发展和进步、工业生产的现代化起到了巨大的推动作用。
在用电系统中,电动机作为主要的动力设备而广泛地应用于工农业生产、国防、科技及社会生活等各个方面。
电动机负荷约占总发电量的70 %,成为用电量最多的电气设备。
对电动机的控制可分为简单控制和复杂控制两种。
简单控制对电动机进行启动、制动、正反转控制和顺序控制。
这类控制可通过继电器、可编程控制器和开关元件来实现。
复杂控制是对电动机的转速、转角、转矩、电压、电流等物理量进行控制,而且有时往往需要非常精确的控制。
以前对电动机的简单控制应用较多,但是,随着现代化步伐的迈进,人们对自动化的需求越来越高,使电动机的复杂控制变成主流,其应用领域极其广泛。
电动机控制技术的发展得力于微电子技术、电力电子技术、传感器技术、永磁材料技术、自动控制技术、微机应用技术的最新发展成就。
正是这些技术的进步,使电动机控制技术在近二十多年发生了翻天覆地的变化。
其中电动机控制部分已由模拟控制让位给以单片机为主的微处理器控制,形成数字与模拟的混合控制系统和纯数字控制系统的应用,并向全数字控制系统的方向快速发展。
电动机驱动部分所用的功率器件经历了几次更新换代,目前开关速度更快,控制更容易的全控型功率器件MOSFE 和TIGBT 成为主流。
功率器件控制条件的变化和微电子技术的应用也使新型的电动机控制方法能够得以实现。
脉宽调制控制方法(PWM 和SPWM ),变频技术在直流调速和交流调速中获得了广泛的应用。
永磁材料技术的突破与微电子技术的结合又产生了一批新型的电动机,如永磁直流电动机、交流伺服电动机,开关磁阻电动机、超声波电动机、专为变频调速设计的交流电动机等。
直流电动机是人类最早发明和应用的一种电机。
与交流电机相比,直流电动机因结构复杂、维护困难、价格较贵等去诶按制约了它的发展,应用不如交流电机广泛。
但由于直流电动机具有优良的起动、调速和制动性能,因此在工业领域中仍再有一席之地。
二、直流电机驱动控制概述直流电机调速方法通常有机械的、电气的、液压的、气动的几种,仅就机械与电气调速方法而言,也可采用电气与机械配合的方法来实现速度的调节。
电气调速有许多优点,如可简化机械变速机构,提高传动效率,操作简单,易于获得无极调速,便于实现远距离控制和自动控制,因此在生产机械中广泛采用电气方法调速。
由于直流电动机具有极好的运动性能和控制特性,尽管它不如交流电动机那样结构简单、价格便宜、制造方便、维护容易,但是长期以来,直流调速系统一直占据垄断地位。
所以,直流调速系统仍然是自动调速系统的主要形式。
在我国许多工业部门,如轧钢、矿山采掘、海洋钻探、金属加工、纺织、造纸以及高层建筑等需要高性能可控电力拖动的场合,仍然广泛采用直流调速系统。
而且,直流调速系统在理论上和实践上都比较成熟,从控制技术的角度来看,它又是交流调速系统的基础。
2.1 直流电机的工作原理根据电磁学基本知识可知,载流导体在磁场中要受到电磁力的作用。
如果导体在磁场中的长度l,其中流过的电流为i,导体所在处的磁通密度为B,那末导体受到的电磁力的值为式(2-1 )F Bli (2-1)如图2-1中N、S极下各根导体所受电磁力的方向,如图中箭头所示。
电磁力对转轴形成顺时针方向的转矩,驱动转子而使其旋转。
由于每个磁极下元件中电流方向不变,故此转矩方向恒定,称为直流电动机的电磁转矩。
如果直流电动机轴上带有负载,它便输出机械能,可见直流电动机是一种将电能够转化成机械能的电气装置。
直流电动机是可逆的,他根据不同的外界条件而处于不同的运行状态。
当外力作用使其旋转,驶入机械能时,电机处于发电机状态,输出电能;当在电刷两端施加电压输入电能时,电机处于电动机状态,带动负载旋转输出机械能。
2.2直流电机的调速特性根据直流电机的结构分析可得到等效的模型,包括电枢绕组及其等效的电阻等。
直流电动机的转速n和其它参数的关系可用下式来表示:U N I N R a n C e (2-2)式中:UN 是电枢电压,IN 是电枢电流,Ra 是电枢回路总电阻,Ce 是电势常数,① 是励磁磁通。
(2-3)式中:p-磁极对数,N 是导体数,a 是电枢支路数。
C e K(2-4)式中:当电机型号确定后, 为常数① 故式式(2-1)改为I N Ra K 在中小功率直流电机中,电枢回路电阻非常小,式(2-5)中INRa 项可 省略不计,由此可见,当改变电枢电压时,转速 n 随之改变,达到直降压斩波器进行斩波调压 2.3直流电机的几种调速方法根据直流电机的基本原理,由感应电势、电磁转矩以及机械特性方 程式可知,直流电动机的调速方法有三种:(1) 调节电枢供电电压 U 。
改变电枢电压主要是从额定电压往下降 低电枢电压,从电动机额定转速向下变速,属恒转矩调速方法。
对于 要求在一定围无级平滑调速的系统来说, 这种方法最好。
I 变化遇到 的时间常数较小,能快速响应,但是需要大容量可调直流电源。
(2) 改变电动机主磁通二。
改变磁通可以实现无级平滑调速,但只 能减弱磁通(2-2)C e PN 60a (2-3)(2-4)(2-5)流电机的调速的目的。
改变直流电机电枢电压,可通过PWM 控制的进行调速(简称弱磁调速),从电机额定转速向上调速,属恒功率调速方法。
T变化时间遇到的时间常数同J变化遇到的相比要大得多,响应速度较慢,但所需电源容量小。
(3)改变电枢回路电阻二。
在电动机电枢回路外串电阻进行调速的方法,设备简单,操作方便。
但是只能进行有级调速,调速平滑性差, 机械特性较软;空载时几乎没什么调速作用;还会在调速电阻上消耗大量电能。
改变电阻调速缺点很多,目前很少采用,仅在有些起重机、卷扬机及电车等调速性能要求不高或低速运转时间不长的传动系统中采用。
弱磁调速围不大,往往是和调压调速配合使用,在额定转速以上作小围的升速。
因此,自动控制的直流调速系统往往以调压调速为主,必要时把调压调速和弱磁调速两种方法配合起来使用。
调节电枢供电电压或者改变励磁磁通,都需要有专门的可控直流电源,常用的可控直流电源有以下三种:(1)旋转变流机组。
用交流电动机和直流发电机组成机组,以获得可调的直流电压。
(2 )静止可控整流器(简称V-M系统)。
用静止的可控整流器,如汞弧整流器和晶闸管整流装置,产生可调的直流电压。
(3)直流斩波器(脉宽调制变换器)。
用恒定直流电源或不可控整流电源供电,利用直流斩波或脉宽调制的方法产生可调的直流平均电压。
旋转变流系统由交流发电机拖动直流电动机实现变流,由发电机给需要调速的直流电动机供电,调节发电机的励磁电流即可改变其输出电压,从而调节电动机的转速。
改变励磁电流的方向则输出电压的极性和电动机的转向都随着改变,所以G-M 系统的可逆运行是很容易实现的。
该系统需要旋转变流机组,至少包含两台与调速电动机容量相当的旋转电机,还要一台励磁发电机,设备多、体积大、费用高、效率低、维护不方便等缺点。
且技术落后,因此搁置不用。
三、直流电机驱动硬件设计3.1 主功率电路经过前面的探讨,系统采用脉宽调制法来控制电机的端电压。
构成直流斩波器的开关器件过去用的较多的是普通晶闸管,它们本身没有自关断能力,因而限制了斩波器的性能;目前斩波器大都采用既能控制其导通又能控制其关断的全控型器件,如功率晶体管(GTR)、可关断晶闸管(GTO)、场效应管(MOSFET )、绝缘栅双极晶体管(IGBT ) 等。
电力晶体管的优点是饱和压降低、载流密度大,但是驱动电流较大。
电力场效应管是用栅极电压来控制漏极电流的,因此它的一个显著特点是驱动电路简单、驱动功率小、开关速度快、工作频率高,但是电力MOSFET 的电流容量小、耐压低、导通压降大,适用于小功率电力电子装置。
由于功率场效应晶体管(Power MOSFET) 是一种单极型电压控制器件,具有开关速度快、高频特性好、输入阻抗高、驱动功率小、热稳定性优良、无二次击穿问题、安全工作区宽和跨导线性度高等显著特点,因而在各类中小功率开关电路中得到了广泛的应用[17]。
因此本控制系统使用功率MOSFET作为功率开关器件。
功率开关器件的选取非常关键,如果选择的功率管容量、耐压过大,则将大幅增加控制系统的成本;如果功率管的耐压及电流容量偏小,则在工作过程中经常无端出现管子烧毁的现象。
纯硬件原理样机的主功率及其驱动电路根据系统总体设计方案采用DC-AC三相桥式逆变电路,24 V 主功率电路如图二所示:图二:主功率电路续流二极管选用快速恢复二极管,额定电流为3A,额定电压为40V恢复时间为10nS。
对输入端和输出端接有感性元件时,如控制接触器的线圈等,则在它们两端并联续流二极管(直流电路)和阻容吸收电路,以抑制电路断开时产生的电弧对功率电路的影响。
RC 吸收回路的R 值越大,线圈两端的电压越高,要考虑线圈的绝缘水平是否工作在安全区;R 的值越小,线圈(电阻)要承担部分的磁能损耗,且回路总电阻值小,能量损耗就慢,电机去磁就较慢(因为回路电流在断开电源时的大小是一样的),当然,电容器的取值也致关重要,电容器能否吸收线圈中的磁能。
这样分析,电容只是在线圈工作过程中,起隔离直流(能减去吸收回路中R的损耗)作用,不会减轻线圈的损耗,使用二极管,能隔离R在线圈工作时的损耗。
电阻和电容参数计算如下:C (2.5~5) 10 8 I fI f0.367 I dI d直流电流值。
由电机电流为l N 1.8A ,U N 24V,P N 15W可以计算8C (2.5~5) 10 8 1.8 0.045~0.09 F (4.2)选用O.1F/50V 电容。