工程材料名词解释
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工程材料名词解释 Revised as of 23 November 2020
工程材料名词解释
1.片状珠光体:渗碳体为片状的珠光体
2.球状珠光体:在铁素体上分布着颗粒状渗碳体组织?
3.渗碳:是指将钢件置于渗碳介质中加热并保温目的:是提高钢件表层的含
碳量。
4.氮化:在一定温度下,使活性氮原子渗入工件表面的化学热处理工艺称为
渗氮。目的:是提高零件表面的硬度、耐磨性、耐蚀性及疲劳强度。
5.过冷奥氏体:冷却到A1线以下而又尚未转变的奥氏体
6.残余奥氏体:马氏体转变不能完全进行到底,冷却到MS线以下转变停止时
仍未能转变的奥氏体。
7.钢的化学热处理:钢放在一定的化学介质中,使其表面与介质相互作用,
吸收其中某些化学元素的原子(或离子)并通过加热,使该原子自表面向内部扩散的过程称钢的化学热处理?
8.淬透性:在规定条件下,钢在淬火冷却时获得马氏体组织深度的能力。
9.淬硬性:钢在理想的淬火条件下,获得马氏体后所能达到的最高硬度。
10.奥氏体稳定化:奥氏体的稳定化是指奥氏体的内部结构在外界因素作用下
发生某种变化而使奥氏体向马氏体的转变呈迟滞现象。
11.片状马氏体:铁基合金中的一种典型的马氏体组织,常见于淬火高,中碳
钢及高Ni的Fe-Ni合金中,其空间形态呈凸透镜片状,也称为透镜片状马氏体。
12.板条马氏体:低碳钢,中碳钢。马氏体时效钢和不锈钢等合金中形成的一
种典型的马氏体组织,其光学显微组织是有成群的板条组成故称为板条马
氏体?
13.正火:将钢材或钢件加热到Ac3(或Accm)以上适当温度,保温适当时间后
在空气中冷却,得到珠光体类组织的热处理工艺;
14.正火目的:改善钢的切削加工性能;细化晶粒,消除热加工缺陷;消除过
共析钢的网状碳化物,便于球化退火;提高普通结构零件的机械性能。15.退火:将组织偏离平衡状态的金属或合金加热到适当的温度,保持一定的时
间,然后缓慢冷却以达到接近平衡状态组织的热处理工艺。工艺有:扩散退火、完全退火、不完全退火、球化退火、再结晶退火和消除应力退火。
16.退火目的:均匀钢的化学成分及组织;细化晶粒;调整硬度,改善钢的成
形及切削加工性能;消除内应力和加工硬化;为淬火做好组织准备3淬火目的:大幅度提高钢的强度与硬度。
17.淬火:状态的马氏体或下贝氏体组织的热处理工艺方法称为淬火。
18.淬火目的:大幅度提高钢的强度与硬度。
19.回火:淬火的钢在A1以下温度加热使其转变为稳定的回火组织,并以适当
的方式冷却的工艺过程。
20.淬火钢回火的目的:得到所需要的组织与性能通过适当回火可改变淬火组
织,调整和改善钢的性能。稳定工件尺寸回火使不稳定的淬火组织转变为稳定组织。消除或减少淬火内应力。
21.
22.晶体:构成原子或离子、分子在三维空间呈现出周期性规则堆积排列的固
体称为晶体;
23.非晶体:呈现无规则排列的固体为非晶体。
24.
25.单晶体:一个晶体中的原子完全按照一种规则排列,且原子规则排列的空
间取向完全一致,则该晶体为单晶体;
26.多晶体:在一个晶体中虽然原子排列的规则完全相同,但晶体中不同部分
之间原子规则排列的空间取向存在明显的不同(将晶粒放大后会出现明暗不同区域),则称为多晶体。
27.
28.晶粒和晶界:在多晶体中,一个原子规则排列空间取向相同的部分称为一
个晶粒。在一个晶粒中,不同部分的原子规则排列之间有时也存在很小的空间取向差,将晶粒内这些相互之间原子规则排列空间取向存在很小差别的部分称为亚晶粒。晶粒与晶粒之间的分界面称为晶粒界,简称晶界。
29.
30.晶体结构:晶体中原子或离子、分子具有各自特征的规则排列称为该晶体
的晶体结构。
31.
32.晶格:为研究方便起见,对于由原子或离子构成的金属和无机非金属而
言,可将其构成原子或离子视为质点,将这些分布于三维空间的质点按一定的规则以直线相连便构成由质点和直线形成的三维空间格子,将其称为晶格或点阵。晶格中质点所占据的位置称为晶格的结点或平衡位置。
33.
34.晶胞:将按照一定规则从晶体中取出的能够完全反映晶体原子或离子排列
规则的最小晶体单元称为晶胞。
35.
36.晶格(胞)常数和晶胞致密度:分别以a、b、c表示晶胞平行于x、y、z坐
标轴的边长,称之为晶格(胞)常数。它反映了晶胞的大小。将晶胞中原子所占据体积与晶胞整体体积之比称为该晶胞的致密度。
37.
38.晶面和晶向:在晶格中,任意取至少三个原子便可构成一个平面,这种由
原子构成的平面称为晶面,晶面原子密度:单位面积晶面上具有的原子个数;任意取至少两个原子便可构成一个晶体中的方向,将这种由一列原子构成的方向称为晶向,晶向原子密度:沿晶向单位长度上所含原子个数。
原子排列完全相同,仅仅是空间位向不同的晶面(晶向)称为一个晶面族(晶向族)。
39.
40.晶体各向异性:沿晶体不同晶向性能不同的现象。产生原因:晶体不同晶
向上原子或分子等排列规律不同。
41.
42.位错:当晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体沿某一晶面发生局部滑移
时,滑移面上滑移区与未滑移区的交界线称为位错。刃型位错的运动形式有滑移和攀移两种;螺型位错运动形式只有滑移。阻碍位错运动的因素有:晶体结合键强度越高,点缺陷、线缺陷密度越大,面缺陷的总面积以及第二相粒子的数量越多,对位错运动的阻碍越大。
43.晶须:由于种种原因,晶体中总是存在位错,制备出的位错很少的短条状
晶体材料称为晶须。