静态工作点的计算 优质课件
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大能力。
4.hoe
在
Ic hfeIb ho Ue ce 中令
即将输入端交流开路，则有
第三节
Ib 0
ho e
Ic Uce
Ib
0
hoe称为输入端交流开路时的输出电导，单位为西门子（S）。
通常用rce来表示，称为晶体管 集-射极交流输出电阻。
1 rce
hoe
由特性曲线求h参数
.. beβ Ib β Icbe
..
UcUe ce
e_e _
__
e
e
_
e
三两个个hh参参数数的的等等效效电电路路
rbb为基区半导体的体电阻，
在本书中近似取为300Ω。
在常温下UT可取为26mA ，IEQ为发射极的静态电流。
rbe 300 (1 ) 26(mV) ()
IEQ(mA)
（一）计算电压放大倍数
b+
.
Ic
c
+
hie
1
.
Ube
.
hoe hfeIb
.
Uce
hreUce
_
_
e
e
（二）h参数的物理意义
第三节
1.hie
在 Ube hieIb hreUce 中令 Uce 0
即将输出端交流短路，则有
Ube
h ie
Uce 0
Ib
hie称为输出交流短路时的输入电阻，单位为欧姆(Ω)。
duCE
U iB
CE
I uCE B
diC iC
diB iC
duCE
U iB CE
I uCE B
用有限的增量来代替无穷小增量，用增量比来代替偏导数，有
式中
uBE hieiB hreuCE
iC
hfeiB
ho
u e
CE
uBE
h U ie
C EQ
电压放大倍数 A u是放大电路的一个重要性能指标。它表示
放大器放大信号电压的能力，定义为输出正弦电压与输入正 弦电压复数值之比。即为
式中 Au=Uo/Ui o i
放大倍数亦常用增益来表示，单位是分贝（dB）。
只要将放大倍数的模代入公式
Au(dB) 20 lg Au
IRc VCC I R CQ L Rc RL
ICQ IBQ ICEO IBQ
根据上述式子就可以估算静态工作点的 IBQ,UBEQ,ICQ及UCEQ的值
.
.
Rb Ib
Ic
+
+
+
Rs
.
U· _ + s
Ui
_
. Rc
Uce
RL
.
Uo
_
_
. Ib b
+
. Ube
_
. Ib
b
uCE
0 uCE
求hoe
uCE
（三）关于微变等效电路的几个问题
第三节
.
.
hie及hoe分别表示晶体
Ib
b+
Ic
c
+
管的交流输入电阻和
输出电导。
hie
1
.
Ube
hfeIb 电流源的性质
.
hoe hfeIb
.
Uce
hr eU c e 电压源的性质
_
e
hreUce
_
e
微变等效电路中的 电量都是信号电压、 信号电流。
uBE
h U ie
C EQ
iB
iB
UCEQ
iB
Q
iB IBQ
第三节
uCE
Q
hre uBE IBQ uCE
hfe
iC UCE Q
iB
iC
iC
uBE
0 uBE
求hie
Q
iB iC
uBE
0 uBE
求hre
iC
Q
IBQ
hoe iC IBQ uCE
0
UCEQ
求hfe
+. Ube
_
e
第三节
.
Ic
c
+
晶
体
. Uce
管
交
_
流
e
等
效
.
电
Ic
路
c
+
框
. U_ ce
图
e
（一）晶体管的h参数微变等效电路
第三节
由晶体管输入特性和输出特性，可以得到
Байду номын сангаас
uBE f 1(iB, uCE)
iC f 2(iB, uCE)
求函数在静态工作点的全微分
duBE uBE
diB uBE
第五章
计算 分析法
用计算分析法计算 主要性能指标
第三节
Rb
Rs
+
.
U· s+ _
Ui
_ VBB
放大电路
+ Vcc
Rc
+
.
Rs
RL
Uo+UoU·_+sRs
_
.
Rb Ib
.
Ic +Vcc
+ Rc
+
+
.
Ui
Rb
IBQ
. . +
Uce
UBEQ
+
IRCcQ + RL Uo RL Uo
UCEQ
V_BB
__
_ __
h参数必须用Q点的 值求出。Q点改变， 参数也改变。
（四）简化h参数微变等效电路
. Ib
b+
.
Ic
c
+
..
Ib Ib
b+
b
+
第三节
. Ic
+c+ c
hie
.
Ube
. hreUce
_
e
1 hoe hfeIb
rbe rbb (1 ) UT
IEQ
.
Uce
r r r U.beU.be be
1.计算电压放大倍数
.
Au
及输出信号电压
. Uo
+ Vcc Rc
.
.
Ii Rb Ib
++
Rb
Rs
+
.
.+
Ui
Us _
_ VBB
+
Rs
T
RL
. Uo+Uo
. . + Ui Us _
rbe
_
_
_
Ri
放大电路
第三节
..
Ic
Io
+
.
.
β Ib Rc RL Uo
_
Ro
微变等效电路
电压放大倍数 A u
第三节
iB
hfe
iC UCE Q
iB
hre uBE IBQ uCE
hoe iC IBQ uCE
把由信号引起的增量用交流正弦复数量代替
Ube hieIb hreUce
第三节
Ic hfeIb ho U e ce
根据这两个方程画出晶体管的h参数微变等效电路
. Ib
交直流通路
第三节
根据直流通路可以列出
I V U BQ
BB
BEQ
Rs Rb
导通 电压
UBEQ=0.7V(硅管) UBEQ=0.2V(锗管）
UCEQ VCC IRc Rc
+Vcc
Rc
Rb IBQ
ICQ + +
+
Rs
VBB
UBEQ
_
RL
UCEQ
_
Uo
_
再
从 VCC IRc Rc (IRc ICQ) RL
Ib
如
+
它表示基-射极间信号电压对基极信号
图 所
.
Ube
电流的控制作用。通常用rbe来表示hie， hie 称为晶体管共射接法时基射极间的交流
示 _
输入电阻。
2.hr
e
在
Ube hieIb hreUce
中令 Ib 0
即将输入端交流开路，则有
第三节
Ub e
h re
Ib 0
Uce
hre称为输入端交流开路时的反向电压传输比，hre这个 参数表示了输出电压对输入回路的影响，它是一个无
量纲的比例系数。
3.hfe
在 Ic hfeIb ho Ue ce 中令 Uce 0
第三节
即将输出端交流短路，则有
hfe
IC I Uce
b
0
hfe称为输出端交流短路时的放大系数，或正向电流传输比， 也就是交流β，是一个无量纲的系数。它表示晶体管的电流放
4.hoe
在
Ic hfeIb ho Ue ce 中令
即将输入端交流开路，则有
第三节
Ib 0
ho e
Ic Uce
Ib
0
hoe称为输入端交流开路时的输出电导，单位为西门子（S）。
通常用rce来表示，称为晶体管 集-射极交流输出电阻。
1 rce
hoe
由特性曲线求h参数
.. beβ Ib β Icbe
..
UcUe ce
e_e _
__
e
e
_
e
三两个个hh参参数数的的等等效效电电路路
rbb为基区半导体的体电阻，
在本书中近似取为300Ω。
在常温下UT可取为26mA ，IEQ为发射极的静态电流。
rbe 300 (1 ) 26(mV) ()
IEQ(mA)
（一）计算电压放大倍数
b+
.
Ic
c
+
hie
1
.
Ube
.
hoe hfeIb
.
Uce
hreUce
_
_
e
e
（二）h参数的物理意义
第三节
1.hie
在 Ube hieIb hreUce 中令 Uce 0
即将输出端交流短路，则有
Ube
h ie
Uce 0
Ib
hie称为输出交流短路时的输入电阻，单位为欧姆(Ω)。
duCE
U iB
CE
I uCE B
diC iC
diB iC
duCE
U iB CE
I uCE B
用有限的增量来代替无穷小增量，用增量比来代替偏导数，有
式中
uBE hieiB hreuCE
iC
hfeiB
ho
u e
CE
uBE
h U ie
C EQ
电压放大倍数 A u是放大电路的一个重要性能指标。它表示
放大器放大信号电压的能力，定义为输出正弦电压与输入正 弦电压复数值之比。即为
式中 Au=Uo/Ui o i
放大倍数亦常用增益来表示，单位是分贝（dB）。
只要将放大倍数的模代入公式
Au(dB) 20 lg Au
IRc VCC I R CQ L Rc RL
ICQ IBQ ICEO IBQ
根据上述式子就可以估算静态工作点的 IBQ,UBEQ,ICQ及UCEQ的值
.
.
Rb Ib
Ic
+
+
+
Rs
.
U· _ + s
Ui
_
. Rc
Uce
RL
.
Uo
_
_
. Ib b
+
. Ube
_
. Ib
b
uCE
0 uCE
求hoe
uCE
（三）关于微变等效电路的几个问题
第三节
.
.
hie及hoe分别表示晶体
Ib
b+
Ic
c
+
管的交流输入电阻和
输出电导。
hie
1
.
Ube
hfeIb 电流源的性质
.
hoe hfeIb
.
Uce
hr eU c e 电压源的性质
_
e
hreUce
_
e
微变等效电路中的 电量都是信号电压、 信号电流。
uBE
h U ie
C EQ
iB
iB
UCEQ
iB
Q
iB IBQ
第三节
uCE
Q
hre uBE IBQ uCE
hfe
iC UCE Q
iB
iC
iC
uBE
0 uBE
求hie
Q
iB iC
uBE
0 uBE
求hre
iC
Q
IBQ
hoe iC IBQ uCE
0
UCEQ
求hfe
+. Ube
_
e
第三节
.
Ic
c
+
晶
体
. Uce
管
交
_
流
e
等
效
.
电
Ic
路
c
+
框
. U_ ce
图
e
（一）晶体管的h参数微变等效电路
第三节
由晶体管输入特性和输出特性，可以得到
Байду номын сангаас
uBE f 1(iB, uCE)
iC f 2(iB, uCE)
求函数在静态工作点的全微分
duBE uBE
diB uBE
第五章
计算 分析法
用计算分析法计算 主要性能指标
第三节
Rb
Rs
+
.
U· s+ _
Ui
_ VBB
放大电路
+ Vcc
Rc
+
.
Rs
RL
Uo+UoU·_+sRs
_
.
Rb Ib
.
Ic +Vcc
+ Rc
+
+
.
Ui
Rb
IBQ
. . +
Uce
UBEQ
+
IRCcQ + RL Uo RL Uo
UCEQ
V_BB
__
_ __
h参数必须用Q点的 值求出。Q点改变， 参数也改变。
（四）简化h参数微变等效电路
. Ib
b+
.
Ic
c
+
..
Ib Ib
b+
b
+
第三节
. Ic
+c+ c
hie
.
Ube
. hreUce
_
e
1 hoe hfeIb
rbe rbb (1 ) UT
IEQ
.
Uce
r r r U.beU.be be
1.计算电压放大倍数
.
Au
及输出信号电压
. Uo
+ Vcc Rc
.
.
Ii Rb Ib
++
Rb
Rs
+
.
.+
Ui
Us _
_ VBB
+
Rs
T
RL
. Uo+Uo
. . + Ui Us _
rbe
_
_
_
Ri
放大电路
第三节
..
Ic
Io
+
.
.
β Ib Rc RL Uo
_
Ro
微变等效电路
电压放大倍数 A u
第三节
iB
hfe
iC UCE Q
iB
hre uBE IBQ uCE
hoe iC IBQ uCE
把由信号引起的增量用交流正弦复数量代替
Ube hieIb hreUce
第三节
Ic hfeIb ho U e ce
根据这两个方程画出晶体管的h参数微变等效电路
. Ib
交直流通路
第三节
根据直流通路可以列出
I V U BQ
BB
BEQ
Rs Rb
导通 电压
UBEQ=0.7V(硅管) UBEQ=0.2V(锗管）
UCEQ VCC IRc Rc
+Vcc
Rc
Rb IBQ
ICQ + +
+
Rs
VBB
UBEQ
_
RL
UCEQ
_
Uo
_
再
从 VCC IRc Rc (IRc ICQ) RL
Ib
如
+
它表示基-射极间信号电压对基极信号
图 所
.
Ube
电流的控制作用。通常用rbe来表示hie， hie 称为晶体管共射接法时基射极间的交流
示 _
输入电阻。
2.hr
e
在
Ube hieIb hreUce
中令 Ib 0
即将输入端交流开路，则有
第三节
Ub e
h re
Ib 0
Uce
hre称为输入端交流开路时的反向电压传输比，hre这个 参数表示了输出电压对输入回路的影响，它是一个无
量纲的比例系数。
3.hfe
在 Ic hfeIb ho Ue ce 中令 Uce 0
第三节
即将输出端交流短路，则有
hfe
IC I Uce
b
0
hfe称为输出端交流短路时的放大系数，或正向电流传输比， 也就是交流β，是一个无量纲的系数。它表示晶体管的电流放