IGBT怎么测量好坏
IGBT出现故障怎么办？测试IGBT的方法有哪些？
IGBT全动态参数测试设备，是深圳威宇佳智 能控制有限公司开发制造的一款专业测试设 备，可以测试IGBT、SiC等开通、关断、短路、 栅极电荷以及二极管反向恢复各项动态参数。 同时还能够测试单管、半桥、四单元、六单 元、PIM等绝大多数封装的IGBT模块及DBC。
这台测试设备是半自动化的，可以自动进出料，具有自动短路测试、Qg测试 功能。电压电流规格最大2000V/2000A，短路电流最高5000A，可以按照用户
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IGBT出现故障怎么办？测试IGBT的方法有哪些？
在工作中经常会遇到IGBT出现故障的问题， 想要分析IGBT故障的原因却不知道该怎么做。 有时候还得判断外观完好的IGBT模块是否出 现异常，该用什么方法去测试呢？
一般情况下，可以选择使用数字万用表，来 快速判断IGBT的好坏。使用万用表的二极管 档来测试FWD芯片是否正常；用电阻档判断 CE、GE、GC有没有发生短路；用电容档来测 试门极正常正常与否。不过这些方法也只能 作为初步判别手段，并不具有通用性。想要 更加准确地判断IGBT出现故障的原因，还需 要使用到专门的测试设备。
现场教你如何去检测一个IGBT是否有问题
现场教你如何去检测一个IGBT是否有问题
变频器最贵元器件是什么,毫无疑问IGBT一定名列前茅.说实话,作为维修工程师,我最担心的事情就是炸IGBT模块,特别是在维修的过程中,所以在维修工作中,一定要做到万无一失,比如上电前,要确保驱动板正常,还可以串联灯泡防止短路炸毁IGBT,或者IGBT的供电电压用低压来测试.
那怎么取检测一个IGBT好坏了,其实也很简单
这个模块里面有两个串联的IGBT, 1267四个端子是一组,1345四个端子是另一组
首先我们看到1和2端子间有个二极管,也叫续流二极管,起保护作用,当管子关断时,反向电压从这里开辟出一条通路释放能量.一般我们在现场测量,都是测量这个二极管的好坏,大部分情况这个测量正常,IGBT 一般是好的,这个坏了,那IGBT就是坏的.
二极管的单相导电性测量,很简单,打到1k档位(指针万用表)或二极管档位(数字万用表)
可以很明显看到指针的摆动位置,一个无穷大,一个几百欧
这只是测了一个二极管,那我们怎么来测量IGBT的功能呢
第一步:打到10K档并调零,因为大功率的IGBT需要的开启电压相对也要大一些
第二步: 黑表笔放在集电极(1脚),红表笔放在发射极(2脚),我们知道指针万用表电阻档黑表笔内部接的是正极,红表笔内部接的是负极.这时我们看到指针不会动,说明两端的阻值无穷大
第三步:把门级(6脚,上图绿色夹子所夹的脚)和黑表笔(正极)短接起来,这时我们看到指针摆动了,电阻变小了,说明IGBT导通了
第四步:把1脚和6脚断开,阻值没变,还是保持在导通状态
第五步:把6脚和7脚(或2脚)短接一下,对内部电容放电,指针迅速向左摆动,回到无穷大的位置
测试完成,以上为一个好的IGBT测试过程.手上有IGBT的同学可以试下。
5种快捷方法搞定IGBT性能检测
5 种快捷方法搞定IGBT 性能检测IGBT 拥有高输入阻抗和低导通压降两种明显的优势，非常适用于直流电压的转换供电。
正因如此，很多电源转换电路中都有IGBT 的身影，其为近代电源电子技术发展作出较大的贡献。
鉴于IGBT 的广泛使用量，小编将在本文中为大家介绍如何通过一些简单的方法来针对IGBT 进行好坏的区分，感兴趣的朋友快来看一看吧。
1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
4、耐压值是最重要的参数，可用耐压表测量，输入380V 的变频器的输出模块耐压值要大于1000V，220V 则要600V！电流则可用电容表来比较判定。
IGBT的检测方法
IGBT的检测办法【1 】IGBT有三个电极,分离称为栅极G(也叫掌握极或门极).集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)一.用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极依据场效应管的PN结正.反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极.具体办法：将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分离测出其正.反向电阻值.当某两个电极的正.反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分离是漏极D和源极S.因为对结型场效应管而言,漏极和源极可交换,剩下的电极肯定是栅极G.也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）随意率性接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值.当消失两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分离为漏极和源极.若两次测出的电阻值均很大,解释是PN结的反向,即都是反向电阻,可以剖断是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,解释是正向PN结,等于正向电阻,剖断为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极.若不消失上述情形,可以更换黑.红表笔按上述办法进行测试,直到判别出栅极为止.（2）用测电阻法判别场效应管的利害测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极.栅极与源极.栅极与漏极.栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的利害.具体办法：起首将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,平日在几十欧到几千欧规模（在手册中可知,各类不合型号的管,其电阻值是各不雷同的）,假如测得阻值大于正常值,可能是因为内部接触不良;假如测得阻值是无限大,可能是内部断极.然后把万用表置于R ×10k档,再测栅极G1与G2之间.栅极与源极.栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无限大,则解释管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则解释管是坏的.要留意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测.（3）用感应旌旗灯号输人法估测场效应管的放大才能具体办法：用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V 的电源电压,此时表针指导出的漏源极间的电阻值.然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压旌旗灯号加到栅极上.如许,因为管的放大感化,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要产生变更,也就是漏源极间电阻产生了变更,由此可以不雅察到表针有较大幅度的摆动.假如手捏栅极表针摆动较小,解释管的放大才能较差;表针摆动较大,标明管的放大才能大;若表针不动,解释管是坏的.依据上述办法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F.先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指导的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,解释该管是好的,并有较大的放大才能.应用这种办法时要解释几点：起首,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动（电阻值减小）,也可能向左摆动（电阻值增长）.这是因为人体感应的交换电压较高,而不合的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不合（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致,实验标明,多半管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动.但无论表针摆动偏向若何,只要表针摆动幅度较大,就解释管有较大的放大才能.第二,此办法对MOS场效应管也实用.但要留意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G 许可的感应电压不该过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿.第三,每次测量完毕,应该G-S极间短路一下.这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,树立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放失落才行.（4）用测电阻法判别无标记的场效应管起首用测量电阻的办法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2.把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对换表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S.用这种办法判别出来的S.D极,还可以用估测其管的放大才能的办法进行验证,即放大才能大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种办法检测成果均应一样.当肯定了漏极D.源极S的地位后,按D.S的对应地位装人电路,一般G1.G2也会依次瞄准地位,这就肯定了两个栅极G1.G2的地位,从而就肯定了D.S.G1.G2管脚的次序.（5）用测反向电阻值的变更断定跨导的大小对VMOSN沟道加强型场效应管测量跨导机能时,可用红表笔接源极S.黑表笔接漏极D,这就相当于在源.漏极之间加了一个反向电压.此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳固的.将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高.当用手接触栅极G时,会发明管的反向电阻值有显著地变更,其变更越大,解释管的跨导值越高;假如被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变更不大.二.场效应管的应用留意事项（1）为了安然应用处效应管,在线路的设计中不克不及超出管的耗散功率,最大漏源电压.最大栅源电压和最大电流等参数的极限值.（2）各类型场效应管在应用时,都要严厉按请求的偏置接人电路中,要遵照场效应管偏置的极性.如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不克不及加正偏压;P沟道管栅极不克不及加负偏压,等等.（3）MOS场效应管因为输人阻抗极高,所以在运输.贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏障包装,以防止外来感应电势将栅极击穿.尤其要留意,不克不及将MOS场效应管放人塑料盒子内,保管时最好放在金属盒内,同时也要留意管的防潮.（4）为了防止场效应管栅极感应击穿,请求一切测试仪器.工作台.电烙铁.线路本身都必须有优越的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全体引线端保持互相短接状况,焊接完后才把短接材料去失落;从元器件架上取下管时,应以恰当的方法确保人体接地如采取接地环等;当然,假如能采取先辈的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较便利的,并且确保安然;在未关断电源时,绝对不成以把管插人电路或从电路中拔出.以上安然措施在应用处效应管时必须留意.（5）在装配场效应管时,留意装配的地位要尽量防止接近发烧元件;为了防管件振动,有须要将管壳体紧固起来;管脚引线在曲折时,应该大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等.对于功率型场效应管,要有优越的散热前提.因为功率型场效应管在高负荷前提下应用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超出额定值,使器件长期稳固靠得住地工作.总之,确保场效应管安然应用,要留意的事项是多种多样,采纳的安然措施也是各类各样,宽大的专业技巧人员,特殊是宽大的电子快活爱好者,都要依据本身的现实情形动身,采纳切实可行的办法,安然有用地用好场效应管.三.VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管.它是继MOSFET之后新成长起来的高效.功率开关器件.它不但继续了MOS场效应管输入阻抗高（≥μA阁下）,还具有耐压高（最高1200V）.工作电流大（1.5A～100A）.输出功率高（1～250W）.跨导的线性好.开关速度快等优秀特征.恰是因为它将电子管与功率晶体管之长处集于一身,是以在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）.功率放大器.开关电源和逆变器中正获得普遍应用.VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等长处,尤其是其具有负的电流温度系数,即在栅-源电压不变的情形下,导通电流会随管温升高而减小,故不消失因为“二次击穿”现象所引起的管子破坏现象.是以,VMOS管的并联得到普遍应用.众所周知,传统的MOS场效应管的栅极.源极和漏极大大致处于统一程度面的芯片上,其工作电流根本上是沿程度偏向流淌.VMOS管则不合,从图1上可以看出其两大构造特色:第一,金属栅极采取V型槽构造;第二,具有垂直导电性.因为漏极是从芯片的不和引出,所以ID不是沿芯片程度流淌,而是自重掺杂N+区（源极S）动身,经由P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D.电流偏向如图中箭头所示,因为流畅截面积增大,所以能经由过程大电流.因为在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,是以它仍属于绝缘栅型MOS场效应管.国内临盆VMOS场效应管的重要厂家有877厂.天津半导体器件四厂.杭州电子管厂等,典范产品有VN401.VN672.VMPT2等.下面介绍检测VMOS管的办法.1．剖断栅极G将万用表拨至R×1k档分离测量三个管脚之间的电阻.若发明某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,并且交换表笔后仍为无限大,则证实此脚为G极,因为它和别的两个管脚是绝缘的.2．剖断源极S.漏极D由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,是以依据PN结正.反向电阻消失差别,可辨认S极与D 极.用交换表笔法测两次电阻,个中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧.因为测试前提不合,测出的RDS（on）值比手册中给出的典范值要高一些.例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典范值）.4．检讨跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有显著偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高.留意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多半产品属于N 沟道管.对于P沟道管,测量时应交换表笔的地位.（2）有少数VMOS管在G-S之间并有呵护二极管,本检测办法中的1.2项不再实用.（3）今朝市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交换电机调速器.逆变器应用.例如美国IR公司临盆的IRFT001型模块,内部有N沟道.P沟道管各三只,组成三相桥式构造.（4）如今市售VNF系列（N沟道）产品,是美国Supertex公司临盆的超高频功率场效应管,其最高工作频率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小旌旗灯号低频跨导gm=2000μS.实用于高速开关电路和广播.通讯装备中.（5）应用VMOS管时必须加适合的散热器后.以VNF306为例,该管子加装140×140×4（mm）的散热器后,最大功率才干达到30W.（6）多管并联后,因为极间电容和散布电容响应增长,使放大器的高频特征变坏,经由过程反馈轻易引起放大器的高频寄生振荡.为此,并联复合管管子一般不超出4个,并且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻.检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）利害的简略单纯办法1.断定极性起首将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它南北极阻值为无限大,更换表笔后该极与其它南北极的阻值仍为无限大,则断定此极为栅极（G）.其余南北极再用万用表测量,若测得阻值为无限大,更换表笔后测量阻值较小.在测量阻值较小的一次中,则断定红表笔接的为集电极（C）;黑表笔接的为发射极（E）.2.断定利害将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极（C）,红表笔接IGBT的发射极（E）,此时万用表的指针在零位.用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C）,这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的偏向,并能站住指导在某一地位.然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E）,这时IGBT被阻断,万用表的指针回零.此时即可断定IGBT是好的.3.留意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT.留意断定IGBT利害时,必定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测利害时不克不及使IGBT导通,而无法断定IGBT的利害.此办法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的利害.变频器.软起动器.PLC.人机界面.低压电器.电气主动化工程.恒压供水装备.音乐喷泉掌握体系.变频器维修等.。
IGBT 测试方法
检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的。
3、注意事项
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
大师教你如何检测IGBT好坏简便方法
大师教你如何检测IGBT好坏简便方法展开全文如何来检测IGBT好坏简便方法？这里大师来教你：将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
逆变器IGBT模块检测：将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。
将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。
再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右；黑表笔接P,红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。
如何用数字万用表检测IGBT好坏？
如何用数字万用表检测IGBT好坏？展开全文“如何判断IGBT模块是否失效，是硬件工程师和现场支持工程师经常面临的一个问题。
数字万用表是常用设备，用万用表来准确的判断IGBT好坏对故障分析大有裨益。
”我采用的检测IGBT模块步骤如下：1、万用表打到二极管测量档。
GE短接，黑表笔接C极，红表笔接E极。
万用表显示二极管正向压降值正确；(2)、万用表打到高电阻档。
GE短接，黑表笔接E极，红表笔接C极。
正向压降为100KΩ级以上；CG短接，黑表笔接E极，红表笔接C极。
正向压降为几十Ω级以下；3、万用表打到电容测量档。
测量GE两端电容大小。
有几十nH的电容值；二极管的测量可以比较准确的判断其好坏。
IGBT测试其正向压降就可以判断其好坏。
目前常用的数字万用表，而且在高电阻档测量的时候测量电压一般是9V，可以开启IGBT，因此可以测量得到IGBT开启时的等效电阻，这个时候电阻值是非常小的了。
这一步重要的是可以明确判断门极可以控制CE之间的等效电阻，有两种电阻值。
所谓的半导体就是指具有高电阻和低电阻两种状态么。
我认为忽略第二步直接测量门极电容是一种便捷准确的方法，绝大部分的IGBT模块失效模式下，内部IGBT晶元门极结构都会遭到破坏。
无论是短路还是开路，是都测量不到有效的电容值的。
只有在IGBT良好的情况下才能测量到有效的几十nH的电容值。
测量的时候，尽量让GE处于短接状态。
防止操作不注意碰到门极引起门极击穿损坏。
本文是作者自己理解和整理，可能会有误解和偏差，欢迎加我微信交流指正。
IGBT常规测量四招必杀技
IGBT 常规测量四招必杀技看了很多的IGBT 测量方法，其中不乏极具精髓的，但不怎么的全面。
现在我总结介绍四招，有这四招，足以应付日常工作中的要求了。
但这是在简单工具的前提下，只能说是常规测量吧。
下面先摆出四大装备（排名不分先后）：下面按图示一一介绍各型武器的威力，如下所述：数字万用表：虽然，用它来测量有太多的局限性，但它却是我们最常用和普遍的工具之首。
用它测量二极管的管压降，不仅能在一定程度上判断其好坏，还能判定它们的离散性。
数字电容表：这个可能是很多人用的比较少吧，其实我们都知道，IGBT 的容量大小是有规律的，容量大它的各种等效电容容量也将同比加大，如最重要的Cies 就是我们的测量对象。
但是，官方给出的多是VGE=0V VCE=10V f=1MHZ 时的参考数值，我们根本没有条件来做直接对比。
我们使用的数字电容表多在800HZ 的测试频率。
但这不并不影响我们的测量，我们只要总结规律，以我们现有的这种简单测试仪表也还是具有非常大的可靠性的，而且在一定程度上能判断各个IGBT 管的同一性。
现在很多奸商以小充大来赚取暴利，所以这是一个很好的方法。
万一你用上了“来历不明”的模块而爆机时有可能就是这种情况，不是你技术不好或是你维修的不够仔细，而是你碰上了李鬼模块。
模拟表：这个很多人都知道，用它来测量IGBT 的触发开通性能及关断性能。
除此之外，也是可以测试IGBT 的好坏的，如果并联二极管完好而IGBT 开路了就会触发不起来的。
晶体管直流参数测试表：耐压是IGBT 最重要的关键参数之一，但是，使用它测试IGBT 时，也是这四种测量手段中最具危险性的一种。
弄不好会报废IGBT 的。
我只是点明一下，在有限的条件下做最大可靠性的测试分析，具体的操作有赖于各位大侠们的剑锋所指，内力所及了。
IGBT模块测量与判断
IGBT模块测量与判断简介IGBT模块是现代电力电子技术中的重要器件，主要用于变频器、逆变器、交直流混合电源等电力设备中。
在实际运用中，IGBT模块的电性能、热性能和可靠性往往是影响整个电力设备工作性能的关键因素之一。
因此，IGBT模块的测量和判断非常重要。
本文将介绍IGBT模块测量方法和判断方法，帮助读者更好地了解和使用IGBT 模块。
IGBT模块测量方法1. DC电阻测量DC电阻测量是IGBT模块测试中最常见的方法之一。
通过测量IGBT模块正负级之间发生通断的DC电阻来判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到DC电阻档位。
2.将正负级之间的引脚测量，分别记录正负极间电阻。
3.将正负级引脚交换后再次测量，记录正负极间电阻。
4.比较两次测量结果，如果读数相同，则IGBT模块正负级之间没有短路。
如果读数大幅变化，则IGBT模块正负级之间可能存在短路。
2. 电压测量电压测量是IGBT模块测试中常用的方法之一，测量IGBT模块正负级引脚是否有电压，以判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到电压档位。
2.将正负级之间的引脚测量，分别记录正负级之间的电压。
3.如果读数为0，则正负级之间没有电压，说明IGBT模块正负级之间不存在导通问题。
3. 电流测量电流测量是IGBT模块测试中比较常用的方法之一，测量IGBT模块负载电流是否正常，以判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到电流档位。
2.将正负级之间连接负载，分别记录正负级引脚的电流。
3.如果读数过大或过小，则说明IGBT模块存在问题。
IGBT模块判断方法1. 观察外观首先，可以通过观察IGBT模块的外观，判断器件是否受损或破碎。
如果IGBT 模块外观有破损、变形、划痕等，说明器件可能存在损伤，需要进一步检查。
2. 测量IGBT模块正负级引脚间电阻通过DC电阻测量方法，可以判断IGBT模块正负级之间的通断（正常应该读数接近无穷大，如果出现很小的电阻值，表示器件存在短路现象）。
用万用表检测IGBT驱动模块
用万用表检测IGBT驱动模块1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
逆变器IGBT模块检测：将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。
将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。
再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右；黑表笔接P,红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。
各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。
IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。
如何判定IGBT、MOS管的好坏
如何判定IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判定极性第一将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，假设某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，那么判定此极为栅极（G ）。
其余两极再用万用表测量，假设测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，那么判定红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判定好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（E），现在万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一名置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
现在即可判定IGBT 是好的。
3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判定IGBT 好坏时，必然要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判定IGBT 的好坏。
此方式一样也能够用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
此刻常常要检测MOS管了，转几篇MOS管的检测方式，以备随时观摩！用万用表检测MOS开关管好坏的方式一、MOS开关管针脚判定：在电脑上，MOS管都是N沟道增强型的MOSFET开关管，大部份都采纳TO－220F封装，其针脚判定方式是：将针脚向下，印有型号的面向自己，左侧的是栅极，中间是漏极，右边是源极。
二、万用表的选择：测试MOS好坏只能用指针式万用表才方便点，测试时选择欧姆R×10K 档，这时电压可达，红笔是负电位，黑笔是正电位。
三、测试步骤：MOS管的检测主若是判定MOS管漏电、短路、断路、放大。
其步骤如下：1、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。
使用万用表等测试IGBT模块的方法
G/E（下桥臂）：短路 G/E（上桥臂）：G(+), E(-) C（上桥臂）：开路 CVCC电源输出电流：＜1mA CVCC电源输出电压：0V~15V(＜20V) 从0V开始，慢慢地增加VGE，如果只有很小 的电流流过，就说明G/E端并没有短路 备注：当上桥臂测试时，下桥臂G/E端必须短 路，用鳄鱼夹夹好 确保VGE不超过20V！
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二、用更多的测试设备测量IGBT好坏
(a)
(b) VCE测试电路实例图
(c)
测试实例，如上图 (a)所示，VCE从0V慢慢地升到20V，很小的电流流过，其 中(b)的测试结果模块是好的；若电流很大，如(c)的测试结果模块是坏的， C/E端短路。
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注意事项
• 以上方法适用于没有专业IGBT测试仪器时初步判断IGBT失效。如需要 做更为详尽的分析，请联系IGBT生产厂家做失效分析。
快速测试IGBT模块好坏的方法
--使用万用表、电流源、电压源来快速检测IGBT模块好坏 邱勉为 杨雪 2015.9
一、万用表初步判断IGBT好坏
• 在没有其他精密测量仪器时可以用万用表初步判断IGBT模块好坏。模 块正常情况下，G/E和C/E端的电阻值是无穷大或者兆欧级的，如果两 端的电阻值在欧姆级别或者千欧级时，请不要将此模块上电或者上机 运行。 • 以两单元IGBT模块来说，将数字万用表调至欧姆档，分别测量上桥和 下桥，具体方法如下面图片所示。注意在测C/E端时红黑表笔的位置不 能颠倒，否则测量的是续流二极管而不是IGBT。
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备注：当下桥臂测试时，上桥臂G/E端必须短 路，用鳄鱼夹夹好
确保VGE不超过20V！
二、用更多的测试设备测量IGBT好坏
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IGBT测量方法
IGBT电路图IGBT测量方法一正常IGBT测量：用数字万用表的二极管档测量，红表笔是+正极，黑表笔是-负极。
1IGBT的G端(门级)与E端（发射极）、C端（集电极）是不导通，所以Rge和Rgc理论阻值是100M Ω以上。
若G端和E端外围有并接电阻，Rge阻值=并接电阻阻值。
（用电阻档测）；2因IGBT的C\E端并接二极管.2.1若G\E端不加触发电压，E端（发射极）、C端（集电极）是单向导通。
用二极管档测，红表笔在E端，黑表笔在C端，表显示345，导通，导通压降为0.345V。
表笔相反测，表显示1，表示不导通；（表显示345，表示导通的压降为0.345V,万用表不同，IGBT不同，测量值有偏差，偏差值不大）2.2若G\E端加触发直流电压VGE=6V（VGE>Vt）, 红表笔在C端，黑表笔在E端,C端和E端正向导通，表显示345；2.3因G\E端相当一个小电容，当撤离外加触发电源，触发电压还存在，C端和E端正向还导通，电线短接G\E端，IGBT正向就不导通2.4 正常C/E端耐压测试：为什么用测量电机绝缘的摇表测试：1数字万用表的电压在DC9V内,电压低不能正确判断其耐压真实性。
2 因摇表的电压在DC500V内，与IGBT C/E端正常工作电压相同，可真实检测IGBT状况。
其电压可以通过速度控制，而且电源功率小，测量时不会发生意外。
3 摇表的正极接在C端，负极接在E端。
摇动摇表，显示的数值在100MΩ以上，同时用万用表测量电压，电压可以在150V以上。
二故障IGBT1 G端和C\E端阻值在KΩ以下，并接电阻除外；2 C\E端，用用二极管档测, 表显示100以下，并有声音提示，表示C\E短路；或者用电阻档测，阻值很小。
3 G\E端加触发电压，C\E端正向不导通；4 C/E端耐压测试: 摇表测试，显示的数值在1MΩ以下。
同时用万用表测量电压，电压在15V以下；。
IGBT的检测方法
IGBT的检测方法IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种半导体功率开关器件，广泛应用于电力电子设备中的逆变器、变频器、交流调速器等领域。
为确保IGBT的正常运行，需要进行定期的检测和维护。
下面将介绍IGBT的检测方法。
1.IGBT的外观检测外观检测是最简单的IGBT检测方法之一、操作人员应检查IGBT外壳是否有破损、变形、漏油等情况。
同时还要检查IGBT引脚是否完好、连接是否松动。
若发现任何异常，应及时进行修复或更换。
2.IGBT的导通和绝缘检测IGBT在正常工作时应处于导通状态，即正向极化。
可以使用数字万用表或特殊的IGBT检测仪进行导通测试。
通过记录测试值，可以得知IGBT是否导通正常。
此外，还可以使用绝缘电阻测试仪测量IGBT的绝缘电阻，确保其与外壳之间的绝缘性能良好。
3.IGBT的耐压测试耐压测试是测试IGBT的绝缘性能的一种方法。
通过对IGBT的引脚与壳体之间施加高电压，检测其是否能够承受所需的工作电压。
耐压测试也可以用来检测IGBT之间的电气隔离性能。
4.IGBT的正向和反向电流测试正向电流测试可以用来验证IGBT的导通性能。
通过施加正向电流，检测IGBT的导通特性是否符合要求。
反向电流测试可以用来检测IGBT的阻断能力。
通过施加反向电流，检测IGBT是否能够正常阻断电流。
5.IGBT的温度测试6.IGBT的电路参数测试7.IGBT的堆叠测试堆叠测试是针对IGBT模块的一种检测方法。
可以通过串联多个IGBT 模块，来测试其整体的性能。
堆叠测试可以验证IGBT模块的通流能力、散热性能等。
总结起来，IGBT的检测方法包括外观检测、导通和绝缘检测、耐压测试、正向和反向电流测试、温度测试、电路参数测试和堆叠测试。
通过这些检测方法，可以确保IGBT的正常工作和长期稳定性能。
IGBT模块的测试方法
IGBT模块的测试方法IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块是一种高性能的功率开关器件，主要用于交流电转直流电的变换和功率控制。
为了确保IGBT模块的正常运行和可靠性，需要进行相应的测试和检验。
1.外观检查：首先要对IGBT模块的外观进行检查，包括外壳是否完好，引脚是否弯曲或者损坏，有无明显的划痕或者焊接痕迹等。
如发现问题应及时处理或更换。
2.规格参数测试：对IGBT模块的规格参数进行测试，包括额定电压、额定电流、耐压、漏电流等参数的测试。
可以使用测试仪器如万用表、电桥等进行测试，确保IGBT模块符合规格要求。
3.电性能测试：通过测试IGBT模块的电性能来评估其性能指标。
包括静态工作特性测试、开关特性测试和动态电流特性测试等。
-静态工作特性测试：分别测量IGBT模块的输入电阻、输出电阻和反向漏极电阻。
可以利用电桥或者万用表进行测试。
-开关特性测试：测试IGBT模块的开关特性，包括导通电压降、截止电流、开启时间、关断时间等。
可以利用示波器和信号发生器等仪器进行测试。
-动态电流特性测试：测试IGBT模块在不同负载和工作频率下的电流响应能力。
可以通过施加正弦波或方波负载来进行测试。
4.温度测试：IGBT模块的工作温度是其可靠性和寿命的重要参数，需要进行温度测试。
可以使用红外测温仪或者热电偶进行测量，确保IGBT模块在规定的工作温度范围内。
5.保护功能测试：IGBT模块通常具有过流保护、过压保护、过温保护等功能，需要进行相应的保护功能测试。
可以通过模拟过流、过压、过温等情况来检验模块的保护功能是否正常。
除了以上测试方法，还需要注意以下几点：-测试环境：IGBT模块的测试环境应该干燥、无尘、温度适宜，避免灰尘和湿气对模块的影响。
-测试设备：使用高质量的测试设备和仪器，确保测试的准确性和可靠性。
-测试记录：进行测试时，应有详细的测试记录，包括测试时间、测试环境、测试设备和仪器、测试结果等信息，便于后续分析和检查。
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IGBT怎么测量好坏
l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接IGBT 的集电极
（C ) ，红表笔接IGBT 的发时极( E ) ，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G ）和集电极（C ) ，这时工GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G ）和发射极（ E ) ，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的。
3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测IGBT 。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×IOK挡，因R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管( P 一MOSFET ）的好坏。
IGBT功率模块的万用表检测方法
IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻，对于正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 两极与 G 、c 两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时， e 、C 极间均有 4k Ω正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接 c 极，黑笔接 e 极，若所测值在 3 ． 5k Ωl 左右，则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管，若所测值在 50k Ω左右，则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。
对于数字万用表，正常情况下， IGBT 管的 C 、 C 极间正向压降约为 0 ． 5V 。
综上所述，内含阻尼二极管的 IGBT 管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。
实际维修中IGBT 管多为击穿损坏。
如果觉得以上方法不够形象，可以用指针万用表的10K电阻档，黑笔接模块C1，红笔接E1，一只手的大拇指摸到C1,另随便一手指摸G1，此时万用表显示模块导通；用手指将G1对E1短接，模块关断。
同理，再测C2和E2。
若按以上方法万用表显示模块有一组或者两组不能正常导通和关断说明模块已坏。
检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法
1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为
无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发
射极（E）。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT 的
发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电
极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住
指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时
IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT是好的。
3、注意事项
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用
表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好
坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测
功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
变频器、软起动器、PLC、人机界面、低压电器、电气自动化工程、恒压供水设备、音乐喷泉控制系统、变频器维修等。
西门子：
1、（1）判断晶闸管极性及好坏的方法
选择指针万用表R×100Ω或R×1KΩ档分别测量晶闸管的任两个极之间的正反向电阻，其中一极与其他两极之间的正反向电阻均为无穷大，则判定该极为阳极（A）。
然后选择指针万用表的R×1Ω档。
黑表笔接晶闸管的阳极（A），红表笔接晶闸管的其中一极假设为阴极（K），另一极为控制极（G）。
黑表笔不要离开阳极（A）同时触击控制极（G），若万用表指针偏转并站住，则判定晶闸管的假设极性阴极（K）和控制极（G）是正确的，且该晶闸管元件为好的晶闸管。
若万用表指针不偏转，颠倒晶闸管的假设极性再测量。
若万用表指针偏转并站住，则晶闸管的第二次假设极性为正确的，该晶闸管为好的晶闸管。
否则为坏的晶闸管。
（2）判断IGBT极性及好坏的方法
判断IGBT极性：选择指针万用表R×100Ω或R×1KΩ档分别测量IGBT 的任两个极之间的正反向电阻，其中一极与其他两极之间的正反向电阻均为无穷大，则判定该极为IGBT的栅极（G）。
测量另外两极的正反向电阻，在正向电阻时，红表笔接的为IGBT的集电极（C），黑表笔接的为IGBT的发射极（E）。
判断IGBT好坏：选择指针万用表的R×10KΩ档。
黑表笔接集电极（C），红表笔接发射极（E），用手同时触击一下集电极（C）和控制极（G）。
若万用表指针偏转并站住，再用手同时触击一下发射极（E）和控制极（G），万用表指针回零，则该IGBT为好的，否则为坏的IGBT。
功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两极管的判断.对于IGBT模块我们还需判断在有触发电压的情况下能否导通和关断。
逆变器IGBT模块检测:
将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。
将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档，红表笔接P(集电极c1)，黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。
再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右；黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。
各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。
IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性, 万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。
如果有数值显示,则门极性能变差，此模块应更换。
当正反向测试结果为零时,说明所检测的一相门极已被击穿短路。
门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。